JP3817471B2 - 多孔質構造体および構造体、ならびにそれらの製造方法 - Google Patents

多孔質構造体および構造体、ならびにそれらの製造方法 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コロイド分散液を用いた微細な細孔を有する多孔質構造体および微細な規則構造を有する構造体を作製する方法、および該方法によって作製可能な新規な多孔質構造体および構造体に関する。
【0002】
【従来の技術】
多孔性材料は、光学、化学、半導体製造、分離精製技術をはじめとする多方面に応用されている。その用途も様々であり、例えば、その細孔内に機能性を付与して細孔内を反応サイトとしての利用、細孔内に機能性材料を挿入し、それぞれ独立した微小機能構造を配列した構造体への利用、ナノ粒子やフォトニック結晶などのナノ構造体を製造する際のテンプレートとしての利用など、種々の用途が提案されている。この様に、多孔性材料は、吸着工程、触媒反応工程等を改良し得る新素材の開発において重要な役割を果たしている。ところで、多孔性材料のこの様な機能は、多孔性材料の構造、即ちその多孔性領域および多孔度によって決まる。従って、前記機能を有する新素材の開発において、分子のサイズに適合するμmおよびnmオーダーのサイズの孔を有する多孔性材料が重要になってくる。
【0003】
Velevらは、コロイド粒子を配列させ、配列したコロイド粒子間に存在する隙間に、金や銀といった金属のナノ粒子を充填することによって、ナノスケールの規則性および階層的な多孔度を有する金属材料の合成方法を提案している(Nature 1999, 401, 548、Adv. Mater. 1999, 11, 165、およびAdv. Mater. 2000, 12, 53)。また、金属のシュウ酸塩を分解してメソポーラスな金属酸化物酸を得、さらに該金属酸化物を水素還元することによって、ニッケル、コバルト、鉄のメソポーラス材料を作製する方法が提案されている(Yan H., Adv. Mater. 1999, 11, 1003)。さらに、銅、銀、白金、金の多孔性材料を、金属ナノ粒子の無電解めっきによって得る方法(Jaing P. ,J. Am. Chem. Soc. 199, 121, 7957)、およびアルミニウムの陽極酸化による多孔質構造体の製造方法などが報告されている。
【0004】
しかし、以上に述べた製造方法は、多数の工程と複雑な化学反応を組合わせた時間のかかる製法である。しかも利用できる金属材料が制限されるという問題もある。例えば、前述のVelevらの報告にある様な金属コロイドを用いた製法では、コロイドを形成可能な金属しか用いることはできないし、加えて、コロイド粒子が壊れるような場合には用いることができない。その他の製法についても、液相反応のみにより製造しているので、得られる構造体中にコンタミネーションが生じて、所望の機能が得られないという問題がある。また、溶液状態での微粒子とコロイド粒子との相互作用の影響により、充填が不均一になる等の問題もある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は前記諸問題に鑑みなされたものであって、カップ状の微細な細孔が規則的に配列された多孔性構造体および金属等がドット状に規則的に配列された構造体を、条件設定の調整で簡便に得られる製造方法を提供することを課題とする。また、新規な多孔性構造を有する多孔質構造体および新規な規則的な微細構造を有する構造体を提供することを課題とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、本発明の多孔質構造体の製造方法は、基板上にコロイド分散液を塗布および乾燥することによりコロイド粒子層を前記基板上に設置させる(好ましくは、コロイド粒子を前記基板上に配列する)第一の工程と、前記設置した(好ましくは、前記配列した)コロイド粒子上に金属および/または金属化合物の被膜を形成する第二の工程と、前記コロイド粒子を除去し前記被膜の内部を空洞化して細孔を形成する第三の工程とを含むことを特徴とする。
また、前記課題を解決するため、本発明の構造体の製造方法は、微粒子が基板上に規則的に設置してなる(好ましくは、微粒子が基板上に配列してなる)構造体の製造方法であって、前記基板上にコロイド分散液を塗布および乾燥することによりコロイド粒子層を前記基板上に塗布設置させる(好ましくは、コロイド粒子を前記基板上に配列させる)第一の工程と、前記塗布設置した(好ましくは、前記配列した)コロイド粒子上に金属および/または金属化合物の被膜を形成する第二の工程と、前記コロイド粒子を除去し前記被膜の内部を空洞化して細孔を形成する第三の工程とを含み、前記第三の工程と同時にまたは前記第三の工程の後に、前記被膜を加熱により溶融させて微粒子化させることを特徴とする。
【0007】
前記多孔質構造体の製造方法および構造体の製造方法において、前記コロイド分散液が有機材料のコロイド粒子を含有するのが好ましい。また、前記第二の工程において、気相法により前記金属および/または金属化合物を前記コロイド粒子上に堆積させて被膜を形成する;または液相法により前記金属および/または金属化合物を前記コロイド粒子上に堆積させて被膜を形成する;のが好ましい。さらに、前記第三の工程において、前記コロイド粒子を加熱(好ましくは前記被膜が溶融する温度未満まで加熱)することによって、分解、蒸発および/または昇華させて除去する;または前記コロイド粒子を溶剤により溶解して除去する;のが好ましい。
【0008】
また、前記課題を解決するため、本発明の多孔質構造体は、基板上に、金属または金属化合物からなる、内部が空洞のカップ形状の構造単位を、前記カップ形状の開口部を基板側にして連続に規則的に設置してなる(好ましくは、連続的に二次元的に配列してなる)ことを特徴とする。
また、前記課題を解決するため、本発明の多孔質構造体は、基板上に、金属または金属化合物からなる、内部が空洞のカップ形状の構造単位を、前記カップ形状の開口部を基板側にして連続に規則的に設置してなり(好ましくは、連続的に二次元的に配列してなり)、X線回折の測定においてバルク状金属が示す結晶性と同質の特性を示すことを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明を実施の形態を挙げて説明するが、本発明は以下の実施の形態に制限されるものではない。
本発明の製造方法の一実施形態を模式的に図1に示す。
まず、ポリスチレンラテックス等のコロイド粒子12の分散液を調製する。次に、前記コロイド分散液14をシリコンウェーハ等の基板10上に塗布する(図1(a))。液滴14中の溶媒を乾燥して蒸発させると、基板10上には、コロイド粒子12が規則的に配列する(図1(b))。引き続き、スッパッタリング等によって金属および/または金属化合物の微粒子16をコロイド粒子12上に堆積させると、微粒子16はコロイド粒子12間の隙間にも堆積し、コロイド粒子12を被覆する金属等からなる被膜18が形成される(図1(c))。被膜18は、カップを伏せた様な形態でコロイド粒子12を被覆している。さらに、前記被膜を、溶融温度未満の温度で加熱してコロイド粒子12を分解、蒸発および/または気化することによって、もしくは前記コロイド粒子12を溶剤等に溶解することによって、被膜18内部のコロイド粒子12を除去して空洞化することによって、細孔19を形成する(図1(d))。これらの工程により、カップ形状の被膜18が、開口部を基板10側にして(下にして)連続して基板10上に二次元的に規則配列した多孔性構造体20が得られる。基板10上に形成された被膜18の構造は「メソカップ」と称することができる。
【0010】
また、コロイド粒子12を除去した後、またはコロイド粒子を除去するのと同時に、被膜18を、溶融温度以上の温度で加熱すると、被膜18は溶融し、基板10の方向へ収縮する(図1(d’))。引き続き加熱すると、被膜18はドット状の微粒子18’となり、基板10上に二次元的に規則配列した構造体22が得られる。基板上の微粒子18’の形状は「メソドット」と称することができる。
【0011】
本実施の形態によって、短時間でメソカップ多孔性構造を含む多孔質構造体、およびメソドット構造を含む構造体を製造することができる。また、適切なサイズのコロイド粒子12を選択することでカップ内部の細孔の大きさ、およびドットの大きさを選択できる。また、被膜の厚みは、金属等の粒子のスパッタ時間等、金属等の堆積条件によって調整することができる。さらに、コロイド粒子の原料を適宜選択することができ、安定的にコロイド粒子を形成する材料を選択することで、コロイド粒子の破壊を起こさずに、ナノオーダの規則配列を有する多孔質構造体および構造体を安定的に作製することができる。しかも被膜となる素材が、純金属、合金組成、非金属のいずれであっても作製することができる。
【0012】
以下、各工程について詳細に説明する。
(1)コロイド分散液の調製
まず、コロイド粒子の分散液を調製する。使用するコロイド粒子の材料については特に制限はなく、コロイド粒子の表面に堆積させる金属または金属化合物と反応しないものであればいずれも使用できる。メソカップ状の被膜内部から除去する必要があるので、加熱によって除去するには、分解温度や沸点が被膜材料の融点よりも低いものを用いる。また、溶剤によって溶解させて除去するには、用いる溶剤に対して可溶な材料を用いる。コロイド粒子の原料は無機材料であっても有機材料であってもよいが、粒子の組成およびサイズの均一性、被膜内部からの除去し易く後工程において残留物がない等の観点から、有機のコロイド粒子を用いることが好ましい。
【0013】
また、表面にコーティングを施したコロイド粒子を用いることもできる。係るコロイド粒子を用いて、メソカップ被膜を形成すると、メソカップの内壁にコロイド粒子のコーティングを転写することが可能となり、細孔内に機能性層を形成させることができる。例えば、薄く金メッキしたビーズのコロイド分散液を用いて、ニッケルからなるメソカップ形状の被膜を形成することにより、カップ内(細孔内部)が金メッキされた多孔質体を製造することができる。コロイド粒子のコーティング剤としては、沸点がコロイド粒子の分解温度と同等以上で、メソカップを形成する材料の融点より低い有機または無機物が好ましい。
【0014】
コロイド粒子のサイズは製造されるメソカップの空孔サイズに合わせて選ぶことが可能である。メソドットの場合は収縮によって粒子が形成されるため、コロイド粒子のサイズだけでは一義的にドット径は定まらず、スパッタによる堆積厚みを考慮して選ぶことが重要である。本発明では、粒子径が100μm以下のものが好ましく、1μm以下(即ちナノオーダの粒子)のものがより好ましい。なお、本発明においては、コロイド粒子の粒度が揃っていることが好ましく、形状は特に規定されないが、コロイド粒子の溶液を塗布して成膜する時に粒子が一様に配列することから、球状であることが好ましい。例えば、これらのコロイド粒子は、ソープフリー法などの液相法などによって得られたのもが市販されていて、本発明に用いることができる。また、その他にも、気相法や固相法などによって、得られたものを使用することもできる。
【0015】
コロイド粒子が溶媒に均一に分散したコロイド分散液を使用するのが好ましい。表面処理を施したコロイド粒子を用いると、コロイド粒子と溶媒との親和性を改善することができ、分散安定性の高い分散液が調製できる。使用する表面処理剤としては、粒子の組成や溶媒などによって適宜選ぶことが可能であるが、例えばエアロゾルOT、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム等のアニオン性界面活性剤;例えばポリアルキルグリコールのアルキルエステルやアルキルフェニルエーテル等のノニオン性界面活性剤;フッ素系界面活性剤;などの界面活性剤を用いることができる。
【0016】
溶媒としては、基板上に塗布した後、乾燥させて蒸発により除去可能(さらに、焼成を行う場合は焼成により除去可能)であれば特に制限はないが、基板に塗布する際に、基板に対する親和性が低過ぎると、表面張力によって成膜が困難となるので、基板との組み合わせで選択するのが好ましい。また、あまりに揮発性が高い溶媒を用いると、キャスティングする前に乾燥してしまい、均一に成膜することが困難となるので、成膜条件と合わせて選択するのが好ましい。コロイド分散液は基板上に塗布して成膜するため、ある程度の粘稠性を有することが好ましい。溶媒および分散液自体が粘稠性を有していてもよいし、増粘剤などを添加して粘稠性を調整してもよい。前記コロイド分散液の好ましい粘度範囲としては、塗布方法によっても異なるが、一般的には1〜10mPa・Sの範囲内であることが好ましい。
【0017】
コロイド分散液におけるコロイド粒子の濃度は希薄であるのが好ましく、0.0001質量%〜1.0質量%が好ましく、0.001質量%〜0.1質量%より好ましい。希薄溶液を用いると、基板上に成膜した際に、コロイド粒子が積層せず、得られる多孔質構造体の規則的配列をより安定的に形成できるので好ましい。
なお、コロイド分散液は、液相反応により得られたコロイド分散液を前述の観点で調整してそのまま用いてもよく、またコロイド粒子を溶媒に均一に分散させたものを用いてもよい。また、超音波分散やホモジナイザーの様な強力な剪断分散などによる分散工程を経た後、塗布液として用いることもできる。
【0018】
(2)コロイド分散液の塗布(第一の工程)
次に、調製したコロイド分散液を基板表面に塗布して成膜し(図1(a))、コロイド分散液の溶媒を乾燥し除去することで基板上にコロイド粒子の配列を形成する(図1(b))。用いる基板は、コロイド粒子が規則配列し易いように、凹凸のない滑らかな面を有するものが好ましい。また、塗布の簡便さから平面であることが好ましいが、乾燥後のコロイド粒子の配置が崩れず、およびスパッタ等による成膜の厚みが大きく変化しない限りの程度においては、平面でなくともよい。基板の材質については特に制限はないが、平滑性を有すること、作業性がよいこと、安価に入手できること、また市販されていて入手が容易であること、さらにコロイド微粒子と反応しないこと等の点から、シリコンウェーハが好ましく用いられる。
【0019】
塗布方法は粒子が積層しないような均一成膜が可能であれば特に限定されないが、好ましくはスピンコーティング法、ディプコーティング法、噴霧法、超音波乾燥法(Ultrasonic-assisted Drying Method)が挙げられる。
【0020】
塗布によって形成されたコロイド塗膜は比較的低温で加熱を行い溶媒を揮散させるのが好ましい。この乾燥工程において、徐々に溶媒を飛散させることにより、溶質であるコロイド粒子が組織化して、均一な規則配列を得ることができる。この時の加熱温度は溶媒の粘度や揮発性によって好ましい範囲が異なるが、低濃度で、粘度が約1〜10mPa・S程度の溶媒については、温度25〜50℃で10分〜30分間加熱することが好ましい。
【0021】
(3)被膜の形成(第二の工程)
次に、基板上に配列した微粒子上に金属および/または金属化合物の被膜を形成する(図1(c))。コロイド粒子上には、カップ状の被膜が形成される。被膜はカップを伏せたような状態で前記コロイド粒子を被覆する。被膜形成の際には、少なくとも近接コロイド粒子上に形成されたカップ状の被膜同士が連結するまで、金属または金属化合物を堆積させることが必要である。この被膜形成が不十分であると被膜が壊れたり、次の工程において構造体を形成することができなくなる。そのため、スパッタ膜の堆積厚さは1nm〜1μmが好ましい。
【0022】
被膜は、金属および/または金属化合物の微粒子をコロイド粒子上に堆積させることによって形成するのが好ましく、気相法および液相法のいずれによって金属および/または金属化合物の微粒子を堆積させてもよい。前記気相法としては、一般的蒸着、イオンスパッタリング、真空蒸着、CVD等が挙げられる。また、前記液相法としては、ナノ粒子ゾルの噴霧法、噴霧熱分解法などが挙げられる。いずれの方法を利用してもいいが、中でも、イオンスパッタリングが好ましい。化合物被膜を形成する場合は、CVD法を利用することができる。また、CVD法以外にも、雰囲気を制御することで酸化物や窒化物などの化合物被膜を得ることも可能である。
【0023】
前記金属または金属化合物材料は、スパッタリング等の気相法、ナノ粒子ゾルの噴霧法、噴霧熱分解法などによる液相法に使用できる限りその種類に制限はなく、金属、合金または金属酸化物などの金属化合物を広く用いることができる。金属の構造体を得る場合は、反応性の低い金、白金、パラジウム、銀、銅、ニッケルの様な比較的貴である金属または合金をその原料とするのが好ましく、後述の工程において化合物からなる構造体を得る場合は適宜原料を選択することができる。また、イオンスパッタリングなどでは、別々の原料を一定の比率でスパッタリングすることによって、組成比を自在に制御することも可能であり、スパッタ過程において組成比を変化させることで、傾斜した組成比からなる構造体を得ることができる。
【0024】
(4)コロイド粒子の除去(第三の工程)
カップ状の被膜を形成した後、コロイド粒子を除去してカップ内を空洞にして、細孔を形成する(図1(d))。コロイド粒子の除去は、前記被膜の溶融温度未満の温度で加熱することによって、前記コロイド粒子を分解、蒸発および/または昇華させることによって除去できる。加熱条件を調整することによって、残留物を残さずに、コロイド粒子を除去することができる。例えば、有機材料の粒子を短時間で分解すると炭素などが残留する場合があるので、係る場合は分解が穏やかに進行するように加熱条件を調整する。なお、被膜は、バルク状態の融点よりも低い温度で溶融し始める。
なお、ここでいう溶融温度はバルク状態の融点をいうのではなく、被膜の溶融温度をいう。金属の微粒子がバルク状の金属の融点より低い温度で溶融することは、種々報告されている(例えば、Castro T. et al, Phys. Rev. B 1990, 42, 8548等)。
【0025】
また、加熱する以外にも、前記コロイド粒子を溶剤により溶解して除去することもできる。溶剤としては、アルカリ性または酸性の溶液を用いることができる。また、双方の方法を組み合わせて、前記コロイド粒子を除去することもできる。
【0026】
加熱により前記コロイド粒子が除去されるとともに、前記カップ状の被膜の自己組織化が促進され、カップ同士が連結し、内部の細孔の大きさが一様の多孔質構造体(メソカップと称される)を得ることができる。前記多孔質体は、基板上に、金属または金属化合物からなる、内部が空洞のカップ形状の構造単位を、前記カップ形状の開口部を基板側にして(下にして)連続的に二次元的に配列してなる構造を有する。カップの構造を崩さない限りの高い温度で加熱することで被膜の結晶化が進み結晶性のメソカップが得られる。メソカップの結晶性はX線回折を測定することによって確認することができる。例えば、前記被膜が金属からなる場合、結晶性はX回折のパターンに現れ、X線回折の測定においてバルク状金属が示す結晶性と同質の特性を示すようになる。具体的には、バルク状金属のX線回折パターンと同様のパターンを示す(ほぼ等しい位置にピークを示せばよく、ピークの強度は相対的に小さくても、同質の特性とする)。
【0027】
また、加熱温度を、前記被膜の溶融温度以上とした場合、カップ状被膜は溶融し、その際表面張力を下げるために基板に向かって収縮し(図1(d’))、金属または金属化合物からなる微粒子が基板上のドットとなって、2次元的に均一に配列された構造体となる(図1(e))。図1(e)中には、ドットの形状を球状で示したが、形成されるドットの形状は加熱条件等によって異なり、切子面を有するりん片状のドットとなる場合もある。
【0028】
本発明によって作製されるメソカップはその規則的に配列した細孔を利用して、多孔性電極、反射板、低誘電率体などとしての用途に用いることができる。また、メソドットはその規則的に連続したナノ粒子の配列を利用して、反射板、電極(例えば電池用電極、発光ダイオード等を高効率化可能な電極)、超高容量のコンデンサー、波長選択的反射板などとしての用途に用いることができる。
【0029】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、割合、操作等は、本発明の精神から逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に制限されるものではない。
(実施例1)
シリコンウェーハを、エタノール(関東化学、99.5%)と蒸留水とを容積比1:1で含む浴中で、10分間超音波洗浄した。別途、平均粒径が79nmのポリスチレンラテックス(PSL)ビーズのコロイド分散液を調製した。PSLは日本合成ゴム社製のものを使用した。
次に、前記シリコンウェーハの表面に各々のコロイド分散液を滴下して、滴中の溶媒が完全に蒸発するまで40℃で乾燥させ、引き続き、100℃で10分間乾燥することによって、PSLビーズを互いに充分に接近させた。次に、イオンスパッタ装置(日立社製 E−1010)を用い、0.05Torrの真空条件で5分間スパッタリングを行い、ビーズ表面にパラジウムのナノ粒子を堆積させた。さらに、サンプルを、図2中に示した加熱サイクルに従って、450℃で1時間焼成して、PSLビーズを分解、除去した。この様にして多孔性構造体を作製した。
【0030】
上記製造方法において、平均粒径79nmのPSLビーズを、平均粒径254nmのPSLビーズに代えた以外は全く同様にして、多孔性構造体を作製した。
【0031】
得られた多孔性構造体について、SEM観察した(用いた機種は日立社製「S−500」;20kV)。
図3(a)は、平均粒径が254nmのPSLビーズを用いて作製した構造体、図3(b)は平均粒径が79nmのPSLビーズを用いて作製した構造体の斜め方向からのSEM観察写真である。図3(c)は平均粒径が254nmのPSLビーズを用いて作製した構造体の上方向からのSEM観察写真であり、図3(d)は平均粒径が254nmのPSLビーズを用いて作製した構造体の端部の斜め方向のSEM観察写真である。
四方充填配置が若干観察されるものの、金属カップは主に六方充填配置をとっていた。Deganらは、Nature(1997年,389巻,827頁)において、水平な表面に配置されたコロイド分散液滴は、乾燥によって円のような(ring−like)構造を形成することを報告しているが、図3(a)および(b)のSEM写真中に観察されるパターンも同様であり、PSLビーズが円周上に、円の中心の周りに六方充填配置した三次元的なパターンおよび、PSLビーズが同心円周上に六方充填配置した二次元的なパターンが観察された。また、図3(c)に示すSEM写真から、最近接のビーズの表面をつなぐ金属ネットワークが形成されていることがわかった。また、イオンスパッタリングによって形成された金属連結部の大きさは20nm未満であることがわかった。さらに、図3(d)に示すSEM写真から、カップの底に穴があることが明らかとなった。
【0032】
さらに、254nmのPSLビーズを用いて作製された焼成体から、カップ状の被膜をいくつか除去して、該被膜をSEMで観察した。図4にSEM観察写真を示す。被膜は卵の殻のような形状であり、これによって焼成体は細孔を有していることがわかった。また、被膜を取り去った位置は、円筒状の穴になっていた。
【0033】
(実施例2)
実施例1において、焼成温度を600℃、および900℃に各々代えた以外は同様にして、254nmのPSLビーズを用いて焼成体を作製した。焼成温度が450℃の焼成体をサンプル1
、600℃の焼成体をサンプル2、900℃の焼成体をサンプル3とする。これらのサンプル1〜3のX線回折を測定した(用いた機種は理化学電気社製「RINT2000」;室温で測定)。図5に各々の回折パターンを示す。
サンプル1では、バルク状の金属に固有の結晶性を示すピークは現れていないが、サンプル2では、バルク状のパラジウムが示すのと同様に、(111)および(200)の位置にピークが明瞭に現れているのがわかる。サンプル3ではこのピークがより強くなっている。このことから、サンプル2およびサンプル3は、バルク状のパラジウムと同質の結晶性を示すことがわかった。
【0034】
サンプル3の上方向からのSEM観察写真を図6(a)に示す。図6(a)から、サンプル3では、パラジウム被膜が溶融して、カップの中心の位置に規則的にドット状の金属粒子が配置した構造体となっていることがわかる。各ドットの径は約100nmであり、ドットの中心間距離は、カップの中心間距離とほぼ等しかった。バルク状のパラジウムの融点は1454℃であるが、カップ状のパラジウム被膜は、はるかに低い900℃で溶融し、収縮して、ドットを形成したものと考えられる。
【0035】
(実施例3)
サンプル3の作製において、PSLとして粒径453nmのPSL(ドューク化学社製)を用いた以外は同様にして焼成体を作製した(サンプル4)。
サンプル4の上方向からのSEM観察写真を図6(b)に、斜め方向からのSEM観察写真を図6(c)に示す。
図6(b)から、ドットの径は約200nmであることがわかった。また、図6(c)から、各ドットは、切子面を有することがわかった。
【0036】
【発明の効果】
本発明によれば、カップ状の微細な細孔が規則的に配列された多孔性構造体および金属等がドット状に規則的に配列された構造体を、条件設定の調整で簡便に得られる製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、新規な多孔性構造(メソカップと呼ばれる)を有する多孔質構造体および新規な規則的微細構造(メソドットと呼ばれる)を有する構造体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態を概念的に示す模式図である。
【図2】 実施例における焼成の際の温度サイクルを示すグラフである。
【図3】 実施例で作製したメソカップからなる多孔質構造体のSEM観察写真である。
【図4】 実施例で作製したメソカップからなる多孔質構造体に含まれるメソカップのSEM観察写真である。
【図5】 実施例で作製したメソカップからなる多孔質構造体およびメソドットを含む構造体のX線回折パターンである。
【図6】 実施例で作製したメソドットを含む構造体のSEM観察写真である。
【符号の説明】
10 基板
12 コロイド粒子
14 コロイド分散液
16 金属および/または金属化合物の微粒子
18 金属および/または金属化合物の被膜
18’ ドット状の金属および/または金属化合物の微粒子
19 細孔
20 多孔性構造体
22 構造体

Claims (17)

  1. 基板上にコロイド分散液を塗布および乾燥することによりコロイド粒子層を前記基板上に塗布設置させる第一の工程と、前記塗布設置したコロイド粒子上に金属および/または金属化合物の被膜を形成する第二の工程と、前記コロイド粒子を除去し前記被膜の内部を空洞化して細孔を形成する第三の工程とを含むことを特徴とする多孔質構造体の製造方法。
  2. 前記コロイド分散液が有機材料からなるコロイド粒子を含有することを特徴とする請求項1に記載の多孔質構造体の製造方法。
  3. 前記第二の工程において、気相法により前記金属および/または金属化合物を前記コロイド粒子上に堆積させて被膜を形成することを特徴とする請求項1または2に記載の多孔質構造体の製造方法。
  4. 前記第二の工程において、液相法により前記金属および/または金属化合物を前記コロイド粒子上に堆積させて被膜を形成することを特徴とする請求項1または2に記載の多孔質構造体の製造方法。
  5. 前記第三の工程において、前記コロイド粒子を加熱することによって、分解、蒸発および/または昇華させて除去することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の多孔質構造体の製造方法。
  6. 前記第三の工程において、前記被膜が溶融する温度未満まで加熱することによって、前記コロイド粒子を分解、蒸発および/または昇華させて除去することを特徴とする請求項5に記載の多孔質構造体の製造方法。
  7. 前記第三の工程において、前記コロイド粒子を溶剤により溶解して除去することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の多孔質構造体の製造方法。
  8. 請求項1〜7のいずれか1項に記載の製造方法によって作製された多孔質構造体。
  9. 基板上に、金属または金属化合物からなる内部が空洞のカップ形状の構造単位が、前記カップ形状の開口部を基板側にして連続的に設置してなる多孔質構造体。
  10. 微粒子が基板上に規則的に設置してなる構造体の製造方法であって、前記基板上にコロイド分散液を塗布および乾燥することによりコロイド粒子層を前記基板上に塗布設置させる第一の工程と、前記塗布設置したコロイド粒子上に金属および/または金属化合物の被膜を形成する第二の工程と、前記コロイド粒子を除去し前記被膜の内部を空洞化して細孔を形成する第三の工程とを含み、前記第三の工程と同時にまたは前記第三の工程の後に、前記被膜を加熱により溶融させて微粒子化させることを特徴とする構造体の製造方法。
  11. 前記コロイド分散液が有機材料からなるコロイド粒子を含有することを特徴とする請求項10に記載の構造体の製造方法。
  12. 前記第二の工程において、気相法により前記金属および/または金属化合物を前記コロイド粒子上に堆積させて被膜を形成することを特徴とする請求項10または11に記載の構造体の製造方法。
  13. 前記第二の工程において、液相法により前記金属および/または金属化合物を前記コロイド粒子上に堆積させて被膜を形成することを特徴とする請求項10または11に記載の構造体の製造方法。
  14. 前記第三の工程において、前記コロイド粒子を加熱することによって、分解、蒸発および/または昇華させて除去することを特徴とする請求項10〜13のいずれか1項に記載の構造体の製造方法。
  15. 前記第三の工程において、前記被膜が溶融する温度未満まで前記コロイド粒子を加熱することによって、前記コロイド粒子を分解、蒸発および/または昇華させて除去することを特徴とする請求項14に記載の構造体の製造方法。
  16. 前記第三の工程において、前記コロイド粒子を溶剤により溶解して除去することを特徴とする請求項10〜13のいずれか1項に記載の構造体の製造方法。
  17. 請求項10〜16のいずれか1項に記載の製造方法によって作製された微粒子が基板上に二次元的に規則設置してなる構造体。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101190657B1 (ko) * 2003-04-21 2012-10-15 삼성전자주식회사 자기 정렬된 나노 채널-어레이의 제조방법 및 이를 이용한 나노 도트의 제조방법
JP4178087B2 (ja) * 2003-09-03 2008-11-12 財団法人神奈川科学技術アカデミー 多孔性陽極酸化アルミナ膜の作製方法およびその方法により作製された多孔性陽極酸化アルミナ膜
US7597814B2 (en) * 2004-03-23 2009-10-06 Hewlett Packard Development Company, L.P. Structure formed with template having nanoscale features
JP4707995B2 (ja) * 2004-11-05 2011-06-22 富士フイルム株式会社 規則配列したナノ構造材料
TWI481062B (zh) * 2007-10-05 2015-04-11 Delta Electronics Inc 磊晶基板製造方法及發光二極體裝置及其製造方法
JP5305346B2 (ja) * 2008-02-29 2013-10-02 独立行政法人産業技術総合研究所 六方非最密充填粒子配列構造材料の作製方法
JP5042110B2 (ja) * 2008-04-22 2012-10-03 サルナス、ペトロニス ナノ細孔の製造
JP2011526075A (ja) * 2008-06-26 2011-09-29 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 光抽出器の作製方法
JP2011526074A (ja) * 2008-06-26 2011-09-29 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 半導体光変換構成体
US20110101402A1 (en) * 2008-06-26 2011-05-05 Jun-Ying Zhang Semiconductor light converting construction
EP2308103A4 (en) * 2008-06-26 2014-04-30 3M Innovative Properties Co LIGHT CONVERSION CONSTRUCTION
JP4808234B2 (ja) * 2008-07-01 2011-11-02 財団法人神奈川科学技術アカデミー 多孔性陽極酸化アルミナ膜の作製方法およびその方法により作製された多孔性陽極酸化アルミナ膜
CN101538008B (zh) * 2009-04-29 2010-12-01 北京大学 一种制备纳米网薄膜的方法
DE102011010899A1 (de) * 2011-02-04 2012-08-09 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Erzeugen einer dreidimensionalen Struktur sowie dreidimensionale Struktur
DE102012112299A1 (de) * 2012-12-14 2014-06-18 Leibniz-Institut Für Neue Materialien Gemeinnützige Gesellschaft Mit Beschränkter Haftung Metall-Nanopartikel-Arrays und Herstellung von Metall-Nanopartikel-Arrays
CN109754759B (zh) 2017-11-08 2020-11-06 京东方科技集团股份有限公司 背光源控制装置、方法及显示装置
JP6946474B2 (ja) * 2018-01-29 2021-10-06 東京エレクトロン株式会社 基板乾燥装置、基板乾燥方法および記憶媒体

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6538801B2 (en) * 1996-07-19 2003-03-25 E Ink Corporation Electrophoretic displays using nanoparticles

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