JP3782347B2 - Flat display device and manufacturing method thereof - Google Patents

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JP3782347B2 JP2001401300A JP2001401300A JP3782347B2 JP 3782347 B2 JP3782347 B2 JP 3782347B2 JP 2001401300 A JP2001401300 A JP 2001401300A JP 2001401300 A JP2001401300 A JP 2001401300A JP 3782347 B2 JP3782347 B2 JP 3782347B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、平坦な形状の平面型表示装置に係り、特に、真空の表示装置内部に多数の電子放出素子を設けた平面型表示装置およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、陰極線管(以下、CRTと称する)に代わる次世代の軽量、薄型の表示装置として様々な平面型表示装置が開発されている。このような平面型表示装置には、液晶の配向を利用して光の強弱を制御する液晶ディスプレイ(以下、LCDと称する)、プラズマ放電の紫外線により蛍光体を発光させるプラズマディスプレイパネル(以下、PDPと称する)、電界放出型電子放出素子の電子ビームにより蛍光体を発光させるフィールドエミッションディスプレイ(以下、FEDと称する)、表面伝導型電子放出素子の電子ビームにより蛍光体を発光させる表面伝導電子放出ディスプレイ(以下、SEDと称する)などがある。
【0003】
この中で、例えば、FEDやSEDに用いられる真空外囲器は、通常、対向配置された前面基板および背面基板を備え、これらの基板はその周縁部が互いに封着されている。そして、前面基板および背面基板の間隔をmmオーダーで確保するため封着材だけでは間隔を埋めることができず、両基板の周縁部間に封着領域に矩形枠状の側壁を配置し、側壁の両面と前面基板および背面基板との間に構成される2つの封着層を有している。
【0004】
このような外囲器の製造方法として、例えば、特開2000−229825号公報に開示された製造方法によれば、予めフリットガラスにより背面基板と側壁とを大気雰囲気中で接合し、次に、背面基板に接合された側壁と前面基板とを真空槽内で封着材を用いて封着し、真空外囲器を形成している。封着材としては、低温で溶融し、かつ真空中でのガス放出の少ないインジウム等の低融点金属材料が用いられる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上述した真空外囲器の製造方法では、背面基板と側壁の接合にフリットガラスを用いているため、フリットガラスの軟化に400℃程度の高温を要すること、予めフリットガラスを仮焼成する工程が必要なことなど、量産性に問題がある。また、フリットガラスは鉛を含んでいるため、環境面においても代替品が必要となっている。
【0006】
このような問題に対して、本発明者等は、背面基板と側壁の接合をフリットガラスに代えてインジウム等の低融点金属材料を用いることで解決しようと試みた。また、2つの封着層を真空槽内で一度に封着する検討を行った。
【0007】
しかしながら、インジウムは溶融すると粘性が非常に低く、封着時には側壁の自重や反りにより2つの封着層の厚さが場所によって大きくばらつき、特に、下側封着層が潰されて薄くなる不具合を生じていた。そのため、部分的な封着材不足による封着部の気密性劣化、あるいは、封着材過多によるはみ出し不良が増大する問題がある。
【0008】
この発明は、上述した問題に鑑みなされたもので、その目的は、封着部の気密性が高く信頼性の向上した平面型表示装置およびその製造方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明に係る平面型表示装置は、対向配置された前面基板および背面基板と、上記前面基板および背面基板の周縁部間に配置されているとともに、導電性を有する材料で形成されたほぼ枠状の側壁と、上記背面基板と側壁との間を封着した封着層および上記前面基板と側壁との間を封着した封着層と、上記前面基板と背面基板との間に設けられた複数のスペーサと、上記前面基板および背面基板の少なくとも一方と上記側壁との間に設けられ、上記封着層を所定の厚さに維持したスペーサ部材と、を備えたことを特徴としている。
【0010】
また、この発明に係る平面型表示装置の製造方法は、対向配置された前面基板および背面基板と、上記前面基板および背面基板の周縁部間に配置されたほぼ枠状の側壁と、上記背面基板と側壁との間を封着した封着層および上記前面基板と側壁との間を封着した封着層と、上記前面基板と背面基板との間に設けられた複数のスペーサと、を備えた平面型表示装置の製造方法において、
上記側壁を導電性を有した材料で形成し、上記背面基板および前面基板の一方と上記側壁との間に封着材およびスペーサ部材を配置した状態で、上記封着材を加熱溶融して封着層を形成することにより上記一方の基板と側壁とを封着し、上記一方の基板と側壁とを封着した後、上記一方の基板が他方の基板の下側に位置した状態で、上記他方の基板と側壁との間に配置された封着材および上記一方の基板と側壁とを封着した上記封着層の封着材を加熱溶融して上記側壁と上記背面基板および前面基板との間にそれぞれ封着層を形成し、その際、上記側壁に電流を通電して加熱することにより、上記2つの封着層の少なくとも一方の封着層の封着材を溶融させて封着することを特徴としている。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、この発明を平面型表示装置としてFEDに適用した実施の形態について詳細に説明する。
図1および図2に示すように、このFEDは、それぞれ透明な矩形状の絶縁基板、例えば、ガラス板からなる背面基板11および前面基板12を備え、これらの基板は所定の隙間を置いて対向配置されている。そして、背面基板11および前面基板12は、ガラスからなる矩形枠状の側壁13を介して周縁部同志が接合され、偏平な矩形状の真空外囲器18を構成している。
【0012】
前面基板12の内面には蛍光体スクリーン16が形成されている。この蛍光体スクリーン16は、赤、青、緑の蛍光体層、および黒色着色層を並べて構成されている。これらの蛍光体層はストライプ状あるいはドット状に形成されている。また、蛍光体スクリーン16上には、アルミニウム等からなりアノード電極として機能するメタルバック17が形成されている。
また、背面基板11の内面上には、多数の電子放出素子20がマトリックス状に設けられ、蛍光体スクリーン16と対向している。
【0013】
接合部材として機能するほぼ矩形枠状の側壁13は、封着層15aを介して背面基板11の周縁部に封着されているとともに、封着層15bを介して前面基板12の封着部に封着されている。これにより、背面基板11および前面基板12の周縁部は、側壁3を介して互いに気密に接合されている。封着層15a、15bを形成する封着材としては、低融点金属材料、例えば、インジウムが用いられている。
【0014】
背面基板11および前面基板12の間には、これら基板間の間隔を維持するため、それぞれ板状あるいは柱状に形成された多数のスペーサ14が配置されている。スペーサ14は、その両端がそれぞれ背面基板11および前面基板12に当接することにより、これらの基板に作用する大気圧荷重を支持し、基板間の間隔を所定値に維持している。
【0015】
図2および図3に示すように、側壁13の下面側、つまり、背面基板11側の面には、その外周縁および内周縁に沿って延びた壁状のスペーサ部材22が一体に突設されている。そして、側壁13はスペーサ部材22を介して背面基板11に当接している。また、側壁13と背面基板11との間を封着した封着層15aは、スペーサ部材22の間に位置している。
【0016】
そして、上記構成のFEDによれば、背面基板11上に形成された図示しない駆動配線を介して電子放出素子20に電圧を印加することにより、電子放出素子は蛍光体スクリーン16に向けて電子を放出する。これにより、蛍光体スクリーン16の蛍光体層が励起されて発光し、画像を表示する。
【0017】
次に、上記のように構成されたFEDの製造方法について説明する。
例えば、36インチサイズのTV用FEDを製造する場合、背面基板11および前面基板12として、厚さ2.8mmのガラス板を用意し、側壁13として、幅10mm、高さ1mmの枠状のガラス材を用意する。側壁13の片面には、全周に渡って幅1mm、高さ0.3mmの壁状のスペーサ部材22が側壁13の内周縁と外周縁に沿って2本、側壁と一体に形成されている。スペーサ部材22の高さは0.1mm以上に形成されていることが望ましい。
【0018】
そして、背面基板11上に電子放出素子20および種々の配線を形成する。また、フリットガラスあるいはインジウム等の低融点金属封着材料を用いて、背面基板11上に予めスペーサ14を固定する。前面基板12には、蛍光体スクリーン16およびアルミニウム膜からなるメタルバック17を形成する。更に、側壁13の両面には、全周に渡って幅3mm、厚さ0.4mmのインジウム25a、25bをそれぞれ塗布充填する。
【0019】
ここで、インジウムは、融点が156℃と低温であることに加えて、真空中で加熱されてもガス放出が極端に小さく、FEDの特性を劣化させることが少ない優れた封着材料である。
【0020】
続いて、上記のようにして用意した背面基板11、前面基板12、側壁13を真空槽内で一度に封着して、真空外囲器18を形成する。すなわち、図4に示すように、側壁13を間に挟んで背面基板11および前面基板12を対向配置した状態で、これらを真空槽内に送り込む。この際、背面基板11を下側とし、かつ、側壁13はスペーサ部材22が下を向いた状態、つまり、背面基板11側に突出した状態、に配置する。
【0021】
そして、これらを加熱して各部材の表面吸着ガスを放出させ、更に、これらの部材を電子線洗浄した後、一旦冷却する。続いて、真空槽内で、背面基板11、前面基板12、側壁13を約180℃に加熱し、インジウム25a、25bを十分に溶融する。この状態で、背面基板11および前面基板12を互いに接近する方向に加圧し、インジウム25a、25bかなる封着層15a、15bにより背面基板11と側壁13、および前面基板12と側壁とを同時に封着する。
【0022】
この際、溶融したインジウム25a、25bは極めて粘性の小さい状態にある。しかしながら、側壁13は背面基板11に当接するスペーサ部材22を備えているため、この側壁と背面基板との間に位置した封着層15aは、側壁の自重によって過度に押し潰されることなく、所定厚さの封着層を形成することができる。また、側壁13と前面基板12との間に位置した封着層15bについても、背面基板11と前面基板12との間にはスペーサ14が設けられ、更に、側壁にはスペーサ部材22が設けられているため、前面基板によって過度に押し潰されることなく、所定の厚さに保たれる。
その後、背面基板11、前面基板12、側壁13を冷却し、封着層を固化させることにより、FEDの真空外囲器18が形成される。
【0023】
以上のように構成されたFEDおよびその製造方法によれば、一度に2つの封着層15a、15bを低温で加熱して封着できるため、FEDの量産性が大幅に向上する。同時に、側壁13と背面基板11との間に側壁と一体のスペーサ部材22を設けることにより、封着層15a、15bを全周に亘って所定厚さに維持することができる。従って、部分的な封着材不足による封着部の気密性劣化、あるいは、封着材過多によるはみ出し不良を低減し、封着部の気密性が高く信頼性の向上したFEDを得ることができる。
【0024】
なお、上述した実施の形態において、側壁13を導電性の材料、例えば、Fe、Cr、Ni、Alのいずれかを少なくとも含有した高融点材料等により形成してもよく材してもよく、この場合、側壁に通電することで封着領域だけを加熱封着することができ、一層量産性が向上する。また、封着材料としてはインジウムを用いているが、同様に粘性が低く側壁の自重や反りに対して封着層の厚さを保てないような他の封着材、例えば、インジウム合金、金属はんだ等を用いてもよい。
【0025】
更に、上述した実施の形態では、真空槽内で一度に2つの封着部を封着する構成を示したが、予めインジウム等の封着材により片方の封着部、すなわち、片側の基板と側壁との間を接合しておく構成、あるいは、全ての封着を大気雰囲気中で行なう構成としてもよい。
【0026】
次に、この発明の第2の実施の形態に係るFEDおよびその製造方法について説明する。
図5に示すように、本実施の形態によれば、予め背面基板11と側壁13とをインジウムからなる封着層15aにより大気雰囲気中で接合し、その後、真空槽内でインジウム15bにより前面基板12と側壁13とを封着する。2つの封着部を2回に分けて封着することで、真空槽内における位置合わせを背面基板11と前面基板12との間の位置合わせのみに簡易化し、量産性の向上および環境負荷の向上を図るものである。
【0027】
真空槽内における封着工程では、インジウム25bの溶融とともに、側壁13と背面基板11とを接合した封着層15aのインジウム25aも溶融するが、側壁13に設けられたスペーサ部材22により、封着層15aの潰れを防止し所定厚さに維持することができる。
【0028】
また、第2の実施の形態では、側壁13における外周側のスペーサ部材22を側壁全周に対して間欠的に設け、封着時、余剰インジウム25aを外周側のスペーサ部材22の隙間23から外側へ逃がせる構成とした。更に、側壁13の幅を10mmから8mmに狭く形成するとともに、インジウム25aの充填幅を3mmから5mmに増大した。
【0029】
これにより、側壁13の幅を細くしてFEDの狭額縁化を図ることができ、同時に、前述した第1の実施の形態と同様に、封着部の気密性を高くし信頼性向上を図ることができる。
なお、他の構成は上述した第1の実施の形態と同一であり、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
【0030】
上述した実施の形態において、スペーサ部材22は側壁13と一体に形成したが、これらのスペーサ部材は背面基板11と側壁との間に設けられていればよく、側壁と別体に形成されていても良い。
【0031】
図6に示すように、第3の実施の形態によれば、背面基板11と側壁13との間の封着層15aを形成するインジウム中にスペーサ部材22として予め径0.3mmの金属ビーズを埋没させている。他の構成は上述した第1の実施の形態と同一であり、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
【0032】
第3の実施の形態においても、封着層15a、15bを所定厚さに維持し、気密性の向上した信頼性の高いFEDを得ることができるとともに、側壁13の加工が容易となり量産性を更に向上することが可能となる。
【0033】
図7および図8に示すように、第4の実施の形態によれば、スペーサ部材22として小さな矩形状のブロックを用い、複数のスペーサ部材を、側壁13と背面基板11との間で、側壁の全周に所定の隙間おいて間欠的に配置している。この場合、スペーサ部材22は、一対ずつ側壁13の内周側と外周側とに対向して配されている。
【0034】
そして、スペーサ部材22の配置数は、使用する側壁13の剛性に合わせて最小限に留める。これにより、スペーサ部材に係わる量産性を向上することができる。
【0035】
また、スペーサ部材22の配置は、図9に示すように、側壁13の内外周で互い違いにしてもよく、これによりスペーサ部材22が配置されている部分における封着層15aの幅減少量を最小限とすることができる。
なお、他の構成は上述した第1の実施の形態と同一であり、第1の実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【0036】
図10に示すように、この発明の第5の実施の形態によれば、側壁13と背面基板11との間に設けられたスペーサ部材22に加えて、側壁13と前面基板12との間にも他のスペーサ部材24が設けられている。
【0037】
すなわち、背面基板11と対向した側壁13の下面には、第1の実施の形態と同様に、その外周縁および内周縁に沿って延びた壁状のスペーサ部材22が一体に突設されている。そして、側壁13はスペーサ部材22を介して背面基板11に当接している。側壁13と背面基板11との間を封着した封着層15aは、スペーサ部材22の間に位置している。
【0038】
また、前面基板12と対向した側壁13の上面には、その外周縁および内周縁に沿って延びた壁状のスペーサ部材24が一体に突設されている。そして、側壁13はスペーサ部材24を介して前面基板12に当接している。側壁13と前面基板12との間を封着した封着層15bは、スペーサ部材24の間に位置している。
他の構成は上述した第1の実施の形態と同一であり、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
【0039】
上記のように構成された第5の実施の形態においても、前述した第1の実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。加えて、第5の実施の形態によれば、側壁13と前面基板12との間にもスペーサ部材24を設けることにより、側壁13の反りによる側壁および基板の浮き上がり、並びに、封着層15a、15bの厚さのばらつきを低減することができる。従って、気密性が高く一層信頼性の向上したFEDが得られる。
【0040】
なお、第5の実施の形態において、スペーサ部材24は、上述した第2ないし第4の実施の形態に示したスペーサ部材構造としても良い。その他、この発明は上述した実施の形態に限定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能である。例えば、この発明は、FEDやSEDの真空外囲器に限るものではなく、PDP等の他の平面型表示装置にも適用することができる。
【0041】
【発明の効果】
以上詳述したように、この発明によれば、量産性に優れているとともに、封着部の気密性が高く信頼性の向上した平面型表示装置およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態に係る平面型表示装置を示す斜視図。
【図2】図1の線A−Aに沿った上記平面型表示装置の断面図。
【図3】上記平面型表示装置の側壁の一部を示す斜視図。
【図4】上記平面型表示装置の製造工程を示す断面図。
【図5】この発明の第2の実施の形態に係る平面型表示装置の製造工程を示す断面図。
【図6】この発明の第3の実施の形態に係る平面型表示装置を示す断面図。
【図7】この発明の第4の実施の形態に係る平面型表示装置を示す断面図。
【図8】上記第4の実施の形態に係る平面型表示装置の背面基板、側壁、およびスペーサ部材を示す平面図。
【図9】上記第4の実施の形態に係る平面型表示装置の変形例を示す平面図。
【図10】この発明の第5の実施の形態に係る平面型表示装置を示す断面図。
【符号の説明】
11…背面基板
12…前面基板
13…側壁
14…スペーサ
15a、15b…封着層
16…蛍光体スクリーン
17…メタルバック層
18…真空外囲器
20…電子放出素子
22、24…スペーサ部材
25a、25b…インジウム
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a flat display device having a flat shape, and more particularly to a flat display device in which a large number of electron-emitting devices are provided in a vacuum display device and a method for manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art In recent years, various flat display devices have been developed as next-generation lightweight and thin display devices that replace cathode ray tubes (hereinafter referred to as CRTs). Such flat display devices include a liquid crystal display (hereinafter referred to as LCD) that controls the intensity of light by utilizing the orientation of liquid crystal, and a plasma display panel (hereinafter referred to as PDP) that emits phosphors by ultraviolet rays of plasma discharge. Field emission display (hereinafter referred to as FED) that emits a phosphor with an electron beam of a field emission electron emitter, and a surface conduction electron emission display that emits a phosphor with an electron beam of a surface conduction electron emitter. (Hereinafter referred to as SED).
[0003]
Among these, for example, a vacuum envelope used for an FED or SED is usually provided with a front substrate and a rear substrate which are arranged to face each other, and the peripheral portions of these substrates are sealed together. Further, in order to secure the distance between the front substrate and the rear substrate on the order of mm, the gap cannot be filled with the sealing material alone, and a rectangular frame-shaped side wall is disposed in the sealing region between the peripheral portions of the two substrates. And two sealing layers formed between the front substrate and the back substrate.
[0004]
As a manufacturing method of such an envelope, for example, according to the manufacturing method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-229825, the back substrate and the side wall are bonded in advance in an air atmosphere with frit glass, The side wall joined to the back substrate and the front substrate are sealed with a sealing material in a vacuum chamber to form a vacuum envelope. As the sealing material, a low-melting-point metal material such as indium that melts at a low temperature and emits less gas in vacuum is used.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
In the vacuum envelope manufacturing method described above, since frit glass is used for joining the back substrate and the side wall, the frit glass needs to be softened at a high temperature of about 400 ° C., and the frit glass must be pre-baked. There are problems with mass productivity. Moreover, since frit glass contains lead, an alternative is necessary also in terms of environment.
[0006]
In order to solve such a problem, the present inventors tried to solve the problem by using a low-melting-point metal material such as indium instead of frit glass for joining the back substrate and the side wall. Moreover, examination which seals two sealing layers at once in a vacuum chamber was performed.
[0007]
However, when indium melts, the viscosity is very low, and the thickness of the two sealing layers varies greatly depending on the location due to the weight and warpage of the side walls, especially when the lower sealing layer is crushed and thinned. It was happening. For this reason, there is a problem that the airtightness of the sealed portion is deteriorated due to partial lack of the sealing material, or the protrusion failure due to excessive sealing material is increased.
[0008]
The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a flat display device having a sealed portion with high airtightness and improved reliability and a method for manufacturing the same.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a flat display device according to the present invention includes a front substrate and a rear substrate that are arranged opposite to each other , and a conductive material that is disposed between peripheral portions of the front substrate and the rear substrate. A substantially frame-shaped side wall, a sealing layer sealed between the back substrate and the side wall, a sealing layer sealed between the front substrate and the side wall, and the front substrate and the back substrate And a spacer member provided between at least one of the front substrate and the back substrate and the side wall and maintaining the sealing layer at a predetermined thickness. It is characterized by that.
[0010]
In addition, the flat display device manufacturing method according to the present invention includes a front substrate and a back substrate that are arranged to face each other, a substantially frame-like side wall that is disposed between peripheral edges of the front substrate and the back substrate, and the back substrate. A sealing layer sealed between the front substrate and the side wall, a sealing layer sealed between the front substrate and the side wall, and a plurality of spacers provided between the front substrate and the rear substrate. In the manufacturing method of the flat display device,
The side wall is formed of a conductive material, and the sealing material is heated and melted and sealed in a state where the sealing material and the spacer member are disposed between one of the rear substrate and the front substrate and the side wall. After the one substrate and the side wall are sealed by forming an adhesion layer, and the one substrate and the side wall are sealed, the one substrate is positioned below the other substrate, A sealing material disposed between the other substrate and the side wall and a sealing material of the sealing layer sealing the one substrate and the side wall are heated and melted to heat and melt the side wall, the back substrate, and the front substrate. A sealing layer is formed between each of the two sealing layers, and at that time, the sealing material of at least one sealing layer of the two sealing layers is melted and sealed by applying current to the side wall and heating. It is characterized by doing.
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention applied to an FED as a flat display device will be described in detail with reference to the drawings.
As shown in FIGS. 1 and 2, the FED includes a transparent rectangular insulating substrate, for example, a back substrate 11 and a front substrate 12 made of a glass plate, and these substrates face each other with a predetermined gap. Has been placed. The rear substrate 11 and the front substrate 12 are joined to each other at peripheral edges via a rectangular frame-shaped side wall 13 made of glass to constitute a flat rectangular vacuum envelope 18.
[0012]
A phosphor screen 16 is formed on the inner surface of the front substrate 12. The phosphor screen 16 is configured by arranging red, blue, and green phosphor layers and a black colored layer. These phosphor layers are formed in stripes or dots. A metal back 17 made of aluminum or the like and functioning as an anode electrode is formed on the phosphor screen 16.
A large number of electron-emitting devices 20 are provided in a matrix on the inner surface of the back substrate 11 and face the phosphor screen 16.
[0013]
The substantially rectangular frame-shaped side wall 13 that functions as a joining member is sealed to the peripheral edge portion of the back substrate 11 via the sealing layer 15a, and to the sealing portion of the front substrate 12 via the sealing layer 15b. Sealed. Accordingly, the peripheral portions of the back substrate 11 and the front substrate 12 are airtightly bonded to each other via the side wall 3. As a sealing material for forming the sealing layers 15a and 15b, a low melting point metal material such as indium is used.
[0014]
Between the back substrate 11 and the front substrate 12, a large number of spacers 14 each formed in a plate shape or a column shape are arranged in order to maintain the distance between the substrates. Both ends of the spacer 14 are in contact with the back substrate 11 and the front substrate 12, respectively, thereby supporting the atmospheric pressure load acting on these substrates and maintaining the distance between the substrates at a predetermined value.
[0015]
As shown in FIGS. 2 and 3, a wall-like spacer member 22 extending along the outer peripheral edge and the inner peripheral edge is integrally projected on the lower surface side of the side wall 13, that is, the surface on the rear substrate 11 side. ing. The side wall 13 is in contact with the back substrate 11 via the spacer member 22. Further, the sealing layer 15 a that seals between the side wall 13 and the back substrate 11 is located between the spacer members 22.
[0016]
According to the FED having the above-described configuration, the electron-emitting device applies electrons to the phosphor screen 16 by applying a voltage to the electron-emitting device 20 through a drive wiring (not shown) formed on the back substrate 11. discharge. Thereby, the phosphor layer of the phosphor screen 16 is excited to emit light, and an image is displayed.
[0017]
Next, a method for manufacturing the FED configured as described above will be described.
For example, when a 36-inch TV FED is manufactured, a glass plate having a thickness of 2.8 mm is prepared as the rear substrate 11 and the front substrate 12, and a frame-shaped glass having a width of 10 mm and a height of 1 mm is used as the side wall 13. Prepare the materials. On one side of the side wall 13, two wall-shaped spacer members 22 having a width of 1 mm and a height of 0.3 mm are formed integrally with the side wall along the inner and outer peripheral edges of the side wall 13. . It is desirable that the height of the spacer member 22 is 0.1 mm or more.
[0018]
Then, the electron-emitting device 20 and various wirings are formed on the back substrate 11. Further, the spacer 14 is fixed on the back substrate 11 in advance using a low melting point metal sealing material such as frit glass or indium. A phosphor screen 16 and a metal back 17 made of an aluminum film are formed on the front substrate 12. Further, both sides of the side wall 13 are filled with indium 25a and 25b having a width of 3 mm and a thickness of 0.4 mm over the entire circumference.
[0019]
Here, indium is an excellent sealing material that has an extremely low melting point of 156 ° C., and has an extremely small outgassing even when heated in vacuum, and hardly deteriorates the characteristics of the FED.
[0020]
Subsequently, the back substrate 11, the front substrate 12, and the side wall 13 prepared as described above are sealed at once in a vacuum chamber to form a vacuum envelope 18. That is, as shown in FIG. 4, in a state where the rear substrate 11 and the front substrate 12 are arranged opposite to each other with the side wall 13 interposed therebetween, these are fed into the vacuum chamber. At this time, the rear substrate 11 is on the lower side, and the side wall 13 is disposed in a state in which the spacer member 22 faces downward, that is, in a state in which the spacer member 22 protrudes toward the rear substrate 11 side.
[0021]
And these are heated, the surface adsorption gas of each member is discharge | released, Furthermore, after cooling these members with an electron beam, it cools once. Subsequently, the back substrate 11, the front substrate 12, and the side wall 13 are heated to about 180 ° C. in the vacuum chamber, and the indiums 25a and 25b are sufficiently melted. In this state, the back substrate 11 and the front substrate 12 are pressurized in a direction approaching each other, and the back substrate 11 and the side wall 13 and the front substrate 12 and the side wall are simultaneously sealed by the sealing layers 15a and 15b made of indium 25a and 25b. To wear.
[0022]
At this time, the melted indium 25a and 25b are in a very low viscosity state. However, since the side wall 13 includes the spacer member 22 that comes into contact with the back substrate 11, the sealing layer 15a positioned between the side wall and the back substrate is not excessively crushed by the weight of the side wall, and is predetermined. A thick sealing layer can be formed. As for the sealing layer 15b located between the side wall 13 and the front substrate 12, a spacer 14 is provided between the back substrate 11 and the front substrate 12, and a spacer member 22 is provided on the side wall. Therefore, it is kept at a predetermined thickness without being excessively crushed by the front substrate.
Thereafter, the rear substrate 11, the front substrate 12, and the side wall 13 are cooled, and the sealing layer is solidified, whereby the FED vacuum envelope 18 is formed.
[0023]
According to the FED configured as described above and the manufacturing method thereof, since the two sealing layers 15a and 15b can be sealed by heating at a low temperature, the mass productivity of the FED is greatly improved. At the same time, by providing the spacer member 22 integral with the side wall between the side wall 13 and the back substrate 11, the sealing layers 15a and 15b can be maintained at a predetermined thickness over the entire circumference. Accordingly, it is possible to obtain an FED with high airtightness of the sealing portion and high reliability by reducing deterioration of the airtightness of the sealing portion due to partial lack of the sealing material, or by reducing the protrusion failure due to excessive sealing material. .
[0024]
In the above-described embodiment, the side wall 13 may be formed of a conductive material, for example, a high melting point material containing at least one of Fe, Cr, Ni, and Al. In this case, only the sealing region can be heated and sealed by energizing the side wall, which further improves mass productivity. In addition, although indium is used as the sealing material, other sealing materials that are similarly low in viscosity and cannot maintain the thickness of the sealing layer against the weight and warpage of the side walls, for example, indium alloys, Metal solder or the like may be used.
[0025]
Furthermore, in the above-described embodiment, the configuration in which two sealing portions are sealed at a time in the vacuum chamber has been shown. However, one sealing portion, that is, one side of the substrate is previously sealed with a sealing material such as indium. It is good also as a structure which joins between side walls, or the structure which performs all sealing in air | atmosphere atmosphere.
[0026]
Next, an FED and a method for manufacturing the same according to a second embodiment of the present invention will be described.
As shown in FIG. 5, according to the present embodiment, the back substrate 11 and the side wall 13 are previously bonded in the air atmosphere by the sealing layer 15a made of indium, and then the front substrate is made of indium 15b in the vacuum chamber. 12 and the side wall 13 are sealed. By sealing the two sealing parts in two steps, the positioning in the vacuum chamber is simplified only to the positioning between the back substrate 11 and the front substrate 12, improving the mass productivity and reducing the environmental load. It is intended to improve.
[0027]
In the sealing step in the vacuum chamber, indium 25a of the sealing layer 15a joining the side wall 13 and the back substrate 11 is melted together with melting of the indium 25b, but the sealing is performed by the spacer member 22 provided on the side wall 13. The layer 15a can be prevented from being crushed and maintained at a predetermined thickness.
[0028]
In the second embodiment, the spacer member 22 on the outer peripheral side of the side wall 13 is provided intermittently with respect to the entire periphery of the side wall, and excess indium 25a is removed from the gap 23 of the spacer member 22 on the outer peripheral side during sealing. It was made the composition which can escape. Further, the width of the side wall 13 was narrowed from 10 mm to 8 mm, and the filling width of the indium 25a was increased from 3 mm to 5 mm.
[0029]
As a result, the width of the side wall 13 can be reduced to narrow the frame of the FED, and at the same time, as in the first embodiment described above, the hermeticity of the sealing portion is increased and the reliability is improved. be able to.
Other configurations are the same as those of the first embodiment described above, and the same parts are denoted by the same reference numerals and detailed description thereof is omitted.
[0030]
In the above-described embodiment, the spacer member 22 is formed integrally with the side wall 13. However, these spacer members only need to be provided between the back substrate 11 and the side wall, and are formed separately from the side wall. Also good.
[0031]
As shown in FIG. 6, according to the third embodiment, metal beads having a diameter of 0.3 mm are previously provided as spacer members 22 in indium forming the sealing layer 15a between the back substrate 11 and the side wall 13. I am buried. Other configurations are the same as those of the first embodiment described above, and the same portions are denoted by the same reference numerals and detailed description thereof is omitted.
[0032]
Also in the third embodiment, the sealing layers 15a and 15b can be maintained at a predetermined thickness, and a highly reliable FED with improved airtightness can be obtained, and the processing of the side wall 13 is facilitated and mass productivity is improved. Further improvement is possible.
[0033]
As shown in FIGS. 7 and 8, according to the fourth embodiment, a small rectangular block is used as the spacer member 22, and a plurality of spacer members are arranged between the side wall 13 and the back substrate 11. Are arranged intermittently with a predetermined gap around the entire circumference. In this case, the spacer members 22 are arranged to face the inner peripheral side and the outer peripheral side of the side wall 13 one by one.
[0034]
And the arrangement number of the spacer member 22 is kept to the minimum according to the rigidity of the side wall 13 to be used. Thereby, the mass productivity concerning a spacer member can be improved.
[0035]
Further, as shown in FIG. 9, the spacer members 22 may be arranged alternately on the inner and outer peripheries of the side walls 13, thereby minimizing the width reduction amount of the sealing layer 15 a in the portion where the spacer members 22 are arranged. Limit.
Other configurations are the same as those of the above-described first embodiment, and the same effects as those of the first embodiment can be obtained.
[0036]
As shown in FIG. 10, according to the fifth embodiment of the present invention, in addition to the spacer member 22 provided between the side wall 13 and the back substrate 11, the space between the side wall 13 and the front substrate 12 is provided. Also, another spacer member 24 is provided.
[0037]
That is, on the lower surface of the side wall 13 facing the back substrate 11, a wall-like spacer member 22 extending along the outer peripheral edge and the inner peripheral edge is integrally projected from the lower surface as in the first embodiment. . The side wall 13 is in contact with the back substrate 11 via the spacer member 22. The sealing layer 15 a that seals between the side wall 13 and the back substrate 11 is located between the spacer members 22.
[0038]
Further, a wall-like spacer member 24 extending along the outer peripheral edge and the inner peripheral edge is integrally projected on the upper surface of the side wall 13 facing the front substrate 12. The side wall 13 is in contact with the front substrate 12 via the spacer member 24. The sealing layer 15 b that seals between the side wall 13 and the front substrate 12 is located between the spacer members 24.
Other configurations are the same as those of the first embodiment described above, and the same portions are denoted by the same reference numerals and detailed description thereof is omitted.
[0039]
Also in the fifth embodiment configured as described above, the same operational effects as those of the first embodiment described above can be obtained. In addition, according to the fifth embodiment, by providing the spacer member 24 also between the side wall 13 and the front substrate 12, the side wall and the substrate are lifted by the warp of the side wall 13, and the sealing layer 15a, The variation in the thickness of 15b can be reduced. Therefore, an FED having high airtightness and further improved reliability can be obtained.
[0040]
In the fifth embodiment, the spacer member 24 may have the spacer member structure shown in the second to fourth embodiments described above. In addition, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made within the scope of the present invention. For example, the present invention is not limited to a vacuum envelope of FED or SED, but can be applied to other flat display devices such as PDP.
[0041]
【The invention's effect】
As described above in detail, according to the present invention, it is possible to provide a flat panel display device that is excellent in mass productivity and has high sealing performance and improved reliability, and a method for manufacturing the same.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing a flat display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the flat display device taken along line AA in FIG.
FIG. 3 is a perspective view showing a part of a side wall of the flat display device.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the flat display device.
FIG. 5 is a sectional view showing a manufacturing process of a flat display device according to a second embodiment of the invention.
FIG. 6 is a sectional view showing a flat display device according to a third embodiment of the invention.
FIG. 7 is a sectional view showing a flat display device according to a fourth embodiment of the invention.
FIG. 8 is a plan view showing a rear substrate, a side wall, and a spacer member of the flat display device according to the fourth embodiment.
FIG. 9 is a plan view showing a modification of the flat display device according to the fourth embodiment.
FIG. 10 is a sectional view showing a flat display device according to a fifth embodiment of the invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Back substrate 12 ... Front substrate 13 ... Side wall 14 ... Spacer 15a, 15b ... Sealing layer 16 ... Phosphor screen 17 ... Metal back layer 18 ... Vacuum envelope 20 ... Electron emission element 22, 24 ... Spacer member 25a, 25b ... Indium

Claims (13)

対向配置された前面基板および背面基板と、
上記前面基板および背面基板の周縁部間に配置されているとともに、導電性を有する材料で形成されたほぼ枠状の側壁と、
上記背面基板と側壁との間を封着した封着層および上記前面基板と側壁との間を封着した封着層と、
上記前面基板と背面基板との間に設けられた複数のスペーサと、
上記前面基板および背面基板の少なくとも一方と上記側壁との間に設けられ、上記封着層を所定の厚さに維持したスペーサ部材と、
を備えた平面型表示装置。
A front substrate and a rear substrate disposed opposite to each other;
A substantially frame-shaped side wall formed of a conductive material and disposed between the peripheral portions of the front substrate and the rear substrate;
A sealing layer sealed between the back substrate and the side wall and a sealing layer sealed between the front substrate and the side wall;
A plurality of spacers provided between the front substrate and the back substrate;
A spacer member provided between at least one of the front substrate and the rear substrate and the side wall, and maintaining the sealing layer at a predetermined thickness;
A flat display device.
上記2つの封着層は、ほぼ同一の融点あるいは軟化点において溶融あるいは軟化する封着材料によりそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項1に記載の平面型表示装置。  2. The flat display device according to claim 1, wherein the two sealing layers are each formed of a sealing material that melts or softens at substantially the same melting point or softening point. 上記スペーサ部材は上記側壁と一体形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の平面型表示装置。  3. The flat display device according to claim 1, wherein the spacer member is integrally formed with the side wall. 上記スペーサ部材は上記封着層に隣接して配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の平面型表示装置。  3. The flat display device according to claim 1, wherein the spacer member is disposed adjacent to the sealing layer. 上記スペーサ部材は、上記封着層中に埋没して配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の平面型表示装置。  The flat display device according to claim 1, wherein the spacer member is disposed so as to be buried in the sealing layer. 上記スペーサ部材は、上記側壁の全周に対して間欠的に配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の平面型表示装置。  The flat panel display according to claim 1, wherein the spacer member is intermittently disposed with respect to the entire circumference of the side wall. 上記スペーサ部材の高さは0.1mm以上あることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の平面型表示装置。  7. The flat display device according to claim 1, wherein the spacer member has a height of 0.1 mm or more. 上記スペーサ部材に隣接した上記封着層は、金属はんだにより形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の平面型表示装置。  The flat display device according to claim 1, wherein the sealing layer adjacent to the spacer member is formed of metal solder. 上記封着層はインジウムを含んでいることを特徴とする請求項1ないし8記載の平面型表示装置。  9. The flat display device according to claim 1, wherein the sealing layer contains indium. 上記前面基板と側壁との間、および上記背面基板と側壁との間に、上記封着層を所定の厚さに維持したスペーサ部材がそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項1ないしのいずれか1項に記載の平面型表示装置。Between the front substrate and the side wall, and between the rear substrate and the sidewall, claims 1, characterized in that spacer members that maintain the sealing layer to a predetermined thickness are provided, respectively 9 The flat display device according to any one of the above. 対向配置された前面基板および背面基板と、上記前面基板および背面基板の周縁部間に配置されたほぼ枠状の側壁と、上記背面基板と側壁との間を封着した封着層および上記前面基板と側壁との間を封着した封着層と、上記前面基板と背面基板との間に設けられた複数のスペーサと、を備えた平面型表示装置の製造方法において、
上記側壁を導電性を有した材料で形成し、
上記背面基板および前面基板の一方と上記側壁との間に封着材およびスペーサ部材を配置した状態で、上記封着材を加熱溶融して封着層を形成することにより上記一方の基板と側壁とを封着し、
上記一方の基板と側壁とを封着した後、上記一方の基板が他方の基板の下側に位置した状態で、上記他方の基板と側壁との間に配置された封着材および上記一方の基板と側壁とを封着した上記封着層の封着材を加熱溶融して上記側壁と上記背面基板および前面基板との間にそれぞれ封着層を形成し、その際、上記側壁に電流を通電して加熱することにより、上記2つの封着層の少なくとも一方の封着層の封着材を溶融させて封着することを特徴とする平面型表示装置の製造方法。
The front substrate and the rear substrate arranged opposite to each other, the substantially frame-like side wall disposed between the peripheral portions of the front substrate and the rear substrate, the sealing layer sealed between the rear substrate and the side wall, and the front surface In a manufacturing method of a flat display device comprising: a sealing layer that seals between a substrate and a side wall; and a plurality of spacers provided between the front substrate and the back substrate.
The sidewall is formed of a conductive material,
In a state where a sealing material and a spacer member are disposed between one of the back substrate and the front substrate and the side wall, the sealing material is heated and melted to form a sealing layer. And sealed
After sealing the one substrate and the side wall, the sealing material disposed between the other substrate and the side wall in a state where the one substrate is positioned below the other substrate and the one side the sealing material of the sealing layer which is sealed a substrate and the side wall is heated and melted to form a respective sealing layer between the side walls and the rear substrate and the front substrate, in which a current to the side wall A method of manufacturing a flat display device, comprising: energizing and heating to melt and seal a sealing material of at least one of the two sealing layers .
対向配置された前面基板および背面基板と、上記前面基板および背面基板の周縁部間に配置されたほぼ枠状の側壁と、上記背面基板と側壁との間を封着した封着層および上記前面基板と側壁との間を封着した封着層と、上記前面基板と背面基板との間に設けられた複数のスペーサと、を備えた平面型表示装置の製造方法において、
上記側壁を導電性を有した材料で形成し、
上記背面基板および前面基板の一方と上記側壁との間に封着材およびスペーサ部材を配置し、
上記背面基板および前面基板の他方と上記側壁との間に封着材を配置し、
上記一方の基板が上記他方の基板の下方に位置した状態で、上記封着材を加熱溶融して上記側壁と上記背面基板および前面基板との間にそれぞれ封着層を形成し、その際、上記側壁に電流を通電して加熱することにより、上記2つの封着層の少なくとも一方の封着層の封着材を溶融させて封着することを特徴とする平面型表示装置の製造方法。
The front substrate and the rear substrate arranged opposite to each other, the substantially frame-like side wall disposed between the peripheral portions of the front substrate and the rear substrate, the sealing layer sealed between the rear substrate and the side wall, and the front surface In a manufacturing method of a flat display device comprising: a sealing layer that seals between a substrate and a side wall; and a plurality of spacers provided between the front substrate and the back substrate.
The sidewall is formed of a conductive material,
A sealing material and a spacer member are disposed between one of the back substrate and the front substrate and the side wall,
Placing a sealing material between the other of the back substrate and the front substrate and the side wall;
In the state where the one substrate is positioned below the other substrate, the sealing material is heated and melted to form a sealing layer between the side wall and the back substrate and the front substrate, respectively , A method of manufacturing a flat display device, wherein the side wall is heated by applying an electric current to melt and seal the sealing material of at least one of the two sealing layers .
上記封着材として、少なくともインジウムまたはインジウム合金を含む低融点金属材料を用いることを特徴とする請求項11又は12に記載の平面型表示装置の製造方法。13. The method for manufacturing a flat display device according to claim 11, wherein a low melting point metal material containing at least indium or an indium alloy is used as the sealing material.
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