JP3803360B2 - 洗浄剤組成物 - Google Patents
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Description
〔1〕 アクリル酸、メタクリル酸及びマレイン酸からなる群より選ばれる少なとも1種(A)と、2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸又は2−メタクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸(B)を含むモノマー成分を用いて得られ、(A)の総使用量が全モノマー成分の80モル%以上で、重量平均分子量が500〜15万のポリカルボン酸化合物を含有してなる、半導体基板用又は半導体素子用洗浄剤組成物、
〔2〕 アンモニア、アミノアルコール、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、コリン及び水酸化カリウムからなる群より選ばれる少なくとも1種をさらに含有してなり、pHが8〜14である前記〔1〕記載の洗浄剤組成物、並びに、
〔3〕 前記〔1〕又は〔2〕記載の洗浄剤組成物を用いて洗浄する半導体基板又は半導体素子の洗浄方法
に関する。
本発明の半導体基板用又は半導体素子用洗浄剤組成物は、アクリル酸、メタクリル酸及びマレイン酸からなる群より選ばれる少なくとも1種をモノマー成分(「モノマー成分A」とする。)とし、該モノマー成分を全モノマー成分の使用量の20モル%以上用いて得られる、重量平均分子量が500〜15万のポリカルボン酸化合物を含有してなる。前記ポリカルボン酸化合物を含有する洗浄剤組成物は、半導体基板及び半導体素子上の微粒子汚れの洗浄性に特に優れ、かつ使用時の泡立ちが少なく、洗浄作業性にも優れるものである。
R5−O−(AO)p−X (3)
(式中、R5は炭素原子数1〜6のアルキル基、炭素原子数2〜6のアルケニル基又は炭素原子数1〜6のアシル基を示す。AOはエチレンオキサイド及び/又はプロピレンオキサイドを示す。Xは水素原子、炭素原子数1〜4のアルキル基又は炭素原子数1〜4のアシル基を示す。pは1〜8の整数を示す。)で示される化合物である。
R7−O−(AO)r−X (4)
(式中、R7は炭素原子数8〜18のアルキル基、炭素原子数8〜18のアルケニル基、炭素原子数8〜18のアシル基又は炭素原子数14〜18のアルキルフェノール基を示す。AOはエチレンオキサイド及び/又はプロピレンオキサイドを示す。Xは水素原子、炭素原子数1〜4のアルキル基又は炭素原子数1〜4のアシル基を示す。rは3〜35の整数を示す。)で示される化合物である。
本発明の洗浄方法は、本発明の洗浄剤組成物を用いて、半導体基板又は半導体素子を洗浄する方法である。本発明の洗浄剤組成物を用いて洗浄する際、1)ポリカルボン酸化合物、2)一般式(2)で示される化合物、3)一般式(3)で示される化合物、及び4)非イオン界面活性剤の総含有量が、微粒子除去性、洗浄性等の観点から0.001〜20重量%で洗浄を行うことが好ましく、0.01〜20重量%で洗浄を行うことがより好ましく、0.05〜10重量%で洗浄を行うことがさらに好ましく、0.1〜5.0重量%で洗浄を行うことが特に好ましい。
1.汚染液の調製
2リットルのビーカーに研磨粒子及びシリコンウエハの摩耗粒子を想定したシリカ粒子(粒径0.5〜2μm)を、1500mLの超純水に2重量%となる量分散させ、汚染液(A)を調製した。次に汚染液(A)に機械油ミストを想定したオレイン酸ブチルエステルを1.0g加え、汚染液(B)を調製した。
表1及び表2に示す化合物を用いて、表3〜表5に示す組成(数値は重量%)の洗浄剤組成物を調製した。
すすぎ液としては超純水を使用した。超純水1500mLの入ったビーカーを2つ用意した。
(1)テストピース1に対する洗浄性
マグネチックスターラーで、シリカ粒子を均一分散させながら50℃に保った汚染液(A)中に、直径10cmのシリコンウエハを5分間浸漬し、ウエハを汚染した。
結果を表6〜表8に示す。
テストピース1に対する洗浄性試験と同様の方法で、シリコンウエハを汚染液(B)で汚染し、汚染されたウエハの洗浄、洗浄されたウエハのすすぎを行った。テストピース2に対する洗浄性の評価は、テストピース1に対する洗浄性の評価と同様にして行った。
特定のポリカルボン酸化合物を含有することを特徴とする洗浄剤組成物及びその洗浄剤組成物を使用して洗浄することにより、半導体素子の製造工程において素子表面に付着した微粒子等の異物を効率良く洗浄、除去することができ、製造された半導体素子の歩留まり及び品質等の向上に寄与する。また、洗浄剤組成物の発泡性が低いため、洗浄における操業性や排水処理性を損わない。
Claims (3)
- アクリル酸、メタクリル酸及びマレイン酸からなる群より選ばれる少なとも1種(A)と、2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸又は2−メタクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸(B)を含むモノマー成分を用いて得られ、(A)の総使用量が全モノマー成分の80モル%以上で、重量平均分子量が500〜15万のポリカルボン酸化合物を含有してなる、半導体基板用又は半導体素子用洗浄剤組成物。
- アンモニア、アミノアルコール、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、コリン及び水酸化カリウムからなる群より選ばれる少なくとも1種をさらに含有してなり、pHが8〜14である請求項1記載の洗浄剤組成物。
- 請求項1又は2記載の洗浄剤組成物を用いて洗浄する半導体基板又は半導体素子の洗浄方法。
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