JP3857330B2 - 集積半導体メモリ回路およびその作動方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、それぞれ1つの選択トランジスタおよび少なくとも1つのメモリコンデンサを含んでおり、またマトリックス状にワード線とビット線との交叉点に配置されている1‐トランジスタ形式のメモリセルを有し、その際に各ビット線が2つのビット線半部から形成されており、また各メモリセルが一方ではその選択トランジスタを介して各ビット線半部と接続されており、またその際に他方では少なくとも1つのメモリコンデンサの第1の電極が作動中に予め定められた値のプレート電位と接続されており、ビット線半部ごとに同じく少なくとも1つのメモリコンデンサを含んでいる少なくとも1つのダミーメモリセルを有し、その際に同じく少なくとも1つのメモリコンデンサの第1の電極が作動中に予め定められた値のプレート電位と接続されており、またビット線をビット線電位に予充電するための装置を有する集積半導体メモリ回路およびその作動方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
集積半導体メモリ回路では、メモリセルからのデータの読出しの前にビット線をビット線電位に予充電するのが一般に通常である(一般にプリチャージ過程またはプリチャージ電位と呼ばれる)。これは、読出し増幅器(一般に差動的に動作するフリップフロップ回路である)に読出しの後に読出し信号の評価および増幅のために有効にこれのみを供給する役割をする。なぜならば、ビット線電位は同一の値を有する読出し増幅器の両入力端に接続されており、従ってまた差動的に動作する読出し増幅器により顧慮されないからである。過去にはビット線電位として一般に供給電圧電位もしくは基準電位が与えられたが、現在ではたいてい供給電圧電位および基準電位の差の半分に相当する値が与えられ、または回路内部で完成したモジュールに与えられる供給電位にくらべて低いいわゆる内部供給電圧電位で動作するような半導体メモリ回路では相応してこの内部供給電圧電位と基準電位の差の半分に相当する値が与えられる。
【0003】
従来の半導体メモリ回路がいわゆるダミーセルをも有するかぎり、従来の仕方でこれらもビット線電位に充電される。
【0004】
公知のように特に1‐トランジスタ‐メモリセル形式の集積半導体メモリ回路(いわゆる1‐トランジスタ‐DRAMまたは埋込まれた1‐トランジスタ‐DRAM)はいわゆるソフト‐エラー、すなわち一般に使用されるモジュールケースに由来するアルファ放射に対して敏感である。研究の結果、データを“物理的0”としてもしくは“物理的1”として記憶すべきであったかどうかに応じて(“物理的0”はデータ“論理0”に相当するが、それはデータ“論理1”にも相当する。対応付けはそれぞれ選択された回路技術に関係している。)、従来の半導体メモリ回路は相い異なる強さでこれらのアルファ放射に反応することが示されている。その結果として読出し増幅器のいわゆる評価非対称性が生ずること、すなわちたとえば記憶されたデータ“物理的0”が記憶されたデータ“物理的1”と同一の確実さおよび同一の確実さマージンで読出し可能でない、またはその逆であることが判明している。しかしそれによってデータ形式に関するソフト‐エラーの生起の危険が増大し、他方においてそれは他のデータ形式にくらべて減少する。このことは、両データ形式に対してソフト‐エラーに対する等しく良好な確実さを有したい場合には望ましくない。
【0005】
この解決策として、メモリセルキャパシタンスを大きくし、それによって読出し信号を大きくし、こうして半導体メモリ回路をソフト‐エラーに対して全体としてより確実にすることが考えられた。しかしながら、この解決策は実際には実行可能でない。なぜならば、このことはメモリセルの横方向および/または空間的な増大を結果として伴い、このことは半導体メモリ回路のミニアチュア化の現在の要求に望ましくないからである(より大きいメモリチップおよび場合によってはより大きいケースとなり、現行の規格を満足しない)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、冒頭に記載した種類の集積半導体メモリ回路を、その読出し増幅器が、メモリセルを大きくする必要なしに、またソフト‐エラーに対する確実さの低下を犠牲にする必要なしに、データ“物理的0”および“物理的1”をほぼ等しい確実さで認識し得るように最適化することにある(“物理的0”および“物理的1”に関する読出し増幅器のいわゆる対称性)。本発明の課題は、このような半導体メモリ回路に対する相応の作動方法を提案することにもある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
この課題は請求項1および3の特徴により解決される。有利な実施態様は従属請求項に記載されている。
【0008】
本発明は、公知の冒頭に記載した種類の半導体メモリ回路に比較してソフト‐エラー率を2桁下げることを可能にする。
【0009】
【実施例】
以下、有利な実施例を示す図面により本発明を説明する。
【0010】
図1には、本発明による半導体メモリ回路の一部分が示されている。その際に、図面を見易くする理由から、本発明にとって重要な部分のみが示されている。両ビット線半部BLH、バーBLHを有するビット線BLが示されており、それらに一方の側では読出し増幅器SAが接続されており、また他方の側には、ビット線半部BLH、バーBLHを予充電し、またメモリセルMCからのデータの読出しの前にビット線半部BLH、バーBLHの電位を等しくするための予充電装置EQLが接続されている。さらに、一方では各ビット線半部BLH、バーBLHと接続されておりまた他方では(それらのメモリコンデンサMCCの第2の電極において)すべて共通にいわゆるプレート電位VPLと接続されている1‐トランジスタ形式のメモリセル(選択トランジスタMCTおよびメモリコンデンサMCCを有する)が示されている。プレート電位VPLはほぼ供給電圧電位VDD(または内部供給電圧電位VDDint)および基準電位(VSS)の差の半分の値を有する。それはこうしてほぼ、予充電装置EQLを介してビット線BLに与えられ得るビット線電位VBLに等しい。プレート電位VPLは、過去において通常のように、ほぼ供給電圧電位VDD(または内部供給電圧電位VDDint)または接地電位VSSの値を有し得る。
【0011】
さらに 図1にはメモリセルMCの選択トランジスタMCTを駆動するためのワード線WL(WL1ないしWLnの通し番号を付されている)が示されている。メモリセルMCは、一般に通常のように、ワード線WLとビット線BLとの間の交叉点に配置されており、またそれらの選択トランジスタMCTを介して情報の読出しおよび記憶のために各ビット線BLまたはビット線半部BLH、バーBLHと接続可能である。
【0012】
各ビット線半部BLH、バーBLHは(たとえば、図示されているように、その端部に配置されている)同じく1‐トランジスタ‐セル形式であるいわゆるダミーセルDMCを有する。これは、一般に公知のように、作動中に差動的に動作する読出し増幅器SAの負荷を均等かつ対称にする役割をする。またダミーセルDMCのメモリコンデンサDCはそれらの第1の電極でプレート電位VPLと接続されている。
【0013】
図1には、一般に“フレンドリ‐セル”と呼ばれる縁セルCMCも示されているが、これらついては後で説明する。なぜならば、それらは本発明にとって無条件に必要ではないからである。
【0014】
これまでに説明した半導体メモリ回路は完全に従来の技術に相当する。しかし本発明によれば、この半導体メモリ回路は追加的に、ダミーメモリセルDMCのメモリコンデンサDCのそれぞれ第2の電極に作動中に予充電電位VDCを与え得る装置EQLDCをも有する。この予充電電位VDCは、本発明によれば、ビット線電位VBLへのビット線BLの(通常の)予充電の間に与えられる。予充電電位VDCの値は、本発明によれば、供給電圧電位VDD(または内部供給電圧電位VDDint)および基準電位(VSS)の差の半分の値よりも5ないし35%だけ大きい。
【0015】
装置EQLDCはたとえば、図示されているように、一方では予充電電位VDCと接続されており、また他方ではダミーメモリセルDMCのメモリコンデンサDCの第2の電極と接続されているトランジスタを含んでいる。これらのトランジスタはゲートで、予充電の時点でトランジスタを導通状態に切り換える予充電クロック信号Tにより駆動される。予充電クロック信号Tは、メモリセルMCからのデータの読出しの前にビット線電位VBLへのビット線BLの予充電を制御する相応の(図示されていない)クロック信号と同一の時間的経過を有する。
【0016】
図1には、前記のように、一般に"フレンドリ‐セル"と呼ばれる縁セルCMCの存在も示されている。その機能は当業者に知られている。それらは、ここに示されているように、単に縁セルコンデンサCCから成っていてもよいし、さらにメモリセルMCの選択トランジスタMCTまたはダミーセルDMCの選択トランジスタと類似のトランジスタを含んでいてもよい。有利な仕方で本発明では、縁セルコンデンサCCの第1の電極がプレート電位VPLと接続されており、またこれらの縁セルコンデンサCCの第2の電極がダミーセルDMCに対する平衡装置EQLDCにより同じくダミーセルDMCの予充電電位VDCを与えられ得る。このことは読出しの際読出されたデータの評価および増幅の際の読出し増幅器SAの動作および負荷状況の一層良好な対称化を生ずる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による半導体メモリ回路の一部分を示す回路図。
【符号の説明】
BLH、バーBLH ビット線半部
CMC 縁セル
DC メモリコンデンサ
DMC ダミーメモリセル
MC メモリセル
MCC メモリコンデンサ
MCT 選択トランジスタ
VBL ビット線電位
VDC 予充電電位
VPL プレート電位
WL1…WLn ワード線
Claims (1)
- それぞれ選択トランジスタ(MCT)とメモリコンデンサ(MCC)を含み、かつマトリックス状にワード線(WL、WL1…WLn)とビット線(BL)との交叉点に配置されている1‐トランジスタ形式のメモリセル(MC)を有し、
各ビット線(BL)が2つのビット線半部(BLH、バーBLH)から形成され、一方では各メモリコンデンサ(MCC)の第1電極が予め定められた値のプレート電位(VPL)と接続され、他方では各メモリコンデンサ(MCC)の第2電極がその選択トランジスタ(MCT)を介して各ビット線半部(BLH、バーBLH)と接続されており、
ビット線半部(BLH、バーBLH)毎に、同じくメモリコンデンサ(DC)を含んでいるダミーメモリセル(DMC)を有し、
該ダミーメモリセル(DMC)のメモリコンデンサ(DC)の第1電極が予め定められた値のプレート電位(VPL)と、第2電極がその選択トランジスタ(DCT)を介してビット線半部(BLH、バーBLH)とそれぞれ接続されており、
かつビット線(BL)を供給電圧電位(VDD、VDDint)と基準電位(VSS)との差の半分の値に充電するための装置(EQL)を有し、
更にビット線半部(BLH、バーBLH)毎に、縁セルコンデンサ(CC)を含み、その第1電極でプレート電位(VPL)と接続されている縁セル(CMC)を有する集積半導体メモリ回路において、
前記ダミーメモリセル(DMC)のメモリコンデンサ(DC)の第2電極と、縁セルコンデンサ(CC)の第2電極とに、同時に、
前記供給電圧電位(VDD、VDDint)と基準電位(VSS)との差の半分の値よりも5ないし35%だけ大きい値を有する予充電電位(VDC)を与える装置(EQLDC)を含むことを特徴とする集積半導体メモリ回路。
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