JP3858507B2

JP3858507B2 - 液晶装置、その製造方法及び電子機器

Info

Publication number: JP3858507B2
Application number: JP07223799A
Authority: JP
Inventors: 信一岩田
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1999-03-17
Filing date: 1999-03-17
Publication date: 2006-12-13
Anticipated expiration: 2019-03-17
Also published as: JP2000267089A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一対の基板間に封止した液晶の配向を制御することによって文字、数字、絵柄等といった像を表示する液晶装置及びその製造方法に関する。また、本発明は、その液晶装置を用いて構成される電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯型コンピュータ、携帯電話機、ビデオカメラ等といった電子機器の像表示部に液晶装置が広く用いられるようになっている。この液晶装置は、一般に、一対の基板間に封止した液晶の配向を制御することによって文字、数字、絵柄等といった像を表示する。
【０００３】
この液晶装置には、アクティブ素子を用いない単純マトリクス方式の液晶装置や、アクティブ素子を用いる構造のアクティブマトリクス方式の液晶装置がある。このようなアクティブマトリクス方式の液晶装置としては、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）素子やＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダイオード）素子等をアクティブ素子として用いる構造の液晶装置が知られている。
【０００４】
上記の単純マトリクス方式及びアクティブマトリクス方式の液晶装置を照明系によって分類すると、液晶パネルの外側表面に反射板を付設して太陽光その他の外部光をその反射板によって反射してその反射光を照明光として用いる形式の反射型液晶装置と、液晶パネルにバックライト等といった照明装置を付設してその照明装置からの光を照明光として用いる形式の透過型液晶装置とがあることが知られている。
【０００５】
今、反射型液晶装置について考えると、多くの場合は、液晶装置を構成する一対の基板の一方の外側表面に反射板を貼着し、他方の基板の外側から入射する外部光をその反射版によって反射して、その反射光を液晶に供給する。また、最近では、一方の基板の外側表面に反射板を貼着するのに代えて、その基板の内側表面に形成する電極をアルミニウム等といった光反射材料によって形成し、その電極に反射板としての機能を持たせるようにした液晶装置も知られている。
【０００６】
このように、一方の基板に設けられる電極自身を反射板として用いる構造の液晶装置に関しては、専用の反射板を用いる必要がなくなるので、部品コストが安くなり、しかも製造工程が簡略化されることから製造コストも安くなるという利点を有している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、電極自身を反射板として用いる構造の従来の液晶装置では、その電極の表面が平滑面であることが多く、その結果、その電極からの反射光の進行方向が狭い角度に限定されてしまい、よって、広い視野角度において明るい表示を得ることが難しかった。
【０００８】
また、特開昭５８−１２５０８４号公報によれば、滑らかな凹凸を有する樹脂層の表面に被着した金属膜を電極及び反射膜の両方として用いる構造の液晶装置が開示されている。この液晶装置では、金属膜を反射膜として用いるときに上記の凹凸によって散乱状態の反射光を形成でき、もって、広い視野角度範囲内で明るくコントラストの高い反射光を得ることができると考えられている。
【０００９】
しかながらこの従来の液晶装置では、樹脂層の凹凸が写真蝕刻法を用いて形成されており、よって、凹凸の製造には露光，現像，エッチング等の工程が必要になり製造工程が増加し、コストアップにつながる。さらに凹凸の模様もかなり規則的な配列となっているため、その金属膜では広い視野角度範囲内で明るい表示を得ることに関して限界があった。
【００１０】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、基板の内側表面に形成される電極を反射板として用いる構造を利用して、非常に広い視野角度範囲内で明るい表示を得ることができる液晶装置及び電子機器を提供することを目的とする。また、そのような液晶装置を確実に製造することができる製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の液晶装置は、一対の基板間に液晶を封止してなる液晶表示装置において、上記一対の基板のうち一方の基板には、光反射材料によって形成される電極が設けられ、前記電極と、その電極が備えられた基板との間には、ベース樹脂と感光剤と光架橋モノマーとからなる光硬化型保護膜が、未露光部分を含んで存在し、前記保護膜の未露光部分には、前記光硬化型保護膜の焼成時に前記光架橋モノマーがしみだしたことによって凹凸構造が設けられ、前記電極には、前記保護膜の未露光部分に設けられた凹凸構造により、凹凸が形成されていることを特徴とする。
【００１２】
上記構成によれば、光硬化型保護剤の未露光部分の光架橋モノマーが未架橋のまま焼成される場合に、膜中からしみ出し、ランダムな凹凸を構成する事を利用して、凹凸構造を作成するため、フォトマスクを用いた写真蝕刻法によって形成する場合に対して、露光，現像，エッチング等の工程を省略可能であり、短工程化が可能である。また、写真蝕刻法では凹凸が規則的な配列となってしまうが、上記構成によれば、完全にランダムな配列が実現でき、視角特性の向上が図れるという効果を有する。
【００１３】
また、本発明において、前記一対の基板は、アクティブ素子を備える素子側基板と、それに対向する対向基板とによって構成され、前記凹凸構造は前記素子側基板の表面に存在することを特徴とする。
【００１４】
上記構成によれば、前記一対の基板は、アクティブ素子を備える素子側基板と、それに対向する対向基板とによって構成されるアクティブマトリクス方式の液晶装置とすることができ、その場合には、前記保護膜は前記素子側基板上に形成することができる。この液晶装置によれば、アクティブマトリクス方式の液晶装置に関して、非常に広い視野角度範囲内で非常に明るい表示を得ることができる。
【００１５】
また、本発明の液晶装置は、前記保護膜はアクリル系樹脂により形成されていることを特徴とする。
【００１６】
上記構成によれば、保護膜上に形成する反射電極の成膜並びにエッチング工程で破壊，腐食等の影響を受けない強固な凹凸構造を形成することができるという効果を有する。
【００１７】
また、本発明の液晶装置は、前記保護膜は露光部分と未露光部分とを含むことを特徴とする。
【００１８】
上記構成によれば、露光部分の保護膜は平坦構造になり、未露光部分の保護膜は凹凸構造となる。従って、光散乱の必要な部分は凹凸構造、光散乱が必要なく、面反射が必要な部分は平坦構造と選択的に構造を決定することができるという効果を有する。
【００１９】
さらに、本発明の液晶装置は、前記露光部分には、配線、前記反射電極の端部、アクティブ素子のいずれかひとつもしくは複数が存在することを特徴とする。
【００２０】
上記構成によれば、前記保護膜の平坦構造部分に配線の端部、反射電極の端部、アクティブ素子が含まれる構造となるため、凹凸構造によるエッチングムラが発生しない。また、凹凸構造による配線抵抗，アクティブ素子特性のバラツキが発生しないため、表示ムラのない液晶装置が実現できるという効果を有する。
【００２１】
また、本発明の電子機器は、上記の液晶装置と、その液晶装置を収容する筐体とを有することを特徴とする。
【００２２】
上記構成による電子機器として具体的には、携帯型コンピュータ、携帯電話機、ビデオカメラ等が考えられる。多くの場合は、それらの像表示部に液晶装置が適用される。
【００２３】
この電子機器によれば、その内部に含まれる液晶装置において、電極表面に形成される凹凸が光硬化型保護膜の光架橋モノマーの未架橋による焼成時のしみだしによるランダムな凹凸構造によってもたらされるため、それらの凹凸は基板平面内に全く不規則に分散され、よって、その電極表面に形成される凹凸は平面的に見て全く不規則に配列する。そのため、その電極で反射する光は広い角度範囲内にまんべんなく行き渡り、よって、非常に広い視野角度範囲内で非常に明るい表示を得ることができる。
【００２４】
また、本発明の液晶装置の製造方法は、一対の基板間に液晶を封止してなる液晶装置を製造するための液晶装置の製造方法において、前記一対の基板のいずれか一方の表面にベース樹脂と感光剤と光架橋モノマーとからなる光硬化型保護膜を塗布する工程と、前記保護膜の少なくとも一部分を未露光のまま焼成し、前記光架橋モノマーをしみださせることによって該保護膜に凹凸構造を設ける工程と、前記保護膜が塗布された基板の表面に光反射材料によって電極を形成し、前記保護膜の未露光部分に設けられた凹凸構造により、該基板に凹凸を形成する電極形成工程とを有することを特徴とする。
【００２５】
この液晶装置の製造方法によれば、光硬化型保護膜の少なくとも一部分を未露光のまま焼成することとなるため、未露光部分の光架橋モノマーが未架橋のまま焼成され、未架橋のため膜中からしみだし、凹凸構造を形成する。その凹凸構造の上に光反射材料による電極を形成するため、ランダムに配置された凹凸構造を有する反射電極を伴った液晶装置を安価に製造することができるという効果を有する。
【００２６】
また、本発明の液晶装置の製造方法は、前記保護膜は印刷によって塗布されることを特徴とする。
【００２７】
上記構成によれば、印刷に使用する版の形状により上記光硬化型保護膜を塗布する部分を限定することができる。その結果、凹凸構造を必要としない部分には光硬化型保護膜を塗布しないことが可能であり、光硬化型保護剤の使用量の削減が可能であるという効果を有する。
【００２８】
さらに、本発明の液晶装置の製造方法は、一対の基板を一定間隔に保持するためのシール材が接触する領域に前記保護膜を塗布しないことを特徴とする。
【００２９】
上記構成によれば、液晶装置周辺のシール部分に対して、前記光硬化型保護膜が存在しない。従って、シール材とガラス基板の密着性が確保できるという効果を有する。
【００３０】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
図１は、本発明に係る液晶装置の一実施形態を一部破断して平面的に示している。ここに示す液晶装置１は、シール材２によって互いに接合された一対の透光性基板３ａ及び３ｂを有する。これらの透光性基板は、例えばガラス、プラスチック等によって形成される。これらの透光性基板の間には間隙、いわゆるセルギャップが形成され、シール材２によって囲まれる部分のセルギャップ内に液晶が封入される。
【００３１】
図の奥側の透光性基板３ａは素子側基板であり、その内側表面には、互いに平行に並べられた複数の直線状の配線、すなわちストライプ状の配線４が形成され、さらにそれらの配線４の間に複数の画素電極６がドットマトリクス状に形成され、さらに各画素電極６と各配線４とがアクティブ素子としてのＴＦＤ素子７を介して接続される。本実施形態では、各画素電極６は光反射材料、例えばアルミニウムによって形成される。
【００３２】
一方、図１の手前側の透光性基板３ｂは対向基板であり、その内側表面にはストライプ状の対向電極８が形成される。これらの対向電極８と素子側基板３ａ上の画素電極６との対向する部分にドットマトリクス状に配列される複数の画素が形成される。対向基板３ｂの内側表面には、必要に応じて、さらにカラーフィルタが形成される。また、対向基板３ｂの外側表面には偏光板１２が貼着される。
【００３３】
なお、素子側基板３ａにおいて、各配線４は実際には極めて狭い間隔寸法で多数本が基板３ａ上に形成されるが、図１では、構造を分かり易く示すために各配線４の間隔寸法を拡大して模式的に示し、さらにそれらの配線４のうち数本を示し他の部分を省略してある。また、画素電極６は、実際には非常に面積が小さく、しかも微細な間隔でドットマトリクス状に配列されるが、図１では構造を分かり易く示すために各画素電極６を拡大して模式的に示すと共にそれらの間隔も拡大して示してある。
【００３４】
また、対向基板３ｂにおいて、対向電極８は実際には素子側基板３ａ上の画素電極６に対向するように極めて狭い間隔で多数本形成されるものであるが、図１では、構造を分かり易く示すために各対向電極８の間隔寸法を拡大して模式的に示し、さらにそれらの対向電極８の一部分を省略してある。
【００３５】
画素電極６等が形成された素子側基板３ａの内側表面には、さらに、ポリイミド等によって配向膜が形成され、その配向膜に対して一軸配向処理、例えばラビング処理が施される。また、対向電極８が形成された対向基板３ｂの内側表面にも、ポリイミド等によって配向膜が形成され、その配向膜に対しても一軸配向処理、例えばラビング処理が施される。
【００３６】
本実施形態の液晶装置１はＣＯＧ（Chip On Glass）方式の液晶装置であり、よって、素子側基板３ａの表面に液晶駆動用ＩＣ９ａが直接に実装され、また、対向基板３ｂの表面にも液晶駆動用ＩＣ９ｂが直接に実装される。そして、素子側基板３ａ上に形成された配線４が液晶駆動用ＩＣ９ａの出力端子に接続され、一方、対向基板３ｂ上に形成された対向電極８が液晶駆動用ＩＣ９ｂの出力端子に接続される。符号１１は、液晶駆動用ＩＣ９ａ及び９ｂを外部回路に接続するための外部接続用端子を示す。
【００３７】
液晶駆動用ＩＣ９ａ及び９ｂが作動すると、選択された画素に相当する画素電極６と対向電極８との間に所定の大きさのＯＮ電圧及びＯＦＦ電圧が印加され、この電圧制御によって液晶の配向状態を制御する。そして、この配向制御に基づいて光を変調することにより、文字、数字、絵柄等といった像を外部に表示する。このとき、液晶に供給される光は、対向基板３ｂ側から液晶装置の内部に取り込まれた後、アルミニウム合金によって形成された画素電極６で反射した外部光、例えば太陽光である。なお、配線４は、データ線として用いられることもあるし、走査線として用いられることもある。
【００３８】
図２は、素子側基板３ａの内側表面における１個の画素領域の近傍を拡大して示している。また、図３は、図２のＡ−Ａ線に従った断面構造を示している。これらの図において、配線４は、Ｔａ（タンタル）等といった導電材によって形成された第１層４ａと、その第１層４ａの上に積層された陽極酸化膜によって形成された第２層４ｂと、その第２層４ｂの上にＣｒ（クロム）等の導電材によって形成された第３層４ｃとによって構成される。
【００３９】
また、ＴＦＤ素子７は、一対のＭＩＭ素子１４ａ及び１４ｂを電気的に逆向きに直列接続することによって、いわゆるバック・ツー・バック（Back-to-Back）構造の素子として形成されている。このバック・ツー・バック構造により、１個のＭＩＭ素子を用いる場合に比べて安定したスイッチング特性を得ることができる。もちろん、１個のＭＩＭ素子を用いて非線形素子を構成することもできる。
【００４０】
個々のＭＩＭ素子１４ａ及び１４ｂは、配線４の第１層４ａと同時にＴａ等によって形成された第１電極１６と、その第１電極１６の上に形成された陽極酸化膜１７と、配線４の第３層４ｃと同時にＣｒ等によって形成された第２電極１８とによって構成される。図では、配線４に近い側の第２電極を１８ａで示し、配線４から遠い側すなわち画素電極６に近い側の第２電極を１８ｂで示している。この第２電極１８ｂの先端部分に重ねて画素電極６が形成される。この画素電極６は、図２に示すように概ね長方形状に形成され、これに接続する第２電極１８ｂの先端部分は画素電極６よりもわずかに大きい長方形状に形成される。
【００４１】
図２に示すように、素子側基板３ａの上には、光硬化型保護膜の未露光部分１０が有り、未露光部分には複数の凹凸部１０ａが不規則な配列状態で設けられている。同様に素子側基板３ａの上には、光硬化型保護膜の露光部分１０’が有り、露光部分には凹凸は発生していない。図２に示すとおり、光硬化型保護膜の露光部分は平坦となり、未露光部分は凹凸を含む構造となる。この場合、配線４や、ＭＩＭ素子７，並びに画素電極６の端部は露光部分１０’上に形成することが望ましい。平坦部分に形成することにより、配線抵抗のばらつきや、ＭＩＭ特性のばらつき，並びに画素電極の形状の異常が発生することなく、液晶装置を形成することができる。
【００４２】
図３にはガラス基板上に光硬化型保護膜（１０，１０’）が存在し、その露光部分１０’に配線４やＭＩＭ素子７が存在する構成となっているが、フォトエッチングによって、光硬化型保護膜の露光部分１０’に相当する部分を除去し、ガラス基板上に配線４やＭＩＭ素子７が存在する構成としてもよい。その場合は光硬化型保護膜を露光する必要はない。
【００４３】
なお、図２では、構造を分かり易くするために凹凸部１０ａの密度を比較的小さく示してあるが、実際には、より高密度に凹凸部１０ａが存在するようにする方が望ましい。
【００４４】
ここで、凹凸部１０ａが発生するメカニズムについて説明する。光硬化型保護膜は、ベース樹脂、感光剤、光架橋モノマーから構成されており、露光されることにより、光架橋モノマーが架橋反応によりポリマーとなるものである。ここでは、光硬化型保護膜を露光せずに、たとえば２２０℃３０分程度焼成することにより、未露光部の光架橋モノマーが未架橋のままであるため、光硬化型保護膜からしみだし、凹凸構造を形成するものである。よって、形成される凹凸は完全にランダムな配列となる。なお、ベース樹脂としては、アクリル系樹脂を用いることが望ましい。アクリル系樹脂を用いることにより、光硬化型保護膜上に形成する反射電極の成膜並びにエッチング工程で破壊，腐食等の影響を受けない強固な凹凸構造を形成することができる。
【００４５】
本実施形態では、以上の通りに、画素電極６の表面に凹凸部１０ａに起因して凹凸ができるので、その画素電極６で反射する光は広い角度範囲に散乱する。特に、凹凸部１０ａの平面的な配列状態は全く不規則であるので、光の拡散角度は非常に広くなり、よって、液晶装置の表示は非常に広い視野角度の範囲内で明るくなる。
【００４６】
以下、上記構成の液晶装置１を製造するための製造方法について図４及び図５を参照しながら説明する。図４の工程（ａ）において、まず、ガラス基板母材３ａ’を用意する。このガラス基板母材３ａ’は、図１に示す液晶装置１の１個分の大きさの素子側基板３ａを複数個形成できる程度の面積を有する大面積のガラス基板によって形成される。この素子側基板母材３ａ’の表面にタンタル酸化物、例えばＴａ_２Ｏ_５を一様な厚さに成膜して下地層１９を形成する。この下地層１９は、これ以降に基板母材３ａ’上に形成される膜の基板母材３ａ’に対する密着性を高める等のために形成されるものである。
【００４７】
次に、工程（ｂ）において、光硬化型保護膜１０ｂをコートする。コート方法としては、スピンコートや印刷法があるが、印刷法により、必要な部分のみにコートすることが望ましい。印刷法によれば、ガラスの端面等の不要な部分に光硬化型保護膜が付着することがなく、ガラスの取扱が容易になる。この状態を平面的に見ると図５（ａ）に示す通りである。さらには、図６に示すようにシール材２にかからないように光硬化型保護膜を印刷法で形成することが望ましい。この方法によれば、シール材２とガラス基板３ａ'の密着性が確保され、より信頼性の高い液晶装置を作ることができる。
【００４８】
次に、工程（ｃ）において、光硬化型保護膜の平坦構造１０’とするべき位置にたいして、露光装置において、光照射を行う。露光装置においては、マスクを用い、凹凸構造を必要とする部分１０には光が照射されないようにすることが必要である。この状態を平面的に見ると図５（ｂ）に示す通りである。
【００４９】
そして、工程（ｄ）において、工程（ｃ）で露光した光硬化型保護膜の焼成を行う。焼成条件としては、使用する光硬化型保護材にもよるが、通常２２０℃２０から３０分程度である。この焼成工程によって、未露光部分１０は光架橋モノマーが未架橋のため、膜上にしみだし、凹凸構造１０ａを形成する。露光部分１０’は光架橋モノマーがポリマー化しているため、膜上にはしみ出すことなく、平坦な構造となる。この状態を平面的に見ると図５（ｃ）に示す通りである。
【００５０】
次に、工程（ｅ）において、タンタル（Ｔａ）をスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、さらにフォトリソグラフィ−処理等を実施して、配線４の第１層４ａ並びにＭＩＭ素子１４ａ及び１４ｂの第１電極１６を形成する。この状態を平面的に見ると図５（ｄ）に示す通りである。この状態では、配線用の第１層４ａとＭＩＭ素子用の第１電極１６は一体につながっている。
【００５１】
次に、工程（ｆ）において、配線の第１層４ａを陽極端子として陽極酸化処理を実行し、その第１層４ａ及びＭＩＭ素子用の第１電極１６の上に、絶縁膜として作用する陽極酸化膜を一様な厚さに形成する。これにより、配線４の第２層４ｂ並びにＭＩＭ素子１４ａ及び１４ｂの絶縁層１７が形成される。
【００５２】
その後、素子部フォトエッチング工程を実行する。この工程は、図５（ｅ）において、配線４の第１層４ａ及び第２層４ｂと、ＭＩＭ素子の第１電極１６及び絶縁膜１７とを繋ぐ部分Ｂをエッチングによって部分的に除去するための工程である。この工程により、ＭＩＭ素子１４ａ及び１４ｂの第１電極１６並びに絶縁層１７が、配線４の第１層４ａ及び第２層４ｂから島状に分断される。
【００５３】
次に、図４の工程（ｇ）において、クロムをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、さらに、フォトリソグラフィ−処理を実施して、配線４の第３層４ｃ並びにＭＩＭ素子１４ａ及び１４ｂの第２電極１８ａ及び１８ｂを形成する。このとき、配線４から遠い側に形成される第２電極１８ｂの先端部分は、１個の画素と略同じ形状に形成される。
【００５４】
その後、工程（ｈ）において、画素電極６を形成するための処理を実行する。具体的には、画素電極６の材料であるアルミニウム合金をスパッタリング等によって一様な厚さに成膜し、さらに、エッチング処理を含むフォトリソグラフィ−処理を実施して、図２に符合６で示すような１画素の大きさに相当する所定形状の画素電極を第２電極１８ｂの先端部分の上、すなわちクロムパターン上に形成する。このとき、画素電極６と第２電極１８ｂのクロムパターンとの間には不規則に並んだ複数の粒状部材１０が在るので、その画素電極６の表面にはそれらの凹凸部１０ａに対応して不規則な凹凸パターンが形成される。液晶装置において表示を行う際には、この不規則な凹凸パターンの働きにより、画素電極６で反射する光は広い角度に散乱し、その結果、広い視野角度範囲内で明るい表示を行うことができる。
【００５５】
以上の作業により、図１に示す素子側基板３ａを複数個含む素子側基板母材３ａ’が完成する。そしてその一方で、対向基板３ｂを複数個含む対向基板母材が別途行われる作業によって作製される。こうして形成される素子側基板母材３ａ’及び対向基板母材のいずれか一方の表面には各液晶装置部分に対応させてシール材２がスクリーン印刷等によって形成される。
【００５６】
その後、上記の素子側基板母材３ａ’と対向基板母材とをシール材２を挟んで互いに貼り合わせて大面積のパネル構造体を作製し、さらにそのパネル構造の各液晶装置部分の内部に液晶を封入し、さらに各基板母材の所定位置に切断用溝、いわゆるスクライブ溝を形成し、さらにその切断用溝に従って各基板母材を切断、いわゆるブレイクすることにより個々の液晶パネルが切り出される。こうして切り出される個々の液晶パネルに図１の偏光板１２、液晶駆動用ＩＣ９ａ，９ｂを装着することにより、図１に示す液晶装置１が完成する。
【００５７】
（第２実施形態）
図７は、図１に示す液晶装置１を用いて構成される本発明に係る電子機器の一実施形態である携帯型コンピュータを示している。この携帯型コンピュータ３１は、複数のキー３２を備えたキーボード部３３と、そのキーボード部３３に対して矢印Ｄのように開閉回転動作する筐体としてのカバー３４と、そのカバー３４に埋め込まれた液晶装置３０とを含んで構成される。液晶装置３０は、図１の液晶装置１にフロントライト等といった付帯機器を装着することによって作製される。
【００５８】
キーボード部３３の内部には、携帯型コンピュータとしての機能を果たすための各種の演算を実行するためのＣＰＵ（中央処理装置）を含む制御部が格納される。そしてその制御部は、液晶装置３０に所定の映像を表示するための演算処理を実行する。
【００５９】
本実施形態の携帯型コンピュータにおいては、その中で用いる液晶装置に関して、図３に示すように、画素電極６の表面に凹凸部１０ａに起因して凹凸ができるので、その画素電極６で反射する光は広い角度範囲に分散する。特に、凹凸部１０ａの平面的な配列状態は全く不規則であるので、光の拡散角度は非常に広くなり、よって、液晶装置の表示は非常に広い視野角度の範囲内で明るくなる。
【００６０】
（その他の実施形態）
図１に示す液晶装置はＣＯＧ方式の液晶装置であるが、本発明はそれ以外の構造を有する任意の液晶装置に対して適用できる。例えば、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding：テープ自動化実装）の技術を用いてＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）の上にＩＣチップをボンディングして形成されるＴＣＰ（Tape Carrier Package）を用いる構造の、いわゆるＴＡＢ方式の液晶装置に対して本発明を適用できる。また、エポキシ基板等といったガラス以外の基板上にＩＣチップを実装する構造の、いわゆるＣＯＢ（Chip On Board）方式の液晶装置に対して本発明を適用することもできる。
【００６１】
上記の実施形態では一対のＭＩＭ素子を逆極性で直列に接続した構造のバック・ツー・バック方式のＴＦＤ素子を非線形素子として用いる場合を例示したが、１個のＭＩＭ素子を用いる構造のＴＦＤ素子を用いることもでき、あるいは、ＴＦＤ素子に代えてＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子を用いることもできる。また本発明は、アクティブ素子を用いない単純マトリクス方式の液晶装置に対して適用することもできる。
【００６２】
また、図７では、電子機器として携帯型コンピュータを例示したが、本発明に係る液晶装置はその他の任意の電子機器、例えば、携帯電話機等にも適用できる。
【００６３】
【発明の効果】
本発明に係る液晶装置、その製造方法及び電子機器によれば、反射部材として機能する電極の表面に凹凸が設けられるので、この電極で反射する光が散乱し、その結果、この反射光を利用して表示される像は広い視野角度範囲内で明るくなる。また特に、電極表面に形成される凹凸は未架橋光モノマーの光硬化型保護膜からの溶出を利用したものであり、それらの溶出は基板平面内に全く不規則に分散される。このため、その電極表面に形成される凹凸は平面的に見て全く不規則に配列し、よって、その電極で反射する光は広い角度範囲内にまんべんなく行き渡る。その結果、非常に広い視野角度範囲内で非常に明るい表示を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る液晶装置の一実施形態を一部破断して示す平面図である。
【図２】本発明に係る液晶装置の一実施形態を一部拡大して示す平面図である。
【図３】本発明に係る液晶装置の一実施形態を一部拡大して示す断面図である。
【図４】液晶装置の製造過程の一例を示す断面図である。
【図５】液晶装置の製造過程の一例を示す平面図である。
【図６】本発明に係る液晶装置の製造過程の一例を示す平面図である。
【図７】本発明に係る電子機器の一実施形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
１液晶装置
２シール材
３ａ素子側基板
３ａ’ 素子側基板母材
３ｂ対向基板
４配線
４ａ第１層
４ｂ第２層
４ｃ第３層
６画素電極
７ＴＦＤ素子
８対向電極
１０ａ凹凸部
１０光硬化型保護膜の未露光部
１０’ 光硬化型保護膜の露光部
１４ａ，１４ｂＭＩＭ素子
１６第１電極
１７絶縁層
１８ａ第２電極
１８ｂ第２電極
１９下地層

Claims

一対の基板間に液晶を封止してなる液晶表示装置において、上記一対の基板のうち一方の基板には、光反射材料によって形成される電極が設けられ、前記電極と、その電極が備えられた基板との間には、ベース樹脂と感光剤と光架橋モノマーとからなる光硬化型保護膜が、未露光部分を含んで存在し、前記保護膜の未露光部分には、前記光硬化型保護膜の焼成時に前記光架橋モノマーがしみだしたことによって凹凸構造が設けられ、前記電極には、前記保護膜の未露光部分に設けられた凹凸構造により、凹凸が形成されていることを特徴とする液晶装置。
請求項１において、前記一対の基板は、アクティブ素子を備える素子側基板と、それに対向する対向基板とによって構成され、前記凹凸構造は前記素子側基板の表面に存在することを特徴とする液晶装置。
請求項１または２において、前記保護膜はアクリル系樹脂により形成されていることを特徴とする液晶装置。
請求項１から３の少なくともいずれか１つにおいて、前記保護膜は露光部分と未露光部分とを含むことを特徴とする液晶装置。
請求項４において、前記露光部分には、配線、前記反射電極の端部、アクティブ素子のいずれかひとつもしくは複数が存在することを特徴とする液晶装置。
請求項１から請求項５の少なくともいずれか１つに記載の液晶装置と、その液晶装置を収容する筐体とを有することを特徴とする電子機器。
一対の基板間に液晶を封止してなる液晶装置を製造するための液晶装置の製造方法において、前記一対の基板のいずれか一方の表面にベース樹脂と感光剤と光架橋モノマーとからなる光硬化型保護膜を塗布する工程と、前記保護膜の少なくとも一部分を未露光のまま焼成し、前記光架橋モノマーをしみださせることによって該保護膜に凹凸構造を設ける工程と、前記保護膜が塗布された基板の表面に光反射材料によって電極を形成し、前記保護膜の未露光部分に設けられた凹凸構造により、該基板に凹凸を形成する電極形成工程とを有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
請求項７において、前記保護膜は印刷によって塗布されることを特徴とする液晶装置の製造方法。
請求項７において、前記一対の基板を一定間隔に保持するためのシール材が接触する領域に前記保護膜を塗布しないことを特徴とする液晶装置の製造方法。