JP3864836B2 - 回路基板の配線構造 - Google Patents
回路基板の配線構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3864836B2 JP3864836B2 JP2002117457A JP2002117457A JP3864836B2 JP 3864836 B2 JP3864836 B2 JP 3864836B2 JP 2002117457 A JP2002117457 A JP 2002117457A JP 2002117457 A JP2002117457 A JP 2002117457A JP 3864836 B2 JP3864836 B2 JP 3864836B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- lands
- row
- land
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路基板の配線構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、エリア配置型半導体素子の実装面には、複数のバンプが格子状に配列されており、複数のバンプがプリント基板に形成した複数のランドとそれぞれ接合されることによって、エリア配置型半導体素子がプリント基板上に実装される。このとき、複数のバンプ及び複数のランドは、１対１に対応しており、各１個ずつのバンプとランドとが、半導体素子とプリント基板の配線とを接続する電源端子、ＧＮＤ端子、入力・出力端子などの端子として機能する。
【０００３】
プリント基板のランドに接続された配線は、エリア配置型半導体素子の周囲に引き出される。この場合、格子状に配列された複数のランドの内周列に属するランドからの引き出しを容易に行う為に、プリント基板は多層配線基板として構成され、その内周列に属するランドは一旦下層に接続され、配線を引き出すように構成される。ただし、格子状に配列されたランドの列の数だけの層を設けると、多層配線基板の層数が増加してしまう為、１層当たり複数の列に属するランドからの引き出し配線を形成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来のエリア配置型半導体素子の各バンプは、上述のように１つのランドが割り当てられている。ここで、バンプ同様格子状に配列している複数のランドとランドに接続された配線の構造を、図９に示す。
【０００５】
図９（ａ）に示したように、例えば５列且つ最外周列１２個×１２個格子のランドを有するプリント基板において、第１層で最外周列である第１列目から順に配線１０と接続していくとすると、第１，２列目までは全ランド４が配線１０と接続でき、第３列目の４個のランド４までが配線１０が可能である。ここで、図９（ａ）の一点鎖線で囲んだ区域は、第３列の二重丸で示したランド４ａから延びる破線が示すように、スペースとしては配線一本分空いている様に見えるが、一点鎖線部を拡大した図１０に示すように、実際は隣の配線１０との間隔が狭くその配線構造も複雑となる。従って、配線１０を無理やり通したとしても断線や絶縁抵抗といった層間接続信頼性の問題があり、歩留低下の原因となるため、配線１０は行わないものとする。尚、図１０（ａ）は図９（ａ）の一点鎖線部における１本配線の拡大図、図１０（ｂ）は同じく図９（ａ）の一点鎖線部における２本配線の拡大図である。
【０００６】
第１層で配線１０と接続されなかったランド４については、図９（ｂ）に示すように、ランドオンビアにて同じ配置のまま下層である第２層へ層間接続された後、第２層にて配線１０との接続が行われる。しかしながら、図９（ｂ）に示すように、破線で囲われた第５列目の１２個のランド４の内、４個のランド４ａが配線１０と接続できずに残る。従って、これらのランド４ａを配線１０と接続させるためには、更に下層である第３層を設け層間接続する必要があり、コストアップとなる。
【０００７】
しかし、近年の高密度化、高速化、小型化、低コスト化の流れの中で、上記目標を達するために、プリント基板におけるランドからの配線の引き出し方法を工夫し、同一層においてより多くの配線を引き出すことによりプリント基板の層数を抑制する必要が生じてきている。尚、回路基板として上記したプリント基板の他に多層配線構造のセラミック基板も同様である。
【０００８】
本発明は上記点に鑑みてなされたもので、配線とランドの接続を工夫する事で、同一層内でより多くの接続を行い、回路基板の層数をできる限り削減可能な回路基板の配線構造を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する為に、請求項１に記載の回路基板は、格子状に配列された複数のバンプを有するエリア配置型半導体素子をその表面に実装しており、バンプと１対１で対応し電気的に接続される格子状に配列された複数のランドと、その複数のランドにそれぞれ接続され、一端がエリア配置型半導体素子の周囲に引き出された配線と、ランドと接続され、各層間を導電接続するビアホールを有する多層配線構造の回路基板であり、その配線構造は、上層である第１層では、第１列目である最外周列ランド全てと、最外周列ランドと隣接しない第３列目のランド全て、若しくは、第４列目のランド全てと、が配線と接続され、第１層にて配線と接続されたランドを除く全てのランドがビアホールと接続され、第１層における第２列目のランドが、第１層の下層である第２層の最外周列ランドと層間接続されていることを特徴とする。
【００１０】
従来、最外周列ランドから内周列ランドへ向かって順に配線との接続が実施されていたのに対し、本発明においては、第１層で最外周列ランドは配線と接続されるが、第２列目のランドはビアホールにより層間接続され、第２層における最外周列ランドとなる。また、ビアホールと接続された各ランドは、ランドオンビア構造にてそのまま直下へ層間接続されている。従って、第２列目のランドを最外周列ランドとする本構造は、第３列目を第２層における最外周列ランドとする従来の構造に比べて、第２層における最外周列ランド間に内周列ランドと接続した配線を引き出すスペースを多くとることができる。
【００１１】
また、第１層において、全ての最外周列ランドとともに、最外周列に隣接しない第３列目若しくは第４列目の全てのランドが配線と接続されている。すなわち、第２層において、第１層にて配線と接続された内周列のランドに対応する部分が環状の空列部となり、空列部よりも内周列のランドからの配線の引き出しの自由度が高まる。なお、第３列目のランド全てが配線と接続された場合、第２層において、最外周列ランドと第２列目のランドとの間に、環状の空列部が構成される。また、第４列目のランド全てが配線と接続された場合、第２層において、最外周列ランドに隣接する第２列目のランドと第３列目ランドとの間に、環状の空列部が構成される。したがって、第２層において、内周列のランドからの配線を、最外周列ランド間を通してエリア配置型半導体素子の周囲に引き出しやすい。以上により、本発明はランドと配線の接続構造を工夫することで、ランドに接続された配線を同一層内でより多く引き出すことができ、回路基板の層数を削減することが可能である。
【００１３】
また、請求項２に記載のように、第１層にて、第２列目のランドのうち、コーナーに位置するランドが、配線と接続された構成とすると良い。
【００１４】
この場合、第１層にて、配線の取りまわしの関係上、第３列目以降の内周列のランドから配線を引き出せないランド間スペースへ、配線を引き出すことができる。特に最外周列のコーナー付近のランド間スペースは、辺の中央部のランド間スペースに比べて、第３列目以降のランドからの配線を引き出しにくいが、第２列目のコーナーに位置するランドを配線と接続することで、このようなランド間スペースへも配線を引き出すことができる。すなわち、第２層での最外周列ランド間の配線引き出しスペースを減少せず（換言すれば、第２層での（特にコーナー付近の）配線の引き出しの自由度を高め）、第１層での配線と接続されるランド数を増加することができる。
【００１５】
なお、請求項２に記載の発明においては、請求項３に記載のように、第１層にて、配線と接続される第２列目のランドを、コーナー部のランドと、当該ランドに隣接する２個のランドのうち、一方のランドとすると良い。このように、第１層にて、配線と接続される第２列目のランドをコーナー部の４個、それに隣接する４個の計８個とすると、第２層において、配線の引き出し自由度の低いコーナー部でのスペースが増加し、内周列のランドから配線をより引き出しやすくなる。
【００１６】
請求項１〜３いずれか１項に記載の発明は、請求項４に記載のように、各層において、隣接する最外周列ランド間を通して、エリア配置型半導体素子の周囲に引き出される配線を１本のみとする構成に好適である。
【００１８】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
なお、以下に示す第１の実施の形態に記載の回路基板の配線構造及び対応する図２は、本願特許請求の範囲に係る発明に含まれないが、回路基板の配線構造が適用されるエリア配置型半導体装置の構成が後述する第２の実施の形態，第３の実施の形態と同じであるので、参考例として記載する。以下、本発明の第１の実施の形態におけるエリア配置型半導体素子を実装する回路基板の配線構造を図に基づいて説明する。
【００１９】
図１は、本実施の形態におけるエリア配置型半導体装置の構成を示す断面図である。エリア配置型半導体装置はＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）１等のエリア配置型半導体素子と回路基板として例えばガラスエポキシ樹脂等から形成されたプリント基板２からなる。尚、回路基板としてはプリント基板２以外にもセラミック基板を用いても良い。ＣＳＰ１はその実装面に接続端子として複数個のバンプ３を格子状に配列しており、プリント基板２は、多層配線構造を有し、接続端子として例えばＣｕからなる導体パターンの端部にランド４，４ａ，４ｂを有している。ここで，ランド４は配線１０と接続されるランド、ランド４ａは配線１０と接続されずランドオンビアにて下層に導電接続されるランド、ランド４ｂは配線１０と接続されずスタッガートビアにて下層に導電接続されるランドを示す。
【００２０】
また、プリント基板２はコア層をその中心とし、絶縁層と導体配線層を交互に積み上げるように繰り返し形成して多層化したビルドアッププリント配線基板が用いられる。プリント基板２の表面に形成した複数のランド４と配線を行う為、プリント基板２の各層間にはビアホール５やスルーホール６、コアビア７等が形成されている。また、ビアホール５としては、ランド４ａ下に直接延設したランドオンビア接続をするもの以外に、ランド４ｂとビアホール５がつなぎ配線８にて接続された後、上層側のランド４ｂとは異なる位置において下層へ層間接続をするスタッガートビアも存在する。
【００２１】
ここでプリント基板２へのＣＳＰ１の実装は、プリント基板２のランド４，４ａ，４ｂとＣＳＰ１のバンプ３が重なり合うようにＣＳＰ１をプリント基板２に搭載し、その状態で、リフローはんだ付けを行うことによってなされる。尚、バンプ３ははんだボールであり、その材料として例えば鉛−錫共晶はんだが用いられている。その融点は１８３℃である。また、バンプ３の配列は、例えば５列且つ最外周列１２個×１２個の総計１４０個のはんだボールが実装面に装着されている。このときのリフロー条件としては、バンプピッチやバンプ径によっても異なるが、はんだバンプ３を溶融する為、ピーク温度がパッケージの表面で約２３０℃程度とする。
【００２２】
一方、プリント基板２上のランド４は配線と接続され、その各配線は電源、グランド等の外部端子と接続されたり、プリント基板２上の他の素子と接続される。ＣＳＰ１とプリント基板２間は充填樹脂９により封止されており、その材料としてエポキシ樹脂等が用いられる。また、エリア配置型半導体素子の例としてＣＳＰ１を挙げたが、それ以外にもＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）やベアチップであるＦＣ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ）等が適用できる。
【００２３】
以下、第１の実施の形態を含む複数の実施の形態を図２〜図８に基づいて説明するに当たり、本発明の基本となる多層配線構造の回路基板におけるランドと配線の接続方法について説明する。
【００２４】
本発明の基本的な考え方のポイントは２つ有り、１つは第２層以降の各層において最外周列ランド間の配線の引き出しスペースを多く設けることである。つまり、できるだけ外周側の列のランド４ａ，４ｂを下層における最外周列のランド４となるようにビアホール５を通して導電接続することである。最外周列のランド間スペースが増加すると、より多くの配線１０を引き出すことができるため、同一層内で配線１０と接続できるランド数を増やすことができる。
【００２５】
もう一方は、ランド４と接続された配線１０の自由度を高めることである。配線１０の自由度を高めるために、上述の配線１０を引き出すスペースを増やすこと以外にも、格子状に配列されたランド４の中に空列部を設けることにより配線１０の自由度を高めることが可能である。自由度が高まるとすなわち配線１０の取り回しが容易となり、配線１０を外部端子へ引き出しやすくなる。すなわち、より多くのランド４と配線１０を接続することができる。尚、空列部とは同列に存在し隣接するランドが少なくとも２個無い状態を示す。
【００２６】
そのためには、上層より下層へ導電接続させる接続位置を、上述した２つのポイントを考慮した下層のランド配置に合わせて設定することが重要である。その結果、第２層以降の各層内で、第２列目以降のランド４からの配線１０の引き出しスペースの増加と配線１０の引き出しの自由度を高めることができ、結果として配線密度を高め、配線層数を削減することができるものである。
【００２７】
図２（ａ）はプリント基板２の上層である第１層におけるランド４，４ａと各ランド４に接続された配線１０の配線構造を示す図であり、図２（ｂ）はプリント基板２の下層である第２層におけるランド４と各ランド４に接続された配線１０の配線構造を示す図である。尚、本例においてはＣＳＰ１のバンプ３とプリント基板２のランド４，４ａは１：１で対応するものとする。
【００２８】
図２（ｂ）のランド４は、図２（ａ）のランド４，４ａのうち、第１層にて配線１０と接続されなかったランド４ａを層間接続されたビアホール５を通してランドオンビアにて直下の第２層のランド４へ導電接続したものであり、第２層のランド４にて配線１０と接続される。
【００２９】
このとき、第１層目から第２層目への導通接続に使用するビアホール５の形成法としては、ＣＯ2やＵＶ−ＹＡＧ等のレーザー加工等が用いられる。
【００３０】
ここで、ランド４と配線１０を接続する場合、複数のランド４，４ａ，４ｂが形成する格子の最外周列から内周側へ向かって順に第１，２・・列とすると、図２（ａ）に示すように、第１層での接続は最外周列である第１列目とそれに隣接しない第３列目以降のランド４を配線１０と接続させると良い。従って、第１層における第２列目が第２層における最外周列となることができる。このようなランド４と配線１０の接続構造をとることにより、図２（ｂ）に示すように、従来の第１層における第３列目を最外周とする場合と比較して、最外周列のランド間スペースすなわち配線１０の引き出しスペースが増加し、尚且つ第２層におけるランド４の格子内に部分的な空列部ができるため、ランド４と接続した配線１０の引き出し自由度を高めることができ、より多くの配線１０を最外周列ランド間を通して引き出すことができる。尚、最外周列ランド４のランド間に配線引き出しスペースが余っており、それに対して第２列目のランド４に接続した配線１０を用いる際には、配線１０の取りまわしの関係上、第３列目以降のランド４からの配線１０を引き出せないスペース、例えば図２（ａ）に示されるような最外周列のコーナー付近の配線引き出しスペースに用いられることが好ましい。第２列目のランド４に接続した配線１０を最外周列ランド間の配線引き出しスペースに多く通してしまうと、下層に層間接続される内周側の列のランド４ａが増加し、下層において内周列のランド４から配線１０の全てを引き出すことができなくなるため、下層において内周列のランド４からの配線１０の引き出しに影響が無いことを十分に確認した上で第２列目のランド４から配線１０を引き出す必要がある。逆にいえば、下層において内周列のランド４からの配線１０の引き出しに悪影響が無ければ、第２列目のランド４を配線１０と接続して最外周列ランド間に引き出して良い。その場合、下層において、最外周ランド間の配線引き出しスペースが増えより多くの内周列のランド４から接続された配線１０を引き出すことができる。
【００３１】
ここで、従来技術と比較してみると、図２（ｂ）における破線で囲われた第５列目内において、図９（ｂ）で示した従来技術では８個のランド４が配線１０と接続可能であったが、本発明においては１２個全てのランド４が接続可能であり、更に破線状の矢印１１（以下接続可能配線と言う）で示すように１ヶ所を追加して配線１０と接続可能である。従って、上記接続可能配線１１を追加すると、総数１３個のランド４までが配線と接続可能であり、その分プリント基板２の配線層数を削減することができる。
【００３２】
（第２の実施の形態）
次に本発明の第２の実施の形態を図３（ａ）、図３（ｂ）に基づいて説明する。
【００３３】
第２の実施の形態におけるＣＳＰ１とプリント基板２の接合方法は、第１の実施の形態によるものと共通するので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。
【００３４】
第２の実施の形態において、第１の実施の形態と異なる点は、第１層で配線１０と優先的に接続されるのが、最外周列である第１列目と内周列である第３列目のランド４であることである。ここで、図３（ａ）はプリント基板２の第１層におけるランド４，４ａと各ランド４に接続された配線１０の配線構造を示す図であり、図３（ｂ）はプリント基板２の第２層におけるランド４と各ランド４に接続された配線１０の配線構造を示す図である。
【００３５】
第１の実施の形態同様、例えば第１層で５列且つ最外周列１２個×１２個のランド配置を有しているプリント基板２において、図３（ａ）に示すように、先ず第１層にて最外周列である第１列目と第３列目のランド４を配線１０と接続し、余った配線引き出しスペースに対しては第４列目以降のランド４か或いは第１の実施の形態同様に第２列目のランド４を用いる。
【００３６】
次いで、第１層で配線１０と接続されなかったランド４ａはその直下よりランドオンビアにて第２層のランド４へ導電接続される。図３（ｂ）に示すように、第２層におけるランド４と配線１０との接続は、第１層における第２列目を最外周列としたことで従来よりも内周列からより多くの配線１０を引き出すことができ、更に第１層の第３列目のランド４が第１層にて全て配線１０と接続されたため，第２層における対応する箇所が空列部となり、第２層の最外周列と第２列目の間隔を広く設定できる。その結果配線１０の取り回しの自由度がより高まり、第５列目のランド４は１２個全て接続でき、更に接続可能配線１１を４本確保できる。
【００３７】
従って、第２層における第５列目以降を従来と比較すると、２倍の数のランド４との配線１０の接続が可能であり、その結果としてプリント基板２の配線層数を削減するのに大いに貢献することができる。
【００３８】
（第３の実施の形態）
次に本発明の第３の実施の形態を図４（ａ）、図４（ｂ）に基づいて説明する。
【００３９】
第３の実施の形態におけるＣＳＰ１とプリント基板２の接合方法は、第１の実施の形態によるものと共通するので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。
【００４０】
第３の実施の形態において、第１の実施の形態と異なる点は、第１層で配線１０と優先的に接続されるのが、最外周列である第１列目と内周列の第４列目のランド４であることである。ここで、図４（ａ）はプリント基板２の第１層におけるランド４，４ａと各ランド４に接続された配線１０の配線構造を示す図であり、図４（ｂ）はプリント基板２の第２層におけるランド４と各ランド４に接続された配線１０の配線構造を示す図である。
【００４１】
第１の実施の形態同様、例えば第１層で５列且つ最外周列１２個×１２個のランド配置を有しているプリント基板２において、図４（ａ）に示すように、最外周列である第１列目と第４列目のランド４を配線１０と優先的に接続し、その後最外周列ランド間で配線１０が引き出されていない配線引き出しスペースについては、第３列目以降のランド４か或いは第１の実施の形態同様に第２列目のランド４と配線１０を接続させて引き出すものとする。
【００４２】
以上の操作により、第１層にて配線１０と接続できないランド４ａはランドオンビアにて第２層のランド４に導電接続される。本例においても第１層における第２列目を第２層において最外周列とすることで、従来よりも第２層における内周列からの配線１０の引き出しスペースが増加し、更に第１層で第４列目のランド４が配線１０と接続されることにより、第２層において複数のランド４が形成する格子の内部に空列部ができ、それより内周列のランド４と接続された配線１０の自由度が高まる。その結果、図４（ｂ）に示すように、第２層における第５列目のランド４と配線１０との接続個数は１２個全てであり、更に破線状の矢印で示したように接続可能配線１１を８本確保できるため、総計２０箇所まで第５列目以降のランド４と配線１０を接続させることができ、従来技術の８個と比較すると、２．５倍の数値を示す。従って、よりランド数の多い列を下層での最外周列とし、更に最外周列ランドと内周列のランドの列の間に空列部を設けることで、ランド４と接続する配線１０のＣＳＰ１の周囲への引き出しが効率的に実施でき、結果としてより多くのランド４と配線１０の接続が可能となるため、プリント基板２の配線層数を削減することができる。
【００４３】
なお、以下に示す第４の実施の形態〜第７の実施の形態に記載の内容及び対応する図５〜図８は、本願特許請求の範囲に係る発明に含まれないが、参考例として記載する。
（第４の実施の形態）
次に本発明の第４の実施の形態を図５（ａ）、図５（ｂ）に基づいて説明する。
【００４４】
第４の実施の形態におけるＣＳＰ１とプリント基板２の接合方法は、第１の実施の形態によるものと共通するので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。
【００４５】
第４の実施の形態において、第１の実施の形態と異なる点は、最外周列のランド４から内周側へ向かって順に配線１０と接続される点と、その層にて配線１０と接続されないランド４ａ，４ｂの内、最外周側の列から少なくとも１列のランド４ｂをスタッガートビアにて異なる位置のビアホール５を通し、下層のランド４と導電接続される点である。尚、図５（ａ）はプリント基板２の第１層におけるランド４，４ａ，４ｂと各ランド４に接続された配線１０の配線構造を示す図、図５（ｂ）はプリント基板２の第２層におけるランド４と各ランド４に接続された配線１０の配線構造を示す図である。
【００４６】
例えば５列且つ最外周列１２個×１２個のランド配置にて、図５（ａ）に示すように最外周列の第１列目のランド４から内周側に向かって順に配線１０と接続していくと、第３列目の４個のランド４までが第１層で配線１０と接続することができる。そこで、配線１０と接続できないランド４ａ，４ｂが存在する列の内、最外周である第３列目が第２層での最外周列となるようにスタッガートビアにて第２層のランド４と導電接続される。
【００４７】
ここで、図５（ａ）に示すように、第３列目のみをスタッガートビアし、第２層のランド４と導電接続する。この際、スタッガートビアされるランド４ｂとそれに隣接する第３列目のランド４，４ｂ及び隣接する第２列目のランド４とで形成する破線の四角枠の略中心にビアホール５が形成され、ランド４ｂから当該ビアホール５につなぎ配線８が形成される。この際、つなぎ配線８は、接続されるランド４ｂを含む格子列に対して略４５度の方向に配されている。
【００４８】
次に、第１層で配線１０と接続されなかった第３列目の各ランド４ｂ及び第４列目以降のランド４ａは、ビアホール５を通して、第２層のランド４と導電接続される。図５（ｂ）に示すように、第２層においては、スタッガートビアされた最外周列ランド４とランドオンビアで第２層側へ導電接続されたランド４が存在しており、最外周列がスタッガートビアされたことにより、最外周列と内周列との間には空列ができている。従って、ランドオンビアされたランド４に接続された配線１０の自由度が高くなり、その結果、第５列目は１２個全てのランド４を配線１０と接続でき、従来と比較してより多くのランド４と配線１０を接続できることから、プリント基板２の層数を削減することができる。
【００４９】
（第５の実施の形態）
次に本発明の第５の実施の形態を図６（ａ）、図６（ｂ）に基づいて説明する。
【００５０】
第５の実施の形態におけるＣＳＰ１とプリント基板２の接合方法は、第１の実施の形態によるものと共通するので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。
【００５１】
第５の実施の形態において、第４の実施の形態と異なる点は、その層にて配線１０と接続できなかったランド４を、外周側から連続する２列分スタッガートビアにて下層のランド４に導電接続することである。尚、図６（ａ）はプリント基板２の第１層におけるランド４，４ａ，４ｂと各ランド４に接続された配線１０の配線構造を示す図、図６（ｂ）はプリント基板２の第２層目におけるランド４と各ランド４に接続された配線１０の配線構造を示す図である。
【００５２】
例えば５列且つ最外周列１２個×１２個のランド配置にて、図６（ａ）に示すように、最外周列である第１列目のランド４から配線１０と接続させると、第４の実施の形態同様、第３列目の４個のランド４までしか配線１０と接続させることはできない。そこで、第３列目と第４列目の２列分のランド４ｂをスタッガートビアにて第２層のランド４と導通接続させる。尚、つなぎ配線８の方向は第４の実施の形態と同様である。
【００５３】
この場合、図６（ｂ）に示すように、第２層において最外周となる列とその列に隣接する列のランド４ｂをスタッガートビアにて導電接続したため、第２層における格子の各コーナー付近において、最外周列のコーナーランド４を含む配線引き出しスペースが、第４の実施の形態と比較して第２列目のコーナーランド４が隣接することにより、当該ランド４からの配線１０にて充填されやすくなる。また第２層において、スタッガートビアされた最外周から２列目のランド４とランドオンビアされたランド４との間には空列部ができるため、ランドオンビアされたランド４からの配線１０の自由度が高まり、より多くのランド４と配線１０との接続が可能となる。その結果、第５列目のランド１２個は全て配線１０と接続され、更に接続可能配線１１が２本あることから、従来と比較してプリント基板２の層数を削減することができる。
【００５４】
（第６の実施の形態）
次に本発明の第６の実施の形態を図７（ａ）、図７（ｂ）に基づいて説明する。
【００５５】
第６の実施の形態におけるＣＳＰ１とプリント基板２の接合方法は、第１の実施の形態によるものと共通するので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。
【００５６】
第６の実施の形態において、第４の実施の形態と異なる点は、その層にて配線１０と接続できなかったランド４ａ，４ｂを、外周列側から少なくとも１列分スタッガートビアにて下層のランド４に導電接続する際、そのつなぎ配線８の接続方向をその層の複数のランド４ａ，４ｂが形成する格子の各辺の中心線１２に対して左右対称となるように外周コーナー方向へ設ける点である。尚、図７（ａ）はプリント基板２の第１層におけるランド４，４ａ，４ｂと各ランド４に接続された配線１０の配線構造を示す図、図７（ｂ）はプリント基板２の第２層目におけるランド４と各ランド４に接続された配線１０の配線構造を示す図である。
【００５７】
例えば５列且つ最外周列１２個×１２個のランド配置にて、図７（ａ）に示すように、最外周列である第１列目のランド４から順に配線１０と接続すると、第３列目の４個のランド４まで接続できる。そこで、第３列目及び第４列目のランド４ｂをスタッガートビアし、第２層のランド４へ導電接続する。この際、スタッガートビアされるランド４ｂからビアホール５へのつなぎ配線８の接続方向は、格子の各辺の中心を通る中心線１２を境に略４５度の角度をもって外周列のコーナー方向へ配され、スタッガートビアされるランド４ｂとそれに隣接する同列のランド４ｂ及び隣接する外周列のランド４，４ｂとで形成する破線の四角枠の略中心に形成されたビアホール５に接続される。従って、各辺のつなぎ配線８の接続方向は、中心線１２を挟んで左右対称となっている。
【００５８】
次に図７（ｂ）に示すように、第２層において、スタッガートビアされた最外周列と第２列目のランド４とランドオンビアされた第３列目のランド４との間には空列部があり、ランドオンビアされたランド４に接続された配線１０の取り回し自由度が高くなると共に、つなぎ配線８を各辺の中心線１２を境に外周列側へ対称的に設けたため、第２層のランド４の各辺の中心には空きの配線引き出しスペースができ、第４、５の実施の形態と比較して更に内周列からの配線１０の引き出しが容易となる。その結果、破線で囲われた第５列目の１２個のランド４は全て配線１０と接続することができ、更に破線状の矢印で示された接続可能配線１１が４本可能であることから、本実施の形態においても、従来と比較してプリント基板２の層数を削減することができる。
【００５９】
（第７の実施の形態）
次に、本発明の第７の実施の形態を図８（ａ）、図８（ｂ）に基づいて説明する。
【００６０】
第７の実施の形態におけるＣＳＰ１とプリント基板２の接合方法は、第１の実施の形態によるものと共通するので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。
【００６１】
第７の実施の形態において、第４の実施の形態と異なる点は、その層にて配線１０と接続できなかったランド４ａ，４ｂを、外周列側から少なくとも１列スタッガートビアにて下層のランド４に導電接続する際、その層の複数のランド４，４ａ，４ｂが形成する格子の中心点１３に対して、スタッガートビアされる同列内のランド４ｂからビアホール５へのつなぎ配線８の接続方向が同一旋回方向となるように設けられる点である。尚、図８（ａ）はプリント基板２の第１層におけるランド４，４ａ，４ｂと各ランド４に接続された配線１０の配線構造を示す図、図８（ｂ）はプリント基板２の第２層目におけるランド４と各ランド４に接続された配線１０の配線構造を示す図である。
【００６２】
例えば５列且つ最外周列１２個×１２個のランド配置にて、図８（ａ）に示すように、最外周列である第１列目のランド４から順に配線１０と接続して行くと、第３列目の４個のランド４まで接続できる。そこで、第３列目及び第４列目のランド４ｂをスタッガートビアし、第２層のランド４へ導電接続する。この際、スタッガートビアされるランド４ｂからビアホール５へのつなぎ配線８の接続方向は、格子の中心点１３に対してスタッガートビアされる同一列内のランド４ｂにおいて同一旋回方向且つ略４５度外周コーナー方向へ設けられる。尚、旋回方向は中心点に対して時計回りでも或いは反時計回りでもどちらでも良く、更に複数列がスタッガートビアされる場合は、列により旋回方向が同じでも或いは異なっていてもどちらでも良い。
【００６３】
次に図８（ｂ）に示すように、第２層においてスタッガートビアされた最外周列と第２列目のランド４とランドオンビアされたランド４との間には空列部があり、ランドオンビアされたランド４と接続された配線１０の取り回し自由度が高くなる。また、同一列のランド４ｂとつなぎ配線８の接続方向を格子の中心点１３に対して同一旋回方向に設けることで、第２層におけるランドオンビアされたランド４からの配線１０の引き出しを全て直線で行うことができ、第４，５の実施の形態と比較して断線等による歩留まり低下を防ぐことができる。以上より破線で囲われた第５列目の１２個のランド４は全て配線１０と接続することができ、本実施の形態においても、従来と比較してプリント基板２の層数を削減することができる。
【００６４】
以上本発明における好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されず種々変更して実施することができる。
【００６５】
本発明の実施例として、５列且つ最外周列１２個×１２個のランドの例を示したが、３列以上のランドを有するものであれば列数及び個数は特に限定されないものである。
【００６６】
また、本例においては５列ランドの例で有った為、２層の配線層数であったが、それ以上の複数層にまたがってランドからの配線の引き出しを行う場合には、各層において請求項１〜４に記載のいずれかの配線構造を用いて処理することができ、その結果回路基板の配線層数を削減することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態におけるエリア配置型半導体装置の断面図を示す。
【図２】第１の実施形態における配線構造を示し、（ａ）はプリント基板第１層のランドの配列を示す配列図、（ｂ）はプリント基板第２層のランドの配列を示す配列図である。
【図３】第２の実施形態における配線構造を示し、（ａ）はプリント基板第１層のランドの配列を示す配列図、（ｂ）はプリント基板第２層のランドの配列を示す配列図である。
【図４】第３の実施形態における配線構造を示し、（ａ）プリント基板第１層のランドの配列を示す配列図、（ｂ）はプリント基板第２層のランドの配列を示す配列図である。
【図５】第４の実施の形態における配線構造を示し、（ａ）プリント基板第１層目のランドの配列を示す配列図、（ｂ）はプリント基板第２層のランドの配列を示す配列図である。
【図６】第５の実施の形態における配線構造を示し、（ａ）プリント基板第１層目のランドの配列を示す配列図、（ｂ）はプリント基板第２層のランドの配列を示す配列図である。
【図７】第６の実施の形態における配線構造を示し、（ａ）プリント基板第１層目のランドの配列を示す配列図、（ｂ）はプリント基板第２層のランドの配列を示す配列図である。
【図８】第７の実施の形態における配線構造を示し、（ａ）プリント基板第１層目のランドの配列を示す配列図、（ｂ）はプリント基板第２層のランドの配列を示す配列図である。
【図９】従来技術における配線構造を示し、（ａ）プリント基板第１層のランドの配列を示す配列図、（ｂ）はプリント基板第２層のランドの配列を示す配列図である。
【図１０】図９（ａ）の一点鎖線部の拡大図を示し、（ａ）配線が１本の場合の配線図、（ｂ）配線が２本の場合の配線図である。
【符号の説明】
１・・・ＣＳＰ、２・・・プリント基板、３・・・バンプ、４・・・配線と接続されるランド、４ａ・・・ランドオンビアにて下層へ層間接続されるランド、４ｂ・・・スタッガートビアにて下層へ層間接続されるランド、５・・・ビアホール、８・・・（スタッガートビアにおける）つなぎ配線、１０・・・配線、１１・・・接続可能配線、１２・・・中心線、１３・・・中心点
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路基板の配線構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、エリア配置型半導体素子の実装面には、複数のバンプが格子状に配列されており、複数のバンプがプリント基板に形成した複数のランドとそれぞれ接合されることによって、エリア配置型半導体素子がプリント基板上に実装される。このとき、複数のバンプ及び複数のランドは、１対１に対応しており、各１個ずつのバンプとランドとが、半導体素子とプリント基板の配線とを接続する電源端子、ＧＮＤ端子、入力・出力端子などの端子として機能する。
【０００３】
プリント基板のランドに接続された配線は、エリア配置型半導体素子の周囲に引き出される。この場合、格子状に配列された複数のランドの内周列に属するランドからの引き出しを容易に行う為に、プリント基板は多層配線基板として構成され、その内周列に属するランドは一旦下層に接続され、配線を引き出すように構成される。ただし、格子状に配列されたランドの列の数だけの層を設けると、多層配線基板の層数が増加してしまう為、１層当たり複数の列に属するランドからの引き出し配線を形成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来のエリア配置型半導体素子の各バンプは、上述のように１つのランドが割り当てられている。ここで、バンプ同様格子状に配列している複数のランドとランドに接続された配線の構造を、図９に示す。
【０００５】
図９（ａ）に示したように、例えば５列且つ最外周列１２個×１２個格子のランドを有するプリント基板において、第１層で最外周列である第１列目から順に配線１０と接続していくとすると、第１，２列目までは全ランド４が配線１０と接続でき、第３列目の４個のランド４までが配線１０が可能である。ここで、図９（ａ）の一点鎖線で囲んだ区域は、第３列の二重丸で示したランド４ａから延びる破線が示すように、スペースとしては配線一本分空いている様に見えるが、一点鎖線部を拡大した図１０に示すように、実際は隣の配線１０との間隔が狭くその配線構造も複雑となる。従って、配線１０を無理やり通したとしても断線や絶縁抵抗といった層間接続信頼性の問題があり、歩留低下の原因となるため、配線１０は行わないものとする。尚、図１０（ａ）は図９（ａ）の一点鎖線部における１本配線の拡大図、図１０（ｂ）は同じく図９（ａ）の一点鎖線部における２本配線の拡大図である。
【０００６】
第１層で配線１０と接続されなかったランド４については、図９（ｂ）に示すように、ランドオンビアにて同じ配置のまま下層である第２層へ層間接続された後、第２層にて配線１０との接続が行われる。しかしながら、図９（ｂ）に示すように、破線で囲われた第５列目の１２個のランド４の内、４個のランド４ａが配線１０と接続できずに残る。従って、これらのランド４ａを配線１０と接続させるためには、更に下層である第３層を設け層間接続する必要があり、コストアップとなる。
【０００７】
しかし、近年の高密度化、高速化、小型化、低コスト化の流れの中で、上記目標を達するために、プリント基板におけるランドからの配線の引き出し方法を工夫し、同一層においてより多くの配線を引き出すことによりプリント基板の層数を抑制する必要が生じてきている。尚、回路基板として上記したプリント基板の他に多層配線構造のセラミック基板も同様である。
【０００８】
本発明は上記点に鑑みてなされたもので、配線とランドの接続を工夫する事で、同一層内でより多くの接続を行い、回路基板の層数をできる限り削減可能な回路基板の配線構造を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する為に、請求項１に記載の回路基板は、格子状に配列された複数のバンプを有するエリア配置型半導体素子をその表面に実装しており、バンプと１対１で対応し電気的に接続される格子状に配列された複数のランドと、その複数のランドにそれぞれ接続され、一端がエリア配置型半導体素子の周囲に引き出された配線と、ランドと接続され、各層間を導電接続するビアホールを有する多層配線構造の回路基板であり、その配線構造は、上層である第１層では、第１列目である最外周列ランド全てと、最外周列ランドと隣接しない第３列目のランド全て、若しくは、第４列目のランド全てと、が配線と接続され、第１層にて配線と接続されたランドを除く全てのランドがビアホールと接続され、第１層における第２列目のランドが、第１層の下層である第２層の最外周列ランドと層間接続されていることを特徴とする。
【００１０】
従来、最外周列ランドから内周列ランドへ向かって順に配線との接続が実施されていたのに対し、本発明においては、第１層で最外周列ランドは配線と接続されるが、第２列目のランドはビアホールにより層間接続され、第２層における最外周列ランドとなる。また、ビアホールと接続された各ランドは、ランドオンビア構造にてそのまま直下へ層間接続されている。従って、第２列目のランドを最外周列ランドとする本構造は、第３列目を第２層における最外周列ランドとする従来の構造に比べて、第２層における最外周列ランド間に内周列ランドと接続した配線を引き出すスペースを多くとることができる。
【００１１】
また、第１層において、全ての最外周列ランドとともに、最外周列に隣接しない第３列目若しくは第４列目の全てのランドが配線と接続されている。すなわち、第２層において、第１層にて配線と接続された内周列のランドに対応する部分が環状の空列部となり、空列部よりも内周列のランドからの配線の引き出しの自由度が高まる。なお、第３列目のランド全てが配線と接続された場合、第２層において、最外周列ランドと第２列目のランドとの間に、環状の空列部が構成される。また、第４列目のランド全てが配線と接続された場合、第２層において、最外周列ランドに隣接する第２列目のランドと第３列目ランドとの間に、環状の空列部が構成される。したがって、第２層において、内周列のランドからの配線を、最外周列ランド間を通してエリア配置型半導体素子の周囲に引き出しやすい。以上により、本発明はランドと配線の接続構造を工夫することで、ランドに接続された配線を同一層内でより多く引き出すことができ、回路基板の層数を削減することが可能である。
【００１３】
また、請求項２に記載のように、第１層にて、第２列目のランドのうち、コーナーに位置するランドが、配線と接続された構成とすると良い。
【００１４】
この場合、第１層にて、配線の取りまわしの関係上、第３列目以降の内周列のランドから配線を引き出せないランド間スペースへ、配線を引き出すことができる。特に最外周列のコーナー付近のランド間スペースは、辺の中央部のランド間スペースに比べて、第３列目以降のランドからの配線を引き出しにくいが、第２列目のコーナーに位置するランドを配線と接続することで、このようなランド間スペースへも配線を引き出すことができる。すなわち、第２層での最外周列ランド間の配線引き出しスペースを減少せず（換言すれば、第２層での（特にコーナー付近の）配線の引き出しの自由度を高め）、第１層での配線と接続されるランド数を増加することができる。
【００１５】
なお、請求項２に記載の発明においては、請求項３に記載のように、第１層にて、配線と接続される第２列目のランドを、コーナー部のランドと、当該ランドに隣接する２個のランドのうち、一方のランドとすると良い。このように、第１層にて、配線と接続される第２列目のランドをコーナー部の４個、それに隣接する４個の計８個とすると、第２層において、配線の引き出し自由度の低いコーナー部でのスペースが増加し、内周列のランドから配線をより引き出しやすくなる。
【００１６】
請求項１〜３いずれか１項に記載の発明は、請求項４に記載のように、各層において、隣接する最外周列ランド間を通して、エリア配置型半導体素子の周囲に引き出される配線を１本のみとする構成に好適である。
【００１８】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
なお、以下に示す第１の実施の形態に記載の回路基板の配線構造及び対応する図２は、本願特許請求の範囲に係る発明に含まれないが、回路基板の配線構造が適用されるエリア配置型半導体装置の構成が後述する第２の実施の形態，第３の実施の形態と同じであるので、参考例として記載する。以下、本発明の第１の実施の形態におけるエリア配置型半導体素子を実装する回路基板の配線構造を図に基づいて説明する。
【００１９】
図１は、本実施の形態におけるエリア配置型半導体装置の構成を示す断面図である。エリア配置型半導体装置はＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）１等のエリア配置型半導体素子と回路基板として例えばガラスエポキシ樹脂等から形成されたプリント基板２からなる。尚、回路基板としてはプリント基板２以外にもセラミック基板を用いても良い。ＣＳＰ１はその実装面に接続端子として複数個のバンプ３を格子状に配列しており、プリント基板２は、多層配線構造を有し、接続端子として例えばＣｕからなる導体パターンの端部にランド４，４ａ，４ｂを有している。ここで，ランド４は配線１０と接続されるランド、ランド４ａは配線１０と接続されずランドオンビアにて下層に導電接続されるランド、ランド４ｂは配線１０と接続されずスタッガートビアにて下層に導電接続されるランドを示す。
【００２０】
また、プリント基板２はコア層をその中心とし、絶縁層と導体配線層を交互に積み上げるように繰り返し形成して多層化したビルドアッププリント配線基板が用いられる。プリント基板２の表面に形成した複数のランド４と配線を行う為、プリント基板２の各層間にはビアホール５やスルーホール６、コアビア７等が形成されている。また、ビアホール５としては、ランド４ａ下に直接延設したランドオンビア接続をするもの以外に、ランド４ｂとビアホール５がつなぎ配線８にて接続された後、上層側のランド４ｂとは異なる位置において下層へ層間接続をするスタッガートビアも存在する。
【００２１】
ここでプリント基板２へのＣＳＰ１の実装は、プリント基板２のランド４，４ａ，４ｂとＣＳＰ１のバンプ３が重なり合うようにＣＳＰ１をプリント基板２に搭載し、その状態で、リフローはんだ付けを行うことによってなされる。尚、バンプ３ははんだボールであり、その材料として例えば鉛−錫共晶はんだが用いられている。その融点は１８３℃である。また、バンプ３の配列は、例えば５列且つ最外周列１２個×１２個の総計１４０個のはんだボールが実装面に装着されている。このときのリフロー条件としては、バンプピッチやバンプ径によっても異なるが、はんだバンプ３を溶融する為、ピーク温度がパッケージの表面で約２３０℃程度とする。
【００２２】
一方、プリント基板２上のランド４は配線と接続され、その各配線は電源、グランド等の外部端子と接続されたり、プリント基板２上の他の素子と接続される。ＣＳＰ１とプリント基板２間は充填樹脂９により封止されており、その材料としてエポキシ樹脂等が用いられる。また、エリア配置型半導体素子の例としてＣＳＰ１を挙げたが、それ以外にもＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）やベアチップであるＦＣ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ）等が適用できる。
【００２３】
以下、第１の実施の形態を含む複数の実施の形態を図２〜図８に基づいて説明するに当たり、本発明の基本となる多層配線構造の回路基板におけるランドと配線の接続方法について説明する。
【００２４】
本発明の基本的な考え方のポイントは２つ有り、１つは第２層以降の各層において最外周列ランド間の配線の引き出しスペースを多く設けることである。つまり、できるだけ外周側の列のランド４ａ，４ｂを下層における最外周列のランド４となるようにビアホール５を通して導電接続することである。最外周列のランド間スペースが増加すると、より多くの配線１０を引き出すことができるため、同一層内で配線１０と接続できるランド数を増やすことができる。
【００２５】
もう一方は、ランド４と接続された配線１０の自由度を高めることである。配線１０の自由度を高めるために、上述の配線１０を引き出すスペースを増やすこと以外にも、格子状に配列されたランド４の中に空列部を設けることにより配線１０の自由度を高めることが可能である。自由度が高まるとすなわち配線１０の取り回しが容易となり、配線１０を外部端子へ引き出しやすくなる。すなわち、より多くのランド４と配線１０を接続することができる。尚、空列部とは同列に存在し隣接するランドが少なくとも２個無い状態を示す。
【００２６】
そのためには、上層より下層へ導電接続させる接続位置を、上述した２つのポイントを考慮した下層のランド配置に合わせて設定することが重要である。その結果、第２層以降の各層内で、第２列目以降のランド４からの配線１０の引き出しスペースの増加と配線１０の引き出しの自由度を高めることができ、結果として配線密度を高め、配線層数を削減することができるものである。
【００２７】
図２（ａ）はプリント基板２の上層である第１層におけるランド４，４ａと各ランド４に接続された配線１０の配線構造を示す図であり、図２（ｂ）はプリント基板２の下層である第２層におけるランド４と各ランド４に接続された配線１０の配線構造を示す図である。尚、本例においてはＣＳＰ１のバンプ３とプリント基板２のランド４，４ａは１：１で対応するものとする。
【００２８】
図２（ｂ）のランド４は、図２（ａ）のランド４，４ａのうち、第１層にて配線１０と接続されなかったランド４ａを層間接続されたビアホール５を通してランドオンビアにて直下の第２層のランド４へ導電接続したものであり、第２層のランド４にて配線１０と接続される。
【００２９】
このとき、第１層目から第２層目への導通接続に使用するビアホール５の形成法としては、ＣＯ2やＵＶ−ＹＡＧ等のレーザー加工等が用いられる。
【００３０】
ここで、ランド４と配線１０を接続する場合、複数のランド４，４ａ，４ｂが形成する格子の最外周列から内周側へ向かって順に第１，２・・列とすると、図２（ａ）に示すように、第１層での接続は最外周列である第１列目とそれに隣接しない第３列目以降のランド４を配線１０と接続させると良い。従って、第１層における第２列目が第２層における最外周列となることができる。このようなランド４と配線１０の接続構造をとることにより、図２（ｂ）に示すように、従来の第１層における第３列目を最外周とする場合と比較して、最外周列のランド間スペースすなわち配線１０の引き出しスペースが増加し、尚且つ第２層におけるランド４の格子内に部分的な空列部ができるため、ランド４と接続した配線１０の引き出し自由度を高めることができ、より多くの配線１０を最外周列ランド間を通して引き出すことができる。尚、最外周列ランド４のランド間に配線引き出しスペースが余っており、それに対して第２列目のランド４に接続した配線１０を用いる際には、配線１０の取りまわしの関係上、第３列目以降のランド４からの配線１０を引き出せないスペース、例えば図２（ａ）に示されるような最外周列のコーナー付近の配線引き出しスペースに用いられることが好ましい。第２列目のランド４に接続した配線１０を最外周列ランド間の配線引き出しスペースに多く通してしまうと、下層に層間接続される内周側の列のランド４ａが増加し、下層において内周列のランド４から配線１０の全てを引き出すことができなくなるため、下層において内周列のランド４からの配線１０の引き出しに影響が無いことを十分に確認した上で第２列目のランド４から配線１０を引き出す必要がある。逆にいえば、下層において内周列のランド４からの配線１０の引き出しに悪影響が無ければ、第２列目のランド４を配線１０と接続して最外周列ランド間に引き出して良い。その場合、下層において、最外周ランド間の配線引き出しスペースが増えより多くの内周列のランド４から接続された配線１０を引き出すことができる。
【００３１】
ここで、従来技術と比較してみると、図２（ｂ）における破線で囲われた第５列目内において、図９（ｂ）で示した従来技術では８個のランド４が配線１０と接続可能であったが、本発明においては１２個全てのランド４が接続可能であり、更に破線状の矢印１１（以下接続可能配線と言う）で示すように１ヶ所を追加して配線１０と接続可能である。従って、上記接続可能配線１１を追加すると、総数１３個のランド４までが配線と接続可能であり、その分プリント基板２の配線層数を削減することができる。
【００３２】
（第２の実施の形態）
次に本発明の第２の実施の形態を図３（ａ）、図３（ｂ）に基づいて説明する。
【００３３】
第２の実施の形態におけるＣＳＰ１とプリント基板２の接合方法は、第１の実施の形態によるものと共通するので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。
【００３４】
第２の実施の形態において、第１の実施の形態と異なる点は、第１層で配線１０と優先的に接続されるのが、最外周列である第１列目と内周列である第３列目のランド４であることである。ここで、図３（ａ）はプリント基板２の第１層におけるランド４，４ａと各ランド４に接続された配線１０の配線構造を示す図であり、図３（ｂ）はプリント基板２の第２層におけるランド４と各ランド４に接続された配線１０の配線構造を示す図である。
【００３５】
第１の実施の形態同様、例えば第１層で５列且つ最外周列１２個×１２個のランド配置を有しているプリント基板２において、図３（ａ）に示すように、先ず第１層にて最外周列である第１列目と第３列目のランド４を配線１０と接続し、余った配線引き出しスペースに対しては第４列目以降のランド４か或いは第１の実施の形態同様に第２列目のランド４を用いる。
【００３６】
次いで、第１層で配線１０と接続されなかったランド４ａはその直下よりランドオンビアにて第２層のランド４へ導電接続される。図３（ｂ）に示すように、第２層におけるランド４と配線１０との接続は、第１層における第２列目を最外周列としたことで従来よりも内周列からより多くの配線１０を引き出すことができ、更に第１層の第３列目のランド４が第１層にて全て配線１０と接続されたため，第２層における対応する箇所が空列部となり、第２層の最外周列と第２列目の間隔を広く設定できる。その結果配線１０の取り回しの自由度がより高まり、第５列目のランド４は１２個全て接続でき、更に接続可能配線１１を４本確保できる。
【００３７】
従って、第２層における第５列目以降を従来と比較すると、２倍の数のランド４との配線１０の接続が可能であり、その結果としてプリント基板２の配線層数を削減するのに大いに貢献することができる。
【００３８】
（第３の実施の形態）
次に本発明の第３の実施の形態を図４（ａ）、図４（ｂ）に基づいて説明する。
【００３９】
第３の実施の形態におけるＣＳＰ１とプリント基板２の接合方法は、第１の実施の形態によるものと共通するので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。
【００４０】
第３の実施の形態において、第１の実施の形態と異なる点は、第１層で配線１０と優先的に接続されるのが、最外周列である第１列目と内周列の第４列目のランド４であることである。ここで、図４（ａ）はプリント基板２の第１層におけるランド４，４ａと各ランド４に接続された配線１０の配線構造を示す図であり、図４（ｂ）はプリント基板２の第２層におけるランド４と各ランド４に接続された配線１０の配線構造を示す図である。
【００４１】
第１の実施の形態同様、例えば第１層で５列且つ最外周列１２個×１２個のランド配置を有しているプリント基板２において、図４（ａ）に示すように、最外周列である第１列目と第４列目のランド４を配線１０と優先的に接続し、その後最外周列ランド間で配線１０が引き出されていない配線引き出しスペースについては、第３列目以降のランド４か或いは第１の実施の形態同様に第２列目のランド４と配線１０を接続させて引き出すものとする。
【００４２】
以上の操作により、第１層にて配線１０と接続できないランド４ａはランドオンビアにて第２層のランド４に導電接続される。本例においても第１層における第２列目を第２層において最外周列とすることで、従来よりも第２層における内周列からの配線１０の引き出しスペースが増加し、更に第１層で第４列目のランド４が配線１０と接続されることにより、第２層において複数のランド４が形成する格子の内部に空列部ができ、それより内周列のランド４と接続された配線１０の自由度が高まる。その結果、図４（ｂ）に示すように、第２層における第５列目のランド４と配線１０との接続個数は１２個全てであり、更に破線状の矢印で示したように接続可能配線１１を８本確保できるため、総計２０箇所まで第５列目以降のランド４と配線１０を接続させることができ、従来技術の８個と比較すると、２．５倍の数値を示す。従って、よりランド数の多い列を下層での最外周列とし、更に最外周列ランドと内周列のランドの列の間に空列部を設けることで、ランド４と接続する配線１０のＣＳＰ１の周囲への引き出しが効率的に実施でき、結果としてより多くのランド４と配線１０の接続が可能となるため、プリント基板２の配線層数を削減することができる。
【００４３】
なお、以下に示す第４の実施の形態〜第７の実施の形態に記載の内容及び対応する図５〜図８は、本願特許請求の範囲に係る発明に含まれないが、参考例として記載する。
（第４の実施の形態）
次に本発明の第４の実施の形態を図５（ａ）、図５（ｂ）に基づいて説明する。
【００４４】
第４の実施の形態におけるＣＳＰ１とプリント基板２の接合方法は、第１の実施の形態によるものと共通するので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。
【００４５】
第４の実施の形態において、第１の実施の形態と異なる点は、最外周列のランド４から内周側へ向かって順に配線１０と接続される点と、その層にて配線１０と接続されないランド４ａ，４ｂの内、最外周側の列から少なくとも１列のランド４ｂをスタッガートビアにて異なる位置のビアホール５を通し、下層のランド４と導電接続される点である。尚、図５（ａ）はプリント基板２の第１層におけるランド４，４ａ，４ｂと各ランド４に接続された配線１０の配線構造を示す図、図５（ｂ）はプリント基板２の第２層におけるランド４と各ランド４に接続された配線１０の配線構造を示す図である。
【００４６】
例えば５列且つ最外周列１２個×１２個のランド配置にて、図５（ａ）に示すように最外周列の第１列目のランド４から内周側に向かって順に配線１０と接続していくと、第３列目の４個のランド４までが第１層で配線１０と接続することができる。そこで、配線１０と接続できないランド４ａ，４ｂが存在する列の内、最外周である第３列目が第２層での最外周列となるようにスタッガートビアにて第２層のランド４と導電接続される。
【００４７】
ここで、図５（ａ）に示すように、第３列目のみをスタッガートビアし、第２層のランド４と導電接続する。この際、スタッガートビアされるランド４ｂとそれに隣接する第３列目のランド４，４ｂ及び隣接する第２列目のランド４とで形成する破線の四角枠の略中心にビアホール５が形成され、ランド４ｂから当該ビアホール５につなぎ配線８が形成される。この際、つなぎ配線８は、接続されるランド４ｂを含む格子列に対して略４５度の方向に配されている。
【００４８】
次に、第１層で配線１０と接続されなかった第３列目の各ランド４ｂ及び第４列目以降のランド４ａは、ビアホール５を通して、第２層のランド４と導電接続される。図５（ｂ）に示すように、第２層においては、スタッガートビアされた最外周列ランド４とランドオンビアで第２層側へ導電接続されたランド４が存在しており、最外周列がスタッガートビアされたことにより、最外周列と内周列との間には空列ができている。従って、ランドオンビアされたランド４に接続された配線１０の自由度が高くなり、その結果、第５列目は１２個全てのランド４を配線１０と接続でき、従来と比較してより多くのランド４と配線１０を接続できることから、プリント基板２の層数を削減することができる。
【００４９】
（第５の実施の形態）
次に本発明の第５の実施の形態を図６（ａ）、図６（ｂ）に基づいて説明する。
【００５０】
第５の実施の形態におけるＣＳＰ１とプリント基板２の接合方法は、第１の実施の形態によるものと共通するので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。
【００５１】
第５の実施の形態において、第４の実施の形態と異なる点は、その層にて配線１０と接続できなかったランド４を、外周側から連続する２列分スタッガートビアにて下層のランド４に導電接続することである。尚、図６（ａ）はプリント基板２の第１層におけるランド４，４ａ，４ｂと各ランド４に接続された配線１０の配線構造を示す図、図６（ｂ）はプリント基板２の第２層目におけるランド４と各ランド４に接続された配線１０の配線構造を示す図である。
【００５２】
例えば５列且つ最外周列１２個×１２個のランド配置にて、図６（ａ）に示すように、最外周列である第１列目のランド４から配線１０と接続させると、第４の実施の形態同様、第３列目の４個のランド４までしか配線１０と接続させることはできない。そこで、第３列目と第４列目の２列分のランド４ｂをスタッガートビアにて第２層のランド４と導通接続させる。尚、つなぎ配線８の方向は第４の実施の形態と同様である。
【００５３】
この場合、図６（ｂ）に示すように、第２層において最外周となる列とその列に隣接する列のランド４ｂをスタッガートビアにて導電接続したため、第２層における格子の各コーナー付近において、最外周列のコーナーランド４を含む配線引き出しスペースが、第４の実施の形態と比較して第２列目のコーナーランド４が隣接することにより、当該ランド４からの配線１０にて充填されやすくなる。また第２層において、スタッガートビアされた最外周から２列目のランド４とランドオンビアされたランド４との間には空列部ができるため、ランドオンビアされたランド４からの配線１０の自由度が高まり、より多くのランド４と配線１０との接続が可能となる。その結果、第５列目のランド１２個は全て配線１０と接続され、更に接続可能配線１１が２本あることから、従来と比較してプリント基板２の層数を削減することができる。
【００５４】
（第６の実施の形態）
次に本発明の第６の実施の形態を図７（ａ）、図７（ｂ）に基づいて説明する。
【００５５】
第６の実施の形態におけるＣＳＰ１とプリント基板２の接合方法は、第１の実施の形態によるものと共通するので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。
【００５６】
第６の実施の形態において、第４の実施の形態と異なる点は、その層にて配線１０と接続できなかったランド４ａ，４ｂを、外周列側から少なくとも１列分スタッガートビアにて下層のランド４に導電接続する際、そのつなぎ配線８の接続方向をその層の複数のランド４ａ，４ｂが形成する格子の各辺の中心線１２に対して左右対称となるように外周コーナー方向へ設ける点である。尚、図７（ａ）はプリント基板２の第１層におけるランド４，４ａ，４ｂと各ランド４に接続された配線１０の配線構造を示す図、図７（ｂ）はプリント基板２の第２層目におけるランド４と各ランド４に接続された配線１０の配線構造を示す図である。
【００５７】
例えば５列且つ最外周列１２個×１２個のランド配置にて、図７（ａ）に示すように、最外周列である第１列目のランド４から順に配線１０と接続すると、第３列目の４個のランド４まで接続できる。そこで、第３列目及び第４列目のランド４ｂをスタッガートビアし、第２層のランド４へ導電接続する。この際、スタッガートビアされるランド４ｂからビアホール５へのつなぎ配線８の接続方向は、格子の各辺の中心を通る中心線１２を境に略４５度の角度をもって外周列のコーナー方向へ配され、スタッガートビアされるランド４ｂとそれに隣接する同列のランド４ｂ及び隣接する外周列のランド４，４ｂとで形成する破線の四角枠の略中心に形成されたビアホール５に接続される。従って、各辺のつなぎ配線８の接続方向は、中心線１２を挟んで左右対称となっている。
【００５８】
次に図７（ｂ）に示すように、第２層において、スタッガートビアされた最外周列と第２列目のランド４とランドオンビアされた第３列目のランド４との間には空列部があり、ランドオンビアされたランド４に接続された配線１０の取り回し自由度が高くなると共に、つなぎ配線８を各辺の中心線１２を境に外周列側へ対称的に設けたため、第２層のランド４の各辺の中心には空きの配線引き出しスペースができ、第４、５の実施の形態と比較して更に内周列からの配線１０の引き出しが容易となる。その結果、破線で囲われた第５列目の１２個のランド４は全て配線１０と接続することができ、更に破線状の矢印で示された接続可能配線１１が４本可能であることから、本実施の形態においても、従来と比較してプリント基板２の層数を削減することができる。
【００５９】
（第７の実施の形態）
次に、本発明の第７の実施の形態を図８（ａ）、図８（ｂ）に基づいて説明する。
【００６０】
第７の実施の形態におけるＣＳＰ１とプリント基板２の接合方法は、第１の実施の形態によるものと共通するので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。
【００６１】
第７の実施の形態において、第４の実施の形態と異なる点は、その層にて配線１０と接続できなかったランド４ａ，４ｂを、外周列側から少なくとも１列スタッガートビアにて下層のランド４に導電接続する際、その層の複数のランド４，４ａ，４ｂが形成する格子の中心点１３に対して、スタッガートビアされる同列内のランド４ｂからビアホール５へのつなぎ配線８の接続方向が同一旋回方向となるように設けられる点である。尚、図８（ａ）はプリント基板２の第１層におけるランド４，４ａ，４ｂと各ランド４に接続された配線１０の配線構造を示す図、図８（ｂ）はプリント基板２の第２層目におけるランド４と各ランド４に接続された配線１０の配線構造を示す図である。
【００６２】
例えば５列且つ最外周列１２個×１２個のランド配置にて、図８（ａ）に示すように、最外周列である第１列目のランド４から順に配線１０と接続して行くと、第３列目の４個のランド４まで接続できる。そこで、第３列目及び第４列目のランド４ｂをスタッガートビアし、第２層のランド４へ導電接続する。この際、スタッガートビアされるランド４ｂからビアホール５へのつなぎ配線８の接続方向は、格子の中心点１３に対してスタッガートビアされる同一列内のランド４ｂにおいて同一旋回方向且つ略４５度外周コーナー方向へ設けられる。尚、旋回方向は中心点に対して時計回りでも或いは反時計回りでもどちらでも良く、更に複数列がスタッガートビアされる場合は、列により旋回方向が同じでも或いは異なっていてもどちらでも良い。
【００６３】
次に図８（ｂ）に示すように、第２層においてスタッガートビアされた最外周列と第２列目のランド４とランドオンビアされたランド４との間には空列部があり、ランドオンビアされたランド４と接続された配線１０の取り回し自由度が高くなる。また、同一列のランド４ｂとつなぎ配線８の接続方向を格子の中心点１３に対して同一旋回方向に設けることで、第２層におけるランドオンビアされたランド４からの配線１０の引き出しを全て直線で行うことができ、第４，５の実施の形態と比較して断線等による歩留まり低下を防ぐことができる。以上より破線で囲われた第５列目の１２個のランド４は全て配線１０と接続することができ、本実施の形態においても、従来と比較してプリント基板２の層数を削減することができる。
【００６４】
以上本発明における好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されず種々変更して実施することができる。
【００６５】
本発明の実施例として、５列且つ最外周列１２個×１２個のランドの例を示したが、３列以上のランドを有するものであれば列数及び個数は特に限定されないものである。
【００６６】
また、本例においては５列ランドの例で有った為、２層の配線層数であったが、それ以上の複数層にまたがってランドからの配線の引き出しを行う場合には、各層において請求項１〜４に記載のいずれかの配線構造を用いて処理することができ、その結果回路基板の配線層数を削減することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態におけるエリア配置型半導体装置の断面図を示す。
【図２】第１の実施形態における配線構造を示し、（ａ）はプリント基板第１層のランドの配列を示す配列図、（ｂ）はプリント基板第２層のランドの配列を示す配列図である。
【図３】第２の実施形態における配線構造を示し、（ａ）はプリント基板第１層のランドの配列を示す配列図、（ｂ）はプリント基板第２層のランドの配列を示す配列図である。
【図４】第３の実施形態における配線構造を示し、（ａ）プリント基板第１層のランドの配列を示す配列図、（ｂ）はプリント基板第２層のランドの配列を示す配列図である。
【図５】第４の実施の形態における配線構造を示し、（ａ）プリント基板第１層目のランドの配列を示す配列図、（ｂ）はプリント基板第２層のランドの配列を示す配列図である。
【図６】第５の実施の形態における配線構造を示し、（ａ）プリント基板第１層目のランドの配列を示す配列図、（ｂ）はプリント基板第２層のランドの配列を示す配列図である。
【図７】第６の実施の形態における配線構造を示し、（ａ）プリント基板第１層目のランドの配列を示す配列図、（ｂ）はプリント基板第２層のランドの配列を示す配列図である。
【図８】第７の実施の形態における配線構造を示し、（ａ）プリント基板第１層目のランドの配列を示す配列図、（ｂ）はプリント基板第２層のランドの配列を示す配列図である。
【図９】従来技術における配線構造を示し、（ａ）プリント基板第１層のランドの配列を示す配列図、（ｂ）はプリント基板第２層のランドの配列を示す配列図である。
【図１０】図９（ａ）の一点鎖線部の拡大図を示し、（ａ）配線が１本の場合の配線図、（ｂ）配線が２本の場合の配線図である。
【符号の説明】
１・・・ＣＳＰ、２・・・プリント基板、３・・・バンプ、４・・・配線と接続されるランド、４ａ・・・ランドオンビアにて下層へ層間接続されるランド、４ｂ・・・スタッガートビアにて下層へ層間接続されるランド、５・・・ビアホール、８・・・（スタッガートビアにおける）つなぎ配線、１０・・・配線、１１・・・接続可能配線、１２・・・中心線、１３・・・中心点
Claims (4)
- 実装面に複数のバンプが格子状に配列されたエリア配置型半導体素子を、多層配線構造の回路基板に実装する回路基板の配線構造であって、
前記回路基板には、前記バンプと同様の格子状に配置されると共に前記バンプと導電接続される接続端子としての複数のランドと、当該複数のランドにそれぞれ接続され、一端が前記エリア配置型半導体素子の周囲に引き出された配線と、前記ランドと接続され、各層間を導電接続するビアホールが形成されており、
前記ビアホールにより層間接続される両層において、上層である第１層では、第１列目である最外周列ランド全てと、前記最外周列ランドと隣接しない第３列目のランド全て、若しくは、第４列目のランド全てと、が前記配線と接続され、
前記第１層にて前記配線と接続されたランドを除く全ての前記ランドが前記ビアホールと接続され、前記第１層における第２列目のランドが、前記第１層の下層である第２層の最外周列ランドと層間接続されていることを特徴とする回路基板の配線構造。 - 前記第１層にて、前記第２列目のランドのうち、コーナーに位置する前記ランドが、前記配線と接続されていることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の配線構造。
- 前記第１層にて、前記配線と接続される前記第２列目のランドは、前記コーナー部のランドと、当該ランドに隣接するランドのうち、一方のランドであることを特徴とする請求項２に記載の回路基板の配線構造。
- 前記各層において、隣接する前記最外周列ランド間を通して、前記エリア配置型半導体素子の周囲に引き出される前記配線は、１本のみであることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項に記載の回路基板の配線構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002117457A JP3864836B2 (ja) | 2002-04-19 | 2002-04-19 | 回路基板の配線構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002117457A JP3864836B2 (ja) | 2002-04-19 | 2002-04-19 | 回路基板の配線構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003318310A JP2003318310A (ja) | 2003-11-07 |
| JP3864836B2 true JP3864836B2 (ja) | 2007-01-10 |
Family
ID=29534654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002117457A Expired - Fee Related JP3864836B2 (ja) | 2002-04-19 | 2002-04-19 | 回路基板の配線構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3864836B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7214886B2 (en) | 2003-11-25 | 2007-05-08 | International Business Machines Corporation | High performance chip carrier substrate |
| JP4086816B2 (ja) | 2004-07-01 | 2008-05-14 | 株式会社Ｎｅｃ情報システムズ | Ｂｇａ部品搭載基板の層数見積もり装置及び方法並びに層数見積もりプログラム |
| JP5955216B2 (ja) * | 2012-12-30 | 2016-07-20 | 京セラ株式会社 | プローブカード用配線基板 |
-
2002
- 2002-04-19 JP JP2002117457A patent/JP3864836B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2003318310A (ja) | 2003-11-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20180012831A1 (en) | Semiconductor device | |
| US6037665A (en) | Mounting assembly of integrated circuit device and method for production thereof | |
| JP3352970B2 (ja) | 複数の相互接続基板の組立方法 | |
| JP5352146B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US7253526B2 (en) | Semiconductor packaging substrate and method of producing the same | |
| JP5096683B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR100969441B1 (ko) | 반도체칩이 실장된 인쇄회로기판 및 그 제조방법 | |
| KR20060079754A (ko) | 반도체 패키지용 칩 패드가 라우트된 리드 프레임 | |
| US7923825B2 (en) | Integrated circuit package | |
| JP3730625B2 (ja) | フリップチップボンディングのための有機基板 | |
| US20180315691A1 (en) | Semiconductor device | |
| US20100327452A1 (en) | Mounting structure and method of manufacturing the same | |
| JP3864836B2 (ja) | 回路基板の配線構造 | |
| JP2010232616A (ja) | 半導体装置及び配線基板 | |
| JP4629912B2 (ja) | はんだバンプの形成方法 | |
| JP2003258149A (ja) | エリア配置型半導体装置の配線構造 | |
| JP2011222901A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2009277940A (ja) | 半導体パッケージ、実装用回路基板および実装構造体 | |
| JP2002270723A (ja) | 半導体装置、半導体チップおよび実装基板 | |
| JP4640950B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3424515B2 (ja) | 電子部品の実装構造 | |
| US20110074042A1 (en) | Electronic device | |
| JPH1174399A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2010056121A (ja) | 積層型半導体装置 | |
| JP4255447B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040729 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060224 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060307 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060427 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060613 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060810 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060912 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060925 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3864836 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101013 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101013 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111013 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121013 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121013 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131013 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |