JP3790762B2 - 磁気再生ヘッドおよび磁気記録再生装置 - Google Patents
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Description
S.Z.Hua and H.D.Chopra,Phys.Rev.B,vol.67,060401(R)(2003) N. Garcia, M. Munoz, and Y. -W. Zhao, Physical Review Letters, vol.82, p2923 (1999) J. J. Versluijs, M. A. Bari and J. M. D. Coey, Physical Review Letters, vol.87, p26601 -1 (2001)
本発明の第1実施形態による磁気再生ヘッドを、図1乃至図2を参照して説明する。本実施形態による磁気再生ヘッドはナノコンタクト再生素子を有し、このナノコンタクト再生素子の構成を図1(a)、(b)に示す。図1(a)は、本実施形態に係るナノコンタクト再生素子の構成を示す平面図、図1(b)は、図1(a)に示す切断線A−Aで切断したときの断面図である。なお、図1(a)においては、後述するハードバイアス層8a、8bおよびリード層10a、10bは省略している。
次に、本発明の第2実施形態による磁気再生ヘッドを、図3乃至図4を参照して説明する。図3は本実施形態による磁気再生ヘッドの構成を示す平面図、図4は図3に示す切断線A−Aで切断したときの断面図である。なお、図3はリード層10a、10bまでが形成されたときの平面図を示す。
次に、本発明の第3実施形態による磁気再生ヘッドを、図5を参照して説明する。図5は本実施形態による磁気再生ヘッドの構成を示す断面図である。本実施形態による磁気再生ヘッドはCPP構造のシールド型磁気再生ヘッドであって、下部シールド12と、上部シールド18との間に、NiFe層21とNi層22との積層膜からなるフリー層2が設けられている。このフリー層2のトラック幅方向の一方の側にはNiFe層4a1とNi層4a2との積層膜からなるピン層4aがナノコンタクト7aを介して設けられ、他方の側にはNiFe層4b1とNi層4b2との積層膜からなるピン層4bがナノコンタクト7bを介して設けられている。
次に、本発明の第4実施形態による磁気再生ヘッドを図6(a)、(b)を参照して説明する。本実施形態による磁気再生ヘッドはナノコンタクト再生素子を有し、このナノコンタクト再生素子の平面図を図6(a)に示し、図6(a)に示す切断線A−Aで切断したときの断面図を図6(b)に示す。この実施形態に係るナノコンタクト再生素子は、フリー層2と、このフリー層2のトラック幅方向の両脇に設けられたピン層4a、4bと、フリー層2とピン層4a、4bとの間に設けられた絶縁層6a、6bと、絶縁層6a、6b内に設けられフリー層2とピン層4a、4bを電気的に接続するナノコンタクト7a、7bと、フリー層2上に設けられた例えば膜厚2.5nmのCuからなる非磁性層20と、非磁性層20上に設けられた例えば膜厚2.5nmのCoFeからなる強磁性層22と、ピン層4a、4b上に設けられたCoPtからなるハードバイアス層8a、8bと、ハードバイアス層8a、8b上に設けられた例えばMoWからなるリード層10a、10bとを備えている。フリー層2は例えば膜厚2.5nmのNiFe層21と、膜厚2.5nmのNi層22からなる積層構造となっている。また、ピン層4aは例えば膜厚2.5nmのNiFe層4a1と、膜厚2.5nmのNi層4a2からなる積層構造となっている。ピン層4bは例えば膜厚2.5nmのNiFe層4b1と、膜厚2.5nmのNi層4b2からなる積層構造となっている。
次に、本発明の第5実施形態による磁気再生ヘッドを、図7を参照して説明する。図7は、本実施形態による磁気再生ヘッドの構成を示す断面図である。本実施形態による磁気再生ヘッドは、第2実施形態で説明した磁気再生ヘッドにおいて、ナノコンタクト再生素子を第4実施形態で説明したナノコンタクト再生素子に置き換えた構成となっている。すなわちフリー層2を膜厚2.5nmのNiFe層21と膜厚2.5nmのNi層22からなる積層膜とし、ピン層4aを膜厚2.5nmのNiFe層4a1と膜厚2.5nmのNi層4a2からなる積層膜とし、ピン層4bを膜厚2.5nmのNiFe層4b1と膜厚2.5nmのNi層4b2からなる積層膜とし、フリー層2のNi層22上に形成される例えば膜厚2.5nmのCuからなる非磁性層20と、この非磁性層20上に形成される例えば膜厚2.5nmのCoFeからなる強磁性層22とを備えるように構成したものである。なお、フリー層2の幅を20nmとした。
次に、本発明の第6実施形態による磁気再生ヘッドの製造方法を、図8(a)乃至図11(d)を参照して説明する。本実施形態による製造方法は、図4に示す第2実施形態による磁気再生ヘッドにおいて、フリー層2およびピン層4a、4bをNiFe/Niからなる積層膜で構成した場合の製造方法である。図8(a)乃至図9(b)は本実施形態による磁気再生ヘッドの製造方法の製造工程を示す断面図、図10(a)乃至図11(a)は図8(a)乃至図9(a)に対応する製造工程を示す平面図である。また、図11(b)乃至図11(d)は本実施形態による磁気再生ヘッドの製造方法の製造工程を示す平面図であって、図11(c)は、図9(b)に対応する平面図である。なお、図8(a)乃至図9(b)は、図10(a)に示す切断線A−Aに沿って切断したときの断面図である。
次に、本発明の第7実施形態による磁気再生ヘッドの製造方法を、図12(a)乃至図13(c)を参照して説明する。図12(a)乃至図13(c)は、本実施形態による磁気再生ヘッドの製造工程を示す断面図である。
次に、本発明の第8実施形態による磁気再生ヘッドの製造方法を、図16(a)乃至図17(c)を参照して説明する。図16(a)乃至図17(c)は、本実施形態による磁気再生ヘッドの製造方法の製造工程を示す断面図である。
次に、本発明の第9実施形態による磁気記録再生装置について説明する。図1乃至図18に関して説明した第1乃至第8実施形態による磁気ヘッドは、例えば、記録再生一体型の磁気ヘッドアセンブリに組み込まれ、磁気記録再生装置に搭載することができる。
4a、4b ピン層
6a、6b 絶縁層
7a、7b ナノコンタクト
8a、8b ハードバイアス層
10a、10b リード層
12 下部シールド
13 下ギャップ層
14 下ギャップ層
15a、15b 絶縁層
16 上ギャップ層
17 上ギャップ層
18 上部シールド
20 非磁性層
22 強磁性層
23 反強磁性層
24 絶縁層
Claims (9)
- 外部磁界を感知する第1磁性層と、前記第1磁性層のトラック幅方向の側部の少なくとも一方に設けられ磁化方向が固着された第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた第1絶縁層と、前記絶縁層内に設けられ前記第1および第2磁性層を電気的に接続するコンタクトとを備え、前記第1および第2磁性層の磁化方向は外部磁界が印加されない状態で略直交していることを特徴とする磁気再生ヘッド。
- 前記第2磁性層は前記第1磁性層のトラック幅方向の両側に設けられていることを特徴とする請求項1記載の磁気再生ヘッド。
- 前記第1磁性層の膜厚方向の上下に設けられた磁性体からなる第1シールドおよび第2シールドを有し、前記第2磁性層の磁化方向は媒体走行面に垂直であることを特徴とする請求項1または2記載の磁気再生ヘッド。
- 前記第1磁性層と前記第1シールドとの間に設けられた第2絶縁層と、前記第2磁性層と前記第2シールドとの間に設けられた第3絶縁層とを備えたことを特徴とする請求項3記載の磁気再生ヘッド。
- 抵抗変化を感知するセンス電流が、前記第1シールド、前記第2磁性層、コンタクト、前記第1磁性層、前記第2シールドの順序かまたは逆の順序に流れることを特徴とする請求項3記載の磁気再生ヘッド。
- 前記第2磁性層は前記第1磁性層のトラック幅方向の一方の側に設けられた第3磁性層と他方の側に設けられた第4磁性層からなり、前記第3磁性層上に設けられた第1電極と前記第4磁性層上に設けられた第2電極とを更に備え、抵抗変化を感知するためのセンス電流が、前記第1電極、前記第3磁性層、前記コンタクト、前記第1磁性層、前記コンタクト、前記第4磁性層、前記第2電極の順序かまたは逆の順序に流れることを特徴とする請求項2記載の磁気再生ヘッド。
- 前記コンタクトは、単一の点、直線状、もしくは複数のドット状となっていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の磁気再生ヘッド。
- 前記第1および第2磁性層は、材質の異なる複数の強磁性膜が積層された積層膜であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の磁気再生ヘッド。
- 請求項1乃至8のいずれかに記載の磁気再生ヘッドを備えたことを特徴とする磁気記録再生装置。
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