JP3822624B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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前記第1の発光部は、前記第2発光層形成部の一部をエッチングにより除去して露出した前記一方導電型層を前記第1発光層形成部上に有し、前記一方導電型層上に設けられた第1電極と、前記基板の第1の発光部が形成される側と反対側に設けられた第2電極と、を備え、
前記第2の発光部は、前記第2の発光部を構成する一方導電型層上に設けられた第3電極と、前記他方導電型層上に設けられた第4電極と、を備え、
前記第1の発光部と前記第2の発光部との間には、前記第1の発光部を構成する前記一方導電型層と前記第2発光層形成部を構成する前記一方導電型層とを分離するとともに、第1発光層形成部と前記第2発光層形成部下の第1発光層形成部とを分離する分離溝を有しており、これによって、前記第1の発光部と前記第2の発光部とが分離されており、
前記第1の発光部が、前記第1電極及び第2電極との間に印加される順方向電圧によって前記第1発光層形成部から発光し、前記第2の発光部が、前記第3電極及び第4電極との間に印加される順方向電圧によって前記第2発光層形成部から発光し、これによって、前記第1の発光部と前記第2の発光部とから発光する光が異なる波長であることを特徴とする。
このような構造にすることにより、第1の発光部および第2の発光部が分離溝によって分離されるとともに、それぞれに電極が独立して設けられているので、両発光部の発光を独立して制御することができる。また、第1の発光部と第2の発光部とが同一の基板を用いているので、2個のチップを用いるより素子が小型化し、コストダウンをすることができるとともに、同一光源から少なくとも2色の光を発光したり、任意の混色の光を発光することができる。
このような構造にすることにより、赤色系と緑色系の少なくとも2色の1チップ型発光素子を得ることができる。また、両発光部を同時に発光させることにより、その混色の発光をさせることができ、さらに、一方の発光部の印加電圧を下げて弱くすることにより、混色の色の変化させることができる。
2 n形クラッド層
4 p形クラッド層
5 発光層形成部
6a p形GaP層
7 n形GaP層
8 発光層形成部
15 第1の発光部
16 第2の発光部
Claims (6)
- 基板と、前記基板上に積層される第1発光層形成部を有する第1の発光部と、前記第1発光層形成部上に積層される一方導電型層およびその上に積層される他方導電型層から形成される第2発光層形成部とを有する第2の発光部と、からなる半導体発光素子であって、
前記第1の発光部は、前記第2発光層形成部の一部をエッチングにより除去して露出した前記一方導電型層を前記第1発光層形成部上に有し、前記一方導電型層上に設けられた第1電極と、前記基板の第1の発光部が形成される側と反対側に設けられた第2電極と、を備え、
前記第2の発光部は、前記第2の発光部を構成する一方導電型層上に設けられた第3電極と、前記他方導電型層上に設けられた第4電極と、を備え、
前記第1の発光部と前記第2の発光部との間には、前記第1の発光部を構成する前記一方導電型層と前記第2発光層形成部を構成する前記一方導電型層とを分離するとともに、第1発光層形成部と前記第2発光層形成部下の第1発光層形成部とを分離する分離溝を有しており、これによって、前記第1の発光部と前記第2の発光部とが分離されており、
前記第1の発光部が、前記第1電極及び第2電極との間に印加される順方向電圧によって前記第1発光層形成部から発光し、前記第2の発光部が、前記第3電極及び第4電極との間に印加される順方向電圧によって前記第2発光層形成部から発光し、これによって、前記第1の発光部と前記第2の発光部とから発光する光が異なる波長であることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記第1の発光部が赤色系の波長の光を発光し、前記第2の発光部が緑色系の波長の光を発光することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記第1発光層形成部が、AlGaInP系またはAlGaAs系化合物半導体を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 前記第1発光層形成部が、n形半導体層と活性層とp形半導体層とからなるダブルへテロ接合構造であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の半導体発光素子。
- 前記第2発光層形成部が、GaP化合物半導体からなることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の半導体発光素子。
- 前記第2発光層形成部が、p形半導体層とn形半導体層とからなるホモpn接合構造であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の半導体発光素子。
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