JP2001305550A - 液晶表示パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶表示パネルにおいて、スプレイ配向から
ベンド配向またはπツイスト配向を効率よく発生させ、
配向欠陥を低減させる。 【解決手段】 一対の基板１、２０間に正の誘電率異方
性を有する液晶１４が狭持され、これら一対の基板１、
２０のそれぞれの内面に、液晶１４に電界を加えるため
の電極２、７が形成され、かつ液晶１４がスプレイ配向
されている液晶表示パネルである。この液晶表示パネル
は、スプレイ配向からπツイスト配向またはベンド配向
への転移を促進する核を発生させるための核発生手段３
１、３２、３３、３４を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示パネルに関
する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示パネルとして、ネマチック液晶
を用い、優れた視角特性をもつＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ
ｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅ
ｎｃｅ）方式の液晶表示パネルが知られている。従来か
ら、ネマチック液晶を用いた表示素子は、液晶分子の配
向によっていくつかのモードがある。もっとも普及して
いるのは、捻れネマチック（ＴＮ）モードであり、その
他にホメオトロピック（垂直）配向、またはホモジニア
ス（水平）配向の複屈折モードやゲストホストモード等
がある。ＴＮモードは、とくに一方の基板に画素電極毎
に能動素子を設けたアクティブアマトリクス液晶表示パ
ネルにおいて主流となっている。

【０００３】ＴＮ液晶は、誘電異方性が正の液晶を、水
平配向処理した電極付きの一対の基板どうしの間に挟ん
で、９０度捻った状態を安定状態とする。そして、その
液晶の配向に沿って偏波面が９０度回転するので、液晶
層を挟んで配置した偏光子と検光子との透過軸を直交さ
せていると、白表示となる。電圧印加により液晶分子が
立つと、入射偏光はそのまま液晶層を進むので、検光子
により吸収されて黒表示となる。これをノーマリホワイ
トＴＮモードと称する。

【０００４】水平配向処理は、通常、ポリイミドをラビ
ングすることにより達成される。このとき、ラビング方
向に対応して数度程度の液晶のプレチルトが生じる。Ｔ
Ｎ液晶の捻れ方向は、この一対の基板におけるプレチル
ト方向により基本的に決まる。つまり、液晶層がスプレ
イ歪みを伴わないように配向することで捻れ方向が決定
される。さらに、逆捻れ配向を防止し、捻れ方向を均一
に揃えるために、両方の基板でのプレチルト方向と符合
させて、液晶中に微量のカイラル物質（光学活性物質）
を添加して捻れ方向を決めている。液晶は、一方の基板
界面近傍から反対側の基板界面近傍まで、ほぼ一様なプ
レチルトをもって配向する。

【０００５】一対の基板間に電圧を印加すると、まず液
晶層中央部の液晶分子が初期に与えられたプレチルト方
向に立ち上がり、液晶層全体がそれに追従する。したが
って、液晶の立ち上がる向きはパネル全体で同一であ
り、パネルを観察する方向によって液晶層の屈折率変化
の仕方が違うため、視角方向によって光透過率が大きく
変わる。このため、視角方向によってコントラストの大
幅な低下や色変化や階調反転などが発生し、視角特性に
非常に問題がある。とくにノーマリホワイトモードで
は、液晶層中央部の液晶分子の立ち上がり方向（視角方
向）から観察する場合ととその逆の方向（反視角方向）
から観察する場合では、視角特性が大きく異なる。正面
から視角方向側では階調反転現象が激しく、反視角方向
側ではコントラスト低下が著しく白浮きが発生する。通
常、視角方向は上下方向に設定されるため、ＴＮモード
では上下方向で視角特性が非対称となる。

【０００６】このようなＴＮモードの視角特性を改善す
るために、多くの方法が提案されている。例えば、ＳＩ
Ｄ ９４ ＤＩＧＥＳＴ，９２７に記載されているよ
うに、液晶をベンド配向させて視覚補償を行い、さら
に、これに光学位相補償フィルムを組み合わせることに
より広い視野角を得るようにした、上述のＯＣＢ方式が
ある。ＯＣＢ方式は、ＴＮ方式に比べて応答速度が非常
に速いという特徴も有しており、非常に魅力的な方式で
ある。

【０００７】このＯＣＢ方式では、液晶を初期的にはス
プレイ配向させておき、使用時に、液晶に電界を加える
ことにより、ベンド配向（またはπツイスト配向）へ配
向転移させる必要がある。つまり、電圧を加えることに
より液晶が立ち上がると、スプレイ配向の歪みが増大
し、安定なπツイスト配向またはベンド配向への転移が
起こる。この様子を観察すると、スプレイ配向の中にπ
ツイスト配向またはベンド配向をもつ所望の正常ドメイ
ンの核が発生し、成長する様子が見られる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者らの実験によれば、スプレイ配向からπツイスト配向
またはベンド配向への転移を発生させることは容易では
なく、１０Ｖ程度の相当に高い電圧を必要とする。この
ような高い電圧を加えることは、一般には駆動電圧の制
約上、困難である。さらに、全ての画素で転移を起こす
ことは非常に困難であり、転移の起こらない画素が残っ
てしまう。配向転移が起こらず、スプレイ配向のままで
残った画素が存在すると、その画素は表示欠陥として認
識され、ディスプレイとしての表示品位を大きく低下さ
せる。

【０００９】すなわち従来の技術においては、配向欠陥
のない均一配向を実現するためには新たな手段の開発が
必要であるという技術的課題が存在する。

【００１０】そこで本発明は、このような課題を解決し
て、スプレイ配向からπツイスト配向またはベンド配向
への転移を容易に発生させることができるようにするこ
とを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の液晶パネルは、スプレイ配向からπツイ
スト配向またはベンド配向への転移を促進する核を発生
させるための核発生手段を備えたものである。

【００１２】したがって本発明によれば、核発生手段に
よって、スプレイ配向からπツイスト配向またはベンド
配向への転移を容易に発生させることができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】請求項１に記載の本発明は、一対
の基板間に正の誘電率異方性を有する液晶が狭持され、
これら一対の基板のそれぞれの内面に、液晶に電界を加
えるための電極が形成され、かつ液晶がスプレイ配向さ
れている液晶表示パネルにおいて、スプレイ配向からπ
ツイスト配向またはベンド配向への転移を促進する核を
発生させるための核発生手段を備えたものである。これ
により、上述のように、核発生手段によって、スプレイ
配向からπツイスト配向またはベンド配向への転移を容
易に発生させることができる。

【００１４】請求項２に記載の本発明は、核発生手段
が、画素内の他の領域に比べて一対の基板の方向へ向か
う縦電界が強い部分的な領域によって構成されているよ
うにしたものである。これにより、電界印加時に、この
部分の電界強度が他の部分よりも大きくなり、スプレイ
配向歪みが大きくなって、この部分から正常ドメインの
核が発生し、成長することが可能になる。

【００１５】請求項３に記載の本発明は、核発生手段
が、液晶よりも誘電率の大きな材質で形成された凸部で
あるようにしたものである。これにより縦電界の強い領
域が形成され、電界印加時に、この部分の液晶の立ち上
がり方が他の部分よりも大きくなり、スプレイ配向歪み
が大きくなって、この部分から正常ドメインの核が発生
し、成長することが可能になる。

【００１６】請求項４に記載の本発明は、核発生手段
が、基板の内面に形成された電極と導通している導電性
の凸部であるようにしたものである。これによっても、
同様に縦電界の強い領域が形成される。

【００１７】請求項５に記載の本発明は、核発生手段
が、画素内の他の領域に比べてプレチルト角が大きい部
分的な領域によって構成されているようにしたものであ
る。これにより、上述の縦電界が強い領域の形成に代わ
る手法で核発生手段が構成される。

【００１８】請求項６に記載の本発明は、核発生手段
が、基板表面の形状効果により画素内の他の領域に比べ
てプレチルト角が大きい部分的な領域によって構成され
ているようにしたものである。これによりプレチルト角
の大きい領域が部分的に形成される。

【００１９】請求項７に記載の本発明は、核発生手段
が、配向膜の表面性状を部分的に変えることにより画素
内の他の領域に比べてプレチルト角が大きい部分的な領
域によって構成されているようにしたものである。これ
によってもプレチルト角の高い領域が部分的に形成され
る。

【００２０】請求項８に記載の本発明は、全ての画素に
対応して、少なくとも１カ所以上の核発生手段を設けた
ものである。

【００２１】請求項９に記載の本発明は、一対の基板の
界面近傍での液晶のプレチルト角が３°以上であるよう
にしたものである。これにより、エネルギー差を大きく
して、正常ドメインを成長しやすくすることができる。

【００２２】請求項１０に記載の本発明は、配向処理が
ラビングによって行われているようにしたものである。

【００２３】請求項１１に記載の本発明は、配向膜がポ
リイミド、またはポリアミック酸を含む材料で形成され
ているようにしたものである。

【００２４】請求項１２に記載の本発明は、液晶表示パ
ネルが各画素毎に能動素子を設けたアクティブマトリク
スパネルであるようにしたものである。

【００２５】以下、図面を用いて説明する。図９（ａ）
は、本発明の液晶表示パネルの電圧無印加時における液
晶配向状態を模式的に示したものである。一対の基板９
１、９２どうしの間における液晶分子９３の配向方位は
略平行で、基板９１、９２の界面付近でのプレチルト
は、液晶分子９３がスプレイ配向するように付与され
る。このような配向状態の液晶表示パネルにおける一対
の基板９１、９２の間に電界を加えると、図９（ｂ）に
示すように液晶分子９３が立ち上がり、スプレイ歪みが
非常に大きくなって、πツイスト配向またはベンド配向
（図９（ｃ）に示す）への転移が起こる。液晶がかなり
立ち上がった状態では、πツイスト配向とベンド配向は
光学的に非常に近い状態となり、ほぼ等価なものとみな
すことができる。したがって、ベンド配向へ転移するか
πツイスト配向へ転移するかは、大きな問題でない。本
発明者らの実験結果によれば、実際には、πツイスト配
向への転移が起こる場合が多いと考えられる。

【００２６】本発明に用いる配向膜材料としては、安定
性にすぐれたポリイミドまたはポリアミック酸がとくに
好ましいが、配向膜の材質はこれらに限定するものでは
ない。配向パターニング処理はラビング処理によるのが
一般的であるが、ラビング処理法に限定するものではな
く、斜方蒸着法や偏光ＵＶ光照射などによっても行うこ
とが可能である。

【００２７】本発明は、電界無印加時のスプレイ配向か
ら、電界印加によるπツイスト配向またはベンド配向へ
の転移の発生確率を高め、配向欠陥となる画素を低減す
ることを目的としている。そのため、部分的に電界強度
を強めることにより、または部分的にプレチルト角を大
きくすることにより、スプレイ配向の歪みを大きくし
て、配向転移を促進し、核を発生、成長させるものであ
る。

【００２８】

【実施例】（実施例１）図１、図２は、本発明の実施例
１の液晶表示パネルの１画素の平面図および断面図であ
る。実際のパネルは、対角２６ｃｍの縦６４０（ＸＲＧ
Ｂトリオ）×横４８０の画素で構成した。図２は図１の
一点鎖線部２２に沿った断面図である。下基板１の上面
には、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）の画素電極２と、こ
の画素電極２を駆動する薄膜トランジスター３とを形成
した。上基板２０の下面には、クロムからなるブラック
マトリクス遮光層４とカラーフィルター５とＩＴＯの共
通電極７とを形成した。遮光層４は開口部以外をすべて
覆うようにした。そして、下基板１のＩＴＯ画素電極２
上には、液晶１４よりも誘電率が大きい酸化タンタルか
らなる高さ１ミクロンの凸部３１を形成した。

【００２９】それぞれの電極２、７上には、可溶性のポ
リイミドからなる配向膜１５を塗布した。配向処理はラ
ビングによって行った。それぞれの基板１、２０のラビ
ング方向は、下基板１のラビング方向を図１における破
線矢印Ａで、上基板２０のラビング方向を実線矢印Ｂで
示した。

【００３０】次に、直径８ミクロンの球形スペーサを散
布して、セル厚約８ミクロンの空セルを組み立てた。そ
して、カイラル剤を添加していない屈折率異方性Δｎ＝
０．１３４、誘電異方性Δε＝９．５のフッ素系ネマチ
ック液晶を注入し、液晶の等方相転移温度以上の温度で
１時間アニール処理後、室温に冷却した。この状態で
は、液晶は全面スプレイ配向状態となっていた。

【００３１】なお、液晶のプレチルトを調べるために、
同様の配向処理をしたプレチルト評価用セルを作製し
た。その測定結果より、ここで用いた配向膜と液晶の組
み合わせで得られるプレチルト角は約５°であることが
わかった。

【００３２】この液晶表示パネルの画素電極２と共通電
極７との間に５Ｖの電圧を加えると、当初存在していた
スプレイ配向領域がπツイスト配向へと転移した。

【００３３】偏光顕微鏡下で電圧印可時の配向転移の様
子を観察すると、電極２上に形成した酸化タンタルの凸
部３１から効果的にπツイスト配向の核が発生し、成長
していく過程が観察された。５Ｖの電圧を１分間加えた
後に配向状態を調べたところ、配向欠陥はほとんどな
く、ほぼ全ての画素でπツイスト配向が得られた。

【００３４】本実施例では、凸部３１の材質に酸化タン
タルを用いたが、この凸部３１の材料は、液晶１４の長
軸方向の誘電率よりも大きな誘電率をもつものであれば
よい。その場合は、酸化タンタルの場合と同様に凸部３
１上の液晶１４層に加わる電界強度が周囲よりも強くな
り、通常ＴＮ配向への転移が促進される。

【００３５】本実施例では液晶１４よりも大きな誘電率
をもつ材料からなる凸部３１を下基板１の画素電極２上
に形成したが、これを上基板２０の共通電極７上、また
は両方の基板１、２０に形成しても同様な効果が得られ
る。 （比較例１）酸化タンタルでできた凸部を設けなかった
こと以外は実施例１と同様にして、液晶表示パネルを作
製した。アニール後の液晶配向状態は、実施例１と同様
に、全面スプレイ配向となっていた。

【００３６】この液晶表示パネルの画素電極と共通電極
間に５Ｖの電圧を加え、１分後に配向状態を調べたとこ
ろ、スプレイＴＮ配向領域が多数残存していた。無作為
に約１０００画素をサンプリングして調べたところ、配
向欠陥が存在する画素は１４％に達した。 （実施例２）図３、図４は、本発明の実施例２の液晶表
示パネルの１画素の平面図および断面図である。実際の
パネルは、実施例１の場合と同様に、対角２６ｃｍの縦
６４０（ＸＲＧＢトリオ）×横４８０の画素で構成され
ている。図４は、図３の一点鎖線部２３に沿った断面図
である。これら図３、図４において、図１、図２に示し
たものと同一の部材には同一の参照番号を付してその詳
細な説明は省略するが、下基板１のＩＴＯ画素電極２上
には、アルミニウムからなる高さ１ミクロンの凸部３２
を形成して、ＩＴＯ画素電極２とアルミニウムの凸部３
２とは導通させた。

【００３７】次に、直径７ミクロンの球形スペーサを散
布して、セル厚約７ミクロンの空セルを組み立てた。そ
して、カイラル剤を添加していない屈折率異方性Δｎ＝
０．１３４、誘電異方性Δε＝９．５のフッ素系ネマチ
ック液晶を注入し、液晶の等方相転移温度以上の温度で
１時間アニール処理後、室温に冷却した。この状態で
は、液晶は、全面スプレイ配向状態となっていた。

【００３８】実施例１と同様に、液晶のプレチルトを調
べるために、同様の配向処理をしたプレチルト評価用セ
ルを作製した。その測定結果より、ここで用いた配向膜
と液晶の組み合わせで得られるプレチルト角は約５°で
あることがわかった。

【００３９】この液晶表示パネルの画素電極２と共通電
極７との間に５Ｖの電圧を加えると、当初存在していた
スプレイ配向領域がπツイスト配向へと転移した。

【００４０】偏光顕微鏡下で電圧印可時の配向転移の様
子を観察すると、電極２上に形成したアルミニウムの凸
部３２から効果的にπツイスト配向の核が発生し、成長
していく過程が観察された。５Ｖの電圧を１分間加えた
後に配向状態を調べたところ、配向欠陥はほとんどな
く、ほぼ全ての画素でπツイスト配向が得られた。

【００４１】本実施例では凸部３２にアルミニウムを用
いたが、アルミニウムに限らず、導電性の材料で画素電
極２と導通していれば、アルミニウムと同様に凸部３２
上の液晶層１４に加わる電界強度が周囲よりも強くな
り、通常ＴＮ配向への転移が促進される。

【００４２】本実施例では導電性材料からなる凸部３２
を下基板１の画素電極２上に形成したが、これを上基板
２０の共通電極７上、または両方の基板１、２０に形成
しても同様な効果が得られる。 （実施例３）図５、図６は、本発明の実施例３の液晶表
示パネルの１画素の平面図および断面図を示す。実際の
パネルは、同様に対角２６ｃｍの縦６４０（ＸＲＧＢト
リオ）×横４８０の画素で構成されている。図６は、図
５の一点鎖線部２４に沿った断面図である。これら図
５、図６において、図１、図２に示したものと同一の部
材には同一の参照番号を付してその詳細な説明は省略す
るが、下基板１のＩＴＯ画素電極２上には、窒化シリコ
ンによって、基板表面と約３０°の角度をなすテーパー
形状を有した凸部３３を形成した。

【００４３】次に、直径７ミクロンの球形スペーサを散
布して、セル厚約７ミクロンの空セルを組み立てた。そ
して、カイラル剤を添加していない屈折率異方性Δｎ＝
０．１３４、誘電異方性Δε＝９．５のフッ素系ネマチ
ック液晶を注入し、液晶の等方相転移温度以上の温度で
１時間アニール処理後、室温に冷却した。この状態で
は、液晶は、全面スプレイ配向状態となっていた。

【００４４】実施例１と同様に、液晶のプレチルトを調
べるために、同様の配向処理をしたプレチルト評価用セ
ルを作製した。その測定結果より、ここで用いた配向膜
と液晶の組み合わせで得られるプレチルト角は約５°で
あることがわかった。

【００４５】この液晶表示パネルの画素電極２と共通電
極７との間に５Ｖの電圧を加えると、当初存在していた
スプレイ配向領域がπツイスト配向へと転移した。

【００４６】これは、突部３３のテーパー形状により、
プレチルトが実効的に高められたからであり、そのため
にスプレイ配向がより不安定化されたためである。つま
り、突部３３のテーパーの部分では、液晶のプレチルト
角が実効的に３５゜になっているのと同等の効果が期待
できた。

【００４７】偏光顕微鏡下で電圧印可時の配向転移の様
子を観察すると、電極２上に形成したテーパー形状をも
つ窒化シリコンからなる凸部３３から効果的にπツイス
ト配向の核が発生し、成長していく過程が観察された。
５Ｖの電圧を１分間加えた後に配向状態を調べたとこ
ろ、配向欠陥はほとんどなく、ほぼ全ての画素でπツイ
スト配向が得られた。

【００４８】本実施例ではテーパー形状を有する凸部３
３に窒化シリコンを用いたが、窒化シリコンに限らず、
別の誘電体でもよいことはいうまでもない。また、テー
パー形状を有する凸部３３は、導電性の材料で形成して
もよく、この導電性の凸部は、画素電極と導通していて
も、していなくてもよい。

【００４９】本実施例ではテーパー形状を有する凸部３
３を下基板１の画素電極２上に形成したが、これを上基
板２０の共通電極７上、または両方の基板１、２０に形
成しても同様な効果が得られる。

【００５０】また、本実施例３では、テーパー形状を有
する凸部３３の例を示したが、テーパー形状を有する凹
部であっても同様な効果が得られる。

【００５１】テーパー形状部分と基板とのなす角度は、
液晶のスプレイ配向歪みを増大させる向きであれば何度
でもかまわないが、効果的に正常ドメインを発生させる
ためには、５゜以上が好ましい。 （実施例４）図７、図８は、本発明の実施例４の液晶表
示パネルの１画素の平面図および断面図を示す。実際の
パネルは、実施例３の場合と同様に、対角２６ｃｍの縦
６４０（ＸＲＧＢトリオ）×横４８０の画素で構成され
ている。図８は、図７における一点鎖線部２５に沿った
断面図である。これら図７、図８において、図５、図６
に示したものと同一の部材には同一の参照番号を付して
その詳細な説明は省略するが、下基板１のＩＴＯ画素電
極２上には、周りよりもプレチルト角が大きい領域３４
を形成した。領域３４はフォトリソグラフィープロセス
を用いた表面処理によって形成し、この領域３４の基板
界面付近のプレチルト角は約２５°であった。図８に
は、下基板１界面付近での液晶のプレチルトを模式的に
示す。

【００５２】次に、直径８ミクロンの球形スペーサを散
布して、セル厚約８ミクロンの空セルを組み立てた。そ
して、カイラル剤を添加していない屈折率異方性Δｎ＝
０．１３４、誘電異方性Δε＝９．５のフッ素系ネマチ
ック液晶を注入し、液晶の等方相転移温度以上の温度で
１時間アニール処理後、室温に冷却した。この状態で
は、液晶は、全面スプレイ配向状態となっていた。

【００５３】実施例３と同様に、液晶のプレチルトを調
べるために、同様の配向処理をしたプレチルト評価用セ
ルを作製した。その測定結果より、ここで用いた配向膜
と液晶の組み合わせで得られるプレチルト角は約５°で
あることがわかった。

【００５４】この液晶表示パネルの画素電極２と共通電
極７との間に５Ｖの電圧を加えると、当初存在していた
スプレイ配向領域がπツイスト配向へと転移した。

【００５５】偏光顕微鏡下で電圧印可時の配向転移の様
子を観察すると、電極２上に形成したプレチルトの高い
領域３４から効果的にπツイスト配向の核が発生し、成
長していく過程が観察された。５Ｖの電圧を１分間加え
た後に配向状態を調べたところ、配向欠陥はほとんどな
く、ほぼ全ての画素でπツイスト配向が得られた。

【００５６】部分的に形成した高プレチルト領域３４の
プレチルト角は、周囲に比べて高ければよいわけである
が、効果的に核発生を起こさせるためには、１０゜以上
に設定することが好ましかった。

【００５７】なお、実施例１〜４の液晶表示パネルにお
いて、電圧印加により全画素にわたって均一配向が得ら
れるかどうかを、液晶のプレチルト角を変化させて検討
した。その結果、プレチルト角が大きいほど、電圧印加
による正常ドメイン形成は、低い電圧でかつ短時間で可
能になることがわかった。しかし、プレチルトが２°以
下の場合は、スプレイ配向からπツイスト配向またはベ
ンド配向への転移が完全には起こらず、配向欠陥の画素
が残存した。このことから、液晶のプレチルト角は３°
程度は必要であることがわかった。

【００５８】スプレイＴＮ配向から通常ＴＮ配向への転
移を促す核発生手段は、各画素にそれぞれ対応させて形
成するのが好ましい。電界印可による配向転移を確実に
発生させるためには、図示のように各配向領域に複数個
設けることも好ましい。

【００５９】また、上記の各実施例ではアクティブマト
リクス型の液晶パネルの例を示したが、一対の基板がス
トライプ電極からなる単純マトリスクの場合でも、本発
明は有効である。

【００６０】本発明に用いられる液晶材料は、フッ素系
の材料に限定するものではななく、シアノ系の液晶など
誘電率異方性が正の材料系であれば使用が可能である。
しかし、アクティブマトリクス型液晶表示パネル用に
は、電圧保持率が高く、信頼性に優れたフッ素系の材料
を主成分とする液晶組成物を用いることが、とくに好ま
しい。

【００６１】

【発明の効果】以上のように、本発明の液晶表示素子に
よれば、スプレイ配向からπツイスト配向またはベンド
配向への転移を促進する核を発生させるための核発生手
段を備えたことにより、このスプレイ配向からπツイス
ト配向またはベンド配向への転移を容易に発生させるこ
とができ、このため、配向欠陥のない、高品位な液晶表
示パネルを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１の液晶表示パネルの平面図で
ある。

【図２】図１における一点鎖線２２に沿った断面図であ
る。

【図３】本発明の実施例２の液晶表示パネルの平面図で
ある。

【図４】図３における一点鎖線２３に沿った断面図であ
る。

【図５】本発明の実施例３の液晶表示パネルの平面図で
ある。

【図６】図５における一点鎖線２４に沿った断面図であ
る。

【図７】本発明の実施例４の液晶表示パネルの平面図で
ある。

【図８】図７における一点鎖線２５に沿った断面図であ
る。

【図９】本発明に基づくスプレイ配向からベンド配向へ
の転移をあらわす模式図である。

【符号の説明】

１ 下基板 ２ 画素電極 ７ 共通電極 １４ 液晶 ２０ 上基板 ３１ 液晶よりも高誘電率の材質からなる凸部 ３２ 導電性の材質からなる凸部 ３３ テーパー形状を有する凸部 ３４ 周囲よりもプレチルト角の大きい領域

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の基板間に正の誘電率異方性を有す
   る液晶が狭持され、これら一対の基板のそれぞれの内面
   に、液晶に電界を加えるための電極が形成され、かつ液
   晶がスプレイ配向されている液晶表示パネルにおいて、
   スプレイ配向からπツイスト配向またはベンド配向への
   転移を促進する核を発生させるための核発生手段を備え
   たことを特徴とする液晶表示パネル。
2. 【請求項２】 核発生手段が、画素内の他の領域に比べ
   て一対の基板の方向へ向かう縦電界が強い部分的な領域
   によって構成されていることを特徴とする請求項１記載
   の液晶表示パネル。
3. 【請求項３】 核発生手段が、液晶よりも誘電率の大き
   な材質で形成された凸部であることを特徴とする請求項
   ２記載の液晶表示パネル。
4. 【請求項４】 核発生手段が、基板の内面に形成された
   電極と導通している導電性の凸部であることを特徴とす
   る請求項２記載の液晶表示パネル。
5. 【請求項５】 核発生手段が、画素内の他の領域に比べ
   てプレチルト角が大きい部分的な領域によって構成され
   ていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示パネ
   ル。
6. 【請求項６】 核発生手段が、基板表面の形状効果によ
   り画素内の他の領域に比べてプレチルト角が大きい部分
   的な領域によって構成されていることを特徴とする請求
   項５記載の液晶表示パネル。
7. 【請求項７】 核発生手段が、配向膜の表面性状を部分
   的に変えることにより画素内の他の領域に比べてプレチ
   ルト角が大きい部分的な領域によって構成されているこ
   とを特徴とする請求項５記載の液晶表示パネル。
8. 【請求項８】 全ての画素に対応して、少なくとも１カ
   所以上の核発生手段を設けたことを特徴とする請求項１
   から７までのいずれか１項記載の液晶表示パネル。
9. 【請求項９】 一対の基板の界面近傍での液晶のプレチ
   ルト角が３°以上であることを特徴とする請求項１から
   ８までのいずれか１項記載の液晶表示パネル。
10. 【請求項１０】 配向処理がラビングによって行われて
    いることを特徴とする請求項１から９までのいずれか１
    項記載の液晶表示パネル。
11. 【請求項１１】 配向膜がポリイミド、またはポリアミ
    ック酸を含む材料で形成されていることを特徴とする請
    求項１から１０までのいずれか１項記載の液晶表示パネ
    ル。
12. 【請求項１２】 液晶表示パネルが各画素毎に能動素子
    を設けたアクティブマトリクスパネルであることを特徴
    とする請求項１から１１までのいずれか１項記載の液晶
    表示パネル。