JP3805564B2 - 新規な(メタ)アクリル酸エステル、新規なノルボルネン誘導体、およびそれらから誘導される新規なポリマー - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、新規な(メタ)アクリル酸エステル、新規なノルボルネン誘導体、およびそれらから誘導される新規なポリマーに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、(メタ)アクリル酸エステル、ノルボルネン誘導体、およびそれらから誘導されるポリマーは、半導体の特に超微細加工のためのクリプトンフッ素(以下KrFと表す)やアルゴンフッ素(以下ArFと表す)等のエキシマレーザー用フォトレジスト原材料として注目されている。
【0003】
このような目的に使用されるアクリル酸エステル、メタクリル酸エステルおよびノルボルネン誘導体としては、例えば、t−ブチル(メタ)アクリレート、1−メチル−1−シクロヘキシル(メタ)アクリレート、ジヒドロ−α−ターピニル(メタ)アクリレート、2−メチル−2−アダマンタニル(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリル酸エステルや、t−ブチルオキシカルボニルノルボルネン、1−メチル−1−シクロヘキソキシカルボニルノルボルネン、ジヒドロ−α−ターピニルオキシカルボニルノルボルネン、2−メチル−2−アダマンタニルオキシカルボニルノルボルネン等のノルボルネン誘導体が挙げられる。
【0004】
また、実際のフォトレジスト材料としては、これらのアクリル酸エステルやメタクリル酸エステルおよびノルボルネン誘導体を単独で重合させるか、または、ヒドロキシスチレンやブトキシスチレン、スチレン、無水マレイン酸、(メタ)アクリル酸エステル等のモノマー成分と共重合させて得られるポリマーが使用されている。
【0005】
しかしながら、これらの化合物から得られるポリマーは、エキシマレーザー用フォトレジスト材料としての高解像度付与性、耐ドライエッチング性、レジストの透明性、基板などとの密着性などの性能が必ずしも満足するものではなかった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、かかる従来技術の課題を背景になされたもので、新規な(メタ)アクリル酸エステル、新規なノルボルネン誘導体、およびそれらから誘導される、フォトレジスト材料としての高解像度付与性、耐ドライエッチング性、レジストの透明性、基板などとの密着性などの性能に優れた新規なポリマーを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記問題点を解決するために鋭意検討した結果、上記目的を達成できることを見出し、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、下記一般式1、一般式3で表される新規な(メタ)アクリル酸エステル、下記一般式4、一般式6で表される新規なノルボルネン誘導体を提供するものである。
【0008】
【化7】
【0009】
【化8】
【0010】
【化9】
【0011】
【化10】
【0012】
(上記一般式1〜4中、R1 およびR2 は同一または異なり、互いに結合し、環状構造を形成する炭素数1〜20の直鎖状または分岐状のアルキル基を表す。R3 およびR6 は炭素数1〜20のアルキル基または水素原子を表す。R4 およびR5 は同一または異なり、互いに独立または結合した炭素数1〜20のアルキル基を表す。R7 は炭素数1〜20のアルキル基を表す。X1 はメチル基または水素原子を表す。)
【0013】
上記一般式1で表される(メタ)アクリル酸エステルは、下記一般式2で表される3−オキソ−8−ターピニル(メタ)アクリレートであることが好ましい。また、上記一般式4で表されるノルボルネン誘導体は、下記一般式5で表される3−オキソ−8−ターピニルオキシカルボニルノルボルネンであることが好ましい。
【0014】
【化11】
【0015】
【化12】
【0016】
(上記一般式2、一般式5中、X1 はメチル基または水素原子を表す。)
さらに、本発明は、上記一般式1〜4で表される化合物の少なくとも1種を分子中に構成単位として含む新規なポリマーを、提供するものである。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下本発明を、詳細に説明する。
本発明の新規な(メタ)アクリル酸エステルは、一般式1、一般式3で表される化合物で、カルボルニル基を有し、そのカルボニル基のβ位の3級炭素に(メタ)アクリル酸エステル基が結合し、かつ単環状構造を有した化合物である。一般式1、一般式3中のR1 〜R7 で表されるアルキル基または水素原子の内、アルキル基の炭素数は1〜20であり、好ましくは、1〜10である。
【0018】
本発明の、一般式1、一般式3で表される新規な(メタ)アクリル酸エステルは、通常下記一般式7、一般式8で表される環状オキソ3級アルコールをエステル化することにより製造することができる。そのエステル化の方法は、通常行われている3級アルコールからのエステルの合成法により行うことができる。即ち、上記3級アルコールを(メタ)アクリル酸クロリドや(メタ)アクリル酸無水物と反応させることにより行うことができる。また、本発明者らが開発した、3級アルコールをアミン化合物の存在下、(メタ)アクリル酸および有機カルボン酸無水物と反応させる方法でも製造できる(特願平11−126703号明細書)。
【0019】
【化13】
【0020】
【化14】
【0021】
(上記一般式7〜8中、R1 およびR2 は同一または異なり、互いに結合し、環状構造を形成する炭素数1〜20の直鎖状または分岐状のアルキル基を表す。R3 およびR6 は炭素数1〜20のアルキル基または水素原子を表す。R4 およびR5 は同一または異なり、互いに独立または結合した炭素数1〜20のアルキル基を表す。R7 は炭素数1〜20のアルキル基を表す。X1 はメチル基または水素原子を表す。)
【0022】
一般式1で表される化合物の具体的な好ましい例としては、例えば一般式2に表される3−オキソ−8−ターピニルアクリレートまたは3−オキソ−8−ターピニルメタクリレートが挙げられる。一般式2は、一般式1のR1 が炭素数3のアルキル基、R2 が炭素数2のアルキル基でかつR1 とR2 は互いに結合し、R4 およびR5 がそれぞれ炭素数1のアルキル基、R3 が水素原子で表されたものである。3−オキソ−8−ターピニルアクリレートまたは3−オキソ−8−ターピニルメタクリレートなどは、下記化学式1に表される3−オキソ−8−ターピネオールより、上記と同様のエステル化により製造することができる。
【0023】
【化15】
【0024】
その製造方法としては、例えば3−オキソ−8−ターピネオールを、1.0〜6.0倍モルのアクリル酸クロリドまたはメタクリル酸クロリドと、1.0〜9.0倍モルのアミン化合物の存在下で0〜180℃の温度で1〜10時間反応させることにより製造することができる。アクリル酸クロリドまたはメタクリル酸クロリドのモル数が1.0倍モル未満の場合、反応率が低くなりすぎ、一方、9.0倍モルを超えてもそれ以上収率の向上が認められず好ましくない。また、反応温度が0℃未満だと反応速度が遅く経済的に不利となり、一方、180℃を超えると副反応が顕著となり、収率の低下が著しく経済的に不利となるため好ましくない。
【0025】
また、この時使用されるアミン化合物としては、トリエチルアミン、ピリジン、4−ジメチルアミノピリジンなどが挙げられる。その際、反応溶媒は使用しなくてもよいが、芳香族系炭化水素類、エーテル類、アセトニトリルなどの溶媒を使用することもできる。
【0026】
この3−オキソ−8−ターピネオールの製造法としては、例えばシトロネラールを鉱酸触媒で反応させることにより、下記化学式2に表されるパラメンタン−3,8−ジオールとし、これを酸化することにより得られる。その酸化方法としては、例えばパラメンタン−3,8−ジオールを有機酸に溶解し、1.0〜6.0倍モルのさらし粉の水溶液を0〜60℃の温度で滴下し反応させる方法が挙げられる。
【0027】
【化16】
【0028】
一般式1で表される化合物の他の具体的な好ましい例としては、例えば3−オキソ−1−ターピニルアクリレート、3−オキソ−1−ターピニルメタクリレート、2−オキソ−4−ターピニルアクリレートまたは2−オキソ−4−ターピニルメタクリレート、下記化学式3、化学式4に表される環状オキソ3級アルコールをエステル化することにより得られるアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステルが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0029】
【化17】
【0030】
【化18】
【0031】
また、一般式3で表される化合物の具体的な好ましい例としては、例えば下記化学式5、化学式6に表される環状オキソ3級アルコールをエステル化することにより得られるアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステルが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0032】
【化19】
【0033】
【化20】
【0034】
本発明の新規なノルボルネン誘導体は、一般式4、一般式6で表される化合物で、通常、一般式1、一般式3で表される新規な(メタ)アクリル酸エステルとシクロペンタジエン系化合物のディールス・アルダー反応により製造することができる。そのシクロペンタジエン系化合物としては、例えばシクロペンタジエン、ジシクロペンタジエンが挙げられる。一般式4、一般式6中のRで表されるアルキル基または水素原子の内、アルキル基の炭素数は1〜20であり、好ましくは、1〜10である。
【0035】
一般式4で表される化合物の具体的な好ましい例としては、例えば一般式5で表される3−オキソ−8−ターピニルオキシカルボニルノルボルネンが挙げられる。一般式5は、一般式4のR1 が炭素数3のアルキル基、R2 が炭素数2のアルキル基でかつR1 とR2 は互いに結合し、R4 およびR5 がそれぞれ炭素数1のアルキル基、R3 が水素原子で表されたものである。3−オキソ−8−ターピニルオキシカルボニルノルボルネンは、通常、一般式2に表される3−オキソ−8−ターピニルアクリレートまたは3−オキソ−8−ターピニルメタクリレートから、上記と同様のディールス・アルダー反応により製造することができる。
【0036】
この3−オキソ−8−ターピニルオキシカルボニルノルボルネンは、例えば3−オキソ−8−ターピニルアクリレートを1.0〜1.5倍モルのシクロペンタジエンと5〜50℃の温度で1〜20時間反応させることにより製造することができる。シクロペンタジエンが1.0倍モル未満の場合、反応率が低くなりすぎ、一方、1.5倍モルを超えてもそれ以上収率の向上が認められず、副反応の割合が大きくなり好ましくない。また、反応の際、特に反応形式に制限はない。
【0037】
一般式4で表される化合物の他の具体的な好ましい例としては、例えば3−オキソ−1−ターピニルアクリレート、3−オキソ−1−ターピニルメタクリレート、2−オキソ−4−ターピニルアクリレートまたは2−オキソ−4−ターピニルメタクリレート、一般式4、一般式6で表される環状オキソ3級アルコールをエステル化することにより得られるアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステルを、シクロペンタジエン系化合物とディールス・アルダー反応させることにより得られるノルボルネン誘導体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0038】
また、一般式6で表される化合物の具体的な好ましい例としては、例えば化学式5、化学式6で表される環状オキソ3級アルコールをエステル化することにより得られるアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステルを、シクロペンタジエン系化合物とディールス・アルダー反応させることにより得られるノルボルネン誘導体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0039】
本発明の新規な(メタ)アクリル酸エステルや新規なノルボルネン誘導体から誘導される新規なポリマーは、通常、本発明の新規な(メタ)アクリル酸エステルや新規なノルボルネン誘導体を単独で重合させるか、または他のモノマー成分と共重合させることにより製造される。他のモノマー成分としては、通常ヒドロキシスチレンやブトキシスチレン、アクリル酸、メタクリル酸、無水マレイン酸、(メタ)アクリル酸エステル等の化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0040】
KrFエキシマレーザー用フォトレジストには、一般にポリヒドロキシスチレン系のベースポリマーが用いられる。KrFエキシマレーザー用フォトレジストに好適な本発明の新規なポリマーとしては、通常本発明の一般式1、一般式3で表される新規な(メタ)アクリル酸エステルをヒドロキシスチレンやブトキシスチレン、スチレン、他の(メタ)アクリル酸エステル等と共重合させて製造されるポリマーが挙げられる。
【0041】
このポリマー中に含まれる本発明の一般式1、一般式3で表される新規な(メタ)アクリル酸エステルの構成単位の割合は、通常他のモノマーを含めた全量に対して3〜70モル%、好ましくは5〜50モル%である。新規な(メタ)アクリル酸エステルの構成単位の割合が3モル%未満では、フォトレジストとしての十分な性能が得られず好ましくなく、一方、70モル%を超えてもそれ以上の性能の向上が認められない。
【0042】
また、ArFエキシマレーザー用フォトレジストには、一般に(メタ)アクリル酸エステルやノルボルネン誘導体を構成単位とするポリマーが用いられる。ArFエキシマレーザー用フォトレジストに好適な本発明の新規なポリマーとしては、通常本発明の一般式1、一般式3で表される新規な(メタ)アクリル酸エステルや一般式4、一般式6で表される新規なノルボルネン誘導体を、互いに単独または混合して重合させるか、またはこれらの化合物と他のモノマー成分とを共重合させて製造されるポリマーが挙げられる。
【0043】
このポリマー中に含まれる本発明の新規な(メタ)アクリル酸エステルや新規なノルボルネン誘導体の構成単位の割合は、通常他のモノマーを含めた全量に対して5〜100モル%、好ましくは10〜100モル%である。新規な(メタ)アクリル酸エステルの構成単位の割合が5モル%未満では、フォトレジストとしての十分な性能が得らず好ましくない。
【0044】
他のモノマー成分としては、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、無水マレイン酸等のエチレン性不飽和カルボン酸、t−ブチル(メタ)アクリレート、1−メチル−1−シクロヘキシル(メタ)アクリレート、ジヒドロ−α−ターピニル(メタ)アクリレート、2−メチル−2−アダマンタニル(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリル酸エステルや、t−ブチルオキシカルボニルノルボルネン、1−メチル−1−シクロヘキソキシカルボニルノルボルネン、ジヒドロ−α−ターピニルオキシカルボニルノルボルネン、2−メチル−2−アダマンタニルオキシカルボニルノルボルネン等のノルボルネン誘導体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0045】
本発明の新規なポリマーを製造する際の重合方法としては、従来から行われている公知の方法で行うことができる。例えば、溶媒中で重合開始剤の存在下、ラジカル重合させることにより行われる。その際溶媒としては、特に制限は無く、例えばメタノール、エタノール等のアルコール系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン等の炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム等の塩素系溶媒等が挙げられる。また、重合開始剤としては、特に制限はなく一般に使用される重合開始剤が使用でき、例えばベンゾイルパーオキシド、アゾビスイソブチロニトリル等が挙げられる。
【0046】
本発明の新規なポリマーの具体例として、一般式2で表される3−オキソ−8−ターピニルアクリレートや3−オキソ−8−ターピニルメタクリレートをヒドロキシスチレンおよびスチレンと共重合させることにより得られるポリマーが挙げられる。
【0047】
また、本発明の新規なポリマーの他の具体例として、一般式2で表される3−オキソ−8−ターピニルメタクリレートや3−オキソ−8−ターピニルメタクリレートをアクリル酸やメタクリル酸、無水マレイン酸、t−ブチル(メタ)アクリレートや2−メチル−2−アダマンタニル(メタ)アクリレート、1−メチル−1−シクロヘキシル(メタ)アクリレート等と共重合させることにより得られるポリマーが挙げられる。
【0048】
さらに、本発明の新規なポリマーの他の具体例として、一般式5で表される3−オキソ−8−ターピニルオキシカルボニルノルボルネンをアクリル酸やメタクリル酸、無水マレイン酸と共重合させることにより得られるポリマーが挙げられる。しかしながら本発明の新規なポリマーは上記ポリマーに限定されるものではない。
本発明の新規なポリマーのゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は、通常2,000〜100,000、好ましくは5,000〜60,000、さらに好ましくは8,000〜12,000、特に好ましくは9,500〜10,000である。Mwが2,000未満では製膜性が悪化する。一方、100,000を超えると溶媒へ溶けにくくなる。また、ポリマーの分散度(Mw/ポリスチレン換算数平均分子量)は、好ましくは1〜5、さらに好ましくは1〜3、特に好ましくは1.5〜1.8である。
【0049】
本発明の新規なポリマーをエキシマレーザー露光による半導体の微細パターン形成用リソグラフィーに使用すると、従来の技術では達成できなかった高解像度付与性、高耐ドライエッティング性、高透明性および高密着性が得られる。
【0050】
即ち、本発明の新規な(メタ)アクリル酸エステルや、新規なノルボルネン誘導体から誘導される新規なポリマーは、分子内にカルボルニル基を有し、そのカルボニル基のβ位の3級炭素に(メタ)アクリル酸エステル基が結合し、かつ単環状構造を有した化合物であり、エキシマレーザー露光により光酸発生剤の分解により発生した酸で分子内の3級エステル基が容易に脱離し、カルボン酸が生成することにより現像可能となる。ここで、この3級エステル基がカルボニル基のβ位に在ることから、脱離して生成する化合物はα,β−不飽和カルボニル化合物となるため、この脱離が極めて容易におこる。さらに、脱離したα,β−不飽和カルボニル化合物は、極性を有する化合物であるためアルカリ現像液に対する溶解性が良好となる。このような作用機構により、本発明のフォトレジスト組成物は従来にない高解像度付与性で鮮明なレジストパターンが得られると考えられる。さらに、本発明の新規なポリマーは、環状構造を有した化合物であるため高耐ドライエッティング性が得られ、また、カルボニル基等を有するため高密着性が得られると考えられる。
【0051】
本発明の新規なポリマーを用いて半導体の微細パターン形成用リソグラフィーに使用する場合、上記新規なポリマーをシクロヘキサノンなどの溶媒をもちいて12%程度の溶液とし、公知の塗布技術により、シリコンウェハーなどの基板上に塗布し、フォトレジスト用被膜を形成する。必要に応じて、あらかじめプレベークを行った後、KrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)などで、露光する。この場合のフォトレジスト用被膜の透明度は、被膜1μm換算で、好ましくは70%以上、さらに好ましくは75%以上である。
【0052】
本発明の新規な(メタ)アクリル酸エステル、およびそれらから誘導される新規なポリマーの構造の同定法について、化学式1で表される3−オキソ−8−ターピネオールを具体例として下記に説明する。
3−オキソ−8−ターピネオールのIRは、C=O伸縮に起因する1,700cm-1付近のピーク、O−H伸縮に起因する3,500cm-1付近のピークにより確認できる。
【0053】
また、3−オキソ−8−ターピネオールのプロトンNMRは、シクロヘキサン環に結合するCH3 基のプロトンに起因する1.02〜1.04ppm付近のピーク、(CH3 )2 C(OH)基のCH3 基のプロトンに起因する1.20〜1.30ppm付近のピーク、CH2 CH2 基のプロトンに起因する1.80〜2.12ppm付近のピーク、C=O基の隣の炭素原子に結合しているプロトンに起因する2.32〜2.39ppm付近のピーク、OH基のプロトンに起因する3.9〜4.1ppm付近のピークにより確認できる。
【0054】
さらに、3−オキソ−8−ターピネオールのカーボン13NMRは、CH3 基の炭素原子に起因する22〜23ppm付近のピーク、CH3 基が結合している炭素原子に起因する24〜26ppm付近のピーク、シクロヘキサン環のCH2 CH2 基の炭素原子に起因する27〜29ppm付近のピーク、(CH3 )2 C(OH)基のCH3 基の炭素原子に起因する33〜36ppm付近のピーク、C=O基の隣のCH2 の炭素原子に起因する50〜52ppm付近のピーク、(CH3 )2 C(OH)基と結合している炭素原子に起因する58〜60ppm付近のピーク、OH基と結合している炭素原子に起因する70〜72ppm付近のピーク、C=O基の炭素原子に起因する214〜216ppm付近のピークにより確認できる。
さらに、ガスクロマトグラフィー質量分析装置(GC−MS)によって、分子量170の3−オキソ−8−ターピネオールが、水1分子の脱離により、分子量152となることも確認できる。また、元素組成比は、元素分析により知ることができる。
【0055】
本発明の新規なノルボルネン誘導体、およびそれらから誘導される新規なポリマーの構造の同定法について、一般式5で表される3−オキソ−8−ターピニルオキシカルボニルノルボルネンを具体例として下記に説明する。
3−オキソ−8−ターピニルオキシカルボニルノルボルネンのプロトンNMRは、上記3−オキソ−8−ターピネオールと同様のピークに加えて、CH=CH基の両隣のCH基のプロトンに起因する1.50〜1.63ppm付近のピーク、C=O基の隣の炭素原子に結合しているプロトンに起因する1.80〜2.02ppm付近のピーク、CH=CH基のプロトンに起因する6.00〜6.20ppm付近のピークにより確認できる。
【0056】
さらに、また、3−オキソ−8−ターピニルオキシカルボニルノルボルネンのカーボン13NMRは、上記3−オキソ−8−ターピネオールと同様のピークに加えて、ノルボルネン環の二重結合を含む5員環のCH2 基およびCH基の炭素原子に起因する32〜38ppm付近のピーク、カルボニル基と結合しているノルボルネン環のCH基に起因する45〜47ppm付近のピーク、CH=CHの炭素原子に起因する134〜139ppm付近のピーク、ノルボルネン環と結合しているC=Oの炭素原子に起因する174〜176ppm付近のピークにより確認できる。
さらに、ガスクロマトグラフィー質量分析装置(GC−MS)によって、分子量290の3−オキソ−8−ターピニルオキシカルボニルノルボルネンであることを確認できる。また、元素組成比は、元素分析により知ることができる。
【0057】
本発明の新規な(メタ)アクリル酸エステルおよび新規なノルボルネン誘導体は、フォトレジスト分野以外に、光や熱を利用する硬化型樹脂分野にも使用できる。例えば、プラスチック、金属、木材、紙などの塗装や印刷などに使用されるUV塗料やUVインク、コーティング剤等の分野が挙げられる。
【0058】
また、本発明の新規な(メタ)アクリル酸エステル、新規なノルボルネン誘導体から誘導される新規なポリマーは、KrFおよびArFエキシマレーザー用フォトレジストのみならず、より短波長の遠紫外光や電子線を用いたフォトレジストにも応用できる。
【0059】
さらに本発明の新規なポリマーは、フォトレジスト用のみならず、高分子材料、光学材料、ポリマー改質剤、接着剤、粘着付与改質剤、塗料改質剤、インキ改質剤等に使用できる。
【0060】
【実施例】
次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、参考例、実施例中の部および%は、特に断らないかぎり、重量部および重量%である。
【0061】
下記実施例における分析、評価は下記の機器を使用した。
重量平均分子量;Waters社製ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)モデル510、ポリスチレン換算
NMR;日本電子(株)社製、JNM−LA400、周波数400MHz(溶媒;CDCl3 )
ガスクロマトグラフィー質量分析装置(MS);HEWLETT PACKARD社製、HP6890 GC System、カラム;HP−5MS(Crosslinked5%、Ph,MeSiloxane)径0.25mm×30m、イオン化モード;EI
KrFエキシマレーザー;株式会社ニコン製、NSR−2205EX14C
ArFエキシマレーザー;株式会社ニコン製、NA055
【0062】
また、共重合体の比較例として、下記の共重合体を調製した。
t−ブチルアクリレート共重合体(比較例1);t−ブチルアクリレート、ヒドロキシスチレンおよびスチレンを、20:60:20のモル比率で10g調製し、重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.4gと共に、テトラヒドロフラン(THF)50mlに溶解した。得られた溶液を、液体窒素で凍結し、30分間脱気を4回行った後、20℃にした。次に、窒素気流下、油温60℃で8時間加熱し、ヘキサンにより反応を停止した。ヘキサンで再度沈殿させた後、ろ別し、真空下で溶媒を除去して、t−ブチルアクリレート共重合体8.1gを得た。得られた共重合体の重量平均分子量(Mw)は、10,000(分散度1.7)であった。
t−ブチルメタクリレート共重合体(比較例2);t−ブチルメタクリレート、ヒドロキシスチレンおよびスチレンを、20:60:20のモル比率で10g調製し、重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.4gと共に、THF50mlに溶解した。得られた溶液を、液体窒素で凍結し、30分間脱気を4回行った後、20℃にした。次に、窒素気流下、油温60℃で8時間加熱し、ヘキサンにより反応を停止した。ヘキサンで再度沈殿させた後、ろ別し、真空下で溶媒を除去して、t−ブチルメタクリレート共重合体7.9gを得た。得られた共重合体の重量平均分子量(Mw)は、9,800(分散度1.6)であった。
【0063】
t−ブチルメタクリレート共重合体(比較例3);t−ブチルメタクリレートおよびメタクリル酸を、60:40のモル比率で10g調製し、重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.4gと共に、THF50mlに溶解した。得られた溶液を、液体窒素で凍結し、30分間脱気を4回行った後、20℃にした。次に、窒素気流下、油温60℃で8時間加熱し、ヘキサンにより反応を停止した。ヘキサンで再度沈殿させた後、ろ別し、真空下で溶媒を除去して、t−ブチルメタクリレート共重合体8.3gを得た。得られた共重合体の重量平均分子量(Mw)は、10,000(分散度1.7)であった。
t−ブチルオキシカルボニルノルボルネン共重合体(比較例4);t−ブチルオキシカルボニルノルボルネンおよび無水マレイン酸を、60:40のモル比率で10g調製し、重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.4gと共に、THF50mlに溶解した。得られた溶液を、液体窒素で凍結し、30分間脱気を4回行った後、20℃にした。次に、窒素気流下、油温60℃で8時間加熱し、ヘキサンにより反応を停止した。ヘキサンで再度沈殿させた後、ろ別し、真空下で溶媒を除去して、t−ブチルオキシカルボニルノルボルネン共重合体8.4gを得た。得られた共重合体の重量平均分子量(Mw)は、9,800(分散度1.5)であった。
【0064】
参考例1〔3−オキソ−8−ターピネオール(化学式1)の合成例〕
攪拌装置および還流冷却器を取り付けた0.5Lの四つ口フラスコ中に、シトロネラール70g(0.45モル)を仕込み、内温が2〜28℃の範囲におさまるように水浴で冷却しながら、5%硫酸350gを3時間かけて滴下した。その後内温が20〜30℃の条件で6時間、後反応を実施した。反応液にトルエン100gを加え、5%炭酸水素ナトリウム水溶液で2回、上水で2回洗浄後、減圧蒸留することにより、ガスクロマトグラフィー(以下「GC」という)による純度96%のパラメンタン−3,8−ジオール56.4gを得た。得られた生成物は、沸点が150℃/5mmHgで、シトロネラール基準で収率70%であった。
【0065】
次に、攪拌装置および還流冷却器を取り付けた1Lの四つ口フラスコ中に、得られたパラメンタン−3,8−ジオール56.4g(0.31モル)および酢酸50gを仕込み、内温が10〜30℃の範囲におさまるように水浴で冷却しながら、10%さらし粉水溶液700gを2時間かけて滴下した。その後内温が20〜30℃の条件で3時間、後反応を実施した。反応液にトルエン200gを加え、攪拌した後分液し、有機層を5%炭酸水素ナトリウム水溶液で2回、上水で2回洗浄後、減圧蒸留することにより、GCによる純度96%の無色透明液体51.0gを得た。得られた生成物は、沸点58℃/3mmHg、パラメンタン−3,8−ジオール基準で93%の収率であった。また、生成物は、核磁気共鳴スペクトル分析(NMR)およびGC質量分析(GC−MS)により、3−オキソ−8−ターピネオールであることを確認した。生成物のIRチャートを図1に、プロトン−NMRチャートを図2に、カーボン13−NMRチャートを図3に、GC−MSチャートを図4に示す。
【0066】
実施例1〔3−オキソ−8−ターピニルアクリレート(一般式2)の合成(1)〕
攪拌装置および還流冷却器を取り付けた0.5Lの四つ口フラスコ中に、3−オキソ−8−ターピネオール51.0g(0.29モル、純度96%)、トルエン150g、ハイドロキノン0.1g、およびトリエチルアミン59.2g(0.58モル、純度99%)を入れて攪拌しながら40℃に加熱し、そこへアクリル酸クロリド49.5g(0.52モル、純度95%)を2時間かけて滴下し反応を実施した。冷却後、反応液を5%炭酸水素ナトリウム水溶液で2回、上水で2回洗浄後、減圧蒸留することにより、GCによる純度97%の無色透明液体46.8gを得た。得られた生成物は、沸点94℃/2mmHg、3−オキソ−8−ターピネオール基準で収率70%であった。また、生成物は、NMRおよびGC−MSにより、3−オキソ−8−ターピニルアクリレートであることを確認した。生成物のプロトン−NMRチャートを図5に、カーボン13−NMRチャートを図6に、GC−MSチャートを図7に示す。
【0067】
実施例2〔3−オキソ−8−ターピニルアクリレート(一般式2)の合成(2)〕
攪拌装置および還流冷却器を取り付けた1.0Lの四つ口フラスコ中に、3−オキソ−8−ターピネオール51.0g(0.29モル、純度96%)、アクリル酸86.1g(1.16モル、純度97%)、無水酢酸59.7g(0.58モル、純度99%)およびトリエチルアミン88.7g(0.87モル、純度99%)を入れ、85℃で12時間加熱攪拌し、反応を実施した。冷却後、反応液をトルエン中に投入して分液後、有機層を5%炭酸水素ナトリウム水溶液で2回、上水で2回洗浄後、減圧蒸留することにより、GCによる純度97%の無色透明液体40.1gを得た。得られた生成物は、沸点94℃/2mmHg、3−オキソ−8−ターピネオール基準で収率60%であった。また、生成物は、NMRおよびGC−MSにより、3−オキソ−8−ターピニルアクリレートであることを確認した。生成物のプロトン−NMRチャートを図8に、カーボン13−NMRチャートを図9に、GC−MSチャートを図10に示す。
【0068】
実施例3〔3−オキソ−8−ターピニルメタクリレート(一般式2)の合成〕攪拌装置および還流冷却器を取り付けた0.5Lの四つ口フラスコ中に、3−オキソ−8−ターピネオール51.0g(0.29モル、純度96%)、アセトニトリル130g、ハイドロキノン0.1g、およびトリエチルアミン59.2g(0.58モル、純度99%)を入れて攪拌しながら40℃に加熱し、そこへメタクリル酸クロリド57.2g(0.52モル、純度95%)を2時間かけて滴下し、その後60℃で6時間、反応を実施した。冷却後、反応液を5%炭酸水素ナトリウム水溶液で2回、上水で2回洗浄後、減圧蒸留することにより、GCによる純度97%の無色透明液体50.4gを得た。得られた生成物は、沸点106℃/2mmHg、3−オキソ−8−ターピネオール基準で収率71%であった。また、生成物はNMRおよびGC−MSにより、3−オキソ−8−ターピニルメタクリレートであることを確認した。生成物のプロトン−NMRチャートを図11に、カーボン13−NMRチャートを図12に、GC−MSチャートを図13に示す。
【0069】
実施例4〔3−オキソ−8−ターピニルオキシカルボニルノルボルネン(一般式5)の合成(1)〕
攪拌装置および還流冷却器を取り付けた0.5Lの四つ口フラスコ中に、シクロペンタジエン14.6g(0.21モル、純度95%)および3−オキソ−8−ターピニルアクリレート46.2g(0.2モル、純度97%)を仕込み、内温が0〜20℃の範囲におさまるように水浴で冷却しながら、6時間攪拌し反応を実施した。反応後、反応液を減圧蒸留することにより、GCによる純度98%の無色透明液体53.3gを得た。得られた生成物は、沸点128〜130℃/3mmHg、3−オキソ−8−ターピニルアクリレート基準で収率90%であった。また、生成物は、NMRおよびGC−MSにより、3−オキソ−8−ターピニルオキシカルボニルノルボルネンであることを確認した。生成物のプロトン−NMRチャートを図14に、カーボン13−NMRチャートを図15に、GC−MSチャートを図16に示す。
【0070】
実施例5〔3−オキソ−8−ターピニルオキシカルボニルノルボルネン(一般式5)の合成(2)〕
攪拌装置および還流冷却器を取り付けた0.5Lの四つ口フラスコ中に、ジシクロペンタジエン14.6g(0.105モル、純度95%)を仕込み、内温が160〜170℃の範囲になるように加熱しながら、3−オキソ−8−ターピニルアクリレート46.2g(0.2モル、純度97%)を2時間かけて滴下した。その後、同じ温度範囲にて2時間攪拌し、後反応を実施した。反応後、反応液を減圧蒸留することにより、GCによる純度98%の無色透明液体35.5gを得た。得られた生成物は、沸点128〜130℃/3mmHg、3−オキソ−8−ターピニルアクリレート基準で収率60%であった。また、生成物は、NMRおよびGC−MSにより、3−オキソ−8−ターピニルオキシカルボニルノルボルネンであることを確認した。生成物のプロトン−NMRチャートを図17に、カーボン13−NMRチャートを図18に、GC−MSチャートを図19に示す。
【0071】
実施例6
〔一般式2で表される化合物から誘導されるポリマーの合成(1)〕
3−オキソ−8−ターピニルアクリレート、ヒドロキシスチレンおよびスチレンを20:60:20のモル比率で10gを、重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.4gとともに、THF50mlに溶解した。
得られた溶液を液体窒素で凍結し、30分間脱気を4回行った後、20℃にした。次に、窒素気流下、油温60℃で8時間加熱し、ヘキサンにより反応を停止した。ヘキサンで再度沈殿させた後、濾別し、真空下で溶媒を除去して目的物である共重合体8.2gを得た。得られた共重合体の重量平均分子量は、9,500(分散度1.6)であった。プロトンNMRおよびカーボン13NMRの測定により、目的の3−オキソ−8−ターピニルアクリレート共重合体が得られたことが確認された。生成物のプロトンNMRチャートを図20に、カーボン13NMRチャートを図21に示す。
【0072】
参考例2(実施例6のポリマーのKrFフォトレジストへの応用例)
実施例6で得られた共重合体を12%シクロヘキサノン溶液とした後、石英ウェハ上に1μm膜厚で塗布し、KrFエキシマレーザー光(248nm)に対する透明性を調べたところ、透過率は81%であって、比較例1のt−ブチルアクリレート共重合体の透過率68%よりは優れていた。
【0073】
さらに、得られた共重合体のカーボンテトラフルオリドガスによるエッチング速度をt−ブチルアクリレート共重合体(比較例1)と比較した結果、t−ブチルアクリレート共重合体のエッチング速度を1とすると、この共重合体は0.8であり、エッチング耐性が優れていた。
【0074】
なお、ドライエッチング耐性の評価は、次の条件で実施した。すなわち、カーボンテトラフルオリドの流量は12.6sccmとし、真空度は10mtorrとし、マイクロ波の出力は150Wとした。
【0075】
次に、得られた共重合体2g、および光酸発生剤としてのトリフェニルスルホニウムトリフレート0.03gを、2−エトキシエチルアセテート10mlに溶解しフォトレジスト組成物を得た。これをシリコンウェハ上に0.8μm膜厚で塗布した後、100℃でプリベークした。そして、KrFエキシマレーザー露光(40mJ/cm2 )を行った後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像して、パターンを形成しその特性を調べた。その結果、0.20μmのラインアンドスペースを解像することができた。また、t−ブチルアクリレート共重合体(比較例1)は、0.20μmのラインアンドスペースを解像することはできなかった。
【0076】
実施例7〔一般式2で表される化合物から誘導されるポリマーの合成(2)〕
実施例6において3−オキソ−8−ターピニルアクリレートに代えて3−オキソ−8−ターピニルメタクリレートを用いる以外は実施例6と同様に処理し、目的物である共重合体8.4gを得た。得られた共重合体の重量平均分子量は、10,000(分散度1.7)であった。プロトンNMRおよびカーボン13NMRの測定により、目的の3−オキソ−8−ターピニルメタクリレート共重合体が得られたことが確認された。生成物のプロトンNMRチャートを図22に、カーボン13NMRチャートを図23に示す。
【0077】
参考例3(実施例7のポリマーのKrFフォトレジストへの応用例)
実施例7で得られた共重合体を12%シクロヘキサノン溶液とした後、石英ウェハ上に1μm膜厚で塗布し、KrFエキシマレーザー光(248nm)に対する透明性を調べたところ、透過率は79%であって、比較例2のt−ブチルメタクリレート共重合体の透過率65%より優れていた。
【0078】
さらに、得られた共重合体のカーボンテトラフルオリドガスによるエッチング速度をt−ブチルメタクリレート共重合体(比較例2)と比較した結果、t−ブチルメタクリレート共重合体のエッチング速度を1とすると、この共重合体は0.8であり、エッチング耐性が優れていた。
なお、ドライエッチング耐性の評価は、参考例2と同様に行った。
【0079】
次に、得られた共重合体2gを参考例2と同様に処理し、フォトレジスト組成物を得た。これをシリコンウェハ上に0.8μm膜厚で塗布した後、100℃でプリベークした。そして、KrFエキシマレーザー露光(40mJ/cm2 )を行った後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像して、パターンを形成しその特性を調べた。その結果、0.20μmのラインアンドスペースを、解像することができた。また、t−ブチルメタクリレート共重合体(比較例2)は、0.20μmのラインアンドスペースを解像することはできなかった。
【0080】
実施例8〔一般式2で表される化合物から誘導されるポリマーの合成(3)〕
3−オキソ−8−ターピニルメタクリレートおよびメタクリル酸を60:40のモル比率で10g調製し、重合開始剤としてのアゾビスイソブチロニトリル0.4gとともに、THF50mlに溶解した。
得られた溶液を液体窒素で凍結し、30分間脱気を4回行った後、20℃にした。次に、窒素気流下、油温60℃で8時間加熱し、ヘキサンにより反応を停止した。ヘキサンで再度沈殿させた後、濾別し、真空下で溶媒を除去して目的物である共重合体8.5gを得た。得られた共重合体の重量平均分子量は、9,800(分散度1.6)であった。プロトンNMRおよびカーボン13NMRの測定により、目的の3−オキソ−8−ターピニルメタクリレート共重合体が得られたことが確認された。生成物のプロトンNMRチャートを図24に、カーボン13NMRチャートを図25に示す。
【0081】
参考例4(実施例8のポリマーのArFフォトレジストへの応用例)
実施例8で得られた共重合体を12%シクロヘキサノン溶液とした後、石英ウェハ上に1μm膜厚で塗布し、ArFエキシマレーザー光(193nm)に対する透明性を調べたところ、透過率は78%であって、比較例3のt−ブチルメタクリレート共重合体の透過率69%より優れていた。
【0082】
さらに、得られた共重合体のカーボンテトラフルオリドガスによるエッチング速度をt−ブチルメタクリレート共重合体(比較例3)と比較した結果、t−ブチルメタクリレート共重合体のエッチング速度を1とすると、この共重合体は0.7であり、エッチング耐性が優れていた。
なお、ドライエッチング耐性の評価は、参考例2と同様に行った。
【0083】
次に、得られた共重合体2gを参考例2と同様に処理し、フォトレジスト組成物を得た。これをシリコンウェハ上に0.5μm膜厚で塗布した後、100℃でプリベークした。そして、ArFエキシマレーザー露光(25mJ/cm2 )を行った後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像して、パターンを形成しその特性を調べた。その結果、0.13μmのラインアンドスペースを、解像することができた。また、t−ブチルメタクリレート共重合体(比較例3)は、0.13μmのラインアンドスペースを解像することはできなかった。
【0084】
実施例9〔一般式5で表される化合物から誘導されるポリマーの合成)
3−オキソ−8−ターピニルオキシカルボニルノルボルネンおよび無水マレイン酸を60:40のモル比率で10g調製し、重合開始剤としてのアゾビスイソブチロニトリル0.4gとともに、THF50mlに溶解した。
得られた溶液を液体窒素で凍結し、30分間脱気を4回行った後、20℃にした。次に、窒素気流下、油温60℃で8時間加熱し、ヘキサンにより反応を停止した。ヘキサンで再度沈殿させた後、濾別し、真空下で溶媒を除去して目的物である共重合体8.4gを得た。得られた共重合体の重量平均分子量は、9,600(分散度1.5)であった。プロトンNMRおよびカーボン13NMRの測定により、目的の3−オキソ−8−ターピニルオキシカルボニルノルボルネン共重合体が得られたことが確認された。生成物のプロトンNMRチャートを図26に、カーボン13NMRチャートを図27に示す。
【0085】
参考例5(実施例9のポリマーのArFフォトレジストへの応用例)
実施例9で得られた共重合体を12%シクロヘキサノン溶液とした後、石英ウェハ上に1μm膜厚で塗布し、ArFエキシマレーザー光(193nm)に対する透明性を調べたところ、透過率は76%であって、比較例4のt−ブチルオキシカルボニルノルボルネン共重合体の透過率64%より優れていた。
【0086】
さらに、得られた共重合体のカーボンテトラフルオリドガスによるエッチング速度をt−ブチルオキシカルボニルノルボルネン共重合体(比較例4)と比較した結果、t−ブチルオキシカルボニルノルボルネン共重合体のエッチング速度を1とすると、この共重合体は0.6であり、エッチング耐性が優れていた。
なお、ドライエッチング耐性の評価は、参考例2と同様に行った。
【0087】
次に、得られた共重合体2gを参考例2と同様に処理し、フォトレジスト組成物を得た。これをシリコンウェハ上に0.5μm膜厚で塗布した後、100℃でプリベークした。そして、ArFエキシマレーザー露光(25mJ/cm2 )を行った後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像して、パターンを形成しその特性を調べた。その結果、0.13μmのラインアンドスペースを解像することができた。また、t−ブチルオキシカルボニルノルボルネン共重合体(比較例4)は、0.13μmのラインアンドスペースを解像することはできなかった。
【0088】
【発明の効果】
本発明の新規な(メタ)アクリル酸エステル、新規なノルボルネン誘導体から誘導される新規なポリマーは、クリプトンフッ素やアルゴンフッ素エキシマレーザー用フォトレジスト材料として、高解像度付与性、高耐ドライエッティング性、高透明性、高密着性が得られ、超微細加工が要求される半導体素子などの製造に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】参考例で得られた3―オキソ―8−ターピネオールのIRチャートである。
【図2】参考例で得られた3―オキソ―8−ターピネオールのプロトンNMRチャートである。
【図3】参考例で得られた3―オキソ―8−ターピネオールのカーボン13NMRチャートである。
【図4】参考例で得られた3―オキソ―8−ターピネオールのGC−MSチャートである。
【図5】実施例1で得られた3―オキソ―8−ターピニルアクリレートのプロトンNMRチャートである。
【図6】実施例1で得られた3―オキソ―8−ターピニルアクリレートのカーボン13NMRチャートである。
【図7】実施例1で得られた3―オキソ―8−ターピニルアクリレートのGC−MSチャートである。
【図8】実施例2で得られた3―オキソ―8−ターピニルアクリレートのプロトンNMRチャートである。
【図9】実施例2で得られた3―オキソ―8−ターピニルアクリレートのカーボン13NMRチャートである。
【図10】実施例2で得られた3―オキソ―8−ターピニルアクリレートのGC−MSチャートである。
【図11】実施例3で得られた3―オキソ―8−ターピニルメタクリレートのプロトンNMRチャートである。
【図12】実施例3で得られた3―オキソ―8−ターピニルメタクリレートのカーボン13NMRチャートである。
【図13】実施例3で得られた3―オキソ―8−ターピニルメタクリレートのGC−MSチャートである。
【図14】実施例4で得られた3―オキソ―8−ターピニルオキシカルボニルノルボルネンのプロトンNMRチャートである。
【図15】実施例4で得られた3―オキソ―8−ターピニルオキシカルボニルノルボルネンのカーボン13NMRチャートである。
【図16】実施例4で得られた3―オキソ―8−ターピニルオキシカルボニルノルボルネンのGC−MSチャートである。
【図17】実施例5で得られた3―オキソ―8−ターピニルオキシカルボニルノルボルネンのプロトンNMRチャートである。
【図18】実施例5で得られた3―オキソ―8−ターピニルオキシカルボニルノルボルネンのカーボン13NMRチャートである。
【図19】実施例5で得られた3―オキソ―8−ターピニルオキシカルボニルノルボルネンのGC−MSチャートである。
【図20】実施例6で得られた共重合体のプロトンNMRチャートである。
【図21】実施例6で得られた共重合体のカーボン13NMRチャートである。
【図22】実施例7で得られた共重合体のプロトンNMRチャートである。
【図23】実施例7で得られた共重合体のカーボン13NMRチャートである。
【図24】実施例8で得られた共重合体のプロトンNMRチャートである。
【図25】実施例8で得られた共重合体のカーボン13NMRチャートである。
【図26】実施例9で得られた共重合体のプロトンNMRチャートである。
【図27】実施例9で得られた共重合体のカーボン13NMRチャートである。
Claims (7)
- 請求項1〜3いずれか1項記載の(メタ)アクリル酸エステル化合物の少なくとも1種、および/または、請求項4〜6いずれか1項記載のノルボルネン誘導体の少なくとも1種を、分子中に構成単位として含む新規なポリマー。
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