JP3805494B2 - 不揮発性半導体メモリ装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は,不揮発性半導体メモリ装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
最近の半導体装置の超高集積化及び超小型化傾向に伴って,不揮発性半導体メモリ装置(以下,「メモリ」と称する。)においてもかかるセルサイズを縮小するべく,ワード線をマスクとしてソース線とコンタクトホール,例えばドレインコンタクトホールを自己整合的に形成するいわゆるセルフアライメント技術が提案されている。以下,図12〜図14を参照しながら,従来より提案されているセルフアライメント技術をメモリの製造方法に適用した場合について説明する。なお,同図中には,理解を容易にするためにメモリのセル部分のみが記載されており,そのセル周辺に配される例えばデコーダなどの回路は省略されている。
【0003】
(工程1) まず,図12(a)に示したように,半導体材料,例えばp型単結晶シリコンから成る基板10上に,不図示のゲート酸化膜と,フローティングゲート12と,ゲート間絶縁膜14と,コントロールゲート16と,第1絶縁膜18と,第2絶縁膜20を順次形成して素子分離を行う。
【0004】
(工程2) 次いで,図12(b)に示したように,上記基板10に対し,第2絶縁膜20上に形成された所定のレジストパターン22をエッチングマスクとして所定のエッチング処理を施し,上述した各素子が積層されたワード線24を形成する。
【0005】
(工程3) 次いで,図12(c)に示したように,後述する工程で形成されるドレイン領域30の両側に配置されているワード線24間を覆うようにして,所定のレジストパターン26を形成する。次いで,このレジストパターン26をエッチングマスクをして,基板10に対して所定のエッチング処理を施し,後述する工程で形成されるソース領域28の両側に配置されるワード線24間に存在する不図示のフィールド酸化膜を除去する。
【0006】
(工程4) 次いで,図13(d)に示したように,ワード線24の両側に露出する基板10の表面に対して,所定のイオン注入処理と所定の熱処理を施し,そのワード線24を介してソース領域28とドレイン領域30を各々交互に形成すると共に,ワード線24の側壁にサイドウォール32を形成する。
【0007】
(工程5) 次いで,図13(e)に示したように,ワード線24やサイドウォール32などが形成された基板10の表面全体に対して所定の成膜処理を施し,不図示のエッチングストッパ膜を形成する。次いで,所定のフォトリソグラフィ処理によりエッチングストッパ膜上に所定のレジストパターンを形成した後,所定のエッチング処理を施すことにより,ドレイン領域30の表面からこのドレイン領域30の両側に配置されているワード線24の側壁及び上部表面の一部に至るまでの部分,すなわちドレインコンタクトホール40が開口される部分にエッチングストッパパターン34を形成する。
【0008】
(工程6) 次いで,図14(f)に示したように,再びワード線24やサイドウォール32などが形成された基板10の表面全体に対して所定の成膜処理,例えばCVD処理を施し,中間絶縁膜36を形成する。次いで,その中間絶縁膜36上に所定のレジストパターン38を形成した後,そのレジストパターン28をエッチングマスクとして所定のエッチング処理を施すことにより,ドレイン領域30上にドレインコンタクトホール40を開口する。
【0009】
(工程7) 次いで,図14(g)に示したように,中間絶縁膜36とドレインコンタクトホール40が形成された基板10の表面に導電性材料,例えばアルミニウムなどの金属から成る配線層42を形成することにより,メモリを製造する構成となっている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら,上述した従来の技術は,以下のような問題点を有していた。
(1)第1の問題点
まず,上記従来の技術が有する第1の問題点について,図15を参照しながら説明する。上述した図12(c)に対応する工程3において,後のドレイン領域30の両側に配されるワード線24間を覆うレジストパターン26を形成するが,その際,図15(a)に示したように,第1絶縁膜18と第2絶縁膜20の膜厚により,そのレジストパターン26のエッジ(終端)が略波状に蛇行して形成されてしまうことがある。
【0011】
すなわち,本来は,図15(a)中のA−A線において切断した断面を表した図15(b)に示したように,レジストパターン26のエッジがワード線24上の一部まで覆っていなければならない。しかしながら,例えば図15(a)中のB−B線において切断した断面を表した図15(c)に示したように,レジストパターン26のエッジが後のドレイン領域30上のみに形成され,ワード線24とレジストパターン26との間に空間部44が形成されることがある。
【0012】
その結果,上述した図12(c)に対応する工程3で形成されたレジストパターン26をエッチングマスクとして,後のソース領域28の両側に配置されるワード線24間に存在する不図示のフィールド酸化膜を除去する際,同時に,後のドレイン領域30側に存在する不図示のフィールド酸化膜も除去してしまい,ワード線24の配列方向に隣り合った各ドレインコンタクトホール40同士が電気的にショートしてしまうことがある。
【0013】
本発明は,従来の技術が有する上記のような問題点に鑑み点されたものであり,かかる発明の第1の目的は,後のソース領域の両側に配置されるワード線間に形成されたフィールド酸化膜を除去する際に,後のドレイン領域の両側に配置されるワード線間に形成されたフィールド酸化膜がエッチングされることを防ぎ,各ドレインコンタクトホール同士のショートを防止することが可能な,新規かつ改良された不揮発性半導体メモリ装置を提供することである。
【0014】
(2)第2の問題点
次に,上記従来の技術が有する第2の問題点について,図12を参照しながら説明する。上述した図12(a)に対応する工程1において,基板10上に各素子と共にコントロールゲート16を形成するが,このコントロールゲート16の材料としては,一般的にタングステンシリサイド膜が使用されることが多い。しかしながら,このタングステンシリサイド膜によりコントロールゲート16を形成した場合には,その後の工程,例えば第1絶縁膜18や第2絶縁膜20の形成などの酸素雰囲気中での熱処理を伴う工程により,かかるコントロールゲート16が異常酸化されてしまい,いわゆるパターン不良が生じることがある。
【0015】
本発明は,従来の技術が有する上記のような問題点に鑑みて成されたものであり,本発明の第2の目的は,コントロールゲートの異常酸化を防止することができ,かつパターン不良のない均一なコントロールゲートを形成することが可能な,新規かつ改良された不揮発性半導体メモリ装置の製造方法を提供することである。
【0016】
(3)第3の問題点
まず,上記従来の技術が有する第3の問題点について,図16を参照しながら説明する。上述した図14(f)に対応する工程6において,ドレイン領域30上にドレインコンタクトホール40を形成するが,同時にワード線24上にもかかるドレインコンタクトホール40が形成される。しかしながら,それらドレイン領域30上とワード線24上では,かかる被エッチング膜の膜厚や材質が異なっている。
【0017】
すなわち,上述したドレインコンタクトホール40を形成する場合の被エッチング膜は,ドレイン領域30上では図16(a)に示したように,中間絶縁膜36とエッチングストッパパターン34である。これに対して,ワード線24上での被エッチング膜は,図16R>6(b)に示したように,中間絶縁膜36と第2絶縁膜20と第1絶縁膜18である。従って,それら各部分での被エッチング膜の膜厚や材質の違いにより,一のエッチング処理では,均一なコンタクトホールを形成させることが困難な場合が多い。また,いわゆるオーバーエッチングが生じた場合には,基板上に形成された各素子が破壊されてしまうことがある。
【0018】
本発明は,従来の技術が有する上記のような問題点に鑑みて成されたものであり,本発明の第3の目的は,一のコンタクトホールが形成される部分の被エッチング材料が異なる膜厚及び材質であっても,所望の形状のコンタクトホールを形成することが可能な,新規かつ改良された不揮発性半導体メモリ装置を提供することである。
【0019】
(4)第4の問題点
まず,上記従来の技術が有する第4の問題点について,図17を参照しながら説明する。上述した図13(e)に対応する工程5において,エッチングストッパ膜34’に対して所定のエッチング処理を施し,ドレインコンタクトホール40が形成される部分にエッチングストッパパターン34を形成するが,この際異なる膜厚の部分を同時にエッチングすることとなり,所定の形状のコンタクトホールを形成することが困難な場合がある。
【0020】
すなわち,図17に示したように,エッチングストッパパターン34を形成すべく,エッチングストッパ膜34’上に形成されたレジストパターン46をエッチングマスクとして所定のエッチング処理を施すが,被エッチング膜の膜厚は,同図中の矢印Cに示したドレイン領域30上の部分と,矢印Dに示したサイドウォール32側面上の部分では大きく異なっている。従って,矢印Cの部分の膜厚分だけエッチングストッパ34’膜を除去した場合には,矢印Dの部分でエッチングストッパ34’膜を完全に除去しきれなくなることがある。
【0021】
また,矢印Dの部分の膜厚分だけエッチングストッパ34’膜を除去した場合には,矢印Cの部分のエッチングストッパ34’膜の下方に形成されているドレイン領域30までエッチングしてしまう場合がある。その結果,当該部分で導通不良や電気的な抵抗の変化が生じ,メモリの歩留りが低下することがある。
【0022】
本発明は,従来の技術が有する上記のような問題点に鑑みて成されたものであり,本発明の第4の目的は,均一なエッチングストッパパターンを形成することにより,所望の形状のコンタクトホールを形成することができ,導通不良や電気的な抵抗の変化を防止することが可能な,新規かつ改良された不揮発性半導体メモリ装置を提供することである。
【0023】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の不揮発性メモリの製造方法では、マトリクス状にフローティングゲートを形成する工程と、このフローティングゲート上に絶縁層を介してタングステンシリサイドからなるコントロールゲートを形成する工程と、前記コントロールゲート上にシリコン酸化膜及びシリコン窒化膜からなる積層絶縁体を順次形成する工程と、前記フローティングゲート、ワード線および積層絶縁体を含む積層構造の一方の側方に連続的に配置されたソース領域から成るソース線およびその他方の側方にドレイン領域を形成する工程と、前記積層構造の側面に絶縁物からなるサイドウォールを形成する工程と、前記サイドウォールに対してコンタクトホールを自己整合的に形成する工程とを含み、前記シリコン酸化膜および前記シリコン窒化膜の形成を300℃以上550℃以下の条件下で行うことを特徴とする。
【0024】
【0025】
【0026】
【0027】
【0028】
【0029】
【0030】
【0031】
【0032】
【発明の実施の形態】
以下に,添付図面を参照しながら,本発明にかかる不揮発性半導体メモリ装置及びその製造方法をメモリの製造方法に適用した実施の形態について詳細に説明する。なお,以下の説明において,略同一の機能及び構成を有する構成要素については,同一符号を付することにより,重複説明を省略することとする。
【0033】
(A)第1の参考例
まず,本発明の第1の参考例にかかるメモリの製造方法について,詳細に説明する。なお,上述した従来の技術と略同一の構成要素については,同一符号を付することにより重複説明を省略する。始めに,本参考例の理解を容易にするために,かかるメモリの製造工程について,図1〜図3を参照しながら概略的に説明する。なお,同図中には,メモリのセル部分のみが記載されており,そのセル周辺に配される例えばデコーダなどの回路は省略されている。
【0034】
(工程1’) まず,図1(a)に示したように,半導体材料,例えばp型単結晶シリコンから成る基板10上に,不図示のゲート酸化膜と,タングステンシリサイド膜から成るフローティングゲート12と,ゲート間絶縁膜14と,コントロールゲート16と,本実施の形態にかかる第1絶縁膜100と,本実施の形態にかかる第2絶縁膜102を順次形成して素子分離を行う。
【0035】
(工程2’) 次いで,第2絶縁膜102の表面上に所定のフォトリソグラフィ処理によりレジストパターン104を形成した後,そのレジストパターン104をエッチングマスクとしてかかる基板10に対し所定のエッチング処理を施すことにより,図2(b)に示したように,上述した各素子が積層されたワード線106を形成する。
【0036】
(工程3’) 次いで,図1(c)に示したように,後の工程で形成されるドレイン領域30の両側に配置されているワード線106間を覆うようにして,所定のレジストパターン108を形成する。次いで,このレジストパターン108をエッチングマスクをして,基板10に対して所定のエッチング処理を施し,後の工程で形成されるソース領域28の両側に配置されるワード線106間に存在する不図示のフィールド酸化膜を除去する。
【0037】
(工程4’) 次いで,図2(d)に示したように,ワード線106の両側に露出する基板10の表面に対して,所定のイオン注入処理と所定の熱処理を施し,そのワード線106を介してソース領域28とドレイン領域30を各々交互に形成すると共に,ワード線106の側壁にサイドウォール32を形成する。次いで,ワード線106やサイドウォール32などが形成された基板10の表面全体に対して所定の成膜処理を施し,不図示のエッチングストッパ膜を形成する。
【0038】
(工程5’) 次いで,図2(e)に示したように,そのエッチングストッパ膜上に不図示のレジストパターンを形成した後,所定のエッチング処理を施すことにより,ドレイン領域30の表面からこのドレイン領域30の両側に配置されているワード線106の側壁及び上部表面の一部に至るまでの部分,すなわちドレインコンタクトホール40が開口される部分にエッチングストッパパターン34を形成する。次いで,再びワード線106やサイドウォール32などが形成された基板10の表面全体に対して所定の成膜処理,例えばCVD処理を施し,中間絶縁膜36を形成する。
【0039】
(工程6’) 次いで,図3(f)に示したように,その中間絶縁膜36上に所定のレジストパターン38を形成した後,そのレジストパターン28をエッチングマスクとして所定のエッチング処理を施すことにより,ドレイン領域30上にドレインコンタクトホール40を開口する。
【0040】
(工程7’) 次いで,図3(g)に示したように,中間絶縁膜36とドレインコンタクトホール40が形成された基板10の表面に導電性材料,例えばアルミニウムなどの金属から成る配線層42を形成することにより,メモリを製造する構成となっている。
【0041】
次に,本参考例にかかる均一なレジストパターン108の形成方法について詳細に説明する。上述の如く図1(a)に対応する工程1’では,基板10上にワード線106を形成すべく,順次不図示のゲート酸化膜と,フローティングゲート12と,ゲート間絶縁膜14と,コントロールゲート16と,第1絶縁膜100と,第2絶縁膜102を積層する。
【0042】
この際,上述した図1(c)に対応する工程3’でレジストパターン108を形成する際のフォトリソグラフィ処理時に使用される所定波長,例えば365nmの光をワード線106表面,すなわち第2絶縁膜102表面に対して照射した際に,その光の反射率が40%以下となるように図1(a)に対応する工程1’において第1絶縁膜100と第2絶縁膜102を形成する構成となっている。すなわち,図4に示したように,かかる反射率が40%を超える場合には,上述した図1(c)に対応する工程3’において,後にソース領域28となる領域の両側のワード線106間に形成された不図示のフィールド酸化膜の除去時に使用されるレジストパターン108が,例えば図5に示したように,略波状に蛇行して形成されてしまうことがある。
【0043】
従って,このレジストパターン108を基板10上に均一に形成するためには,かかる反射率を40%以下に抑えることが必要となる。なお,同図中の縦軸は,図5に示したように,レジストパターン108の最大蛇行部108aの側面108a’と最小蛇行部108bの側面108b’との距離(μm)を表し,また横軸は,フォトリソグラフィ時に使用される光,例えば波長が365nmの光を照射した場合のワード線106表面の反射率(%)を表している。
【0044】
そこで,発明者は,上述した40%以下の反射率を達成すべく,第1絶縁膜100と第2絶縁膜102の各膜厚を適宜変更し,ワード線106表面の反射率を測定したところ,以下のような知見を得た。すなわち,第1絶縁膜100にシリコン酸化膜を適用し,第2絶縁膜102にシリコン窒化膜を適用した場合には,図6R>6に示したように,第1絶縁膜100の膜厚を500オングストローム以下にし,第2絶縁膜102の膜厚を2000オングストローム以下にすることにより,ワード線106表面の反射率を40%以下に抑えることができる。なお,同図中の縦軸は,フォトリソグラフィ時に使用される光,例えば波長が365nmの光を照射した場合のワード線106表面の反射率(%)を表し,また横軸は,第2絶縁膜102の膜厚を表している。
【0045】
従って,上述の如くシリコン酸化膜から成る第1絶縁膜100の膜厚を500オングストローム以下とし,またシリコン窒化膜から成る第2絶縁膜102の膜厚を2000オングストローム以下とすることにより,レジストパターン108を均一に形成することができる。その結果,後にソース領域28となる領域の両側のワード線106間に形成された不図示のフィールド酸化膜のみを所望の状態での除去することができるため,後に形成されるドレインコンタクトホール40の絶縁不良を効果的に防止することができる。
【0046】
また,本参考例の如く第1絶縁膜100と第2絶縁膜102の各膜厚を調整することができない場合には,図7(a)に示したように,第2絶縁膜102の表面上に本参考例にかかる反射防止膜110を形成して,上述した40%以下の反射率を達成する構成としても良い。ところで,発明者は,かかる反射防止膜110を採用するにあたり,上述した40%以下の反射率を達成すべく,その反射防止膜110膜厚を適宜変更し,ワード線106表面の反射率を測定したところ,以下のような知見を得た。
【0047】
すなわち,アモルファスシリコン膜から成る反射防止膜110を第2絶縁膜102上に形成した場合には,図8に示したように,その反射防止膜110の膜厚を100オングストローム以上にすることにより,かかるワード線106表面の反射率を40%以下に抑えることができる。なお,同図中の縦軸は,フォトリソグラフィ時に使用される光,例えば波長が365nmの光を照射した場合のワード線106表面の反射率(%)を表し,また横軸は,反射防止膜110の膜厚を表している。
【0048】
従って,このように100オングストローム以上の膜厚の反射防止膜110を第2絶縁膜102上に形成することにより,上述の如く第1絶縁膜100と第2絶縁膜102の各膜厚を所定値に設定した場合と同様に,レジストパターン108を均一に形成することができる。その結果,後にソース領域28となる領域の両側のワード線106間に形成された不図示のフィールド酸化膜のみを所望の状態で除去することができる。
【0049】
また,上述の如く第2絶縁膜102上に反射防止膜110を形成した場合には,レジストパターン108を形成した後の工程で,かかる反射防止膜110を除去する工程が必要となる。そこで,その反射防止膜110の除去工程を省略する場合には,図7(b)に示したように,コントロールゲート16と第1絶縁膜100の間に反射防止膜110を形成すればよい。その結果,第2絶縁膜102上に反射防止膜110が形成されないため,その反射防止膜110を除去する必要がなくなると共に,ワード線106に対してフォトリソグラフィ処理時に照射される光の反射を効果的に抑制することができる。
【0050】
(B)第1の実施の形態
次に,本発明の第1の実施の形態について,詳細に説明する。この第1の実施の形態にかかるメモリの製造方法の基本的な構成は,上述した第1の参考例にかかる同方法と同一であるため,略同一の構成要素については同一の符号を付することにより,その詳細な説明は省略することとする。ただし,上記第1の参考例は,第1絶縁膜100や第2絶縁膜102などを形成する際の熱処理の温度については特に規定していなかったのに対して,かかる第1の実施の形態には,上述した熱処理の温度を規定したことを特徴としている。
【0051】
すなわち,上述した第1の参考例の図1(a)に対応する工程1’において,基板10上に複数の各素子と共に第1絶縁膜100と第2絶縁膜102を形成するが,かかる絶縁膜の形成時には,基板10を高温条件下で酸素雰囲気中に曝すこととなる。その結果,ワード線106内のタングステンシリサイド膜から成るコントロールゲート16が異常酸化されてしまうことがある。
【0052】
しかしながら,発明者の知見によれば,図9に示したように,それら第1絶縁膜100と第2絶縁膜102の各成膜工程において,かかる温度条件を550℃以下に設定することにより,コントロールゲート16の異常酸化を防止することができることを見出した。従って,本実施の形態においては,それら第1絶縁膜100と第2絶縁膜102の成膜工程や他の熱処理工程を550℃以下の条件下で行うことにより,コントロールゲート16の異常酸化によるパターン不良を防止することができる。
【0053】
(C)第2の参考例
次に,本発明の第2の参考例について,詳細に説明する。この第2の参考例にかかるメモリの製造方法の基本的な構成も,上述した第1の参考例および第1の実施の形態にかかる同方法と同一であるため,略同一の構成要素については同一の符号を付することにより,その詳細な説明は省略することとする。ただし,上記第1の参考例および第1の実施の形態は,第1絶縁膜100と第2絶縁膜102の製造工程に関するものであるのに対して,かかる第2の参考例は,均一なドレインコンタクトホール40を形成することを特徴としている。
【0054】
すなわち,上述の如く,第1の参考例にかかる図3(f)に対応する工程6’において所望の形状のドレインコンタクトホール40を形成するべく,その前工程である図2(e)に対応する工程5’において,ドレイン領域30表面からその両側に配置される各ワード線106の表面の一部に至るまでエッチングストッパパターン34が形成される。しかし,ドレインコンタクトホール40は,上述の如くドレイン領域30上に形成される部分と,ワード線106上に形成される部分があるため,被エッチング膜の膜厚がそれら各部分によって異なり,均一な形状のドレインコンタクトホール40を形成することは困難な場合が多い。
【0055】
そこで,本参考例においては,図10(a)に示したように,エッチングストッパパターン34に代えて,第1絶縁膜100及び第2絶縁膜102と略同一材料で略同一膜厚のエッチングストッパパターン112を形成する構成となっている。なお,図10(b)は,図10(a)の紙面横方向から見た概略的な断面図である。ここで,エッチングストッパパターン112の成膜工程について説明すると,上述した図2(d)に対応する工程4’において,まずワード線106やサイドウォール32などが形成された基板10の表面に対し,第1絶縁膜100と略同一材料で略同一膜厚の第1エッチングストッパ膜112aを形成する。
【0056】
次いで,その第1エッチングストッパ膜112a上に,第2絶縁膜102と略同一材料で略同一膜厚の第2エッチングストッパ膜112bを形成する。次いで,上述した図2(d)に対応する工程5’と同様に,第2エッチングストッパ膜112b上に形成された所定のレジストパターンをエッチングマスクとして基板10に対して所定のエッチング処理を施すことにより,エッチングストッパパターン112が形成される構成となっている。
【0057】
従って,ドレイン領域30上の被エッチング膜は,中間絶縁膜36と本実施の形態にかかるエッチングストッパパターン112であり,ワード線106上の被エッチング膜は,中間絶縁膜36と第2絶縁膜102と第1絶縁膜100となる。その結果,エッチングストッパパターン112は,上述の如く第1絶縁膜100と第2絶縁膜102と略同一に構成されているため,かかるドレインコンタクトホール40を均一かつ容易に形成することができる。
【0058】
(D)第3の参考例
次に,本発明の第3の参考例について,詳細に説明する。この第3の参考例にかかるメモリの製造方法の基本的な構成も,上述した第1,第2の参考例及び第1の実施の形態にかかる同方法と同一であるため,略同一の構成要素については同一の符号を付することにより,その詳細な説明は省略することとする。ただし,上記第3の実施の形態は,ドレインコンタクトホール40の製造工程に関するものであるのに対して,かかる第4の実施の形態は,そのドレインコンタクトホール40の形成時に使用されるエッチングストッパパターン34を均一に形成することを特徴としている。
【0059】
すなわち,上述した第1の参考例にかかる図2(d)に対応する工程4’で形成される不図示のエッチングストッパ膜は,ドレイン領域30上のみでなくソース領域28上や,ワード線106のソース領域28側に形成されたサイドウォール30の表面上にも形成される。かかる部分に形成されたエッチングストッパ膜は,メモリの製造工程には何ら関与せず,不要なものであるため,図2(e)に対応する工程5’において除去される。
【0060】
しかしながら,かかる部分の膜厚,すなわちソース領域28上のエッチングストッパ膜と,サイドウォール30表面のエッチングストッパ膜の膜厚は異なっている。従って,ソース領域28上などの不要なエッチングストッパ膜を除去すべく,同時にエッチング処理を行った場合には,その異なる膜厚により均一な除去を行うことは困難である。また,ワード線106のソース領域28側に形成されたサイドウォール30も,メモリの製造工程においては必要なものではない。
【0061】
そこで,本参考例では,図11に示したように,上述した図2(d)に対応する工程4’においてワード線106の側壁にサイドウォール32を形成する際に,ソース領域28の両側に配置されるワード線106間をそのサイドウォール32で埋め込むと共に,このサイドウォール32の表面とワード線106の表面が略同一の高さとなるように構成されている。その結果,ソース領域28上,すなわちかかる部分のサイドウォール32表面からその両側の各ワード線106表面にかけて均一な面が形成されるため,上述した図2(d)に対応する工程4’で均一な膜厚のエッチングストッパ膜を形成することができ,ソース領域28上のエッチングストッパ膜の除去を均一かつ容易に行うことができる。
【0062】
以上,本発明の好適な実施の形態について,添付図面を参照しながら説明したが,本発明はかかる構成に限定されない。特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇において,当業者であれば,各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり,それら変更例及び修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【0063】
【発明の効果】
本発明によれば,ワード線にフォトリソグラフィ処理時に使用される所定波長の光が照射された際のワード線表面の光の反射率が40%以下であるため,かかる光の乱反射を防止し,ワード線上に均一なレジストパターンを形成することができる。その結果,そのレジストパターンをエッチングマスクとして,かかるメモリ基板上に正確かつ確実なエッチング処理を施すことができるため,所望のメモリを製造することができ,かつ歩留りを向上させることができる。
【0064】
また,ワード線を構成する第1の絶縁膜と第2の絶縁膜は,550℃以下の温度条件下で成膜されるため,この工程以前に形成された他の素子に対して損傷を与えることがない。さらに,エッチングストッパ膜が,第1及び第2の絶縁膜と略同一に構成されているため,不要なエッチングストッパ膜を均一かつ確実に除去することができる。さらにまた,エッチングストッパパターンが形成されない部分でのエッチングストッパ膜を均一な平面上に形成することができるため,そのエッチングストッパ膜の除去を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明を適用可能なメモリの製造工程を説明するための概略的なメモリ基板の断面図である。
【図2】 本発明を適用可能なメモリの製造工程を説明するための概略的なメモリ基板の断面図である。
【図3】 本発明を適用可能なメモリの製造工程を説明するための概略的なメモリ基板の断面図である。
【図4】 かかるメモリの製造工程の一工程である第1及び第2絶縁膜の成膜工程を説明するための概略的な説明図である。
【図5】 かかるメモリの製造工程の一工程である第1及び第2絶縁膜の成膜工程を説明するための概略的な説明図である。
【図6】 かかるメモリの製造工程の一工程である第1及び第2絶縁膜の成膜工程を説明するための概略的な説明図である。
【図7】 かかるメモリの製造工程に適用可能な反射防止膜を説明するための概略的なメモリ基板の断面図である。
【図8】 図7に示した反射防止膜を説明するための概略的な説明図である。
【図9】 他の実施の形態にかかるメモリの製造工程の一工程である第1及び第2絶縁膜の成膜工程を説明するための概略的な説明図である。
【図10】 本発明を適用可能な他のメモリの製造工程を説明するための概略的なメモリ基板の断面図である。
【図11】 本発明を適用可能な他のメモリの製造工程を説明するための概略的なメモリ基板の断面図である。
【図12】 従来のメモリの製造工程を説明するための概略的なメモリ基板の断面図である。
【図13】 従来のメモリの製造工程を説明するための概略的なメモリ基板の断面図である。
【図14】 従来のメモリの製造工程を説明するための概略的なメモリ基板の断面図である。
【図15】 従来のメモリの製造工程が有する問題点を説明するための概略的な説明図である。
【図16】 従来のメモリの製造工程が有する問題点を説明するための概略的なメモリの断面図である。
【図17】 従来のメモリの製造工程が有する問題点を説明するための概略的なメモリの断面図である。
【符号の説明】
10 基板
16 コントロールゲート
28 ソース領域
30 ドレイン領域
32 サイドウォール
34 エッチングストッパパターン
100 第1絶縁膜
102 第2絶縁膜
104,108 レジストパターン
106 ワード線
Claims (1)
- マトリクス状にフローティングゲートを形成する工程と、
このフローティングゲート上に絶縁層を介してタングステンシリサイドからなるコントロールゲートを形成する工程と、
前記コントロールゲート上にシリコン酸化膜及びシリコン窒化膜からなる積層絶縁体を順次形成する工程と、
前記フローティングゲート、ワード線および積層絶縁体を含む積層構造の一方の側方に連続的に配置されたソース領域から成るソース線およびその他方の側方にドレイン領域を形成する工程と、
前記積層構造の側面に絶縁物からなるサイドウォールを形成する工程と、
前記サイドウォールに対してコンタクトホールを自己整合的に形成する工程とを含む不揮発性半導体メモリ装置の製造方法において、
前記シリコン酸化膜および前記シリコン窒化膜の形成を 300 ℃以上 550 ℃以下の条件下で行うことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置の製造方法。
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