JP2000310741A - 画像記録装置の光源 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数個の半導体発光素子から出射される光を
利用して画像を記録する画像記録装置において、各半導
体発光素子間の熱的、電気的な影響を防止することがで
きる光源を提供することを目的とする。 【解決手段】 光源ユニット８は、その表面に導電パタ
ーン５５、６３が形成されたセラミック製の配線基板５
２と、この配線基板５２の端面５０に列設された複数個
のＬＥＤ素子２とを備える。なお、配線基板５２の表面
の面積は、その端面５０の面積に比べて十分に大きくな
っている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、複数個の半導体
発光素子から出射される光を利用して画像を記録する画
像記録装置に使用される光源に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、カラープリンターやイメージセ
ッター等のラスター走査型の画像記録装置においては、
光学系を簡易化および小型化する目的からＬＥＤ（ｌｉ
ｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ／発光ダイオー
ド）素子やＬＤ（ｌａｓｅｒｄｉｏｄｅ／半導体レー
ザ）等の半導体発光素子が使用されている。また、これ
らの画像記録装置においては、画像の記録に要する時間
を短縮する目的から、半導体発光素子における発光点を
１次元または２次元状に配列し、これらの発光点から出
射される１次元または２次元配列の光ビームを利用して
画像を記録する構成が採用されている。

【０００３】ところで、このように半導体発光素子にお
ける発光点を１次元または２次元状に配列するために
は、半導体発光素子自体を支持体上に列設することによ
り半導体発光素子の発光点を１次元に配列させたり、ま
た、その表面に半導体発光素子を列設された支持体を半
導体発光素子の列設方向と直交する方向に複数枚互いに
平行に配置することにより半導体発光素子の発光点を２
次元に配列する構成が採用されている。

【０００４】また、例えば特開平２−２６４４９４号公
報には、１枚のシリコン基板上に、半導体プロセスによ
り独立して変調可能な複数個の発光点を１次元または２
次元に配置した、いわゆるモノリシック素子を利用した
平面発光型のＬＤが開示されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ＬＥＤやＬＤ等の半導
体発光素子は、それ自体が発熱源となる。このため、半
導体発光素子を互いに近接配置した場合には、各半導体
発光素子の温度が上昇し、半導体発光素子からの光出力
が低下するという問題が発生する。また、半導体発光素
子を互いに近接配置した場合には、電気的なクロストー
クも発生しやすい。

【０００６】さらに、モノリシック素子を利用した平面
発光型のＬＤは、上述した問題に加え、半導体プロセス
における歩留まりが低く、素子自体が高価になるという
問題が生ずる。

【０００７】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたものであり、複数個の半導体発光素子から出射され
る光を利用して画像を記録する画像記録装置において、
各半導体発光素子間の熱的、電気的な影響を防止するこ
とができる光源を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、複数個の半導体発光素子から出射される光を利用し
て画像を記録する画像記録装置の光源であって、その表
面に導電パターンが形成された配線基板と、前記配線基
板の端面に列設された複数個の半導体発光素子とを備え
たことを特徴とする。

【０００９】請求項２に記載の発明は、複数個の半導体
発光素子から出射される光を利用して画像を記録する画
像記録装置の光源であって、その表面に導電パターンが
形成されその端面に複数個の半導体発光素子を列設され
た配線基板を、前記半導体発光素子の列設方向と直交す
る方向に複数個互いに平行に配設したことを特徴とす
る。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図１はこの発明に係る光源とし
ての光源ユニット８を適用する画像記録装置の斜視図で
ある。

【００１１】この画像記録装置は、光源ユニット８と結
像光学系４とからなる記録ヘッド５と、その外周部に感
光材料６を巻回した記録ドラム７とを備える。この画像
記録装置においては、後述する光源ユニット８から、結
像光学系４を介して、記録ドラム７に巻回された状態で
回転する感光材料６に光ビームを照射するとともに、記
録ヘッド５を記録ドラム７の軸線方向に移動させること
により、感光材料６に対して必要な画像を記録する構成
となっている。

【００１２】次に、上述した光源ユニット８の構成につ
いて説明する。図２は光源ユニット８の構成を示す斜視
図である。

【００１３】この光源ユニット８は、その表面に導電パ
ターン５５、６３が形成されたセラミック製の配線基板
５２と、この配線基板５２の端面５０に列設された複数
個の半導体発光素子としてのＬＥＤ素子２とを備える。
なお、配線基板５２の表面の面積は、その端面５０の面
積に比べて十分に大きくなっている。

【００１４】このＬＥＤ素子２は、図３に示すように、
基板２１の表面上に発光層（活性層）２２を含む形で半
導体の層を複数重ね合わせた半導体積層構造部２６を形
成しており、この半導体積層構造部２６の最上面に形成
されたＰ電極２３と、基板２１の裏面側に形成されたＮ
電極２４とを備える。このＬＥＤ素子２においては、基
板２１に対して互いに逆側に形成されたＰ電極２３とＮ
電極２４との間に電流を流すことにより、半導体積層構
造部２６の表面２５または端面２７から光が出射する構
成となっている。

【００１５】このＬＥＤ素子２のＰ電極２３は、図２に
示すように、各々、ボンディングワイヤー５４を介し
て、配線基板５２の表面に形成された導電パターン５５
とワイヤーボンディングされている。すなわち、各ＬＥ
Ｄ素子２は、配線としてのボンディングワイヤー５４お
よび導電パターン５５を介して、コネクタ５１と電気的
に接続されている。また、このコネクタ５１は、図示を
省略したＬＥＤ素子２のドライバーと接続されている。

【００１６】一方、このＬＥＤ素子２のＮ電極２４は、
配線基板５２の端面５０に印刷された電極６１に対し
て、銀ペースト等の導電性の接着剤によりボンディング
されている。この電極６１は、配線基板５２に形成され
たビアホール６２および配線基板５２の表面に形成され
た導電パターン６３を介してコネクタ５１と電気的に接
続されている。

【００１７】このような構成を有する光源ユニット８に
おいては、各ＬＥＤ素子２から発生する熱はセラミック
製の配線基板５２全体に広がる。そして、この熱は、こ
の配線基板５２の表面全体より大気中に放出される。こ
のとき、配線基板５２の表面の面積は、その端面５０の
面積に比べて十分に大きくなっていることから、各ＬＥ
Ｄ素子２から発生する熱は、十分大きな配線基板５２の
表面より有効に放熱されることになる。

【００１８】また、配線基板５２の表面は十分大きな面
積を有することから、導電パターン５５等の電気的な配
線密度を粗く設置することができる。このため、電気的
なクロストークの発生を防止することが可能となる。

【００１９】次に、光源ユニット８の他の実施形態につ
いて説明する。図４はこの発明の第２実施形態に係る光
源ユニット８の構成を示す斜視図であり、図５はその要
部を示す正面図である。なお、上述した第１実施形態と
同一の部材については、同一の符号を付して詳細な説明
を省略する。

【００２０】この第２実施形態に係る光源ユニット３
は、その表面に導電パターン５５、６３が形成され、そ
の端面５０に複数個のＬＥＤ素子２が列設された第１実
施形態と同様のセラミック製の配線基板５２を、ＬＥＤ
素子２の列設方向と直交する方向に複数個互いに平行に
配設した構成を有する。

【００２１】すなわち、図４に示すように、３個の配線
基板５２の先端部は、左右一対の櫛歯状位置決め部材３
６に形成された凹部３７内に挿入され、固定される。こ
のため、これらの配線基板５２は、左右一対の櫛歯状位
置決め部材３６により、互いに等間隔離隔した平行な姿
勢で精度よく位置決めされる。

【００２２】また、図５に示すように、３個の配線基板
５２は、各配線基板５２の先端部に列設されたＬＥＤ素
子２のピッチＰの１／３の距離［Ｐ／３］だけ、ＬＥＤ
素子２の列設方向に互いにずれた位置に配置されてい
る。

【００２３】この第２実施形態に係る光源ユニット８に
おいては、上述した第１実施形態に係る光源ユニット８
と同様、各ＬＥＤ素子２から発生する熱を有効に放熱す
ることが可能となり、また、電気的なクロストークの発
生を防止することが可能となる。

【００２４】また、この第２実施形態に係る光源ユニッ
ト８においては、各配線基板５２が左右一対の櫛歯状位
置決め部材３６により互いに間隔をあけて配置されてい
ることから、例えば冷却ファン等を利用することで、各
配線基板５２間に空気の流れを形成することができる。
このため、このため、ＬＥＤ素子２を２次元配置した場
合においても、各ＬＥＤ素子２から発生する熱を有効に
放熱することが可能となる。

【００２５】さらに、この第２実施形態に係る光源ユニ
ット８においては、多数のＬＥＤ素子２を２次元に配置
することにより、多チャンネルの光ビームを利用して画
像を記録することが可能となる。このとき、各ＬＥＤ素
子２については、左右一対の櫛歯状位置決め部材３６に
おける凹部３７を高精度に形成することにより、これら
を高精度に位置決めすることが可能となる。

【００２６】このとき、この第２実施形態に係る光源ユ
ニット８においては、この光源ユニット８を構成する多
数のＬＥＤ素子２のいずれかが点灯不可能となった場合
には、そのＬＥＤ素子２を含む配線基板５２のみを交換
すればよい。このため、メンテナンス性が向上する。ま
た、１枚のシリコン基板上に複数個の発光点を２次元に
配置したいわゆるモノリシック素子を使用した場合によ
うに、単一の発光点の動作不良により全体を交換する必
要が生ずることはない。

【００２７】次に、光源ユニット８のさらに他の実施形
態について説明する。図６はこの発明の第３実施形態に
係る光源ユニット８の構成を示す斜視図である。なお、
上述した第１実施形態等と同一の部材については、同一
の符号を付して詳細な説明を省略する。

【００２８】この第３実施形態に係る光源ユニット８
は、上述した光源ユニット８における配線基板５２に換
えて、その表面に導電パターン５５、５６が印刷された
フレキシブル基板５９と、銅またはアルミニウム等の導
電性の金属板５８とから成る配線基板６０を採用した点
が上述した第１、第２実施形態に係る光源ユニットと異
なる。なお、この第３実施形態においても、配線基板６
０の表面の面積は、その端面６４の面積に比べて十分に
大きくなっている。

【００２９】この第３実施形態においては、ＬＥＤ素子
２のＰ電極２３は、各々、ボンディングワイヤー５４を
介して、フレキシブル基板５９の表面に形成された導電
パターン５５とワイヤーボンディングされている。すな
わち、各ＬＥＤ素子２は、配線としてのボンディングワ
イヤー５４および導電パターン５５を介して、コネクタ
５１と電気的に接続されている。また、このコネクタ５
１は、図示を省略したＬＥＤ素子２のドライバーと接続
されている。

【００３０】一方、このＬＥＤ素子２のＮ電極２４は、
金属板５８の端面６４に対して、銀ペースト等の導電性
の接着剤によりボンディングされている。そして、この
金属板５８は、ボンディングワイヤ５７およびフレキシ
ブル基板５９の表面に形成された導電パターン５６を介
してコネクタ５１と電気的に接続されている。

【００３１】このような構成を有する光源ユニット８に
おいては、各ＬＥＤ素子２から発生する熱は金属板５８
全体に広がる。そして、この熱は、この金属板５８の表
面全体より大気中に放出される。このとき、金属板５８
の表面の面積は、その端面６４の面積に比べて十分に大
きくなっていることから、各ＬＥＤ素子２から発生する
熱は、十分大きな金属板５８の表面より有効に放熱され
ることになる。

【００３２】また、配線基板６０におけるフレキシブル
基板５９の表面は十分大きな面積を有することから、導
電パターン５５等の電気的な配線密度を粗く設置するこ
とができる。このため、電気的なクロストークの発生を
防止することが可能となる。

【００３３】なお、図４および図５に示す第２実施形態
の場合と同様、図６に示す配線基板６０を、ＬＥＤ素子
２の列設方向と直交する方向に複数個互いに平行に配設
して光源ユニットを構成してもよい。

【００３４】次に、光源ユニット８のさらに他の実施形
態について説明する。図７はこの発明の第４実施形態に
係る光源ユニット８の構成を示す図であり、図７（ａ）
はその平面図、また、図７（ｂ）はその正面図である。
なお、上述した第１実施形態等と同一の部材について
は、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。

【００３５】この第４実施形態においては、セラミック
製の配線基板に一列にビアホールを形成し、この配線基
板をビアホールに沿って割るいわゆるチョコレートブレ
イクにより配線基板６８を形成したものである。そし
て、ビアホールの跡にタングステンペースト等の導電性
部材を注入して多数の電極６５を形成している。なお、
この第４実施形態においても、配線基板６８の表面の面
積は、その端面７５の面積に比べて十分に大きくなって
いる。

【００３６】この第４実施形態においては、配線基板６
８の端面７５に列設されたＬＥＤ素子２のＰ電極２３
は、各々、ボンディングワイヤー６９を介して上述した
電極６５とワイヤーボンディングされている。また、こ
の電極６５は、導電パターン６７を介して、配線基板６
８の表面に配設されたＬＥＤ素子２のドライバー６６と
接続されている。

【００３７】一方、このＬＥＤ素子２のＮ電極２４は、
上述した電極６５のうちＰ電極２３と接続されていない
電極６５に対して、銀ペースト等の導電性の接着剤によ
りボンディングされている。そして、電極６５は、導電
パターン６７を介して、配線基板６８の表面に配設され
たＬＥＤ素子２のドライバー６６と接続されている。

【００３８】なお、図７においては、導電パターン６７
は、その一部を省略して図示している。

【００３９】このような構成を有する光源ユニット８に
おいては、各ＬＥＤ素子２から発生する熱は配線基板６
８全体に広がる。そして、この熱は、この配線基板６８
の表面全体より大気中に放出される。このとき、配線基
板６８の表面の面積は、その端面７５の面積に比べて十
分に大きくなっていることから、各ＬＥＤ素子２から発
生する熱は、十分大きな配線基板６８の表面より有効に
放熱されることになる。

【００４０】なお、図４および図５に示す第２実施形態
の場合と同様、図７に示す配線基板６８を、ＬＥＤ素子
２の列設方向と直交する方向に複数個互いに平行に配設
して光源ユニットを構成してもよい。

【００４１】次に、光源ユニット８のさらに他の実施形
態について説明する。図８はこの発明の第５実施形態に
係る光源ユニット８の構成を示す図であり、図８（ａ）
はその平面図、また、図８（ｂ）はその正面図である。
なお、上述した第１実施形態等と同一の部材について
は、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。

【００４２】この光源ユニット８は、その表面に導電パ
ターン７１、７２が形成されたセラミック製の配線基板
７３と、この配線基板７３の端面８０に列設されたＬＥ
Ｄ素子２とを備える。なお、配線基板７３の表面の面積
は、その端面８０の面積に比べて十分に大きくなってい
る。

【００４３】このＬＥＤ素子２のＰ電極２３は、各々、
ボンディングワイヤー７４を介して、配線基板７３表面
の導電パターン７１に立設されたピン７６とワイヤーボ
ンディングされている。すなわち、各ＬＥＤ素子２は、
配線としてのボンディングワイヤー７４および導電パタ
ーン７１を介して、フラットケーブル７８と電気的に接
続されている。また、このフラットケーブル７８は、図
示を省略したＬＥＤ素子２のドライバーと接続されてい
る。

【００４４】一方、このＬＥＤ素子２のＮ電極２４は、
配線基板７３の端面８０に印刷された電極に対して、銀
ペースト等の導電性の接着剤によりボンディングされて
いる。この電極は、配線基板７３表面の導電パターン７
２に立設されたピン７７とボンディングワイヤー７５に
よりワイヤーボンディングされており、導電パターン７
３を介してフラットケーブル７８と電気的に接続されて
いる。

【００４５】このような配線基板７３は、ＬＥＤ素子２
の列設方向と直交する方向に複数個（図８（ｂ）におい
て３個のみを図示）互いに平行に配設されている。そし
て、これらの配線基板７３は、ＬＥＤ素子２の列設方向
に互いにずれた位置に配置されている。なお、この配線
基板７３は、左右一対の櫛歯状位置決め部材７９に形成
された凹部により、互いに等間隔離隔した平行な姿勢で
所定の位置に精度よく位置決めされる。

【００４６】このような構成を有する光源ユニット８に
おいては、各ＬＥＤ素子２から発生する熱は配線基板７
３全体に広がる。そして、この熱は、この配線基板７３
の表面全体より大気中に放出される。このとき、配線基
板７３の表面の面積は、その端面８０の面積に比べて十
分に大きくなっていることから、各ＬＥＤ素子２から発
生する熱は、十分大きな配線基板７３の表面より有効に
放熱されることになる。

【００４７】次に、光源ユニット８のさらに他の実施形
態について説明する。図９はこの発明の第６実施形態に
係る光源ユニット８の構成を示す図であり、図９（ａ）
はその平面図、また、図９（ｂ）はその正面図である。
なお、上述した第１実施形態等と同一の部材について
は、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。

【００４８】この光源ユニット８は、その表面に導電パ
ターン８３が形成されたセラミック製の配線基板８１
と、この配線基板８１の端面８２に列設されたＧａＮ系
ＬＥＤ素子１とを備える。なお、配線基板８１の表面の
面積は、その端面８２の面積に比べて十分に大きくなっ
ている。

【００４９】この光源ユニット８においては、画像記録
時の主走査方向（図１に示す記録ドラム７の回転方向）
は、図９（ａ）においては紙面に垂直な方向、また、図
９（ｂ）においてはその上下方向となっている。

【００５０】なお、図９においては、導電パターン８３
は、その一部を省略して図示している。

【００５１】図１１は上記ＧａＮ系ＬＥＤ素子１の斜視
図である。

【００５２】このＧａＮ系ＬＥＤ素子１は、例えば、特
開平４−１００６６６号公報または特開平８−３１６５
２８号公報に記載されているような、ガリウム（Ｇａ）
とナイトライド（Ｎ）とを利用したガリウムナイトライ
ドＬＥＤ素子や、インジウム（Ｉｎ）とガリウム（Ｇ
ａ）とナイトライド（Ｎ）とを利用したインジウムガリ
ウムナイトライドＬＥＤ素子の総称である。

【００５３】このＧａＮ系ＬＥＤ素子１は、基板１１の
表面上に形成された発光層（活性層）１２を含む半導体
積層構造部１６と、この半導体積層構造部１６の表面上
に形成されたＰ電極１３と、半導体積層構造部１６の一
部をエッチングによって削ったその上面に形成されたＮ
電極１４とを備える。そして、このＬＥＤ素子１におい
ては、Ｐ電極１３とＮ電極１４との間に電流を流すこと
により、半導体積層構造部１６の表面１５または端面１
７から光が出射する構成となっている。なお、光が発生
するのは発光層１２であるが、その光は半導体積層構造
部１６へ広がり、そこから外部に出射されるのが一般的
である。

【００５４】このＧａＮ系ＬＥＤ素子１のＰ電極１３
は、図９に示すように、各々、ボンディングワイヤー８
４を介して、配線基板８１の表面に形成された導電パタ
ーン８３とワイヤーボンディングされている。すなわ
ち、各ＧａＮ系ＬＥＤ素子１は、配線としてのボンディ
ングワイヤー８４および導電パターン８３を介して、コ
ネクタ５１と電気的に接続されている。また、このコネ
クタ５１は、図示を省略したＧａＮ系ＬＥＤ素子１のド
ライバーと接続されている。

【００５５】一方、このＧａＮ系ＬＥＤ素子１のＮ電極
１４は、ボンディングワイヤ８５を介して、配線基板８
１の裏面に形成された図示しない導電パターンと接続さ
れており、この導電パターンはコネクタ５１と電気的に
接続されている。

【００５６】なお、図９（ｂ）に示すように、各ＧａＮ
系ＬＥＤ素子１は、そのＰ電極１３とＮ電極１４とが同
一の直線上に配置される角度位置で配線基板８１の端面
８２に列設されている。これは、以下の理由による。

【００５７】即ち、このＧａＮ系ＬＥＤ素子１において
は、Ｐ電極１３とＮ電極１４とが基板１１に対して同一
側に形成されていることから、半導体積層構造部１６の
表面１５から出射される光がこれらのＰ電極１３および
Ｎ電極１４によって遮られることになり、半導体積層構
造部１６の表面１５における光出射領域の形状が略８の
字状の形状となる。このため、矩形状のＧａＮ系ＬＥＤ
素子１の一辺を配線基板８１の表面と平行（副走査方向
と平行）に配置した場合には、各ＧａＮ系ＬＥＤ素子１
間のピッチ誤差が生じた場合に、この光源ユニット８か
ら出射される光の照度分布が大幅に劣化する。

【００５８】このため、この光源ユニット８において
は、各ＧａＮ系ＬＥＤ素子１を、そのＰ電極１３とＮ電
極１４とが同一の直線上に配置される角度位置となるよ
うに列設しているのである。

【００５９】このような構成を有する光源ユニット８に
おいては、各ＧａＮ系ＬＥＤ素子１から発生する熱は配
線基板８１全体に広がる。そして、この熱は、この配線
基板８１の表面全体より大気中に放出される。このと
き、配線基板８１の表面の面積は、その端面８２の面積
に比べて十分に大きくなっていることから、各ＧａＮ系
ＬＥＤ素子１から発生する熱は、十分大きな配線基板８
１の表面より有効に放熱されることになる。

【００６０】なお、図４および図５に示す第２実施形態
の場合と同様、図９に示す配線基板８１を、ＧａＮ系Ｌ
ＥＤ素子１の列設方向と直交する方向に複数個互いに平
行に配設して光源ユニットを構成してもよい。

【００６１】上述した第１乃至第６実施形態において
は、半導体発光素子としてＬＥＤ素子２またはＧａＮ系
ＬＥＤ素子１を使用しているが、例えば、開平２−２６
４４９４号公報に記載されているような平面発光型のＬ
Ｄを使用してもよい。即ち、この発明に使用する半導体
発光素子としては、その表面から面状に光を射出するよ
うな各種の素子を採用することができる。図１０は、平
面発光型ＬＤ９０を採用した光源ユニット８の構成を示
している。

【００６２】

【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、その表
面に導電パターンが形成された配線基板と、この配線基
板の端面に列設された複数個の半導体発光素子とを備え
たことから、一次元状に配置された複数個の半導体発光
素子からの熱を配線基板を介して放熱することができ、
各半導体発光素子の温度が上昇して半導体発光素子から
の光出力が低下し、また、寿命が短縮化する等の問題の
発生を防止することができる。また、配線基板の表面に
形成された導電パターンを利用することにより電気的な
配線密度を粗く設置することができことから、電気的な
クロストークの発生を防止することが可能となる。

【００６３】請求項２に記載の発明は、その表面に導電
パターンが形成されその端面に複数個の半導体発光素子
を列設された配線基板を半導体発光素子の列設方向と直
交する方向に複数個互いに平行に配設したことから、二
次元状に配置された複数個の半導体発光素子からの熱を
配線基板を介して解して放熱することができ、各半導体
発光素子の温度が上昇して半導体発光素子からの光出力
が低下するという問題の発生を防止することができる。
また、配線基板の表面に形成された導電パターンを利用
することにより電気的な配線密度を粗く設置することが
できことから、電気的なクロストークの発生を防止する
ことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る光源としての光源ユニット８を
適用する画像記録装置の斜視図である。

【図２】光源ユニット８の構成を示す斜視図である。

【図３】ＬＥＤ素子２の斜視図である

【図４】この発明の第２実施形態に係る光源ユニット８
の構成を示す斜視図である。

【図５】この発明の第２実施形態に係る光源ユニット８
の要部を示す正面図である。

【図６】この発明の第３実施形態に係る光源ユニット８
の構成を示す斜視図である。

【図７】この発明の第４実施形態に係る光源ユニット８
の構成を示す図である。

【図８】この発明の第５実施形態に係る光源ユニット８
の構成を示す図である。

【図９】この発明の第６実施形態に係る光源ユニット８
の構成を示す図である。

【図１０】平面発光型ＬＤ９０を採用した光源ユニット
８の構成を示す図である。

【図１１】ＧａＮ系ＬＥＤ素子１の斜視図である。

【符号の説明】

１ ＧａＮ系ＬＥＤ素子 ２ ＬＥＤ素子 ４ 結像光学系 ５ 記録ヘッド ６ 感光材料 ７ 記録ドラム ８ 光源ユニット ３６ 櫛歯状位置決め部材 ３７ 凹部 ５０ 端面 ５２ 配線基板 ５５、５６ 導電パターン ５８ 金属板 ５９ フレキシブル基板 ６０ 配線基板 ６３ 導電パターン ６４ 端面 ６７ 導電パターン ６８ 配線基板 ７１、７２ 導電パターン ７３ 配線基板 ７５ 端面 ７９ 櫛歯状位置決め部材 ８０ 端面 ８１ 配線基板 ８２ 端面 ８３ 導電パターン ９０ 平面発光型ＬＤ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数個の半導体発光素子から出射される
   光を利用して画像を記録する画像記録装置の光源であっ
   て、 その表面に導電パターンが形成された配線基板と、 前記配線基板の端面に列設された複数個の半導体発光素
   子と、 を備えたことを特徴とする画像記録装置の光源。
2. 【請求項２】 複数個の半導体発光素子から出射される
   光を利用して画像を記録する画像記録装置の光源であっ
   て、 その表面に導電パターンが形成されその端面に複数個の
   半導体発光素子を列設された配線基板を、前記半導体発
   光素子の列設方向と直交する方向に複数個互いに平行に
   配設したことを特徴とする画像記録装置の光源。