JP3841578B2 - セルフリセットダイナミックスロジック回路及びそのリセット方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はロジック回路に関するものであり、より具体的に、セルフリセットセルフ機能を具備さたダイナミックスロジック回路及びそのリセット方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
ダイナミックスロジック回路(dynamic logic circuit)は容量性電荷貯蔵ノード(capacitive charge storage node)の特性を利用するロジック機能を遂行する。ダイナミックスロジック回路の動作はクロックによって2つの特徴的な段階、即ち、プリチャージ区間と評価区間とに分ける。クロック信号はロジックに同期化(synchronization)させて周期的な時間に従って定まれたチャージ状態が設定されるようにする。このようなロジック回路は共通にプロセッサーロジックに使用される。1つ或いはそれ以上の出力が一部のサイクルの間に定義される。この回路はロジック回路の性能を向上させるため使用されてきた。しかし今はダイナミックスロジック回路がメモリ回路として拡張使用されるようになった。
【0003】
電源損失が少ないためCMOS電界效果トランジスター(field effect transistor)はダイナミックスロジック回路を構成するためよく使用される。ダイナミックスCMOSロジック回路は信号をただ1つの方向だけで発展させる。評価ノード上の電荷有無は評価の結果であることを示す。単極性装置(通常にNMOSトランジスター)は殆ど評価経路(evaluation path)内に使用される。装置の大きさがその変化のため最適化されるためにキャパシタンスが著しく減少されられる。
【0004】
このようなダイナミックスCMOSロジック回路内の一の共通ロジックセルは周期的クロックパルス信号が印加されるクロック入力を有する単一のPMOSトランジスター(プリチャージ装置)、入力信号を受信するため1つ或いはそれ以上のロジック入力を有するロジック回路(普通、NMOS回路)と、同一なクロック信号を受信するためクロック入力を有する単一NMOSトランジスター(評価装置)で構成される。プレーチャージ段階では、出力がPMOSトランジスターを通じて電源電圧(supply voltage)VDDに連結され、ロジック高レベル(“1”)にプリチャージされるようにクロック信号はロジック低レベル(“0”)である。クロック信号がロジック高レベルになるとき評価が発生する。この時PMOSトランジスターはターンーオフされ、最低のNMOSトランジスター(即ち、評価装置)はターンーオンされる。入力値によって出力はロジック低レベルにディスチャージされるか或いはロジック高レベルに残される。この二つの場合全てが評価段階の間に正確な出力値が発生される。
【0005】
上述のように、ロジック回路内に供給された関聯論理機能に同期させ、出力に影響を及びぼすためクロック信号によってダイナミックスロジック回路は駆動される。又はクロック信号は出力信号を出力した以後に続けて直列に連結された次の信号の入力準備のためロジック回路をプリチャージさせる。
【0006】
ロジック回路は時々複数の連結段に直列に連結されているが、集積回路内の全ての論理的動作に同期させるクロック信号を使用するとき1つの問題、即ち、システムクロック信号が集積回路を通じて伝達される時ににノイズ及びクロックスキューに弱いから、その結果も歪曲され、不正確したクロック信号がある特別なロジック回路を間違って駆動させる問題が発生する。
【0007】
上述した問題は準備ロジク回路が入力信号を受信して論理的な動作を正確に遂行することができるように準備段階からロジック回路をプリチャージさせるためリセット回路を使用することによって解決できる。この時代のセルフリセットダイナミックスCMOSロジック回路の例えば、U.S.PAT. No.4、751、407と、5、465、060と、5、467、037と、5、543、735と、5、550、490と、5、576、644と、5、650、733に開示されている。これは参考文献として開示している。このセルフリセットダイナミックスロジック回路はクロック信号が必要ではない。
【0008】
自動に時間を調節する特性を有するこのようなダイナミックスロジック回路はそのようなプロセッサーとかメモリのような半導体集積回路内に複数の連結端(connected stage)に直列回路が接続される時、安定したリセット確保プするため、各回路のリセット(或いはプリチャージ)タイミングマジンが必要になる。従って安定されたリセット動作の遂行を保障させなければならない。このように端子が発展したが、各端子のリセットのタイミングマジンは各々の端子の出力パルス幅が漸次的に減少する原因である。また、入力パルス幅によって出力信号は直接的な影響を及ぶ。このような理由のため、集積回路のタイミングを調節することが難しい。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は集積回路のタイミングを制御することが便利な構造を有するセルフリセットを提供することになる。
【0010】
または、本発明のその他の目的はが高速印加に適合したセルフリセットロジック回路を提供することにある。
【0011】
又は本発明のその他の目的は安定されたリセット動作を遂行することができるセルフリセットロジック回路を提供することにある。
【0012】
又は本発明の他の目的は高速でロジック回路がリセットできるようにするリセット回路を提供することにある。
【0013】
又は本発明の他の目的はセルフリセットロジック回路をリセットする方法を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明のこのような目的と效果は出力信号OUTの遷移に応じるが、各々の入力信号のパルス幅とは無関であるセルフロジック回路を含むセルフリセットロジック回路によって提供するされる。リセット回路は出力信号を受信して出力信号の先頭及び後尾エッジの遷移を次の端子に伝達する出力帰還回路を含む。予め設定された遅延時間の遅延回路はリセット回路に提供される。遅延回路の端子は出力帰還回路に結合される。S−Rフリップフロップ(S−Rflipflop)もリセット回路に提供される。S−Rフリップフロップの遅延回路の他の端子に結合された自体セット入力と出力帰還回路に結合された自体のリセット入力及びロジック回路に結合された自体出力を有している。フリップフロップはNAND或いはNORロジックゲートで構成される。
【0015】
本発明のその他の特徴によると、入力信号を受信するため1つ或いはそれ以上の入力と出力信号を提供するための出力を有するロジック回路をリセットするため方法は出力信号の先頭エッジを検出する段階と、出力信号の先頭エッジ検出に応じる第1リセット信号を生成する段階と、初めのリセット信号を遅延させる段階と、遅延された第1リセット信号に応じるロジック回路をリセットする段階と、出力信号の後尾エッジ検出に応じる第2リセット信号を生成する段階と、ロジック回路が次の入力信号になる準備をする段階とを含む。
【0016】
本発明のその他の特徴によると、出力信号の先頭エッジ遷移は予め設定された出力信号のパルス幅を確実にする遅延回路を通じてS−Rフリップフロップのセット入力に移動される。しかし、出力信号の出力信号の後尾エッジ遷移は遅延なしで次の動作周期を早く準備させるためフリップフロップのリセット入力にすぐ帰還される。工程及び(或いは)環境の変化が行なって遅延時間が変わってもこのような回路配置を通じて本発明のセルフリセットロジック回路はただ出力信号の先頭エッジ遷移に依存して出力パルス幅とは無関であるリセット段階に入るようにする。この結果で安定されたリセット動作が可能であり高速の印加で発生する動作上のの誤謬を防止することができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、図1、2及び3を参照して本発明の適合な実施の形態を説明する。
【0018】
図1を参照すると、従来のロジック回路と類似して論理的反転動作を遂行できるセルフリセットダイナミックスCMOSロジック回路100の例が説明されている。セルフリセットインバ−タ回路100は入力信号INを受信するためロジック入力端子102、入力信号INに関する論理的インバーティング動作を遂行するためインバ−タロジック回路104、インバ−タロジック回路104をリセットするためリセット回路106、及び出力信号OUTを提供するためロジック出力端子108で構成されている。
【0019】
一般的なトランジスターの大きさよりも小さいPMOSトランジスター10と典型的ダイナミックスインバ−タ(1つのPMOSトランジスター10と2つのNMOSトランジスター14と16で構成)がインバ−タロジック回路104に提供される。トランジスター10の電流経路(即ち、ソース-ドレーン経路)は電源電圧端子110とノードN1間に結合された。入力信号INは共通に入力端子102を通じてトランジスター10と14のゲートに印加される。PMOSトランジスター12は電源電圧端子110とノードN1間に結合された自体の導電経路を有する。NMOSトランジスター14と15の導電経路はノードN1と接地電圧端子112間で直列に連結されている。
【0020】
標準CMOSスタティック(static)インバ−タ116、(1つのPMOSトランジスター18と小さいNMOSトランジスター20で構成)と違う1つのインバ−タ118(小さいPMOSトランジスター24と大きいNMOSトランジスター20で構成)はノードN1とロジック出力端子108間に直列に連結されている。より大きいNMOSトランジスター22は接地電圧端子112とインバ−タ116と118の連結ノードN1間に結合された自体の電流経路を有する。より大きいPMOSトランジスター28はインバ−タ118とロジック出力端子108間に提供され、電源電圧端子110とロジック出力端子108間に結合された自体の電流経路を有している。
【0021】
標準インバ−タ30とダイナミックスインバ−タ(1つのPMOSトランジスター32と2つのNMOSトランジスター34と36で構成)はリセット回路106に提供される。トランジスター32、34、及び36の電流経路は電源電圧端子110と接地電圧端子112との間で直列に連結されている。入力信号INは又はインバ−タ30を通じてNMOSトランジスター34のゲートに帰還される。交互結合された標準インバ−タ38と40でなされたインバーティングラッチ122はトランジスター32と34のドレーン接合ノードN3とトランジスター12と16のゲートに結合されたノードN4間に提供される。又は標準インバ−タ42と44はリセット回路106に提供される。インバ−タ42はノードN5に結合された自体入力を有しているしNMOSトランジスターのゲートに結合されたノードN6と結合された自体出力を有している。インバ−タ44はノードN6に結合された自体入力とノードN7を経てPMOSトランジスターのゲートに結合された自体の出力を有している。又は出力信号OUTはリセット回路106で帰還され、遅延回路46(delay circuit)46を経て殆んどトランジスター32と36のゲートに結合されたノードN3に提供される。
【0022】
以下、セルフリセットダイナミックスインバ−タロジック回路100の動作が説明される。
【0023】
準備段階で、入力信号INがロジック低レベル(logic low level)である時、ノードN1は端子108上の出力信号OUTがインバ−タ116と118を高レベルを維持させるためロジック高レベル(logic high level)のPMOSトランジスター10を通じてロジック高レベルにチャージされる。低レベル入力信号INと高レベル出力信号OUTを通じてリセット回路106内のNMOSトランジスター34と36は電流が流れて、ノードN4とN6をロジック低レベル(即ち、接地電圧VSSの附近)に降下され、ノードN5とN7をロジック高レベル(即ち、接地電圧VDDの附近)に上昇される。この様に次の論理的動作を準備するためインバ−タロジック回路104内のNMOSトランジスター16は導電される。
【0024】
入力信号INがロジック低レベルからロジック高レベルへ遷移されるとき、NMOSトランジスター14と16すべての導電が始まるために、この時ノードN1はロジック低レベルからディスチャージされる。この結果で、出力信号OUTがロジック高レベルでロジック低レベルへに遷移される。このような出力信号OUTの高レベルから低レベルへの遷移は遅延回路46を経てノードN13に帰還されて、この時PMOSトランジスター32が導電されるためにノードN4は高レベルになる。ノードN4とN7でのロジック低レベルとノードN6でのロジック高レベルによってトランジスター12、22、及び28はターンーオンされる反面に、トランジスター16はターンーオフされる。そしてインバ−タロジック回路104はリセット回路106によってリセットされる。即ち、ノードN1とロジック出力端子108は高レベルで再びプレーチャージされる。このようにロジック回路100自体はリセット回路106を使用してリセットになる。
【0025】
PMOSトランジスター32がターンーオンされNMOSトランジスター36はターンーオフされるために端子108上の出力信号OUTの高レベルから低レベルへの遷移は又は遅延回路46を経てノードN4に送られる。この時にNMOSトランジスター34はラッチ122の動作のよってまたオフ状態になるノードN5、N6、及びN7のような状態になる(即ち、N5とN7は低レベルであり、N6は高レベル)反面、入力信号INは高レベルを持続する。しかし、入力信号INが低レベルへ遷移されると、PMOSトランジスター34と36が導電されるノードN5とN7は高レベル、N6は低レベルなるために、この時のノードN4は低レベルになる。このためロジック回路104が信号INの次の入力パルスを準備するためNMOSトランジスター16はターンーオンされ、PMOSトランジスター28はターンーオフされる。
【0026】
上述した回路配置において、インバ−タロジック回路のリセット時間が工程変化するか、あるいは他の環境によって計画より長く遅延されると、図2と3(動作上の誤謬の例を示すタイミング図)に示したように、このように長くなった遅延時間は動作上の誤謬を発する原因になる。図2と3で示したように、第1パルス入力250或いは250’の次にインバ−タロジック回路104がリセットロジック回路106によって確実にリセットされ、第2パルス入力252(或いは252’)がされる準備のため準備段階に入るが、第2パルス入力252(或いは252’)以後にノードN5は低レベルに維持され、インバ−タロジック回路104は第2パルス入力252(或いは252’)に反応できなくなる自体の出力信号OUTはこの誤謬によって高レベルに止まる。
【0027】
したがって、配置は帰還遅延時間(遅延回路40を通じた出力帰還の2つの周期時間)が長いため高速或いは高性能印加には適合ではないと思われる。回路配置を有するダイナミックスロジック回路が半導体集積回路内で複数の連結端子上に直列に連結されていると、各々の端子出力パルス幅には端子の流れによって少しずつ増加するために集積回路の時間調節が難しい。
【0028】
以下、本発明による望ましい実施の形態が図4から図11を通じて詳細に説明される。以下、詳細な説明は本発明を遂行する発明者によって最近もっとも優れた方式の評価モードである。特に具体的な実施の形態の説明はただ例示に過ぎないから本発明の精神を制限するものではない。次の説明で類似する又は同一な参照符号は類似する又は同一の部分を示す。
【0029】
本発明によるセルフリセットダイナミックスロジック回路に対する第1実施の形態が説明された図4を参考として、図4に示したダイナミックス回路300はセルフリセットダイナミックスインバ−タロジック回路として入力信号INを受信するため入力端子302、入力信号INをインバーティングして、出力信号OUTを提供するためインバ−タロジック回路304、インバ−タロジック回路304をリセットするためリセット回路306、及び出力信号OUTを出力するため出力端子308を含む。
【0030】
ロジック回路304はPMOSトランジスター50、NMOSトランジスター52と54及びインバ−タ49と一般にトランジスターの大きさより小さいPMOS56で構成されたダイナミックスインバ−タ49とを含む。トランジスター50、52、及び54は第1電源電圧端子310(即ち、より高い電源電圧端子VDD)と第2電源電圧端子312(即ち、接地端子のようなより低い電源電圧端子VSS)間で順序によって直列に結合された自体の導電経路(即ち、チャンネル)を有している。トランジスター50と52のゲートは互に結合された。トランジスター54は入力信号INに印加された自体のゲートを有している。トランジスター56は第1電源電圧端子310とトランジスター50と52(即ち、出力端子308)のドレーン結合ノードN10間に結合された自体の電流経路と第2電源電圧端子312に結合されたゲートを有している。上述した配列を有するロジック回路304は入力信号INに対する反転動作を遂行するためインバ−タロジック機能する。
【0031】
リセット回路306はスタティックCMOSインバ−タ70と160、PMOSトランジスター645とNMOSトランジスター66と68で構成されたダイナミックスインバ−タ130、交叉に結合されたスタティックインバ−タ72と74で構成されたインバーティングラッチ140、例えば連続的に連結された多くにスタティックインバ−タ(図面に未図示)によって形成された遅延回路150、等を互いに連結されたNMNDロジックゲート80と82で形成されたS(set)-R(reset)ラッチ或いはフリップフロップ182で構成されている。トランジスター64、66、及び68の導電経路は第1及び第2電源電圧端子310と312間で順に結合された。トランジスター64と66のゲートは普通出力端子308に結合された。入力信号INはインバ−タ70を経てトランジスター68のゲートに印加される。インバーティングラッチ140の1つの端子はトランジスター64と66のドレーン接合ノードN12と結合された他の端子は普通遅延回路150とインバ−タ106の入力端子と結合された。NANDロジックゲート80の1つの入力、即ち、フリップフロップ182のセット入力は遅延回路150と結合されたし、他の入力はNANDロジックゲート82の出力に結合された。NANDロジックゲート82はNANDロジックゲート80の出力に結合された1つの自体入力とインバ−タ160の出力に結合された他の自体入力を有している。NANDロジックゲートの出力、即ち、フリップフロップ182の負の出力(一般的に記号*Q(図ではQの文字の上にバーが付されている。以下同じ。)で示す。)はトランジスター50と52のゲートと結合された。
【0032】
以下ではセルフリセットダイナミックスインバ−タロジック回路300の必須的であり、重要な動作が詳細に説明される。
【0033】
入力信号INがロジック低レベルであると、出力端子308(或いは出力信号OUT)を従い、NMOSトランジスター54はターンーオフされノードN10はロジック高レベルでPMOSトランジスター56によってチャージされる。出力信号OUTが高レベルになることよって、NMOSトランジスター66と68はすべてターンーオンになって、ノードN14とN16が各々高レベルと低レベルなるためにノードN12は低レベルになるされる。したがってS−Rフリップフロップ182は自体の高レベル出力をノードN18に提供される(フリップフロップ182の出力は自体入力が変化されないと、変化されない)。NMOSトランジスター52は導電される。そしてダイナミックスインバ−タロジック回路300は入力信号INの変化を準備される。
【0034】
NMOSトランジスター52が導電される間に、入力信号INがロジック高レベルから低レベルに遷移されるとき、NMOSトランジスター54又はトランジスター52と共に導電されるためにノードN10はロジック高レベルでディスチャージされる。したがって各々のNMOSトランジスター52と54がPMOSトランジスター56より大きいために出力信号OUTはロジック高レベルから低レベルに遷移される。
【0035】
出力信号OUTの高レベルから低レベルへの遷移は回路306をリセットするため帰還されノードN12がロジック高レベルになるためPMOSトランジスター64は電流を有してNMOSトランジスター66と68は電流を有しない。ノードN12上のロジック高レベルはノードN16(即ち、S−Rフリップフロップのリセット回路)が高レベルになり、そのときノードN14上の高レベルセット出力を有するフリップフロップ182の出力は変化しないまま高レベルに止まる。遅延回路150によって与えられた予定遅延時間(即ち、0.5からで1.5nsec)が過ぎたら、N14は低レベルになる。このためNMOSトランジスター52がターンーオフされPMOSトランジスター50がターンーオンになるようにしてノードN18が低レベルになることによってノードN10(又は出力端子308)を高レベルでリチャージになる。この結果、インバ−タロジック回路304するリセット回路306をよってリセットされる、即ち、遅延回路150の遅延時間が過ぎにことによってダイナミックスインバ−タロジック回路300は自体的にリセットされる。本発明に対するある程度熟練されたものであれば理解することができるように、出力信号OUTのパルス幅は与えられた動作周期時間内に遅延回路150の遅延時間に会わせることによって調節が可能である。
【0036】
出力信号OUTの低レベルから高レベルへの遷移は又は回路306をリセットするため帰還されPMOS及びNMOSトランジスター64と68が各々ターンーオフとターンーオンになる。この時、1番目に入力信号INが既に低レベルになった場合、ノードN12とN16は低レベルになってノードN18は高レベルになる。したがってPMOS及びNMOSトランジスター50と52は各々ターンーオフとターンーオンになるダイナミックスインバ−タ回路300が入力信号INの低レベルから高レベルへの遷移を準備する。2番目に、入力信号INが高レベル出力信号OUTと共に高レベルに維持されると、トランジスター68が電流を有しない場合のようにノードN12とN16は低レベルに維持されN18はインバ−タラッチ140によって高レベルに維持される。続いてダイナミックスインバ−タロジック回路300も入力信号INの低レベルから高レベルへの遷移を準備させる。そして入力信号のパルス幅とは関係なしでダイナミックスロジック回路300が準備段階に入ることがよく理解される。
【0037】
出力信号OUTの高レベルから低レベルへの遷移は予め設定された出力信号のパルス幅を確実にするため遅延回路150を通じてフリップフロップ182のリセット出力に遷移される。しかしながら、出力信号OUTの高レベルから低レベルへの遷移は次の作動の準備のため遅延なしで直ぐ帰還される。回路配置を通じて前記ダイナミックス回路300は工程及び(或いは)環境の変化によって遅延時間が変化されると、出力信号OUTの低レベルから高レベルへの遷移にしたがって出力パルスとは無関係なリセット段階に入ってリセット動作を安定されるようにして高速印加時に発生する動作上の誤謬が防止できる。
【0038】
図5は本発明によるセルフリセットダイナミックスロジック回路の第2実施の形態を示す。図5を参考すると、この実施の形態をあげた回路400はセルフリセットダイナミックスバッファ回路(self-resetting dynamic buffer circuit)回路である。スタティックCMOSインバ−タ57、遅延回路83、及びNMOSトランジスター90がバッファロジック回路304に提供され、スタティックインバ−タ62がリセット回路306に提供された点を除外して回路400は図4に示したように配置される。図5で、図4に示したような部分は同一参照番号と符号で説明され、二重の説明を避けるだめ関連回路配置に対する説明は省略する。
【0039】
図5では、大きいPMOSトランジスター58と小さいNMOSトランジスター60に結合されたインバ−タ57はノードN10に結合された自体の入力と出力端子308に結合された自体の出力を有している。インバ−タ62は出力端子308に結合された自体の入力を有している。連続的に連結された3つのインバ−タ84、86、及び88で構成された遅延回路83はノードN18(或いはトランジスター52のゲート)と出力端子308と第2電源電圧端子(即ち、Vss)312間に結合された自体の導電経路を有するトランジスター90のゲート間に結合された。
【0040】
図6には図5のロジック回路の選択点にある信号との間の時間関係を示している。セルフリセットダイナミックスバッファロジック回路400の動作は以下図5乃至図6から説明される。
【0041】
入力信号INがロジック低レベルになるとき、ノードN10はロジック高レベルでチャージされ出力端子302はロジック低レベルに維持される。低レベルに維持される出力信号OUTによって、ノードN12が低レベルになるようにしてノードN14とN16は各々高レベルと低レベルになる。そしてS−Rフリップフロップ182はノードN18に高レベルの自体出力を提供する。NMOSトランジスター90がターンーオフされる間にNMOSトランジスター52は導電される。というわけでセルフダイナミックスバッファロジック回路400は入力信号INの変化を準備される。
【0042】
NMOSトランジスター52は導電される間に入力信号INがロジック高レベルから低レベルへの遷移されると(参照550或いは552)、NMOSトランジスター54もトランジスター52とともに電流を有しているからノードN10はロジック低レベルからディスチャージされる。そして出力信号OUTはノードN10上の電圧水準によってロジック低レベルから高レベルへの遷移される。
【0043】
出力信号OUTの低レベルから高レベルへの遷移はリセット回路306’に移って、NMOSトランジスター66と68がターンーオフされ、ノードN12が高レベルに移る間にPMOSトランジスター64は導電される。ノードN12上のロジック高レベルはノードN16(即ち、S−Rフリップフロップ182のリセット入力)を高レベルに至るようにして、そのときノードN14上の高レベルセット入力とともにフリップフロップ182の出力が変化し続けて高レベルになるようにする。遅延回路の予め設定された遅延時間(例えば、0.5から1.5nsec)が過ぎた後にノードN14とN18は低レベルになるようにする。そしてPMOSトランジスター50はターンーオンされる。この時にNMOSトランジスター52はターンーオフされている。そしてノードN10は高レベルでリチャージされる。NMOSトランジスター52がターンーオフされる間にPMOSトランジスター50がターンーオンされ、ノードN10は高レベルでリチャージされる。この結果で、バッファロジック回路304’はリセット回路306’によってリセットされる。即ち、セルフリセットダイナミックスバッファロジック回路400は遅延回路150の遅延時間に流れることによって自体的にリセットされる。出力信号OUTのパルス幅は与えられた動作周期時間内に遅延回路150の遅延時間に合わせて調節できる。
【0044】
出力信号OUTの高レベルから低レベルへの遷移は又は回路306’のリセットのため帰還されPMOSとNMOSトランジスター64と68が各々ターンーオンとターンーオフがされる。この時入力信号INが既に低レベルになったら、ノードN12とN16は低レベルになってN18は高レベルになる。そしてPMOSとNMOSトランジスター50と52が各々ターンーオフとターンーオンされ、バッファ回路300が入力信号INの高レベルから低レベルへの次の遷移を準備させる。入力信号INが低レベルの出力信号OUTとともにまた高レベルに止まるとき、トランジスター68が電流を有しなくともインバーティングラッチ140によってノードN12とN16は低レベルに止まってノードN18は高レベルに止まる。この場合に入力信号INの低レベルから高レベルへの遷移を準備させるためダイナミックスバッファロジック回路400は又は入力信号INのパルス幅とは関係なしで準備段階に入られる。
【0045】
出力信号OUTの高レベルから低レベルへの遷移は予想された出力信号パルス幅を確実にするため遅延回路150を経てフリップフロップ182のセット入力に移る。然し、出力信号OUTの高レベルから低レベルへの遷移は次の動作周期を早く準備させるため遅延なしでフリップフロップ182のリセット入力に直ぐ帰還される。この様な回路配置を通じてダイナミックス回路400は工程及び(或いは)環境の変化によって遅延時間がされると出力信号OUTの高レベルから低レベルへの遷移に従ってのみ入力パルス幅とは無関係にリセット状態に入る。このため安定されたリセット作用が可能であり、ロジック回路が複数の連結端子に直列に連結された(プロセッサー、メモリのように高速の印加で動作時に発生する誤謬が防止できる。
【0046】
図7は本発明によるセルフリセットダイナミックス回路ロジック回路の第3の実施の形態を示している。図7を参考すると、この実施の形態のロジック回路600はセルフリセットダイナミックスバッファ回路として、インバ−タ160、S−Rフリップフロップ182、及び遅延回路150が各々スタティックインバ−タ242、NORロジックゲート238と240を構成するS−Rフリップフロップ182、及び例えば奇数で連続的に連結されたインバ−タ(図面に未図示)を構成するインバーティング遅延回路150’に代替えたことを除いて図5に示したように配置される。図7では、図5に示したような部分が同一な参照番号で示され、重複された説明を避けるため説明は省略される。
【0047】
図7に示したように、S−Rフリップフロップ182’は遅延回路150と結合されたセット入力とラッチ140と結合されたリセット入力を有している。インバ−タ242の入力はフリップフロップ182’(即ち、NORゲート240の出力)の正の出力(一般的にQで表す)に結合されたし、インバ−タ242の出力は共通にトランジスター50と52及び遅延回路82に結合された。
【0048】
本発明によるセルフリセットダイナミックスロジック回路の4番目の実施の形態はセルフリセットダイナミックスインバ−タロジック回路700が説明された図8で説明する。セルフリセットロジック回路700は入力信号INを受信するため入力端子702、入力信号INを反転させ、出力信号OUTを提供するためインバ−タロジック回路704、及び出力信号OUTを出力するため出力端子708を含む。
【0049】
ロジック回路704はPMOSトランジスター200と202及びNMOSトランジスター204を構成するダイナミックスインバ−タ201と小さいNMOSトランジスター206を含む。トランジスター200、202、及び204はより高い電源電圧端子VDD710と接地端子VSSと同じ低い電源電圧端子712と間で順序に直列に連結され、結合された自体の電流経路を有している。トランジスター200と204は互いに結合された。トランジスター202は入力信号INに印加された自体のゲートを有している。NMOSトランジスター206はより高い電源電圧端子710とトランジスター202と204(即ち、出力端子708)のドレーン接するノードとの間に結合された。又はNMOSトランジスターゲートはより高い電源電圧端子710に結合された。上述したように配置を有するロジック回路704は入力信号INに反対作用を遂行するインバ−タロジックとしての機能を有する。
【0050】
リセット回路706はスタティックCMOSインバ−タ213と223、PMOSトランジスター216と218及びNMOSトランジスター220を構成するダイナミックスインバ−タ215、交叉結合されたスタティックインバ−タ224と222を構成するインバーティングラッチ217、例えば、奇数で連続的に連結されたスタティックインバ−タ(図面に未図示)によって形成された遅延回路219、交叉に結合されたNANDロジックゲート230と232で構成されたS−Rフリップフロップを含む。トランジスター216と218、及び220の導電経路はより高い電源電圧端子710とより低い電源電圧端子間で順序的に結合された。トランジスター216と220のゲートは共通に出力端子708で対をなす。入力信号INはインバ−タ213を経てトランジスター218のゲートに提供される。インバーティングラッチ217の1つの端子はトランジスター218と220のドレーン整列ノードN22と対をなし、その他の端子は普通遅延回路219とフリップフロップ221のリセット入力と対をなす。フリップフロップ221のセット入力は遅延回路219と対をなす。フリップフロップ221(即ち、NANDffロジックゲート232)の出力負の出力*Qはインバ−タ223を経てトランジスター200と204に結合される。
【0051】
以下、セルフリセットダイナミックスインバ−タロジック回路700の動作が説明される。
【0052】
入力信号INがロジック高レベルで充分に止まると、PMOSトランジスター202はターンーオフされ出力端子708(或いは出力信号OUT)はNMOSトランジスター206を通じてロジック低レベルからチャージされる。出力信号OUTが低レベルに接近刷ることによってPMOSトランジスター216と218はすべてターンーオンされるため、ノードN22が高レベルになる。そして予め設定された時間間隔(即ち、遅延回路219の遅延時間)によって高レベルと低レベルは各々セット入力とS−Rフリップフロップ219はリセット入力に印加される。PMOSトランジスター200がインバ−タ223によって駆動されるようにフリップフロップは負の出力を提供する。そしてダイナミックスインバ−タロジック回路700は入力信号INの高レベルから低レベルへの遷移が準備される。
【0053】
PMOSトランジスターが導電される間入力信号INがロジック高レベルでロジック高レベルに遷移されると、トランジスター206はPMOSトランジスター200或いは202より遥かに大きさが小さいために出力端子708はそのときチャージされる。
【0054】
出力信号OUTの低レベルから高レベルへの遷移はリセット回路706で帰還される。PMOSトランジスター216と218がターンーオフされる間にNMOSトランジスター220は導電されるようにノードN22は低レベルになる。ノードN22上でロジック低レベルはS−Rフリップフロップ221のリセット入力を高レベルに至るようにして、高レベルのセット入力を有するフリップフロップの出力*Qはまた変化なしで高レベルに止まる。遅延回路219によって与えられた予め設定された遅延時間(例えば、0.5から1.5nsec)過ぎた後に、低レベルはフリップフロップ230のセット入力から印加される。これはフリップフロップ221が低レベルの自体出力を提供されるようにして、PMOSトランジスター200とNMOSトランジスター各々ターンーオフとターンーオンになる。そのため出力端子708は低レベルに下降される。この結果で、インバ−タロジック回路704はリセット回路706によってリセットされる。即ち、ダイナミックスインバ−タロジック回路700は遅延回路219の遅延時間が過ぎることによって自体的にリセットされる。出力信号OUTのパルス幅は与えられた動作周期時間内に遅延回路150の遅延時間を合わせることによって調節できる。
【0055】
出力信号OUTの高レベルから低レベルへの遷移が又はリセット回路706で帰還されるとPMOSトランジスター216はターンーオンされる。この時に入力信号INがすでに高レベルになった場合、ノードN22とフリップフロップ221のセット入力は低レベルに至る。そしてPMOSトランジスター200とNMOSトランジスター204は各々ターンーオフとターンーオンされる。そしてダイナミックスインバ−タ回路700は入力信号INの高レベルから低レベルへの遷移を準備する。これとは異なり低レベルの出力信号OUTによって入力信号INは低レベルに止まると、フリップフロップ221のセット入力とリセット入力はインバーティングラッチ217によって以前状態(即ち、各々低レベルと高レベル)に止まる。そしてフリップフロップ221は自体の低レベルの負の出力を提供してPMOSトランジスター200とNMOSトランジスターが各々ターンーオフとンーオンされ、出力信号OUTの低レベルが安定的状態を維持する。
【0056】
以上で説明したように、この実施の形態のダイナミックスロジック回路700は入力信号INのパルス幅には影響を及ばないことは確実である。出力信号OUTの低レベルから高レベルへの遷移は予想された出力信号のパルス幅を確実にするため遅延回路219を経てフリップフロップ221の入力信号に移る。しかし、出力信号OUTの高レベルから低レベルへの遷移は次の動作周期を早く準備するため遅延なしでフリップフロップ221のリセット入力で直ぐ帰還される。
【0057】
図9を参考すると、本発明によるセルフリセットダイナミックスロジック回路の第5の実施の形態が説明されている。この実施の形態のロジック回路800は図8に示されたような配列を有するセルフリセットダイナミックスバッファ回路に、スタティックCMOSインバ−タ207と234及びトランジスター236がバッファロジック回路704’及びリセット回路706’に附加的に提供されスタティックインバ−タ214をリセット回路706’に提供されることを除いて図8に示したものと同じ回路配置を有している。図9には、図8にしめした部分と同じ部分には同一な参照番号と記号に説明されている。セルフリセットダイナミックスバッファ回路800の主要な動作は図8に示した回路の動作を参照すると理解できる。したがってそれに対する説明はここで省略する。
【0058】
図10は本発明によるセルフリセットダイナミックスロジック回路の第6の実施の形態を示している。図10に示したダイナミックスロジック回路900はセルフリセットダイナミックスNANDロジック回路である。セルフリセットダイナミックスNANDロジック回路900は入力信号IN1、IN2、及びIN3を各々受信するため入力端子902a、902b、及び902、入力信号IN1、IN2、及びIN3に対する論理的NAND動作を遂行して出力信号OUTを提供するためNANDロジック回路904、および出力信号OUTを出力するため出力端子908を含む。
【0059】
NANDロジック回路904はPMOSトランジスター2と3、NMOSトランジスター4、5、6、及び8によって形成される。トランジスター2、4、5、6、及び8の導電経路はより高い電源電圧端子VDD910とより低い電源電圧端子VSS912との間で順序に結合された。入力信号IN1、IN2、及びIN3はNMOSトランジスター4、5、及び6に各々印加される。普通トランジスターの大きさより小さいPMOSトランジスター3はより高い電源電圧端子910と出力端子908(或いは上記トランジスタードレーン接合ノード2と4)間に結合された自体の導電経路を有しているし、そのゲートはより低い電源電圧端子912に結合された。リセット回路906は対抗するNANDロジックゲート922と924で構成されたS−Rフリップフロップと例えば、連続的に連結された偶数のインバ−タ(図面に未図示)を構成する遅延回路930で形成される。S−Rフリップフロップ920は出力端子908と対をなする自体のセット力と入力信号IN1に供給された自体のリセット入力を有している。遅延回路930の1つの端子はE920の負の出力*Qに連結される他の端子は共通にトランジスター2と8のゲートと結合された。
【0060】
図11は図10に示した回路の選択点にある信号との間の時間説明するタイミング図である。セルフリセットダイナミックスロジック回路900の動作は図10と図11で説明される。
【0061】
全ての入力信号IN1、IN2、及びIN3が低レベルからあると、NMOSトランジスター4、5、及び6はターンーオフされS−Rフリップフロップ920は高レベルの自体負の出力*Q、(即ち、リセット信号rs0)を発生する。予め設定された遅延時間(約1nsec)を有する遅延回路930はリセット信号rs0を遅延させて高レベルの遅延されたリセット信号rs1を発生する。PMOSトランジスター2とNMOSトランジスター8は遅延されたリセット信号rs1に反応して各々ターンーオフとターンーオンされ、出力端子908はPMOSトランジスター3によって高レベルにチャージされる。そしてセルフリセットダイナミックスNANDロジック回路900は入力信号IN1、IN2、及びIN3の変化を準備する。
【0062】
図11に示したように、全ての入力信号IN1、IN2、及びIN3が高レベルになると、PMOSトランジスター3より大きいNMOSトランジスター4、5、6、及び8すべて電流を有しているから出力端子908上の出力信号OUTは低レベルになる。出力端子908上の低レベルはフリップフロップ920の負の出力*Q或いはリセット信号rs0を低レベルにさせる。遅延回路930の与えられた遅延時間が過ぎることによって、リセット信号rs1は低レベルになってトランジスター2と8は各々ターンーオフとターンーオンされる。これは図11に示したように、入力信号IN1、IN2、及びIN3がすべて高レベルに止まってでも出力信号OUTが高レベルに早くリチャージさせるようにする。即ち、入力信号IN1、IN2、及びIN3のパルス幅とは関係なしてNANDロジック回路904はリセット回路906によってリセットされる。出力信号OUTのパルス幅は遅延回路930の遅延時間を会わせることによって調節することができる。
【0063】
その後に入力信号IN1が低レベルになると、フリップフロップ920が高レベルの自体負の出力*Qを発生するためにリセット信号rs1とrs1は高レベルになる。そしてNANDロジック回路904はNMOSトランジスター8が電流を有して入力信号IN1、IN2、及びIN3の変化を準備する準備段階に入る。
【0064】
図10のセルフリセットダイナミックスNANDロジック回路900はメモリ素子のディコーダ回路に使用することができる。図10で、トランジスター4と5のソースードレーン接合及びトランジスター6と8のソースードレーン接合は短絡回路になり、このような短絡された回路はシングル入力信号IN1に対するセルフダイナミックスインバ−タロジック回路としての機能することができる。
【0065】
本発明に対する全ての実施の形態はロジック回路は高速工程、メモリ、或いは複数の連結端子に直列に連結されたその他の集積回路で遂行させることができる。本特許出願明細書の知識事項を再検討した後に、本発明の精神を逸脱しない範囲内で本発明に属する分野で熟練されたものには多様な変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 セルフリセットダイナミックス回路の例示図。
【図2】 図1に示した回路の動作上のエラーを示すタイミング図。
【図3】 図1に示した回路の動作上のエラーを示すタイミング図。
【図4】 本発明によるセルフリセットダイナミックスロジック回路の第1実施の形態。
【図5】 本発明によるセルフリセットダイナミックスロジック回路の第2実施の形態。
【図6】 図5に示したロジック回路の選択点にての信号間の時間関係を示すタイミング図。
【図7】 本発明によるセルフリセットダイナミックスロジック回路の第3実施の形態。
【図8】 本発明によるセルフリセットダイナミックスロジック回路の第4実施の形態。
【図9】 本発明によるセルフリセットダイナミックスロジック回路の第5実施の形態。
【図10】 本発明によるセルフリセットダイナミックスロジック回路の第6実施の形態。
【図11】 図10に示した回路の選択点で信号間の時間関係を示すタイミング図である。
【符号の説明】
100、700:セルフリセットロジック回路
104:インバータ回路
150:遅延回路
182、182’:R−Sフリップフロップ回路
200:PMOSトランジスタ
201:ダイナミックインバータ
206:NMOSトランジスタ
242:スタティックインバータ
300、301:ダイナミックインバータ
304:インバータロジック回路
306、706:リセット回路
Claims (14)
- 1つ或いはそれ以上の入力信号を受信するため1つ或いはその以上の出力信号を供給するための1つ或いはその以上の出力を有するロジック回路と、
各々の前記入力信号のパルス幅とは関係なしで前記出力信号の遷移に応じる前記ロジック回路をリセットするためリセット回路を含むセルフリセットロジック回路とを含み、
前記リセット回路が、前記出力信号を受信して前記出力信号の先頭及び後尾エッジの遷移を次の端子に伝達するための出力帰還回路と、
前記出力帰還の回路に結合された第1端子と第2端子を有する予め設定された遅延時間を遅延する遅延回路と、
前記遅延回路の前記第2端子に結合されたセット入力と、
前記出力帰還回路に結合されたリセット入力と、
及び前記ロジック回路に結合された出力を有するS−Rフリップフロップとを含むことを特徴とするセルフリセットロジック回路。 - 出力信号のパルス幅が前記遅延回路の予め設定された遅延時間によって決定されることを特徴とする請求項1項に記載のセルフリセットロジック回路。
- 前記S−RフリップフロップがNANDロジックゲートによって形成されたことを特徴とする請求項2項に記載のセルフリセットロジック回路。
- 前記S−RフリップフロップがNORロジックゲートによって形成されたことを特徴とする請求項2項に記載のセルフリセットロジック回路。
- 入力信号を受信するため入力端子と、
出力信号を提供するための出力端子と、
前記入力端子と出力端子との間に結合されたロジック回路と、
前記出力端子と前記ロジック回路との間に結合されたリセット回路とを含み、
前記リセット回路は、
第1電源電圧を供給するため第1電源電圧端子に結合されたソースと、第1ノードに結合されたドレーン及び前記出力端子に結合されたゲートとを有する第1PMOSトランジスターと、
ソースと、前記第1ノードとに結合されたドレーン、及び前記出力端子に結合されたゲートを有する第1NMOSトランジスターと、
前記第1電源電圧より低い第2電源電圧を提供するため第2電源電圧端子に結合されたソースと、前記第1NMOSトランジスターのソースに結合されたドレーン、及びゲートを有する第2NMOSトランジスターと、
前記入力端子に結合された入力と前記第2NMOSトランジスターのゲートに結合された出力を有する第1インバ−タと、
前記第1ノードに結合された第1端子と第2端子を有するインバーティングラッチと、
前記インバーティングラッチの第2端子に結合された入力と出力を有する第2インバ−タと、
前記インバーティングラッチの第2端子に結合された第1端子と第2端子を有する遅延時間が予め設定された遅延回路と、
前記遅延回路の第2端子に結合されたセット入力、前記第2インバ−タの出力に結合されたリセット入力と、前記ロジック回路に結合された負の出力を有するS−Rフリップフロップとを含むことを特徴とするセルフリセットロジック回路。 - 前記S−RフリップフロップがNANDロジックゲートによって形成されたことを特徴とする請求項5項に記載のセルフリセットロジック回路。
- 前記遅延回路が偶数で連続的に連結されたインバ−タに構成されたことを特徴とする請求項6項に記載のセルフリセットロジック回路。
- 前記ロジック回路がインバ−タロジック回路であることを特徴とする請求項5項に記載のセルフリセットロジック回路。
- 前記ロジック回路がバッファロジック回路であり、前記セットロジック回路が、前記出力端子に結合された入力と、前記第1PMOSトランジスターと前記第1NMOSトランジスターのゲートに共通に結合された出力を付加的に含むことを特徴とする請求項6項に記載のセルフリセットロジック回路。
- 入力信号を受信するため入力端子と、
出力信号を提供するための出力端子と、
前記入力と出力端子との間に結合されたロジック回路と、
前記出力端子と前記ロジック回路との間に結合されたリセット回路とを含み、前記リセット回路は、
第1電源電圧を提供するため第1電圧端子に結合されたソース、第1ノードに結合されたドレーン、及び前記出力端子に結合されたゲートを有する第1PMOSトランジスターと、
ソース、前記第1ノードに結合されたドレーン、及び前記出力端子に結合されたゲートを有する第1NMOSトランジスターと、
前記第1電源電圧より低い第2電源電圧を提供するため第2電源電圧端子に結合されたソース、前記第1NMOSトランジスターのソースに結合されたドレーン、及びゲートを有する第2NMOSトランジスターと、
前記入力端子に結合された入力と前記第2NMOSトランジスターのゲートに結合された出力を有する第1インバ−タと、
第1ノードに結合された第1端子と第2端子を有するインバーティングラッチと、
前記インバ−タラッチの第2端子に結合された第1端子と第2端子を有する遅延時間が予め設定された遅延回路と前記遅延回路の第2端子に結合されたセット入力を有するS−Rフリップフロップを含むことを特徴とするリセットロジック回路。 - 前記遅延回路が奇数で連続的に連結された奇数インバ−タを構成されたことを特徴とする請求項10項に記載のセルフリセットロジック回路。
- 前記ロジック回路がインバ−タロジック回路であることを特徴とする請求項10項に記載のセルフリセットロジック回路。
- 前記ロジック回路がバッファロジック回路であり、前記リセットロジック回路が、
前記出力端子に結合された入力と、前記第1PMOSトランジスターと前記第1NMOSトランジスターのゲートに共通に結合された出力を有するインバ−タを付加的に含むことを特徴とする請求項10項に記載のセルフリセットロジック回路。 - 1つ以上の入力信号を受信するための1つ以上の入力と出力信号を提供するための出力を有するロジック回路をリセットするための方法において、
出力信号の先頭エッジを検出する段階と、
前記出力信号の先頭エッジ検出に応じる第1リセット信号を発生する段階と、
前記第1リセット信号を遅延する段階と、
遅延された前記第1リセット信号に応じる前記ロジック回路をリセットする段階と、
前記出力信号の後尾エッジを検出する段階と、
出力信号の後尾エッジ検出に応じる第2リセット信号を発生する段階と、
前記ロジック回路が次の入力信号を準備する段階を含むことを特徴とするセルフリセットロジック回路のリセット方法。
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