JP3780302B2 - ビアホール及びスルーホールを有する基板のめっき方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、微小孔を有する基板のめっき方法に関する。さらに詳細には、ブラインドの微小孔と貫通した微小孔が混在するプリント基板等の基板において、ブラインドの微小孔であるビアホール(以下、「ビアホール」という)には十分に金属を充填し、かつ貫通した微小孔であるスルーホール(以下、「スルーホール」という)内には均一に金属を析出させることが可能なめっき方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
最近、携帯電話、パソコン、ビデオ、ゲーム機等の電子機器の回路実装法として、ビルドアップ工法が適用されるようになってきた。このビルドアップ工法では、積層板にビアホールやスルーホール等の微小孔が設けられており、この微小孔中に析出させた金属によって各回路層間の接続が行われている。
【0003】
この微小孔のうち、ビアホールについては、従来からビアホールの内側面および底面に金属皮膜を形成させるビアホールめっきやビアホール内に金属を充填するビアフィリングによって各層間の接続が施されていたが、最近では、ビアホールめっきでは、穴の上にさらに導体層を積み上げることは難しいとの理由で、ビアホール内に電気めっきで金属を充填するビアフィリングが主流となっている。
【0004】
一方、スルーホールについては、現在もスルーホールの内側面に均一に金属皮膜を形成させるスルーホールめっき法により、各層間の接続が行われている。
【0005】
上記したビアフィリング法やスルーホールめっき法は、それぞれほぼ完成された技術ではあるが、これらの方法をビアホールとスルーホールの混在した基板に適用することは難しく、大きな問題となっていた。
【0006】
すなわち、ビアホールとスルーホールの混在する基板に単純にビアフィリングめっきを行うと、スルーホール内部での金属皮膜の均一性が保証できず、性能的に問題が生じることになる。一方、この問題を避けるために、スルーホール内の金属皮膜の均一性を重視すると、ビアフィリング性能が低下し、めっき処理に長時間を要することになるという別の問題が生じる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
従って、ビアホール及びスルーホールが混在する基板において、簡単な操作で、ビアホール内に効率よくビアフィリングを形成し、かつスルーホール内にも均一に金属を析出することができる技術の提供が求められていた。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の問題を解決するために鋭意検討を行った結果、電析初期の一定時間の電流を、それ以降の条件より高電流とすることにより、ビアホールに対しては、ビアホール内に十分に金属を充填することができ、また、スルーホールに対しては、スルーホール内に均一に金属を析出することが可能とすることを見出し、本発明を完成した。
【0009】
すなわち本発明は、ビアホール及びスルーホールを有する基板を導電化処理した後、酸性銅めっきをおこなうめっき方法において、酸性めっきを次の条件(1)および(2)で順次行うことを特徴とするビアホール及びスルーホールを有する基板のめっき方法を提供するものである。
(1) 陰極電流密度5〜10A/dm2で10秒〜5分間
(2) 陰極電流密度0.5〜3A/dm2で15〜180分間
【0010】
また、本発明は、条件(1)の前に、下記条件(3)で酸性銅めっきを行うことを特徴とする請求項第1項記載の基板のめっき方法を提供するものである。
(3) 陰極電流密度0.5〜3A/dm2で5〜40分間
【0011】
さらに、本発明は、酸性銅めっきに先立ち、酸性銅めっき浴組成中から銅成分を除去した溶液中で、下記条件(4)で電解することを特徴とする請求項第1項記載の基板のめっき方法をも提供するものである。
(4) 陰極電流密度0.5〜5A/dm2で10秒〜5分間
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明方法を実施するには、まず、ビアホール及びスルーホールを有する基板を導電化処理することが必要である。
【0013】
本発明の方法の対象となる基板は、穴径50〜180μm程度、深さ(樹脂層厚さ)30〜100μm程度のブラインドビアホール及び穴径300〜500μmのスルーホールを有するプリント基板等の基板である。具体的な基板の例としては、ICベアーチップが直接実装されるパッケージ基板等が挙げられる。この基板には、更にトレンチがあっても良い。
【0014】
この基板の導電化処理は、通常の方法、例えば無電解めっきによる金属被覆処理、スパッタリング、蒸着または化学気相蒸着法(Chemical Vapor Deposition:CVD)により行うことができる。
【0015】
次に、導電化処理された基板は、酸性銅めっき浴で銅めっきされる。本発明においては、このめっきにおいて、次の条件(1)および(2)の順で酸性銅めっきを行うことが必要である。
【0016】
まず、陰極電流密度を5〜10A/dm2、好ましくは5〜7A/dm2とし、10秒〜5分間、好ましくは30秒〜2分間めっきを行う(条件(1))。
【0017】
次に、陰極に電流密度を0.5〜3A/dm2、好ましくは、0.5〜2A/dm2とし、15〜180分間、好ましくは45〜180分間めっきを行う(条件(2))。
【0018】
条件(2)によるめっきは、条件(1)のめっきの後酸性銅めっきが完了するまで行えばよいが、電流密度を上記条件(2)の範囲内の一定の電流密度に固定しても良いし、上記電流密度の範囲内で低電流密度から階段的に電流密度を上昇させてもよい。
【0019】
条件(1)と条件(2)のめっきにおいて、条件(1)の電流密度は、条件(2)の電流密度の2から20倍程度とすることが好ましく、また、条件(1)のめっき時間は、条件(2)のめっき時間の0.001から0.2倍程度とすることが好ましい。
【0020】
更に、本発明方法においては、上記条件(1)の前に、下記条件(3)で電解電解することにより、ビアホールの埋め込み性を更に改善することができる。
【0021】
この電解条件(条件(3))は、陰極電流密度0.5〜3A/dm2、好ましくは、1〜2A/dm2で、5〜40分間、好ましくは10〜30分間電解することが好ましい。
【0022】
更にまた、本発明方法では、酸性銅めっきに先立って、酸性銅めっき浴組成中から銅成分を除去した溶液を調整し、該溶液中で下記条件(4)で電解することにより、添加剤を基板に有効に吸着させ、以降のの電気酸性銅めっきでより効率的な銅めっきを可能にするできる。
【0023】
この電解条件(条件(4))は、陰極電流密度0.5〜5A/dm2、好ましくは、0.5〜3A/dm2で、10秒〜5分間、好ましくは30秒〜3分間電解することが好ましい。かかる電解が終わった後、酸性銅めっき浴中で、上記条件(1)および(2)の順で酸性銅めっきを行えばよい。
【0024】
上記の条件(1)ないし条件(3)のめっきで使用される酸性銅めっき浴としては、特に制限なく通常使用されている酸性銅めっき浴を利用することができるが、例えば下記の各成分を含有するものであることが好ましい。
【0025】
まず、酸性銅めっき浴において含有される銅イオン源成分としては、通常、酸性溶液において溶解する銅化合物であれば特に制限なく使用することができる。この銅化合物の具体例としては、硫酸銅、酸化銅、塩化銅、炭酸銅、ピロリン銅や、メタンスルホン酸銅、プロパンスルホン酸銅等のアルカンスルホン酸銅、イセチオン酸銅、プロパノールスルホン酸銅等のアルカノールスルホン酸銅、酢酸銅、クエン酸銅、酒石酸銅などの有機酸銅及びその塩などが挙げられる。これらの銅化合物は、1種を単独で使用することもでき、また2種以上を混合して使用することもできる。
【0026】
上記の銅化合物の濃度は、酸性銅めっき浴の組成において25〜300g/Lであればよく、好ましくは65〜200g/Lである。
【0027】
なお、上記条件(4)で使用される溶液は、上記した酸性銅めっき浴で、銅成分を除いたものを使用すればよい。
【0028】
また、酸性銅めっき浴は、構成成分として有機酸あるいは無機酸を含有させることができる。該有機酸あるいは無機酸は、銅を溶解しうるものであれば特に制約なく使用できる。好ましい具体例としては、硫酸、メタンスルホン酸、プロパンスルホン酸等のアルカンスルホン酸類、イセチオン酸、プロパノールスルホン酸等のアルカノールスルホン酸類、クエン酸、酒石酸、ギ酸などの有機酸類などが挙げられる。これらの有機酸または無機酸は、1種を単独で使用するすることもでき、また2種以上を混合して使用することもできる。
【0029】
上記の有機酸あるいは無機酸の濃度は、酸性銅めっき浴の組成において、25〜300g/Lであればよく、好ましくは50〜200g/Lである。
【0030】
なお、上記成分の他に塩素イオンが存在することが好ましく、その濃度は塩素濃度として10〜100mg/Lであり、特に30〜70mg/Lとすることが好ましい。
【0031】
さらに、酸性めっき浴には、その構成成分として、一般にポリマー成分といわれる成分、キャリアー成分またはブライトナー成分といわれる成分およびレベラーといわれる成分を含有させることができる。
【0032】
そのうち、ポリマー成分の具体例としては、例えば次のものが挙げられる。
【0033】
(1): 次式(I)で表されるポリプロピレングリコール
【化1】
(式中、n1は1から20の数を示す)
【0034】
(2): 次式(II)で表されるプルロニック型界面活性剤
【化2】
(式中、n2およびl2は1から30の数を、m2は10から100の数を示す)
【0035】
(3): 次式(III)で表されるテトロニック型界面活性剤
【化3】
(式中、n3は1から200の数を、m3は1から40の数を示す)
【0036】
(4): 次式(IV)で表されるポリエチレングリコール・グリセリルエーテル
【化4】
(式中、n4、m4およびl4はそれぞれ1から200の数を示す)
【0037】
(5): 次式(V)で表されるポリエチレングリコール・ジアルキルエーテル
【化5】
(式中、R1およびR2は水素原子または炭素数1から5の低級アルキル基を示し、n5は2から200の数を示す)
【0038】
上記のポリマー成分は、いずれか1種類を単独で、もしくは2種以上を混合して用いることができ、その濃度としては、5〜100mg/L程度、好ましくは10〜100mg/L程度である。
【0039】
また、キャリアー成分ないしブライトナー成分の具体例としては、例えば次のものが挙げられる。
【0040】
(6): 次式(VI)で表されるスルホアルキルスルホン酸塩
【化6】
(式中、L1は炭素数1から18の飽和または不飽和のアルキレン基を示し、M1はアルカリ金属を示す)
【0041】
(7): 次式(VII)で表されるビススルホ有機化合物
【化7】
(式中、L2およびL3は炭素数1から18の飽和または不飽和のアルキレン基を示し、X1およびY1は硫酸塩残基またはリン酸塩残基を示す)
【0042】
(8): 次式(VIII)で表されるジチオカルバミン酸誘導体
【化8】
(式中、R3およびR4は水素原子または炭素数1から3の低級アルキル基、L4は炭素数3から6のアルキレン基を示し、X2は硫酸塩残基またはリン酸塩残基を示す)
【0043】
この成分も、いずれか1種類を単独で、もしくは複数を混合して用いることができ、その濃度としては、5〜20mg/L程度、好ましくは10〜15mg/L程度である。
【0044】
更にレベラー成分の具体例としては、例えば次のものが挙げられる。
【0045】
(9): 次式(IX)で表されるポリアルキレンイミン
【化9】
(式中、L5、L6およびL7は炭素数1から3の低級アルキレン基を示し、n6およびm5は1から200の数を示す)
【0046】
(10): 次式(X)で表される1−ヒドロキシエチル−2−アルキルイミダゾリン塩
【化10】
(式中、R5は炭素数14から20の飽和または不飽和のアルキル基を示し、X3はハロゲン原子を示す)
【0047】
(11): 次式(XI)で表されるオーラミン及びその誘導体
【化11】
(式中、R6、R7、R8およびR9は水素原子または炭素数1から3の低級アルキル基を示す)
【0048】
(12): 次式(XII)で表されるメチルバイオレットまたはクリスタルバイオレット及びそれらの誘導体
【化12】
(式中、R10、R11、R12、R13、R14およびR15は水素原子または炭素数1から3の低級アルキル基を示し、X4はハロゲン原子を示す)
【0049】
(13): 次式(XIII)で表されるヤヌスブラック及びその誘導体
【化13】
(式中、R16およびR17は低級アルキル基を、R18は水酸基、アミノ基、ヒドロキシフェニル基またはヒドロキシフェニルジアゾ基を示し、X5はハロゲン原子を示す)
【0050】
(14): 次式(XIV)で表されるヤヌスグリーン
【化14】
(式中、R19およびR20は水素、メチルおよびエチル基から成る群から選択された基、X−は塩素、臭素、ヨウ素、フッ素、硫酸、重硫酸および硝酸イオンから成る群から選択されたアニオン、YはH、−NH2、−N(CH3)2および−N=N−Z、Zはフェニル、ナフチルから成る群から選択された芳香族基並びにアミノ基、アルキル置換アミノ基、ヒドロキシおよびアルコキシ置換基によって置換されるフェニルおよびナフチル基である)
【0051】
このレベラー成分も、いずれか1種類を単独で、もしくは2種以上を混合して用いることができ、その濃度としては、5〜20mg/L程度、好ましくは10〜15mg/L程度である。
【0052】
また、上記酸性めっき浴の電流密度およびめっき時間以外の条件は、一般的なもので良く、例えば、酸性銅めっき浴の浴温は、15〜35℃程度、好ましくは20〜30℃である。また、一般には、エアレーションによる攪拌を行うことが好ましい。
【0053】
以上説明した本発明のめっき方法で、ビアホール及びスルーホールを完全に埋めるまでの時間は、スルーホール及びビアホールの直径や、その深さにより異なるが、例えば穴の直径がφ300μmのスルーホール及び穴の直径がφ150mmで、深さが50μmであるビアホールを完全に埋めるためには、まず、5A/dm2の電流密度で1分程度酸性銅めっきし、その後 1A/dm2の電流密度で90分間酸性銅めっきすればよく、このときの表面(ビアホール及びスルーホール以外の部分)のめっき厚は、25μm程度となる。
【0054】
また、本発明のめっき方法では、ビアホール及びスルーホールを有する基板を導電化処理した後に、酸性銅めっきを行う際に、まず最初に、上記の成分(a)〜(d)を含有する酸性銅めっき浴を用い、酸性銅めっきを、これも上記した条件(1)及び(2)で順次行い(これを第1めっきと呼ぶ)、次いで、下記の成分(a)〜(e)を含有する酸性銅めっき浴を用いて、再び酸性銅めっきを下記条件(1)及び(2)で順次行うことにより(これを第2めっきとよぶ)、ビアホール内のビアフィリングの形成と、スルーホール内への均一な金属を析出をさらに優れたものとすることができる。
【0055】
この場合、第1めっきは、成分(a)〜(e)を含有する酸性銅めっき浴から、いわゆるレベラー成分である成分(e)を除いためっき浴でめっきを行うことで、スルーホールやビアホールに対して均一にめっきを行う役割を果たす。次いで、第2めっきとして、成分(a)〜(e)を含有した酸性銅めっき浴を用いて第2めっきを行うことにより、ビアホールに対してフィリングを優先的に行い、スルーホール及びビアホールに対して、効率よくビアフィリングを形成し、かつスルーホール内にも均一に金属を析出することが可能となるのである。
【0056】
本めっき方法を用いる場合には、酸性銅めっき浴成分は、上記した(a)〜(d)成分(第1めっき)および(a)〜(e)成分(第2めっき)を用いればよく、各成分の濃度も上記した範囲のものを用いることができる。また、めっき条件の条件(1)及び条件(2)についても、上記した陰極電流密度及びめっき時間の範囲の条件を用いることができる。ただし、条件(2)のめっき時間については、第1めっきにおいては、10〜75分間行えばよく、15〜60分間が好ましい。また、第2めっきにおいては、30〜200分間行えばよく、45〜180分間行うことが好ましい。さらに、それ以外のめっき浴の条件も、上記したものと同様であり、例えば、酸性銅めっき浴の浴温は、15〜35℃程度、好ましくは20〜30℃であり、一般には、エアレーションによる攪拌を行うことが好ましい。更にまた、上記成分の他に塩素イオンが存在することが好ましいことも同様で、その濃度は塩素濃度として10〜100mg/Lであり、特に30〜70mg/Lとすることが好ましい。
【0057】
【実施例】
次に実施例を挙げ、本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例等に何ら制約されるものではない。
【0058】
実 施 例 1
ビアホールのフィリング性及びスルーホールつきまわり性の評価(1):サイズ5cm×2cm、厚さ7.3m銅張りエポキシ樹脂プリント基板に、図1で模式的に示すようにφ500μm、φ300μmのスルーホール及び直径φ180μm、φ150μm、φ100μm、深さ75μmのブラインドビアホールをあけ、テストピース基板とした。このテストピース基板について、まず無電解銅めっきを行い、ビアホール及びスルーホール内壁及び基板の表面に無電解銅層を0.5μmの厚さで形成した(以下、「導電化処理」という)。この無電解銅めっきには、ライザトロンプロセス(荏原ユージライト社製)を用いた。
【0059】
次に、この導電化処理を行ったテストピース基板を、下記組成の酸性銅めっき浴(I)を用い、以下の電析条件1〜3を用いて硫酸銅めっきを行ない電解銅層を形成した。なお、ここで使用した電析条件のうち3は、一般的なプリント基板用硫酸銅めっきの電析条件である。
【0060】
酸性銅めっき後のテストピース基板について、スルーホール部及びビアホール部の断面状態を顕微鏡により観察した。この結果を図2〜図7に示した。
【0061】
( 硫酸銅めっき浴(I)組成 )
1. 硫酸銅(5水塩) 65g/L
2. 硫 酸 200g/L
3. 塩素イオン 50mg/L
4. ポリエチレングリコール*1 10mg/L
(平均分子量4000)
5. SPS*2 10mg/L
6. ヤヌスグリーン*3 10mg/L
*1: マクロゴール4000(三洋化成工業(株)製)
*2: 化合物(II)中、L2=L3=C3H6、X1=Y1=SO3H
*3: ヤヌスグリーン(和光純薬工業(株)製)
【0062】
(電析条件1)
陰極の電流密度を5A/dm2で3分間、その後1A/dm2で75分間酸性銅めっきを行った。
【0063】
(電析条件2)
陰極電流密度を1A/dm2で20分間、その後5A/dm2で1分間、更に1A/dm2で120分間酸性銅めっきを行った。
【0064】
(電析条件3:対照条件)
陰極電流密度を3A/dm2で30分間酸性銅めっきを行った。
【0065】
( 結 果 )
図2〜図5の結果から明らかなように、電析条件1及び2で酸性銅めっきを行ったテストピース基板は、ビアホール内に金属を充填し、かつスルーホール内にも均一に金属が析出されていた。特に、電析条件2で酸性銅めっきを行ったものは、直径が180μmのビアホールに対しても、十分に金属を充填することができ、表面全体を平坦にめっきすることができた。
【0066】
一方、図6及び図7の結果より、電析条件3で酸性銅めっきを行ったテストピース基板は、スルーホール内壁左右の膜厚差が大きく、またコーナー部片側の膜厚が薄く、スルーホール内に均一に金属を析出することができなかった。また、ビアホール内のめっきも、ビアホールの径が大きくなるにつれて、ビアホール内に金属を充填するのが困難であった。
【0067】
実 施 例 2
ビアホールのフィリング性及びスルーホールつきまわり性の評価(2):実施例1で用いたものと同仕様のテストピース基板を使用して、これも実施例1と同様にライザトロンプロセスを用いて無電解めっきを施した。
【0068】
次に、この導電化処理を行ったテストピース基板を、下記組成の酸性銅めっき浴(II)を用い、下記電析条件4を用いて硫酸銅めっきを行ったあと(第1めっきと呼ぶ)、さらに、実施例1用いた酸性銅めっき浴(I)を用いて、下記電析条件5を用いて硫酸銅めっきを行い(第2めっきと呼ぶ)、電解銅層を形成した。なお、酸性銅めっき浴(II)は、実施例1で用いた酸性銅めっき浴(I)より、レベラー成分の添加剤(ヤヌスグリーン)を除いたものである。
【0069】
酸性銅めっき後のテストピース基板について、スルーホール部及びビアホール部の断面状態を顕微鏡により観察した。第2めっき後の断面写真を図8及び図9、第1めっき後の断面写真を図10及び図11に示した。
【0070】
( 硫酸銅めっき浴(II)組成 )
1. 硫酸銅(5水塩) 65g/L
2. 硫 酸 200g/L
3. 塩素イオン 50mg/L
4. ポリエチレングリコール*1 10mg/L
(平均分子量4000)
5. SPS*2 10mg/L
*1、2: 上と同じ
【0071】
(電析条件4)
陰極の電流密度を5A/dm2で1分間、その後1A/dm2で30分間酸性銅めっきを行った。
【0072】
(電析条件5)
陰極電流密度を5A/dm2で20分間、その後1A/dm2で90分間酸性銅めっきを行った。
【0073】
( 結 果 )
図10及び図11の結果から明らかなように、電析条件4及び5で2種類の酸性銅めっき浴を用いて酸性銅めっきを行ったテストピース基板は、ビアホール内に金属を充填し、かつスルーホール内にも均一に金属が析出されており、上記実施例1での電析条件1及び2の結果と比較しても、より優れたものであった。
【0074】
また、図8及び9は、第1めっき終了後のスルーホール及びビアホールの断面状態を示すものである。このように、本実施例のプロセスでは、まず、第1めっきにより、スルーホールやビアホールに対して均一にめっきを行い、その後、第2めっきを行い、ビアホールに対してフィリングを優先的に行い、スルーホール及びビアホールに対して、効率よくビアフィリングを形成し、かつスルーホール内にも均一に金属を析出することが可能とするのである。
【0075】
【発明の効果】
本発明のめっき方法を用いれば、ビアホールとスルーホールが混在する基板に対して、効率よくビアフィリングを形成し、かつスルーホール内にも均一に金属を析出することが可能となる。従って、ビルドアップ基板などの高性能で信頼性の高い微細パターンを有したプリント基板を、効率よく簡便に製造することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例1及び2で用いたプリント基板のビアホール及びスルーホールを模式的に示した図面である。
【図2】 実施例1において、電析条件1で酸性銅めっきを行った後のスルーホール部の断面状態を示した写真である。
【図3】 実施例1において、電析条件1で酸性銅めっきを行った後のビアホール部の断面状態を示した写真である。
【図4】 実施例1において、電析条件2で酸性銅めっきを行った後のスルーホール部の断面状態を示した写真である。
【図5】 電析条件2で酸性銅めっきを行った後のビアホール部の断面状態を示した写真である。
【図6】 電析条件3で酸性銅めっきを行った後のスルーホール部の断面状態を示した写真である。
【図7】 電析条件3で酸性銅めっきを行った後のビアホール部の断面状態を示した図面である。
【図8】 実施例2において、第2めっきを行った後のスルーホール部の断面状態を示した写真である。
【図9】 実施例2において、第2めっきを行った後のビアホール部の断面状態を示した図面である。
【図10】 実施例2において、第1めっきを行った後のスルーホール部の断面状態を示した写真である。
【図11】 実施例2において、第1めっきを行った後のビアホール部の断面状態を示した写真である。
【符号の説明】
1 … … 絶縁樹脂
2 … … 絶縁層
以 上
Claims (10)
- ビアホール及びスルーホールを有する基板を導電化処理した後、酸性銅めっきを行うめっき方法において、酸性銅めっきを次の条件(1)および(2)で順次行うことを特徴とするビアホール及びスルーホールを有する基板のめっき方法。
(1) 陰極電流密度5〜10A/dm2で10秒〜5分間
(2) 陰極電流密度0.5〜3A/dm2で15〜180分間 - 条件(1)の前に、下記条件(3)で酸性銅めっきを行うことを特徴とする請求項第1項記載の基板のめっき方法。
(3) 陰極電流密度0.5〜3A/dm2で5〜40分間 - 酸性銅めっきに先立ち、酸性銅めっき浴組成中から銅成分を除去した溶液中で、下記条件(4)で電解することを特徴とする請求項第1項記載の基板のめっき方法。
(4) 陰極電流密度0.5〜5A/dm2で10秒〜5分間 - 酸性銅めっきに用いるめっき浴が以下の成分(a)〜(e)
(a) 50〜200g/Lの銅イオン
(b) 50〜200g/Lの有機酸または無機酸
(c) 5〜100mg/Lの、ポリプロピレングリコール、プルロニック型界面活性剤、テトロニック型界面活性剤、ポリエチレングリコール・グリセリルエーテルまたはポリエチレングリコール・ジアルキルエーテルからなる群から選ばれる1種または2種以上の成分、
(d) 5〜20mg/Lの、スルホアルキルスルホン酸ナトリウム、ビススルホ有機化合物およびジチオカルバミン酸誘導体からなる群から選ばれる1種または2種以上の成分
(e) 5〜20mg/Lの、ポリアルキレンイミン、1−ヒドロキシエチル−2−アルキルイミダゾリンクロライド、オーラミンおよびその誘導体、メチルバイオレットおよびその誘導体、クリスタルバイオレットおよびその誘導体、ヤノスブラックおよびその誘導体並びにヤノスグリーンおよびその誘導体からなる群から選ばれる1種または2種以上の成分
を含有するものである請求項第1項または第2項記載の基板のめっき方法。 - 成分(a)の銅イオン源として、硫酸銅、酸化銅、塩化銅、炭酸銅、ピロリン酸銅、アルカンスルホン酸銅、アルカノールスルホン酸銅および有機酸銅からなる群から選ばれる銅化合物の1種または2種以上を使用する請求項第3項記載の基板のめっき方法。
- 成分(b)の有機酸または無機酸として、硫酸、アルカンスルホン酸およびアルカノールスルホン酸からなる群から選ばれる1種または2種以上を用いる請求項第3項または第4項記載の基板のめっき方法。
- 酸性銅めっき浴中の塩素濃度が10〜100mg/Lである請求項第1項ないし第5項のいずれかの項記載の基板のめっき方法。
- 成分(b)の有機酸または無機酸が硫酸である請求項第1項ないし第6項の何れかの項記載の基板のめっき方法。
- 導電化処理を、無電解金属めっき、スパッタリング、蒸着または化学気相蒸着法(CVD)により行う請求項第1項ないし第6項のいずれかの項記載の基板のめっき方法。
- ビアホール及びスルーホールを有する基板を導電化処理した後、酸性銅めっきを行うめっき方法において、最初に、下記の成分(a)〜(d)を含有する酸性銅めっき浴を用いて、酸性銅めっきを下記条件(1)及び(2)で順次行い、次いで、下記の成分(a)〜(e)を含有する酸性銅めっき浴を用いて、酸性銅めっきを下記条件(1)及び(2)で順次行うことを特徴とするビアホール及びスルーホールを有する基板のめっき方法。
(a) 50〜200g/Lの銅イオン
(b) 50〜200g/Lの有機酸または無機酸
(c) 5〜100mg/Lの、ポリプロピレングリコール、プルロニック型界面活性剤、テトロニック型界面活性剤、ポリエチレングリコール・グリセリルエーテルまたはポリエチレングリコール・ジアルキルエーテルからなる群から選ばれる1種または2種以上の成分、
(d) 5〜20mg/Lの、スルホアルキルスルホン酸ナトリウム、ビススルホ有機化合物およびジチオカルバミン酸誘導体からなる群から選ばれる1種または2種以上の成分
(e) 5〜20mg/Lの、ポリアルキレンイミン、1−ヒドロキシエチル−2−アルキルイミダゾリンクロライド、オーラミンおよびその誘導体、メチルバイオレットおよびその誘導体、クリスタルバイオレットおよびその誘導体、ヤノスブラックおよびその誘導体並びにヤノスグリーンおよびその誘導体からなる群から選ばれる1種または2種以上の成分
(1) 陰極電流密度5〜10A/dm2で10秒〜5分間
(2) 陰極電流密度0.5〜3A/dm2で10〜180分間
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