JP3808235B2 - 画像記録装置の光源 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、複数個の半導体発光素子から出射される光を利用して画像を記録する画像記録装置に使用される光源に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、カラープリンターやイメージセッター等のラスター走査型の画像記録装置においては、光学系を簡易化および小型化する目的からＬＥＤ（ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ／発光ダイオード）素子やＬＤ（ｌａｓｅｒ ｄｉｏｄｅ／半導体レーザ）等の半導体発光素子が使用されている。また、これらの画像記録装置においては、画像の記録に要する時間を短縮する目的から、半導体発光素子における発光点を１次元または２次元状に配列し、これらの発光点から出射される１次元または２次元配列の光ビームを利用して画像を記録する構成が採用されている。
【０００３】
ところで、このように半導体発光素子における発光点を１次元または２次元状に配列するためには、半導体発光素子自体を支持体上に列設することにより半導体発光素子の発光点を１次元に配列させたり、また、その表面に半導体発光素子を列設された支持体を半導体発光素子の列設方向と直交する方向に複数枚互いに平行に配置することにより半導体発光素子の発光点を２次元に配列する構成が採用されている。
【０００４】
また、例えば特開平２−２６４４９４号公報には、１枚のシリコン基板上に、半導体プロセスにより独立して変調可能な複数個の発光点を１次元または２次元に配置した、いわゆるモノリシック素子を利用した平面発光型のＬＤが開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ＬＥＤやＬＤ等の半導体発光素子は、それ自体が発熱源となる。このため、半導体発光素子を互いに近接配置した場合には、各半導体発光素子の温度が上昇し、半導体発光素子からの光出力が低下するという問題が発生する。また、半導体発光素子を互いに近接配置した場合には、電気的なクロストークも発生しやすい。
【０００６】
さらに、モノリシック素子を利用した平面発光型のＬＤは、上述した問題に加え、半導体プロセスにおける歩留まりが低く、素子自体が高価になるという問題が生ずる。
【０００７】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、複数個の半導体発光素子から出射される光を利用して画像を記録する画像記録装置において、各半導体発光素子間の熱的、電気的な影響を防止することができる光源を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、複数個の半導体発光素子から出射される光を利用して画像を記録する画像記録装置の光源であって、基板と、単一の発光点を構成する半導体発光層を含み前記基板上に形成された半導体積層構造部と、第１の電極と、第２の電極とをそれぞれが有する複数個の半導体発光素子と、表面と、裏面と、前記表面と裏面との間に形成された４個の端面とを有する矩形板状の形状を有し、前記複数の端面のうちの一つの端面に前記複数個の半導体発光素子が列設されるとともに、前記第１の電極に連結する第１の導電パターンと前記第２の電極に連結する第２の導電パターンとが前記表面に形成された配線基板と、前記配線基板における前記複数個の半導体発光素子が列設された端面とは逆側の端面に配置され、前記第１の配線パターンおよび第２の配線パターンに連結されるコネクタとを備え、前記配線基板の表面は当該配線基板の前記複数の半導体発光素子が列設された端面より大きな面積を有することを特徴とする。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の画像記録装置の発明において、前記配線基板は、前記半導体発光素子の列設方向と直交する方向に互いに平行に複数個配設されており、前記複数個の半導体発光素子の列設方向に対し前記複数個の配線基板の両端部を保持する櫛歯状の位置決め部材をさらに備えている。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、請求項１または請求項２に記載の画像記録装置の光源において、前記複数個の半導体発光素子を駆動するドライバーをさらに備え、前記ドライバーは前記コネクタを介して前記配線基板と接続される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１はこの発明に係る光源としての光源ユニット８を適用する画像記録装置の斜視図である。
【００１２】
この画像記録装置は、光源ユニット８と結像光学系４とからなる記録ヘッド５と、その外周部に感光材料６を巻回した記録ドラム７とを備える。この画像記録装置においては、後述する光源ユニット８から、結像光学系４を介して、記録ドラム７に巻回された状態で回転する感光材料６に光ビームを照射するとともに、記録ヘッド５を記録ドラム７の軸線方向に移動させることにより、感光材料６に対して必要な画像を記録する構成となっている。
【００１３】
次に、上述した光源ユニット８の構成について説明する。図２は光源ユニット８の構成を示す斜視図である。
【００１４】
この光源ユニット８は、その表面に導電パターン５５、６３が形成されたセラミック製の配線基板５２と、この配線基板５２の端面５０に列設された複数個の半導体発光素子としてのＬＥＤ素子２とを備える。なお、配線基板５２の表面の面積は、その端面５０の面積に比べて十分に大きくなっている。
【００１５】
このＬＥＤ素子２は、図３に示すように、基板２１の表面上に発光層（活性層）２２を含む形で半導体の層を複数重ね合わせた半導体積層構造部２６を形成しており、この半導体積層構造部２６の最上面に形成されたＰ電極２３と、基板２１の裏面側に形成されたＮ電極２４とを備える。このＬＥＤ素子２においては、基板２１に対して互いに逆側に形成されたＰ電極２３とＮ電極２４との間に電流を流すことにより、半導体積層構造部２６の表面２５または端面２７から光が出射する構成となっている。
【００１６】
このＬＥＤ素子２のＰ電極２３は、図２に示すように、各々、ボンディングワイヤー５４を介して、配線基板５２の表面に形成された導電パターン５５とワイヤーボンディングされている。すなわち、各ＬＥＤ素子２は、配線としてのボンディングワイヤー５４および導電パターン５５を介して、コネクタ５１と電気的に接続されている。また、このコネクタ５１は、図示を省略したＬＥＤ素子２のドライバーと接続されている。
【００１７】
一方、このＬＥＤ素子２のＮ電極２４は、配線基板５２の端面５０に印刷された電極６１に対して、銀ペースト等の導電性の接着剤によりボンディングされている。この電極６１は、配線基板５２に形成されたビアホール６２および配線基板５２の表面に形成された導電パターン６３を介してコネクタ５１と電気的に接続されている。
【００１８】
このような構成を有する光源ユニット８においては、各ＬＥＤ素子２から発生する熱はセラミック製の配線基板５２全体に広がる。そして、この熱は、この配線基板５２の表面全体より大気中に放出される。このとき、配線基板５２の表面の面積は、その端面５０の面積に比べて十分に大きくなっていることから、各ＬＥＤ素子２から発生する熱は、十分大きな配線基板５２の表面より有効に放熱されることになる。
【００１９】
また、配線基板５２の表面は十分大きな面積を有することから、導電パターン５５等の電気的な配線密度を粗く設置することができる。このため、電気的なクロストークの発生を防止することが可能となる。
【００２０】
次に、光源ユニット８の他の実施形態について説明する。図４はこの発明の第２実施形態に係る光源ユニット８の構成を示す斜視図であり、図５はその要部を示す正面図である。なお、上述した第１実施形態と同一の部材については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００２１】
この第２実施形態に係る光源ユニット３は、その表面に導電パターン５５、６３が形成され、その端面５０に複数個のＬＥＤ素子２が列設された第１実施形態と同様のセラミック製の配線基板５２を、ＬＥＤ素子２の列設方向と直交する方向に複数個互いに平行に配設した構成を有する。
【００２２】
すなわち、図４に示すように、３個の配線基板５２の先端部は、左右一対の櫛歯状位置決め部材３６に形成された凹部３７内に挿入され、固定される。このため、これらの配線基板５２は、左右一対の櫛歯状位置決め部材３６により、互いに等間隔離隔した平行な姿勢で精度よく位置決めされる。
【００２３】
また、図５に示すように、３個の配線基板５２は、各配線基板５２の先端部に列設されたＬＥＤ素子２のピッチＰの１／３の距離［Ｐ／３］だけ、ＬＥＤ素子２の列設方向に互いにずれた位置に配置されている。
【００２４】
この第２実施形態に係る光源ユニット８においては、上述した第１実施形態に係る光源ユニット８と同様、各ＬＥＤ素子２から発生する熱を有効に放熱することが可能となり、また、電気的なクロストークの発生を防止することが可能となる。
【００２５】
また、この第２実施形態に係る光源ユニット８においては、各配線基板５２が左右一対の櫛歯状位置決め部材３６により互いに間隔をあけて配置されていることから、例えば冷却ファン等を利用することで、各配線基板５２間に空気の流れを形成することができる。このため、このため、ＬＥＤ素子２を２次元配置した場合においても、各ＬＥＤ素子２から発生する熱を有効に放熱することが可能となる。
【００２６】
さらに、この第２実施形態に係る光源ユニット８においては、多数のＬＥＤ素子２を２次元に配置することにより、多チャンネルの光ビームを利用して画像を記録することが可能となる。このとき、各ＬＥＤ素子２については、左右一対の櫛歯状位置決め部材３６における凹部３７を高精度に形成することにより、これらを高精度に位置決めすることが可能となる。
【００２７】
このとき、この第２実施形態に係る光源ユニット８においては、この光源ユニット８を構成する多数のＬＥＤ素子２のいずれかが点灯不可能となった場合には、そのＬＥＤ素子２を含む配線基板５２のみを交換すればよい。このため、メンテナンス性が向上する。また、１枚のシリコン基板上に複数個の発光点を２次元に配置したいわゆるモノリシック素子を使用した場合にように、単一の発光点の動作不良により全体を交換する必要が生ずることはない。
【００２８】
次に、光源ユニット８のさらに他の実施形態について説明する。図６はこの発明の第３実施形態に係る光源ユニット８の構成を示す斜視図である。なお、上述した第１実施形態等と同一の部材については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００２９】
この第３実施形態に係る光源ユニット８は、上述した光源ユニット８における配線基板５２に換えて、その表面に導電パターン５５、５６が印刷されたフレキシブル基板５９と、銅またはアルミニウム等の導電性の金属板５８とから成る配線基板６０を採用した点が上述した第１、第２実施形態に係る光源ユニットと異なる。なお、この第３実施形態においても、配線基板６０の表面の面積は、その端面６４の面積に比べて十分に大きくなっている。
【００３０】
この第３実施形態においては、ＬＥＤ素子２のＰ電極２３は、各々、ボンディングワイヤー５４を介して、フレキシブル基板５９の表面に形成された導電パターン５５とワイヤーボンディングされている。すなわち、各ＬＥＤ素子２は、配線としてのボンディングワイヤー５４および導電パターン５５を介して、コネクタ５１と電気的に接続されている。また、このコネクタ５１は、図示を省略したＬＥＤ素子２のドライバーと接続されている。
【００３１】
一方、このＬＥＤ素子２のＮ電極２４は、金属板５８の端面６４に対して、銀ペースト等の導電性の接着剤によりボンディングされている。そして、この金属板５８は、ボンディングワイヤ５７およびフレキシブル基板５９の表面に形成された導電パターン５６を介してコネクタ５１と電気的に接続されている。
【００３２】
このような構成を有する光源ユニット８においては、各ＬＥＤ素子２から発生する熱は金属板５８全体に広がる。そして、この熱は、この金属板５８の表面全体より大気中に放出される。このとき、金属板５８の表面の面積は、その端面６４の面積に比べて十分に大きくなっていることから、各ＬＥＤ素子２から発生する熱は、十分大きな金属板５８の表面より有効に放熱されることになる。
【００３３】
また、配線基板６０におけるフレキシブル基板５９の表面は十分大きな面積を有することから、導電パターン５５等の電気的な配線密度を粗く設置することができる。このため、電気的なクロストークの発生を防止することが可能となる。
【００３４】
なお、図４および図５に示す第２実施形態の場合と同様、図６に示す配線基板６０を、ＬＥＤ素子２の列設方向と直交する方向に複数個互いに平行に配設して光源ユニットを構成してもよい。
【００３５】
次に、光源ユニット８のさらに他の実施形態について説明する。図７はこの発明の第４実施形態に係る光源ユニット８の構成を示す図であり、図７（ａ）はその平面図、また、図７（ｂ）はその正面図である。なお、上述した第１実施形態等と同一の部材については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００３６】
この第４実施形態においては、セラミック製の配線基板に一列にビアホールを形成し、この配線基板をビアホールに沿って割るいわゆるチョコレートブレイクにより配線基板６８を形成したものである。そして、ビアホールの跡にタングステンペースト等の導電性部材を注入して多数の電極６５を形成している。なお、この第４実施形態においても、配線基板６８の表面の面積は、その端面７５の面積に比べて十分に大きくなっている。
【００３７】
この第４実施形態においては、配線基板６８の端面７５に列設されたＬＥＤ素子２のＰ電極２３は、各々、ボンディングワイヤー６９を介して上述した電極６５とワイヤーボンディングされている。また、この電極６５は、導電パターン６７を介して、配線基板６８の表面に配設されたＬＥＤ素子２のドライバー６６と接続されている。
【００３８】
一方、このＬＥＤ素子２のＮ電極２４は、上述した電極６５のうちＰ電極２３と接続されていない電極６５に対して、銀ペースト等の導電性の接着剤によりボンディングされている。そして、電極６５は、導電パターン６７を介して、配線基板６８の表面に配設されたＬＥＤ素子２のドライバー６６と接続されている。
【００３９】
なお、図７においては、導電パターン６７は、その一部を省略して図示している。
【００４０】
このような構成を有する光源ユニット８においては、各ＬＥＤ素子２から発生する熱は配線基板６８全体に広がる。そして、この熱は、この配線基板６８の表面全体より大気中に放出される。このとき、配線基板６８の表面の面積は、その端面７５の面積に比べて十分に大きくなっていることから、各ＬＥＤ素子２から発生する熱は、十分大きな配線基板６８の表面より有効に放熱されることになる。
【００４１】
なお、図４および図５に示す第２実施形態の場合と同様、図７に示す配線基板６８を、ＬＥＤ素子２の列設方向と直交する方向に複数個互いに平行に配設して光源ユニットを構成してもよい。
【００４２】
次に、光源ユニット８のさらに他の実施形態について説明する。図８はこの発明の第５実施形態に係る光源ユニット８の構成を示す図であり、図８（ａ）はその平面図、また、図８（ｂ）はその正面図である。なお、上述した第１実施形態等と同一の部材については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００４３】
この光源ユニット８は、その表面に導電パターン７１、７２が形成されたセラミック製の配線基板７３と、この配線基板７３の端面８０に列設されたＬＥＤ素子２とを備える。なお、配線基板７３の表面の面積は、その端面８０の面積に比べて十分に大きくなっている。
【００４４】
このＬＥＤ素子２のＰ電極２３は、各々、ボンディングワイヤー７４を介して、配線基板７３表面の導電パターン７１に立設されたピン７６とワイヤーボンディングされている。すなわち、各ＬＥＤ素子２は、配線としてのボンディングワイヤー７４および導電パターン７１を介して、フラットケーブル７８と電気的に接続されている。また、このフラットケーブル７８は、図示を省略したＬＥＤ素子２のドライバーと接続されている。
【００４５】
一方、このＬＥＤ素子２のＮ電極２４は、配線基板７３の端面８０に印刷された電極に対して、銀ペースト等の導電性の接着剤によりボンディングされている。この電極は、配線基板７３表面の導電パターン７２に立設されたピン７７とボンディングワイヤー７５によりワイヤーボンディングされており、導電パターン７３を介してフラットケーブル７８と電気的に接続されている。
【００４６】
このような配線基板７３は、ＬＥＤ素子２の列設方向と直交する方向に複数個（図８（ｂ）において３個のみを図示）互いに平行に配設されている。そして、これらの配線基板７３は、ＬＥＤ素子２の列設方向に互いにずれた位置に配置されている。なお、この配線基板７３は、左右一対の櫛歯状位置決め部材７９に形成された凹部により、互いに等間隔離隔した平行な姿勢で所定の位置に精度よく位置決めされる。
【００４７】
このような構成を有する光源ユニット８においては、各ＬＥＤ素子２から発生する熱は配線基板７３全体に広がる。そして、この熱は、この配線基板７３の表面全体より大気中に放出される。このとき、配線基板７３の表面の面積は、その端面８０の面積に比べて十分に大きくなっていることから、各ＬＥＤ素子２から発生する熱は、十分大きな配線基板７３の表面より有効に放熱されることになる。
【００４８】
次に、光源ユニット８のさらに他の実施形態について説明する。図９はこの発明の第６実施形態に係る光源ユニット８の構成を示す図であり、図９（ａ）はその平面図、また、図９（ｂ）はその正面図である。なお、上述した第１実施形態等と同一の部材については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００４９】
この光源ユニット８は、その表面に導電パターン８３が形成されたセラミック製の配線基板８１と、この配線基板８１の端面８２に列設されたＧａＮ系ＬＥＤ素子１とを備える。なお、配線基板８１の表面の面積は、その端面８２の面積に比べて十分に大きくなっている。
【００５０】
この光源ユニット８においては、画像記録時の主走査方向（図１に示す記録ドラム７の回転方向）は、図９（ａ）においては紙面に垂直な方向、また、図９（ｂ）においてはその上下方向となっている。
【００５１】
なお、図９においては、導電パターン８３は、その一部を省略して図示している。
【００５２】
図１１は上記ＧａＮ系ＬＥＤ素子１の斜視図である。
【００５３】
このＧａＮ系ＬＥＤ素子１は、例えば、特開平４−１０６６６号公報または特開平８−３１６５２８号公報に記載されているような、ガリウム（Ｇａ）とナイトライド（Ｎ）とを利用したガリウムナイトライドＬＥＤ素子や、インジウム（Ｉｎ）とガリウム（Ｇａ）とナイトライド（Ｎ）とを利用したインジウムガリウムナイトライドＬＥＤ素子の総称である。
【００５４】
このＧａＮ系ＬＥＤ素子１は、基板１１の表面上に形成された発光層（活性層）１２を含む半導体積層構造部１６と、この半導体積層構造部１６の表面上に形成されたＰ電極１３と、半導体積層構造部１６の一部をエッチングによって削ったその上面に形成されたＮ電極１４とを備える。そして、このＬＥＤ素子１においては、Ｐ電極１３とＮ電極１４との間に電流を流すことにより、半導体積層構造部１６の表面１５または端面１７から光が出射する構成となっている。なお、光が発生するのは発光層１２であるが、その光は半導体積層構造部１６へ広がり、そこから外部に出射されるのが一般的である。
【００５５】
このＧａＮ系ＬＥＤ素子１のＰ電極１３は、図９に示すように、各々、ボンディングワイヤー８４を介して、配線基板８１の表面に形成された導電パターン８３とワイヤーボンディングされている。すなわち、各ＧａＮ系ＬＥＤ素子１は、配線としてのボンディングワイヤー８４および導電パターン８３を介して、コネクタ５１と電気的に接続されている。また、このコネクタ５１は、図示を省略したＧａＮ系ＬＥＤ素子１のドライバーと接続されている。
【００５６】
一方、このＧａＮ系ＬＥＤ素子１のＮ電極１４は、ボンディングワイヤ８５を介して、配線基板８１の裏面に形成された図示しない導電パターンと接続されており、この導電パターンはコネクタ５１と電気的に接続されている。
【００５７】
なお、図９（ｂ）に示すように、各ＧａＮ系ＬＥＤ素子１は、そのＰ電極１３とＮ電極１４とが同一の直線上に配置される角度位置で配線基板８１の端面８２に列設されている。これは、以下の理由による。
【００５８】
即ち、このＧａＮ系ＬＥＤ素子１においては、Ｐ電極１３とＮ電極１４とが基板１１に対して同一側に形成されていることから、半導体積層構造部１６の表面１５から出射される光がこれらのＰ電極１３およびＮ電極１４によって遮られることになり、半導体積層構造部１６の表面１５における光出射領域の形状が略８の字状の形状となる。このため、矩形状のＧａＮ系ＬＥＤ素子１の一辺を配線基板８１の表面と平行（副走査方向と平行）に配置した場合には、各ＧａＮ系ＬＥＤ素子１間のピッチ誤差が生じた場合に、この光源ユニット８から出射される光の照度分布が大幅に劣化する。
【００５９】
このため、この光源ユニット８においては、各ＧａＮ系ＬＥＤ素子１を、そのＰ電極１３とＮ電極１４とが同一の直線上に配置される角度位置となるように列設しているのである。
【００６０】
このような構成を有する光源ユニット８においては、各ＧａＮ系ＬＥＤ素子１から発生する熱は配線基板８１全体に広がる。そして、この熱は、この配線基板８１の表面全体より大気中に放出される。このとき、配線基板８１の表面の面積は、その端面８２の面積に比べて十分に大きくなっていることから、各ＧａＮ系ＬＥＤ素子１から発生する熱は、十分大きな配線基板８１の表面より有効に放熱されることになる。
【００６１】
なお、図４および図５に示す第２実施形態の場合と同様、図９に示す配線基板８１を、ＧａＮ系ＬＥＤ素子１の列設方向と直交する方向に複数個互いに平行に配設して光源ユニットを構成してもよい。
【００６２】
上述した第１乃至第６実施形態においては、半導体発光素子としてＬＥＤ素子２またはＧａＮ系ＬＥＤ素子１を使用しているが、例えば、開平２−２６４４９４号公報に記載されているような平面発光型のＬＤを使用してもよい。即ち、この発明に使用する半導体発光素子としては、その表面から面状に光を射出するような各種の素子を採用することができる。図１０は、平面発光型ＬＤ９０を採用した光源ユニット８の構成を示している。
【００６３】
【発明の効果】
請求項１乃至請求項３に記載の発明によれば、その表面に導電パターンが形成された配線基板と、この配線基板の端面に列設された複数個の半導体発光素子とを備えたことから、一次元状に配置された複数個の半導体発光素子からの熱を配線基板を介して放熱することができ、各半導体発光素子の温度が上昇して半導体発光素子からの光出力が低下し、また、寿命が短縮化する等の問題の発生を防止することができる。また、配線基板の表面に形成された導電パターンを利用することにより電気的な配線密度を粗く設置することができことから、電気的なクロストークの発生を防止することが可能となる。
【００６４】
請求項２に記載の発明によれば、その表面に導電パターンが形成されその端面に複数個の半導体発光素子を列設された配線基板を半導体発光素子の列設方向と直交する方向に複数個互いに平行に配設したことから、二次元状に配置された複数個の半導体発光素子からの熱を配線基板を介して解して放熱することができ、各半導体発光素子の温度が上昇して半導体発光素子からの光出力が低下するという問題の発生を防止することができる。また、櫛歯状部材を利用して位置決めを行うことから、高精度の位置決めが可能となり、さらには、配線基板間に空気の流れを形成して半導体発光素子から発生する熱を有効に放熱することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明に係る光源としての光源ユニット８を適用する画像記録装置の斜視図である。
【図２】 光源ユニット８の構成を示す斜視図である。
【図３】 ＬＥＤ素子２の斜視図である
【図４】 この発明の第２実施形態に係る光源ユニット８の構成を示す斜視図である。
【図５】 この発明の第２実施形態に係る光源ユニット８の要部を示す正面図である。
【図６】 この発明の第３実施形態に係る光源ユニット８の構成を示す斜視図である。
【図７】 この発明の第４実施形態に係る光源ユニット８の構成を示す図である。
【図８】 この発明の第５実施形態に係る光源ユニット８の構成を示す図である。
【図９】 この発明の第６実施形態に係る光源ユニット８の構成を示す図である。
【図１０】 平面発光型ＬＤ９０を採用した光源ユニット８の構成を示す図である。
【図１１】 ＧａＮ系ＬＥＤ素子１の斜視図である。
【符号の説明】
１ ＧａＮ系ＬＥＤ素子
２ ＬＥＤ素子
４ 結像光学系
５ 記録ヘッド
６ 感光材料
７ 記録ドラム
８ 光源ユニット
３６ 櫛歯状位置決め部材
３７ 凹部
５０ 端面
５２ 配線基板
５５、５６ 導電パターン
５８ 金属板
５９ フレキシブル基板
６０ 配線基板
６３ 導電パターン
６４ 端面
６７ 導電パターン
６８ 配線基板
７１、７２ 導電パターン
７３ 配線基板
７５ 端面
７９ 櫛歯状位置決め部材
８０ 端面
８１ 配線基板
８２ 端面
８３ 導電パターン
９０ 平面発光型ＬＤ

Claims (3)

1. 複数個の半導体発光素子から出射される光を利用して画像を記録する画像記録装置の光源であって、
   基板と、単一の発光点を構成する半導体発光層を含み前記基板上に形成された半導体積層構造部と、第１の電極と、第２の電極とをそれぞれが有する複数個の半導体発光素子と、
   表面と、裏面と、前記表面と裏面との間に形成された４個の端面とを有する矩形板状の形状を有し、前記複数の端面のうちの一つの端面に前記複数個の半導体発光素子が列設されるとともに、前記第１の電極に連結する第１の導電パターンと前記第２の電極に連結する第２の導電パターンとが前記表面に形成された配線基板と、
   前記配線基板における前記複数個の半導体発光素子が列設された端面とは逆側の端面に配置され、前記第１の配線パターンおよび第２の配線パターンに連結されるコネクタとを備え、
   前記配線基板の表面は当該配線基板の前記複数の半導体発光素子が列設された端面より大きな面積を有することを特徴とする画像記録装置の光源。
2. 請求項１に記載の画像記録装置の光源において、
   前記配線基板は、前記半導体発光素子の列設方向と直交する方向に互いに平行に複数個配設されており、
   前記複数個の半導体発光素子の列設方向に対し前記複数個の配線基板の両端部を保持する櫛歯状の位置決め部材をさらに備える画像記録装置の光源。
3. 請求項１または請求項２に記載の画像記録装置の光源において、
   前記複数個の半導体発光素子を駆動するドライバーをさらに備え、
   前記ドライバーは前記コネクタを介して前記配線基板と接続される画像記録装置の光源。

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