JP3853634B2 - 半導体装置用基板およびこれを用いた半導体装置ならびに積層構造体 - Google Patents

半導体装置用基板およびこれを用いた半導体装置ならびに積層構造体 Download PDF

Info

Publication number
JP3853634B2
JP3853634B2 JP2001331198A JP2001331198A JP3853634B2 JP 3853634 B2 JP3853634 B2 JP 3853634B2 JP 2001331198 A JP2001331198 A JP 2001331198A JP 2001331198 A JP2001331198 A JP 2001331198A JP 3853634 B2 JP3853634 B2 JP 3853634B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor
semiconductor device
stacked
substrate
laminated structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001331198A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003133517A (ja
Inventor
義樹 曽田
博行 十楚
達夫 神▲吉▼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2001331198A priority Critical patent/JP3853634B2/ja
Publication of JP2003133517A publication Critical patent/JP2003133517A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3853634B2 publication Critical patent/JP3853634B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、様々な機能を備えた半導体素子を搭載し、これらを積層して高密度実装化を実現するための半導体装置用基板およびこれを用いた半導体装置ならびに積層構造体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、高密度実装化の要求に応えるために、同じ機能あるいは異なる機能を有する半導体素子を搭載した半導体パッケージを積層して、占有面積を増やすことなく、機能を向上させたり、複数の機能を備えることができる積層構造体が用いられている。
【0003】
このような積層構造体のうち、同じ機能を備えたデバイスを搭載した半導体パッケージを積層して形成される積層構造体としては、例えば、フラッシュメモリとしての機能を備えた半導体素子を搭載した半導体パッケージを複数積層した積層構造体等が挙げられる。このように、フラッシュメモリとしての機能を有する半導体パッケージを多段積層することにより、回路規模を拡大することなく、容易にメモリの容量を増やすことができる。
【0004】
また、異なる機能を持つ半導体パッケージを複数積層した積層構造体としては、例えば、半導体素子として、フラッシュメモリを搭載した半導体パッケージと、CPUを搭載した半導体パッケージとを複数積層した積層構造体が挙げられる。このように、異なる機能を有する半導体パッケージを多段積層することにより、回路規模を拡大することなく複数の機能を備えた積層構造体を得ることができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のような従来の積層構造体では、積層構造体を構成する半導体パッケージの数およびその半導体パッケージが搭載している半導体素子が備えている機能を確認したくても、積層構造体を組み立てた後の状態では確認することが困難である。これにより、積層構造体の形成後、積層構造体が所望の構成になっているかどうかを確認することができず、誤った構成の積層構造体を出荷してしまう可能性があるという問題を有している。
【0006】
特開2001−257308号公報には、上記のような複数の半導体パッケージを積層して構成される積層構造体が開示されている。
【0007】
上記公報の積層構造体100は、図8に示すように、半導体チップ101を搭載し、積層された各半導体パッケージ102の端面に位置合わせ用の切り欠き103が形成されており、この切り欠き103を積層構造体100を組み立てる際の位置合わせに用いることにより、各半導体パッケージ102の位置ずれを防止して、各半導体パッケージ102を正確に積層した積層構造体100を得ることができる。
【0008】
しかし、上記公報に記載された積層構造体100においても、各半導体パッケージ102の外周部に形成されている切り欠き103は位置合わせ用に形成されたものであるため、正確な位置合わせを実現するために全ての半導体パッケージ102について同じ位置に同じ形状で形成されている。よって、この構成において、積層構造体100の状態で搭載した半導体チップ101の種類、積層数等を判別することは難しい。
【0009】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、積層構造体を組み立てた後でも、積層した半導体パッケージが搭載しているデバイスの種類や積層した半導体パッケージの数を容易に確認することができる半導体装置用基板およびこれを用いた半導体装置ならびに積層構造体を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置用基板は、上記の課題を解決するために、半導体素子を搭載する搭載領域を備え、積層されて積層体構造を構成する半導体装置用基板であって、上記半導体素子が備えている機能情報を示す第1の標示部が外周部に形成されていることを特徴としている。
【0011】
上記の構成によれば、半導体装置用基板に搭載した半導体素子が備えている機能(デバイスの種類)を容易に確認することができる。さらに、半導体素子を搭載した半導体装置用基板を複数積層した積層構造体を構成した場合でも、半導体素子が備えている機能を積層構造体の側面側から目視、あるいはセンサ等を用いて容易に確認することができる。
【0012】
これにより、積層構造体に所望の機能を備えた半導体素子を搭載した半導体装置が含まれているか否かを容易に確認でき、積層構造体の生産効率を向上させるとともに、搭載デバイスの種類を誤って積層した積層構造体を出荷する等の問題の発生を防止できる。
【0013】
なお、本発明の半導体装置用基板に搭載する半導体素子としては、例えば、メモリ(フラッシュメモリ,SRAM,DRAM,擬似SRAM等)、CPU、液晶コントローラ等がある。また、上記第1の標示部は、半導体装置用基板に搭載する半導体素子の機能に応じて、例えば、半導体装置用基板の外周部における異なる位置に形成された切り欠きあるいは異なる色の塗装であってもよい。つまり、積層構造体の状態で目視、あるいはセンサ等を用いて容易に搭載した半導体素子が備えている機能(デバイスの種類)を判別できるものであればどのようなものであっても、上記と同様の効果を得ることができる。
【0014】
上記第1の標示部は、切り欠きあるいは塗装により形成されていることがより好ましい。
【0015】
これにより、半導体装置用基板が搭載している半導体素子(搭載デバイス)の種類に応じて、半導体装置用基板の外周部に、例えば、異なる位置に切り欠きを形成したり異なる色の塗装を施すことで、安価かつ簡易な方法で、半導体装置用基板に搭載した半導体素子が備えている機能(デバイスの種類)を容易に確認できる半導体装置用基板を得ることができる。さらに、積層構造体を形成した場合でも、各半導体装置用基板に搭載した半導体素子の機能(デバイスの種類)を積層構造体の側面側から容易に確認することができる。よって、所望の積層構造体
になるように各半導体装置が正しく積層されているか否かを容易に確認できる。
【0016】
本発明の半導体装置用基板は、上記の課題を解決するために、半導体素子を搭載する搭載領域を備え、積層されて積層体構造を構成する半導体装置用基板であって、上記半導体素子を搭載した半導体装置用基板を複数積層した場合に各半導体装置用基板の積層される段目を示す第2の標示部が外周部に形成されていることを特徴としている。
【0017】
上記の構成によれば、例えば、積層構造体の側面において、第2の標示部が斜めに一直線に配置されるように各半導体装置用基板に第2の標示部を形成することで、半導体素子を搭載した半導体装置用基板が何段積層されているかについて、積層構造体の側面側から容易に確認することができる。よって、積層構造体の状態であっても、半導体装置用基板の積層数を容易に確認できるため、半導体装置用基板の数が所望の数と異なる積層構造体を誤って出荷する等の問題の発生を防止できる。
【0018】
上記第2の標示部は、切り欠きあるいは塗装により形成されていることがより好ましい。
【0019】
これにより、積層構造体に含まれる半導体装置用基板の積層数に応じて、半導体装置用基板の外周部に、例えば、異なる位置に切り欠きを形成したり異なる色の塗装を施すことで、安価かつ簡易な方法で、積層構造体を組み立てた状態であっても、半導体素子を搭載した半導体装置用基板の積層数を積層構造体の側面側から容易に確認できる半導体装置用基板を得ることができる。よって、所望の積層数の積層構造体になるように各半導体装置用基板が正しく積層されているか否かを容易に確認できる。
【0020】
本発明の半導体装置用基板は、上記の課題を解決するために、半導体素子を搭載する搭載領域を備え、積層されて積層体構造を構成する半導体装置用基板であって、上記半導体素子が備えている機能情報を示す第1の標示部と、上記半導体素子を搭載した半導体装置用基板を複数積層した場合に各半導体装置用基板の積層される段目を示す第2の標示部とが外周部に形成されていることを特徴としている。
【0021】
上記の構成によれば、半導体装置用基板に搭載した半導体素子が備えている機能(デバイスの種類)、および積層構造体を構成した場合の半導体装置用基板の積層数を積層構造体の側面側から目視、あるいはセンサ等を用いて容易に確認することができる。
【0022】
よって、積層構造体の状態であっても、半導体装置用基板が搭載している半導体素子の機能(デバイスの種類)や半導体装置用基板の積層数を容易に確認できるため、搭載デバイスの種類や積層数が所望の数と異なる積層構造体を誤って出荷する等の問題の発生を防止できる。
【0023】
上記第1の標示部および第2の標示部は、同一辺上に形成されていることがより好ましい。
【0024】
これにより、上記第1の標示部および第2の標示部が半導体装置用基板の同一辺上に形成されているため、半導体装置用基板に搭載した半導体素子の機能(デバイスの種類)、あるいは半導体素子を搭載した半導体装置用基板の積層数を同じ側から一目で確認できる。よって、より容易に所望の積層構造体になるように各半導体装置用基板が正しく積層されているか否かを確認できる。
【0025】
さらに、積層構造体の同じ側面側から確認できるように、第1および第2の標示部を半導体装置用基板に形成することで、積層構造体を構成する半導体装置用基板に形成された全ての標示部が示す情報を一見するだけで得ることができ、より容易に積層構造体の構成内容を確認できる。
【0026】
本発明の半導体装置は、上記の課題を解決するために、上記半導体装置用基板に、単数あるいは複数の半導体素子を搭載していることを特徴としている。
【0027】
上記の構成によれば、半導体装置用基板に搭載した半導体素子が備えている機能(デバイスの種類)を容易に確認することができる。さらに、半導体素子を搭載した半導体装置用基板を複数積層した積層構造体を形成した場合でも、積層構造体が備えている機能情報、あるいは積層数情報を積層構造体の側面から目視、センサ等を用いて容易に確認することができる。よって、半導体装置を積層した積層構造体の生産効率を向上させるとともに、搭載デバイスの種類や積層した半導体装置の数が所望のものと異なる積層構造体を誤って出荷する等の問題の発生を防止できる。
【0028】
また、1枚の半導体装置用基板に複数の半導体素子を搭載している場合であっても、複数の第1の標示部を半導体装置用基板の外周部に形成することで、複数の半導体素子に対応した複数の機能を示すことができるため、確実に半導体装置が備えている全ての機能を確認することができる。
【0029】
本発明の積層構造体は、上記の課題を解決するために、上記半導体装置を複数積層して構成されることを特徴としている。
【0030】
上記の構成によれば、積層構造体を構成する半導体装置が搭載した半導体素子の機能(デバイスの種類)を確認するための第1の標示部、あるいは積層構造体を構成する半導体装置の積層数を示す第2の標示部が半導体装置用基板の外周部に形成されているため、各半導体装置用基板が搭載している半導体素子が備えている機能、積層数を積層構造体の側面側から目視あるいはセンサ等を用いて容易に確認することができる。よって、所望の積層構造体になるよう各半導体装置が正しく積層されているか否かを容易に確認することができる。
【0031】
さらに、これらの第1の標示部、第2の標示部が形成されている辺が同じ側面側に位置するように積層構造体を形成した場合には、積層構造体の同じ側面側から上記第1の標示部、第2の標示部が示す全ての情報を得ることができるため、一見するだけで積層構造体が搭載している機能情報、積層数情報を確認できる。
【0032】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体装置用基板およびこれを用いた半導体装置ならびに積層構造体に関する一実施形態について、図1〜図7に基づいて説明すれば以下のとおりである。
【0033】
本実施形態の半導体パッケージ(半導体装置)10は、図1に示すように、基板(半導体装置用基板)11の両端に2列ずつ配置された複数の接続用端子12と、基板11の中央部に搭載された半導体チップ(半導体素子)13とを備えている。
【0034】
なお、本実施形態の半導体パッケージ10は、基板11の中央部に開口部(搭載領域)を有しており、この開口部に半導体チップ13を嵌め込むようにしてエポキシ樹脂等の封止樹脂で固定したタイプのパッケージである。このように、基板11に開口部を設け、そこに半導体チップ13を搭載した半導体パッケージ10は、薄型の積層構造体を構成する際には特に有効である。
【0035】
基板11の外周部には、切り欠き(第1の標示部)15aと切り欠き(第2の標示部)15bとが形成されている。切り欠き15aは、搭載した半導体チップ13の機能(デバイスの種類)毎に、基板11における同一辺上の異なる位置に形成されている。さらに、切り欠き15bは、半導体パッケージ10を複数積層して形成される積層構造体における半導体パッケージ10の積層数を示すために形成されている。
【0036】
また、この切り欠き15a・15bを形成する位置には、切り欠き15a・15bを容易に形成できるように、予め切り込み線15cが加工されている。これにより、半導体パッケージ10を複数積層して形成される積層構造体の製造工程において、所望の積層構造体に搭載される半導体チップ13の種類、積層数を確認した上で、その種類、積層数に対応した所定の位置の切り込み線15cの部分に圧力を加える等して切り欠き15aを容易に形成できる。
【0037】
なお、基板11には、必ずしも切り込み線15cを設ける必要はない。パターン又は印刷等により切り欠き部の位置を認識できるようにしておき、必要に応じてドリル、ルータ等を用いて切り欠き15a,15bを形成してもよい。また、パターン、印刷等を行わずに、パッケージ外形位置を基にして切り欠き15a,15bを形成してもよい。
【0038】
以上のような切り欠き15a・15bを形成した基板11に半導体チップ13を搭載して構成される半導体パッケージ10を複数積層して構成された積層構造体の一例について、図2を用いて説明すれば以下のとおりである。
【0039】
すなわち、図2に示す積層構造体20は、半導体パッケージ10a〜10fの6枚の半導体パッケージ10を接続用端子12を介して積層して構成されている。
【0040】
半導体パッケージ10a〜10fは、図3(a)〜図3(f)に示すように、図3(a)の最上段に積層された半導体パッケージ10aから図3(f)の最下段に積層された半導体パッケージ10fまで、それぞれが搭載している半導体チップ13a〜13fの備えている機能、積層される位置(数)に応じて形成された切り欠き15a・15bを基板11の同一辺上に備えている。
【0041】
ここでは、半導体チップ13の機能別に形成された切り欠き15aは、例えば、最も左の位置に形成されている切り欠き15aが8Mのフラッシュメモリ、左から2番目の切り欠き15aが16Mのフラッシュメモリ、左から3番目の切り欠き15aがCPU、左から4番目が液晶コントローラとしての機能を、積層構造体20が搭載した半導体パッケージ10a〜10fがそれぞれ有していることを示しているものとする。
【0042】
すなわち、図2の積層構造体20の最上段に積層された半導体パッケージ10aには、図3(a)に示すように、積層数を示す切り欠き15bは、積層数に応じて基板11に形成された6つの切り込み線15cのうち、最も左に形成された切り込み線15cに沿って形成されている。さらに、半導体パッケージ10aが搭載している半導体チップ13の備えている機能を示す切り欠き15aは、半導体チップ13の機能毎に形成された4つの切り込み線15cのうち、搭載した半導体チップ13に応じて最も左に形成された切り込み線15cに沿って形成されている。
【0043】
その他の半導体パッケージ10b〜10fについても、同様に積層数と搭載している半導体チップ13の機能(搭載デバイスの種類)に応じて、予め形成された切り込み線15cのうち、相当する切り込み線15c部分に圧力をかける等して切り欠き15a,15bを形成する。
【0044】
これにより、図2に示すように、積層構造体20の側面において、基板11に搭載した半導体チップ13が備えている機能毎に位置を変えて切り欠き15aが形成されているため、積層構造体20がどのような機能を備えているか容易に確認できる。さらに、図2に示すように、積層構造体20の側面において、切り欠き15bが斜めに一直線に形成されるため、切り欠き15bが形成されていない場合、あるいは切り欠き15bが略同じ位置に、または全く不規則に形成されている場合と比較して、半導体パッケージ10の積層数を数えることが容易になる。
【0045】
図2に示す積層構造体20においては、積層数が6段であること、および最上段に積層された半導体パッケージ10aとその下の段に積層された半導体パッケージ10bとに8Mのフラッシュメモリが搭載され、上から3段目に積層されている半導体パッケージ10cに16Mのフラッシュメモリが搭載され、上から4段目,5段目の半導体パッケージ10d・10eにCPUが搭載され、最下段に積層された半導体パッケージ10fに液晶コントローラが搭載されていることを容易に確認できる。
【0046】
以上のように、積層構造体20を組み立てた状態において、図2に示す積層構造体20の側面側から見て、切り欠き15aが半導体パッケージ10の積層方向において異なる位置に形成されている場合には、その基板11にはそれぞれ異なる機能を備えた半導体チップ13が搭載されていることを認識でき、同じ位置に形成されている場合には、基板11にはそれぞれ同じ機能を備えた半導体チップ13が搭載されていることを認識できる。一方、切り欠き15bは、積層構造体20の側面側から見て、積層した半導体パッケージ10毎に積層方向において異なる位置、例えば、図2に示すように、斜めに一直線に配置するように形成されることにより、切り欠き15bの数を数えやすくなり、積層されている半導体パッケージ10の数を容易に認識できる。
【0047】
よって、積層構造体20を組み立てた後であっても、積層構造体20の側面側から目視で確認することにより、積層構造体20に所望のデバイス(機能)が正しく積層されているか否か、および積層構造体20が備えている機能、半導体パッケージ10の積層数を容易に確認できる。そして、積層構造体20の生産効率を向上させるとともに、搭載デバイスの種類や積層数を誤って構成した積層構造体20を出荷する等の問題の発生を防止できる。
【0048】
さらに、図2に示す積層構造体20以外にも、同じ機能を備えた半導体チップ13を搭載し、異なる位置に接続用端子(チップセレクト端子)12を設けた半導体パッケージ10同士を積層した積層構造体の場合には、通常、それぞれが同じ機能を備えた半導体パッケージ10であることを積層後に確認することは難しい。
【0049】
しかし、本発明の基板11を用いることにより、上記のような積層構造体であっても、積層されている半導体チップ13が備えている機能等を容易に確認できる。
【0050】
また、図2に示すように、切り欠き15aおよび切り欠き15bが、基板11の同一辺上に形成されていることがより好ましい。このように、切り欠き15aおよび切り欠き15bを基板11の同一辺上に形成することにより、同じ側から見て積層数および積層構造体20が備えている機能を全て確認できるため、確認作業がさらに容易になる。
【0051】
ただし、本発明はこれに限定されるものではなく、図1に示すように、搭載している機能を示す切り欠き15aと積層数を示す切り欠き15bとを、基板11における別の辺上に形成してもよい。しかし、上述のように、一見するだけで切り欠き15aおよび15bによって得られる全ての情報を確認できるという効果を得ることができる点で、同一辺上に形成されていることが望ましい。
【0052】
なお、本実施形態では、切り欠き15aおよび15bの形状について、図1に示すような半円形状である場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図4(a)に示す半円形状以外にも、図4(b)に示す三角形状や、図4(c)に示す四角形状、図4(d)に示す楕円形状等、その他の形状であってもよい。
【0053】
また、本実施形態では、積層構造体20を構成する半導体パッケージとして、図1に示すような1枚の基板11に1枚の半導体チップ13を搭載した半導体パッケージ10を説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図5(a),図5(b)に示すような積層構造体30であってもよい。
【0054】
すなわち、図5(a)に示す積層構造体30は、半導体パッケージ10g〜10jを積層して形成されており、特に、半導体パッケージ10gおよび10iは、1枚の基板11に2枚の半導体チップ13、13’を搭載している。
【0055】
半導体パッケージ10h,10jについては、図6(a)に示すように、基板11に1枚の半導体チップ13を搭載し、封止樹脂21で半導体チップ13を固定して構成されている。一方、半導体パッケージ10g,10iについては、図6(b)に示すように、基板11に2枚の半導体チップ13,13’を搭載し、封止樹脂21で半導体チップ13,13’を固定して構成されている。
【0056】
半導体パッケージ10gおよび10iのような構成は、1枚の基板11に複数の半導体チップ13、13’を搭載することで、フラッシュメモリやCPU、液晶コントローラ等の複数の機能を備えた半導体パッケージ10を1枚の基板11で構成できる点で特に有効である。
【0057】
このような半導体パッケージ10であっても、図5(b)に示すように、半導体パッケージ10gについては、切り欠き15aおよび切り欠き15bを2ヶ所ずつ設けることにより、その基板11に搭載している半導体チップ13の数およびその機能を表示することができる。また、1枚の基板11に搭載した2枚の半導体チップ13,13’が同じ機能を備えている場合には、図5(a)の半導体パッケージ10iのように、デバイスの種類を示す切り欠き15aを1つだけ形成し、積層数を示す切り欠き15bを2つ形成すればよい。よって、積層構造体30の状態であっても、積層構造体30が備えている機能、すなわち搭載デバイスの種類を積層構造体30の側面側から容易に確認できる。
【0058】
また、基板11に形成された切り欠き15a, 15bの形成方法については、図7に示すように、シート25に基板11がマトリクス上に配置されている切り出し前の段階で、基板11のカットラインに沿って、ルータ等のドリル,レーザ等を用いた加工により形成してもよいし、シート25を形成するための金型により予め切り欠き15a, 15bを形成してもよい。
【0059】
実際の製造工程においては、予め基板11の種類によって搭載する半導体チップ13が決まっているため、基板11に分割する前のシート25の状態で、搭載する半導体チップ13の備えている機能、積層数に応じた切り欠き15a,15bを形成することにより、基板11を切り出した後に切り欠き15a等を後加工するよりも効率的に本発明の基板11を形成できる。
【0060】
さらに、以上のような基板11の製造工程における、切り欠き15a,15bの形成工程において、基板11上に設けられる銅配線に金メッキを施す際に、切り欠き15a,15bとなる貫通穴の内部に同様の処理を施すことが好ましい。これにより、目視あるいは光学的センサ等で切り欠き15a,15bを確認する際に、従来の生産工程数を増やすことなく、切り欠き15a,15bに金メッキを施すことができるため、切り欠き15a,15bを目立たせることができる。よって、切り欠き15a,15bで示される積層構造体20・30が備えている機能や積層数を積層構造体20・30の側面から見てより容易に認識できる。
【0061】
さらに、金メッキが施されていることで光が反射しやすくなることから、光学的センサ等を用いて生産ライン上で機械的に積層構造体20・30が搭載しているデバイスの種類および積層数を検出することがより好ましい。これにより、積層構造体20・30の検査を行う場合には、積層構造体20・30の確認検査工程の処理効率をさらに向上させることができる。
【0062】
また、以上のような金メッキ以外にも、封止樹脂21により半導体チップ13を封止、固定する工程において、同様に封止樹脂21を切り欠き15a,15bとなる貫通穴の内部に注入してもよい。これにより、基板11を切り出した場合、切り欠き部15a,15bの形成部分を封止樹脂21の色にすることができる。よって、金メッキを施した場合と同様に、特別な工程を増やすことなく従来の工程数のままで、切り欠き15a,15bを目立たせることができ、積層構造体20・30の搭載デバイスや積層数の確認が容易になる。
【0063】
また、本実施形態では、積層構造体20・30が搭載しているデバイスの種類(半導体チップが備えている機能)を示す第1の標示部、および積層している半導体パッケージ10(基板11)の数を示す第2の標示部として、切り欠き15aおよび15bを形成した例を挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、基板11の外周部に第1の標示部、第2の標示部として、識別可能になるような異なる色の塗装を施してもよい。
【0064】
第1の標示部、第2の標示部を異色の塗装により形成した場合でも、上記と同様に、積層構造体20・30が備えている機能や積層された半導体パッケージ10の数を容易に確認できる。
【0065】
さらに、切り欠き15a,15bに塗装を施す等して、両者を組み合わせた場合でも同様に、積層構造体20・30が備えている機能や積層された半導体パッケージ10の数をさらに容易に確認できる。
【0066】
また、本実施形態では、基板11の中央部に開口部を設け、半導体チップ13を埋め込んで薄型化が可能な半導体パッケージを例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、基板11上に半導体チップ13を搭載した一般的な半導体パッケージであっても同様の効果を得ることができる。
【0067】
【発明の効果】
本発明の半導体装置用基板は、以上のように、半導体素子が備えている機能情報を示す第1の標示部が外周部に形成されている構成である。
【0068】
それゆえ、半導体装置用基板に搭載した半導体素子が備えている機能(デバイスの種類)を容易に確認することができる。さらに、半導体素子を搭載した半導体装置用基板を複数積層した積層構造体を形成した場合でも、半導体素子が備えている機能を積層構造体の側面側から目視、あるいはセンサ等を用いて容易に確認することができるという効果を奏する。
【0069】
これにより、積層構造体に所望の機能を備えた半導体素子を搭載した半導体装置が含まれているか否かを容易に確認でき、積層構造体の生産効率を向上させるとともに、搭載デバイスの種類を誤って積層した積層構造体を出荷する等の問題の発生を防止できる。
【0070】
上記第1の標示部は、切り欠きあるいは塗装により形成されていることがより好ましい。
【0071】
それゆえ、安価かつ簡易な方法で、半導体装置用基板に搭載した半導体素子の機能(デバイスの種類)を容易に確認できる半導体装置用基板を得ることができるという効果を奏する。よって、積層構造体に積層された場合でも、所望の積層構造体になるように各半導体装置が正しく積層されているか否かを容易に確認できる。
【0072】
本発明の半導体装置用基板は、以上のように、半導体素子を搭載した半導体装置用基板を複数積層した場合に各半導体装置用基板の積層される段目を示す第2の標示部が外周部に形成されている構成である。
【0073】
それゆえ、半導体素子を搭載した半導体装置用基板が何段積層されているかについて、積層構造体の側面側から容易に確認することができるという効果を奏する。よって、積層構造体を形成した場合でも、半導体装置用基板の積層数を容易に確認できるため、半導体装置用基板の積層数が所望の数と異なる積層構造体を誤って出荷する等の問題の発生を防止できる。
【0074】
上記第2の標示部は、切り欠きあるいは塗装により形成されていることがより好ましい。
【0075】
それゆえ、積層構造体を組み立てた状態であっても、安価かつ簡易な方法で、積層した半導体装置の数を容易に確認できる半導体装置用基板を得ることができるという効果を奏する。よって、所望の積層構造体になるように各半導体装置が正しく積層されているか否かを容易に確認できる。
【0076】
本発明の半導体装置用基板は、以上のように、上記半導体素子が備えている機能情報を示す第1の標示部と、上記半導体素子を搭載した半導体装置用基板を複数積層した場合に各半導体装置用基板の積層される段目を示す第2の標示部とが外周部に形成されている構成である。
【0077】
それゆえ、半導体装置用基板に搭載した半導体素子が備えている機能(デバイスの種類)、および積層構造体を構成した場合の半導体装置用基板の積層数を積層構造体の側面側から目視、あるいはセンサ等を用いて容易に確認することができるという効果を奏する。
【0078】
よって、搭載デバイスの種類や積層数が所望の数と異なる積層構造体を誤って出荷する等の問題の発生を防止できる。
【0079】
上記第1の標示部および第2の標示部は、同一辺上に形成されていることがより好ましい。
【0080】
それゆえ、半導体装置用基板に搭載した半導体素子の機能(デバイスの種類)、あるいは半導体装置用基板の積層数を同じ側から一目で確認できるという効果を奏する。よって、より容易に所望の積層構造体になるように各半導体装置用基板が正しく積層されているか否かを確認できる。
【0081】
さらに、積層構造体の同じ側面側から確認できるように、第1および第2の標示部を半導体装置用基板に形成することで、積層構造体を構成する半導体装置用基板に形成された全ての標示部が示す情報を一見するだけで得ることができ、より容易に積層構造体の構成内容を確認できる。
【0082】
本発明の半導体装置は、以上のように、上記半導体装置用基板に、単数あるいは複数の半導体素子を搭載している構成である。
【0083】
それゆえ、半導体装置用基板に搭載した半導体素子が備えている機能(デバイスの種類)を容易に確認することができる。さらに、半導体素子を搭載した半導体装置用基板を複数積層した積層構造体を形成した場合でも、積層構造体が備えている機能情報、あるいは積層数情報を積層構造体の側面から目視、センサ等を用いて容易に確認することができるという効果を奏する。よって、半導体装置を積層した積層構造体の生産効率を向上させるとともに、搭載デバイスの種類や積層した半導体装置の数が所望のものと異なる積層構造体を誤って出荷する等の問題の発生を防止できる。
【0084】
また、1枚の半導体装置用基板に複数の半導体素子を搭載している場合であっても、複数の第1の標示部を半導体装置用基板の外周部に形成することで、複数の半導体素子に対応した複数の機能を示すことができるため、確実に半導体装置が備えている全ての機能を確認することができる。
【0085】
本発明の積層構造体は、以上のように、上記半導体装置を複数積層して構成される構成である。
【0086】
それゆえ、各半導体装置用基板が搭載している半導体素子が備えている機能、積層数を積層構造体の側面側から目視あるいはセンサ等を用いて容易に確認することができるという効果を奏する。よって、所望の積層構造体になるよう各半導体装置が正しく積層されているか否かを容易に確認することができる。
【0087】
さらに、これらの第1の標示部、第2の標示部が形成されている辺が同じ側面側に位置するように積層構造体を形成した場合には、積層構造体の同じ側面側から上記第1の標示部、第2の標示部が示す全ての情報を得ることができるため、
一見するだけで積層構造体が搭載している機能情報、積層数情報を確認できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の半導体装置用基板および半導体装置の一実施形態に係る半導体パッケージを示す平面図である。
【図2】 図1の半導体パッケージを複数積層した積層構造体を示す側面図である。
【図3】 (a)〜(f)は、図2の積層構造体を構成する各半導体パッケージの平面図である。
【図4】 図1の半導体パッケージの基板に形成された切り欠きの例を示す平面図である。
【図5】 (a)は、図2の積層構造体の他の例を示す側面図であり、(b)は、(a)の積層構造体の最上段の半導体パッケージを示す平面図である。
【図6】 (a)・(b)は、図5の積層構造体を構成する半導体パッケージの断面図である。
【図7】 図1の半導体パッケージの基板をシートから切り出す製造工程の一部を示す平面図である。
【図8】 位置合せ用の切り欠きが形成された従来の半導体装置を積層した積層構造体を示す概略図である。
【符号の説明】
10 半導体パッケージ(半導体装置)
10a〜10j 半導体パッケージ(半導体装置)
11 基板(半導体装置用基板)
12 接続用端子
13 半導体チップ(半導体素子)
13’ 半導体チップ(半導体素子)
15a 切り欠き(第1の標示部)
15b 切り欠き(第2の標示部)
15c 切り込み線
20 積層構造体
21 封止樹脂
25 シート
30 積層構造体

Claims (8)

  1. 半導体素子を搭載する搭載領域を備え、積層されて積層体構造を構成する半導体装置用基板であって、
    上記半導体素子を搭載した半導体装置用基板を複数積層した場合に各半導体装置用基板の積層される段目を示す標示部が外周部に形成されていることを特徴とする半導体装置用基板。
  2. 上記標示部は、切り欠きあるいは塗装により形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置用基板。
  3. 半導体素子を搭載する搭載領域を備え、積層されて積層体構造を構成する半導体装置用基板であって、
    上記半導体素子が備えている機能情報を示す第1の標示部と、上記半導体素子を搭載した半導体装置用基板を複数積層した場合に各半導体装置用基板の積層される段目を示す第2の標示部とが外周部に形成されていることを特徴とする半導体装置用基板。
  4. 上記第1の標示部および第2の標示部は、同一辺上に形成されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置用基板。
  5. 請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体装置用基板に、単数あるいは複数の半導体素子を搭載していることを特徴とする半導体装置。
  6. 請求項5に記載の半導体装置を複数積層して構成されることを特徴とする積層構造体。
  7. 半導体素子を搭載する搭載領域を備え、上記半導体素子を搭載した半導体装置用基板を複数積層した場合の積層段目の情報を示す標示部が外周部に形成されている半導体装置用基板に、単数あるいは複数の半導体素子を搭載している半導体装置を複数積層して構成されることを特徴とする積層構造体。
  8. 半導体素子を搭載する搭載領域を備え、上記半導体素子が備えている機能情報を示す第1の標示部と、上記半導体素子を搭載した半導体装置用基板を複数積層した場合の積層段目の情報を示す第2の標示部とが外周部に形成されている半導体装置用基板に、単数あるいは複数の半導体素子を搭載している半導体装置を複数積層して構成されることを特徴とする積層構造体。
JP2001331198A 2001-10-29 2001-10-29 半導体装置用基板およびこれを用いた半導体装置ならびに積層構造体 Expired - Fee Related JP3853634B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001331198A JP3853634B2 (ja) 2001-10-29 2001-10-29 半導体装置用基板およびこれを用いた半導体装置ならびに積層構造体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001331198A JP3853634B2 (ja) 2001-10-29 2001-10-29 半導体装置用基板およびこれを用いた半導体装置ならびに積層構造体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003133517A JP2003133517A (ja) 2003-05-09
JP3853634B2 true JP3853634B2 (ja) 2006-12-06

Family

ID=19146814

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001331198A Expired - Fee Related JP3853634B2 (ja) 2001-10-29 2001-10-29 半導体装置用基板およびこれを用いた半導体装置ならびに積層構造体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3853634B2 (ja)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01216558A (ja) * 1988-02-24 1989-08-30 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH04137549A (ja) * 1990-09-28 1992-05-12 Hitachi Ltd 半導体装置
WO1995029506A1 (en) * 1994-04-26 1995-11-02 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device, and method and apparatus for manufacturing it
JPH10270582A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP3708399B2 (ja) * 2000-03-13 2005-10-19 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003133517A (ja) 2003-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8513794B2 (en) Stacked assembly including plurality of stacked microelectronic elements
US20070052106A1 (en) Semiconductor device and method for fabricating the same
KR100674484B1 (ko) 전자 부품, 모듈, 모듈 조립 방법, 모듈 식별 방법, 및 모듈의 환경 설정 방법
US20080073797A1 (en) Semiconductor die module and package and fabricating method of semiconductor package
US20080111254A1 (en) Pattern film, method of manufacturing the pattern film, and printed circuit board and semiconductor package having the pattern film
US6091026A (en) Multi-layer printed circuit board with human detectable layer misregistration, and manufacturing method therefor
JPH1126378A (ja) レジストレーション検査方法及びミスレジストレーションフィデューシャル構造
JP3853634B2 (ja) 半導体装置用基板およびこれを用いた半導体装置ならびに積層構造体
KR100652440B1 (ko) 반도체 패키지, 그 패키지를 이용한 스택 패키지 및 그스택 패키지 형성 방법
US7449364B2 (en) Device and method for including passive components in a chip scale package
JP4191908B2 (ja) 積層型半導体装置
US8106308B2 (en) Printed circuit board for package and manufacturing method thereof
JPS6227144A (ja) 多層セラミツクパツケ−ジの製造方法
KR100512835B1 (ko) 칩 적층형 반도체 장치
US9041229B1 (en) Merged fiducial for semiconductor chip packages
JP4737055B2 (ja) 積層印刷配線基板
JP2019008723A (ja) 非接触情報媒体及びその製造方法
JPH0514427B2 (ja)
KR20050034028A (ko) 테스트 패턴
JP4434918B2 (ja) 基板を用いたマルチチップモジュールの製造方法
JPH06302716A (ja) 多層基板および多層基板の積層ずれ検出方法
JP2000332194A (ja) マルチチップパッケージ
JPH0482244A (ja) 半導体集積回路装置およびその配線変更方法
KR20010086476A (ko) 인쇄회로기판 및 그것을 이용한 반도체 칩의 적층 패키지방법
KR200302460Y1 (ko) 칩 적층을 위한 위치 인식 패턴이 구비된 반도체 칩

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040618

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20051216

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060110

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060309

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20060309

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060425

AA91 Notification that invitation to amend document was cancelled

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971091

Effective date: 20060523

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060620

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060810

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060905

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060906

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090915

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100915

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110915

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120915

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130915

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees