JP3853166B2 - 液晶表示パネル - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示パネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示パネルとして、ネマチック液晶を用い、優れた視角特性をもつＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）方式の液晶表示パネルが知られている。従来から、ネマチック液晶を用いた表示素子は、液晶分子の配向によっていくつかのモードがある。もっとも普及しているのは、捻れネマチック（ＴＮ）モードであり、その他にホメオトロピック（垂直）配向、またはホモジニアス（水平）配向の複屈折モードやゲストホストモード等がある。ＴＮモードは、とくに一方の基板に画素電極毎に能動素子を設けたアクティブアマトリクス液晶表示パネルにおいて主流となっている。
【０００３】
ＴＮ液晶は、誘電異方性が正の液晶を、水平配向処理した電極付きの一対の基板どうしの間に挟んで、９０度捻った状態を安定状態とする。そして、その液晶の配向に沿って偏波面が９０度回転するので、液晶層を挟んで配置した偏光子と検光子との透過軸を直交させていると、白表示となる。電圧印加により液晶分子が立つと、入射偏光はそのまま液晶層を進むので、検光子により吸収されて黒表示となる。これをノーマリホワイトＴＮモードと称する。
【０００４】
水平配向処理は、通常、ポリイミドをラビングすることにより達成される。このとき、ラビング方向に対応して数度程度の液晶のプレチルトが生じる。ＴＮ液晶の捻れ方向は、この一対の基板におけるプレチルト方向により基本的に決まる。つまり、液晶層がスプレイ歪みを伴わないように配向することで捻れ方向が決定される。さらに、逆捻れ配向を防止し、捻れ方向を均一に揃えるために、両方の基板でのプレチルト方向と符合させて、液晶中に微量のカイラル物質（光学活性物質）を添加して捻れ方向を決めている。液晶は、一方の基板界面近傍から反対側の基板界面近傍まで、ほぼ一様なプレチルトをもって配向する。
【０００５】
一対の基板間に電圧を印加すると、まず液晶層中央部の液晶分子が初期に与えられたプレチルト方向に立ち上がり、液晶層全体がそれに追従する。したがって、液晶の立ち上がる向きはパネル全体で同一であり、パネルを観察する方向によって液晶層の屈折率変化の仕方が違うため、視角方向によって光透過率が大きく変わる。このため、視角方向によってコントラストの大幅な低下や色変化や階調反転などが発生し、視角特性に非常に問題がある。とくにノーマリホワイトモードでは、液晶層中央部の液晶分子の立ち上がり方向（視角方向）から観察する場合ととその逆の方向（反視角方向）から観察する場合では、視角特性が大きく異なる。正面から視角方向側では階調反転現象が激しく、反視角方向側ではコントラスト低下が著しく白浮きが発生する。通常、視角方向は上下方向に設定されるため、ＴＮモードでは上下方向で視角特性が非対称となる。
【０００６】
このようなＴＮモードの視角特性を改善するために、多くの方法が提案されている。例えば、ＳＩＤ ９４ ＤＩＧＥＳＴ，９２７に記載されているように、液晶をベンド配向させて視覚補償を行い、さらに、これに光学位相補償フィルムを組み合わせることにより広い視野角を得るようにした、上述のＯＣＢ方式がある。ＯＣＢ方式は、ＴＮ方式に比べて応答速度が非常に速いという特徴も有しており、非常に魅力的な方式である。
【０００７】
このＯＣＢ方式では、液晶を初期的にはスプレイ配向させておき、使用時に、液晶に電界を加えることにより、ベンド配向（またはπツイスト配向）へ配向転移させる必要がある。つまり、電圧を加えることにより液晶が立ち上がると、スプレイ配向の歪みが増大し、安定なπツイスト配向またはベンド配向への転移が起こる。この様子を観察すると、スプレイ配向の中にπツイスト配向またはベンド配向をもつ所望の正常ドメインの核が発生し、成長する様子が見られる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本発明者らの実験によれば、スプレイ配向からπツイスト配向またはベンド配向への転移を発生させることは容易ではなく、１０Ｖ程度の相当に高い電圧を必要とする。このような高い電圧を加えることは、一般には駆動電圧の制約上、困難である。さらに、全ての画素で転移を起こすことは非常に困難であり、転移の起こらない画素が残ってしまう。配向転移が起こらず、スプレイ配向のままで残った画素が存在すると、その画素は表示欠陥として認識され、ディスプレイとしての表示品位を大きく低下させる。
【０００９】
すなわち従来の技術においては、配向欠陥のない均一配向を実現するためには新たな手段の開発が必要であるという技術的課題が存在する。
【００１０】
そこで本発明は、このような課題を解決して、スプレイ配向からπツイスト配向またはベンド配向への転移を容易に発生させることができるようにすることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の液晶パネルは、スプレイ配向からπツイスト配向またはベンド配向への転移を促進する核を発生させるための核発生手段を備えたものである。
【００１２】
したがって本発明によれば、核発生手段によって、スプレイ配向からπツイスト配向またはベンド配向への転移を容易に発生させることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
請求項１に記載の本発明は、一対の基板間に正の誘電率異方性を有する液晶が挟持され、これら一対の基板のそれぞれの内面に、前記液晶に電界を加えるための電極が形成され、かつ前記液晶がスプレイ配向され、前記一対の基板に電界を印加することにより前記スプレイ配向からπツイスト配向またはベンド配向へ転移する液晶表示パネルにおいて、前記転移を促進する核を発生させるための核発生手段を備え、前記核発生手段が、画素内に形成され、前記画素の他の領域に比べてプレチルト角が大きい領域によって構成され、前記プレチルト角が大きい領域がテーパー形状を有する凸部または凹部のテーパー部分によって形成されているものである。これにより、上述のように、核発生手段によって、スプレイ配向からπツイスト配向またはベンド配向への転移を容易に発生させることができる。
【００１７】
請求項２に記載の本発明は、一対の基板間に正の誘電率異方性を有する液晶が挟持され、これら一対の基板のそれぞれの内面に、前記液晶に電界を加えるための電極が形成され、かつ前記液晶がスプレイ配向され、前記一対の基板に電界を印加することにより前記スプレイ配向からπツイスト配向またはベンド配向へ転移する液晶表示パネルにおいて、前記転移を促進する核を発生させるための核発生手段を備え、前記核発生手段が、画素内に形成され、前記画素の他の領域に比べてプレチルト角が大きい領域によって構成され、前記プレチルト角が大きい領域がフォトリソグラフィープロセスを用いた表面処理によって形成されている。これにより、上述の縦電界が強い領域の形成に代わる手法で核発生手段が構成される。
【００２０】
請求項３に記載の本発明は、全ての前記画素に対応して、少なくとも１カ所以上の核発生手段を設けたものである。
【００２１】
請求項４に記載の本発明は、前記一対の基板の界面近傍での液晶のプレチルト角が３°以上であるものである。これにより、エネルギー差を大きくして、正常ドメインを成長しやすくすることができる。
【００２２】
請求項５に記載の本発明は、配向処理がラビングによって行われているようにしたものである。
【００２３】
請求項６に記載の本発明は、配向膜がポリイミド、またはポリアミック酸を含む材料で形成されているようにしたものである。
【００２４】
請求項７に記載の本発明は、前記液晶表示パネルが各画素毎に能動素子を設けたアクティブマトリクスパネルであるようにしたものである。
【００２５】
以下、図面を用いて説明する。図９（ａ）は、本発明の液晶表示パネルの電圧無印加時における液晶配向状態を模式的に示したものである。一対の基板９１、９２どうしの間における液晶分子９３の配向方位は略平行で、基板９１、９２の界面付近でのプレチルトは、液晶分子９３がスプレイ配向するように付与される。このような配向状態の液晶表示パネルにおける一対の基板９１、９２の間に電界を加えると、図９（ｂ）に示すように液晶分子９３が立ち上がり、スプレイ歪みが非常に大きくなって、πツイスト配向またはベンド配向（図９（ｃ）に示す）への転移が起こる。液晶がかなり立ち上がった状態では、πツイスト配向とベンド配向は光学的に非常に近い状態となり、ほぼ等価なものとみなすことができる。したがって、ベンド配向へ転移するかπツイスト配向へ転移するかは、大きな問題でない。本発明者らの実験結果によれば、実際には、πツイスト配向への転移が起こる場合が多いと考えられる。
【００２６】
本発明に用いる配向膜材料としては、安定性にすぐれたポリイミドまたはポリアミック酸がとくに好ましいが、配向膜の材質はこれらに限定するものではない。配向パターニング処理はラビング処理によるのが一般的であるが、ラビング処理法に限定するものではなく、斜方蒸着法や偏光ＵＶ光照射などによっても行うことが可能である。
【００２７】
本発明は、電界無印加時のスプレイ配向から、電界印加によるπツイスト配向またはベンド配向への転移の発生確率を高め、配向欠陥となる画素を低減することを目的としている。そのため、部分的に電界強度を強めることにより、または部分的にプレチルト角を大きくすることにより、スプレイ配向の歪みを大きくして、配向転移を促進し、核を発生、成長させるものである。
【００２８】
【実施例】
（実施例１）
図１、図２は、本発明の実施例１の液晶表示パネルの１画素の平面図および断面図である。実際のパネルは、対角２６ｃｍの縦６４０（ＸＲＧＢトリオ）×横４８０の画素で構成した。図２は図１の一点鎖線部２２に沿った断面図である。下基板１の上面には、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）の画素電極２と、この画素電極２を駆動する薄膜トランジスター３とを形成した。上基板２０の下面には、クロムからなるブラックマトリクス遮光層４とカラーフィルター５とＩＴＯの共通電極７とを形成した。遮光層４は開口部以外をすべて覆うようにした。そして、下基板１のＩＴＯ画素電極２上には、液晶１４よりも誘電率が大きい酸化タンタルからなる高さ１ミクロンの凸部３１を形成した。
【００２９】
それぞれの電極２、７上には、可溶性のポリイミドからなる配向膜１５を塗布した。配向処理はラビングによって行った。それぞれの基板１、２０のラビング方向は、下基板１のラビング方向を図１における破線矢印Ａで、上基板２０のラビング方向を実線矢印Ｂで示した。
【００３０】
次に、直径８ミクロンの球形スペーサを散布して、セル厚約８ミクロンの空セルを組み立てた。そして、カイラル剤を添加していない屈折率異方性Δｎ＝０．１３４、誘電異方性Δε＝９．５のフッ素系ネマチック液晶を注入し、液晶の等方相転移温度以上の温度で１時間アニール処理後、室温に冷却した。この状態では、液晶は全面スプレイ配向状態となっていた。
【００３１】
なお、液晶のプレチルトを調べるために、同様の配向処理をしたプレチルト評価用セルを作製した。その測定結果より、ここで用いた配向膜と液晶の組み合わせで得られるプレチルト角は約５°であることがわかった。
【００３２】
この液晶表示パネルの画素電極２と共通電極７との間に５Ｖの電圧を加えると、当初存在していたスプレイ配向領域がπツイスト配向へと転移した。
【００３３】
偏光顕微鏡下で電圧印可時の配向転移の様子を観察すると、電極２上に形成した酸化タンタルの凸部３１から効果的にπツイスト配向の核が発生し、成長していく過程が観察された。５Ｖの電圧を１分間加えた後に配向状態を調べたところ、配向欠陥はほとんどなく、ほぼ全ての画素でπツイスト配向が得られた。
【００３４】
本実施例では、凸部３１の材質に酸化タンタルを用いたが、この凸部３１の材料は、液晶１４の長軸方向の誘電率よりも大きな誘電率をもつものであればよい。その場合は、酸化タンタルの場合と同様に凸部３１上の液晶１４層に加わる電界強度が周囲よりも強くなり、通常ＴＮ配向への転移が促進される。
【００３５】
本実施例では液晶１４よりも大きな誘電率をもつ材料からなる凸部３１を下基板１の画素電極２上に形成したが、これを上基板２０の共通電極７上、または両方の基板１、２０に形成しても同様な効果が得られる。
（比較例１）
酸化タンタルでできた凸部を設けなかったこと以外は実施例１と同様にして、液晶表示パネルを作製した。アニール後の液晶配向状態は、実施例１と同様に、全面スプレイ配向となっていた。
【００３６】
この液晶表示パネルの画素電極と共通電極間に５Ｖの電圧を加え、１分後に配向状態を調べたところ、スプレイＴＮ配向領域が多数残存していた。無作為に約１０００画素をサンプリングして調べたところ、配向欠陥が存在する画素は１４％に達した。
（実施例２）
図３、図４は、本発明の実施例２の液晶表示パネルの１画素の平面図および断面図である。実際のパネルは、実施例１の場合と同様に、対角２６ｃｍの縦６４０（ＸＲＧＢトリオ）×横４８０の画素で構成されている。図４は、図３の一点鎖線部２３に沿った断面図である。これら図３、図４において、図１、図２に示したものと同一の部材には同一の参照番号を付してその詳細な説明は省略するが、下基板１のＩＴＯ画素電極２上には、アルミニウムからなる高さ１ミクロンの凸部３２を形成して、ＩＴＯ画素電極２とアルミニウムの凸部３２とは導通させた。
【００３７】
次に、直径７ミクロンの球形スペーサを散布して、セル厚約７ミクロンの空セルを組み立てた。そして、カイラル剤を添加していない屈折率異方性Δｎ＝０．１３４、誘電異方性Δε＝９．５のフッ素系ネマチック液晶を注入し、液晶の等方相転移温度以上の温度で１時間アニール処理後、室温に冷却した。この状態では、液晶は、全面スプレイ配向状態となっていた。
【００３８】
実施例１と同様に、液晶のプレチルトを調べるために、同様の配向処理をしたプレチルト評価用セルを作製した。その測定結果より、ここで用いた配向膜と液晶の組み合わせで得られるプレチルト角は約５°であることがわかった。
【００３９】
この液晶表示パネルの画素電極２と共通電極７との間に５Ｖの電圧を加えると、当初存在していたスプレイ配向領域がπツイスト配向へと転移した。
【００４０】
偏光顕微鏡下で電圧印可時の配向転移の様子を観察すると、電極２上に形成したアルミニウムの凸部３２から効果的にπツイスト配向の核が発生し、成長していく過程が観察された。５Ｖの電圧を１分間加えた後に配向状態を調べたところ、配向欠陥はほとんどなく、ほぼ全ての画素でπツイスト配向が得られた。
【００４１】
本実施例では凸部３２にアルミニウムを用いたが、アルミニウムに限らず、導電性の材料で画素電極２と導通していれば、アルミニウムと同様に凸部３２上の液晶層１４に加わる電界強度が周囲よりも強くなり、通常ＴＮ配向への転移が促進される。
【００４２】
本実施例では導電性材料からなる凸部３２を下基板１の画素電極２上に形成したが、これを上基板２０の共通電極７上、または両方の基板１、２０に形成しても同様な効果が得られる。
（実施例３）
図５、図６は、本発明の実施例３の液晶表示パネルの１画素の平面図および断面図を示す。実際のパネルは、同様に対角２６ｃｍの縦６４０（ＸＲＧＢトリオ）×横４８０の画素で構成されている。図６は、図５の一点鎖線部２４に沿った断面図である。これら図５、図６において、図１、図２に示したものと同一の部材には同一の参照番号を付してその詳細な説明は省略するが、下基板１のＩＴＯ画素電極２上には、窒化シリコンによって、基板表面と約３０°の角度をなすテーパー形状を有した凸部３３を形成した。
【００４３】
次に、直径７ミクロンの球形スペーサを散布して、セル厚約７ミクロンの空セルを組み立てた。そして、カイラル剤を添加していない屈折率異方性Δｎ＝０．１３４、誘電異方性Δε＝９．５のフッ素系ネマチック液晶を注入し、液晶の等方相転移温度以上の温度で１時間アニール処理後、室温に冷却した。この状態では、液晶は、全面スプレイ配向状態となっていた。
【００４４】
実施例１と同様に、液晶のプレチルトを調べるために、同様の配向処理をしたプレチルト評価用セルを作製した。その測定結果より、ここで用いた配向膜と液晶の組み合わせで得られるプレチルト角は約５°であることがわかった。
【００４５】
この液晶表示パネルの画素電極２と共通電極７との間に５Ｖの電圧を加えると、当初存在していたスプレイ配向領域がπツイスト配向へと転移した。
【００４６】
これは、突部３３のテーパー形状により、プレチルトが実効的に高められたからであり、そのためにスプレイ配向がより不安定化されたためである。つまり、突部３３のテーパーの部分では、液晶のプレチルト角が実効的に３５゜になっているのと同等の効果が期待できた。
【００４７】
偏光顕微鏡下で電圧印可時の配向転移の様子を観察すると、電極２上に形成したテーパー形状をもつ窒化シリコンからなる凸部３３から効果的にπツイスト配向の核が発生し、成長していく過程が観察された。５Ｖの電圧を１分間加えた後に配向状態を調べたところ、配向欠陥はほとんどなく、ほぼ全ての画素でπツイスト配向が得られた。
【００４８】
本実施例ではテーパー形状を有する凸部３３に窒化シリコンを用いたが、窒化シリコンに限らず、別の誘電体でもよいことはいうまでもない。また、テーパー形状を有する凸部３３は、導電性の材料で形成してもよく、この導電性の凸部は、画素電極と導通していても、していなくてもよい。
【００４９】
本実施例ではテーパー形状を有する凸部３３を下基板１の画素電極２上に形成したが、これを上基板２０の共通電極７上、または両方の基板１、２０に形成しても同様な効果が得られる。
【００５０】
また、本実施例３では、テーパー形状を有する凸部３３の例を示したが、テーパー形状を有する凹部であっても同様な効果が得られる。
【００５１】
テーパー形状部分と基板とのなす角度は、液晶のスプレイ配向歪みを増大させる向きであれば何度でもかまわないが、効果的に正常ドメインを発生させるためには、５゜以上が好ましい。
（実施例４）
図７、図８は、本発明の実施例４の液晶表示パネルの１画素の平面図および断面図を示す。実際のパネルは、実施例３の場合と同様に、対角２６ｃｍの縦６４０（ＸＲＧＢトリオ）×横４８０の画素で構成されている。図８は、図７における一点鎖線部２５に沿った断面図である。これら図７、図８において、図５、図６に示したものと同一の部材には同一の参照番号を付してその詳細な説明は省略するが、下基板１のＩＴＯ画素電極２上には、周りよりもプレチルト角が大きい領域３４を形成した。領域３４はフォトリソグラフィープロセスを用いた表面処理によって形成し、この領域３４の基板界面付近のプレチルト角は約２５°であった。図８には、下基板１界面付近での液晶のプレチルトを模式的に示す。
【００５２】
次に、直径８ミクロンの球形スペーサを散布して、セル厚約８ミクロンの空セルを組み立てた。そして、カイラル剤を添加していない屈折率異方性Δｎ＝０．１３４、誘電異方性Δε＝９．５のフッ素系ネマチック液晶を注入し、液晶の等方相転移温度以上の温度で１時間アニール処理後、室温に冷却した。この状態では、液晶は、全面スプレイ配向状態となっていた。
【００５３】
実施例３と同様に、液晶のプレチルトを調べるために、同様の配向処理をしたプレチルト評価用セルを作製した。その測定結果より、ここで用いた配向膜と液晶の組み合わせで得られるプレチルト角は約５°であることがわかった。
【００５４】
この液晶表示パネルの画素電極２と共通電極７との間に５Ｖの電圧を加えると、当初存在していたスプレイ配向領域がπツイスト配向へと転移した。
【００５５】
偏光顕微鏡下で電圧印可時の配向転移の様子を観察すると、電極２上に形成したプレチルトの高い領域３４から効果的にπツイスト配向の核が発生し、成長していく過程が観察された。５Ｖの電圧を１分間加えた後に配向状態を調べたところ、配向欠陥はほとんどなく、ほぼ全ての画素でπツイスト配向が得られた。
【００５６】
部分的に形成した高プレチルト領域３４のプレチルト角は、周囲に比べて高ければよいわけであるが、効果的に核発生を起こさせるためには、１０゜以上に設定することが好ましかった。
【００５７】
なお、実施例１〜４の液晶表示パネルにおいて、電圧印加により全画素にわたって均一配向が得られるかどうかを、液晶のプレチルト角を変化させて検討した。その結果、プレチルト角が大きいほど、電圧印加による正常ドメイン形成は、低い電圧でかつ短時間で可能になることがわかった。しかし、プレチルトが２°以下の場合は、スプレイ配向からπツイスト配向またはベンド配向への転移が完全には起こらず、配向欠陥の画素が残存した。このことから、液晶のプレチルト角は３°程度は必要であることがわかった。
【００５８】
スプレイＴＮ配向から通常ＴＮ配向への転移を促す核発生手段は、各画素にそれぞれ対応させて形成するのが好ましい。電界印可による配向転移を確実に発生させるためには、図示のように各配向領域に複数個設けることも好ましい。
【００５９】
また、上記の各実施例ではアクティブマトリクス型の液晶パネルの例を示したが、一対の基板がストライプ電極からなる単純マトリスクの場合でも、本発明は有効である。
【００６０】
本発明に用いられる液晶材料は、フッ素系の材料に限定するものではななく、シアノ系の液晶など誘電率異方性が正の材料系であれば使用が可能である。しかし、アクティブマトリクス型液晶表示パネル用には、電圧保持率が高く、信頼性に優れたフッ素系の材料を主成分とする液晶組成物を用いることが、とくに好ましい。
【００６１】
【発明の効果】
以上のように、本発明の液晶表示素子によれば、スプレイ配向からπツイスト配向またはベンド配向への転移を促進する核を発生させるための核発生手段を備えたことにより、このスプレイ配向からπツイスト配向またはベンド配向への転移を容易に発生させることができ、このため、配向欠陥のない、高品位な液晶表示パネルを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１の液晶表示パネルの平面図である。
【図２】図１における一点鎖線２２に沿った断面図である。
【図３】本発明の実施例２の液晶表示パネルの平面図である。
【図４】図３における一点鎖線２３に沿った断面図である。
【図５】本発明の実施例３の液晶表示パネルの平面図である。
【図６】図５における一点鎖線２４に沿った断面図である。
【図７】本発明の実施例４の液晶表示パネルの平面図である。
【図８】図７における一点鎖線２５に沿った断面図である。
【図９】本発明に基づくスプレイ配向からベンド配向への転移をあらわす模式図である。
【符号の説明】
１ 下基板
２ 画素電極
７ 共通電極
１４ 液晶
２０ 上基板
３１ 液晶よりも高誘電率の材質からなる凸部
３２ 導電性の材質からなる凸部
３３ テーパー形状を有する凸部
３４ 周囲よりもプレチルト角の大きい領域

Claims (7)

1. 一対の基板間に正の誘電率異方性を有する液晶が挟持され、これら一対の基板のそれぞれの内面に、前記液晶に電界を加えるための電極が形成され、かつ前記液晶がスプレイ配向され、前記一対の基板に電界を印加することにより前記スプレイ配向からπツイスト配向またはベンド配向へ転移する液晶表示パネルにおいて、
   前記転移を促進する核を発生させるための核発生手段を備え、
   前記核発生手段が、画素内に形成され、前記画素の他の領域に比べてプレチルト角が大きい領域によって構成され、前記プレチルト角が大きい領域がテーパー形状を有する凸部または凹部のテーパー部分によって形成されていることを特徴とする液晶表示パネル。
2. 一対の基板間に正の誘電率異方性を有する液晶が挟持され、これら一対の基板のそれぞれの内面に、前記液晶に電界を加えるための電極が形成され、かつ前記液晶がスプレイ配向され、前記一対の基板に電界を印加することにより前記スプレイ配向からπツイスト配向またはベンド配向へ転移する液晶表示パネルにおいて、
   前記転移を促進する核を発生させるための核発生手段を備え、
   前記核発生手段が、画素内に形成され、前記画素の他の領域に比べてプレチルト角が大きい領域によって構成され、前記プレチルト角が大きい領域がフォトリソグラフィープロセスを用いた表面処理によって形成されていることを特徴とする液晶表示パネル。
3. 全ての前記画素に対応して、少なくとも１カ所以上の前記核発生手段を設けたことを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示パネル。
4. 前記一対の基板の界面近傍での液晶のプレチルト角が３°以上であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の液晶表示パネル。
5. 配向処理がラビングによって行われていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の液晶表示パネル。
6. 配向膜がポリイミド、またはポリアミック酸を含む材料で形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の液晶表示パネル。
7. 前記液晶表示パネルが各画素毎に能動素子を設けたアクティブマトリクスパネルであることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の液晶表示パネル。

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