JP3772059B2

JP3772059B2 - 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP3772059B2
Application number: JP2000016189A
Authority: JP
Inventors: 啓豊田; 英明平林; 尚史金子
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2000-01-25
Filing date: 2000-01-25
Publication date: 2006-05-10
Anticipated expiration: 2020-01-25
Also published as: JP2001210644A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層配線技術に係わり、特に配線層の全面をバリアメタルで覆った半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＣｕはＳｉデバイスのライフタイムキラーとなるため、層間絶縁膜中へのＣｕの拡散を抑えるためにバリアメタル層を形成することが必須である。それに加え、配線層上部のバリア層にはプロセス中に、Ｃｕ配線表面が酸化されることを防止する機能が要求される。
【０００３】
従来、Ｃｕ配線層の上部バリア層としては、シリコン窒化膜が用いられてきたが、誘電率が高いために配線間容量を増大させてしまうという問題があった。
【０００４】
この問題を解決するために、Ｃｕ配線の上面に、配線の側面や底面に用いられているバリアメタル層と同じ、或いは同等のバリアメタル層を形成して配線の全面を完全に包囲することが提案されている。この構造の形成方法としては、Ｃｕダマシン配線を形成した後、Ｃｕ配線の表面を周囲の層間絶縁膜表面より後退させる、いわゆるリセスエッチングを行い、その後にウェハ全面にバリアメタル層材を成膜した後ＣＭＰにより配線上にのみバリアメタル層を残存させる方法が提案されている。
【０００５】
しかし、Ｃｕ配線のリセスエッチングに酸等を用いた場合には、バリア層とＣｕ層との界面においてエッチングが速く進行することによりＣｕ配線の側壁部が中心部よりリセス量が大きくなることや、ウェハ内でリセス量の場所依存性や、パターン依存性等が顕著であることが判明した。この結果、その後のバリア層の成膜工程においてＣｕ配線の側壁部のバリア層のカバレッジが充分得られず、プロセス中にＣｕ配線の酸化、Ｃｕの拡散が生じ歩留まりが低下してしまうという問題があった。また、ウェハ面内やパターン間で配線抵抗が異なること等により所望の性能が得られないという問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、Ｃｕ配線のリセスエッチングに酸等を用いた場合には、Ｃｕ配線の側壁部が中心部よりリセスエッチング量が大きくなり、その後のバリア層の成膜工程においてＣｕ配線の側壁部でのバリア層のカバレッジが充分得られず、プロセス中にＣｕ配線の酸化、Ｃｕの拡散が生じ、歩留まりが低下してしまうという問題があった。
また、ウェハ内でリセス量の場所依存性や、パターン依存性等が顕著であり、ウェハ面内やパターン間で配線抵抗が異なること等により所望の性能が得られないという問題があった。
【０００７】
本発明の目的は、配線材に対して表面を均一にリセスエッチングし、歩留まりの向上を図り得る半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
［構成］
本発明は、上記目的を達成するために以下のように構成されている。
【０００９】
（１）本発明（請求項１）の半導体装置は、半導体基板上に形成された溝を有する絶縁層と、この絶縁層の溝の表面に沿って形成された第１のバリアメタル層と、前記絶縁層の溝内に形成され、表面が該絶縁層より低い配線層と、この配線層上に形成された第２のバリアメタル層とを具備し、前記溝側部における前記Ｃｕ配線と第１のバリアメタル層とのなす角が６０゜以上であることを特徴とする。
【００１０】
本発明の好ましい実施態様を以下に記す。
前記配線層を構成する主元素は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ，Ｐｔの何れかであること。
【００１１】
（２）本発明（請求項３）は、請求項１の半導体装置の製造方法であって、半導体基板上の絶縁層に溝を形成する工程と、前記絶縁層の表面に沿って第１のバリアメタル層材を形成する工程と、前記絶縁層上に、前記溝内を埋め込むように、配線材を堆積する工程と、前記配線材の表面に対して平坦化処理を行い、前記溝内に第１のバリアメタル層及び配線層を埋め込み形成する工程と、前記配線層を構成する主元素と反応する酸化剤と、前記配線層を構成する主元素のイオンと錯体を形成する錯体形成剤と、前記錯体を溶解する溶媒とを含むエッチング溶液を用いて該配線層に対してリセスエッチング処理を行って、前記配線層の表面と第１のバリアメタル層とのなす角が６０゜以上となるように該配線材の表面を後退させて凹部を形成する工程と、前記配線材及び絶縁層上に前記凹部を埋め込むように第２のバリアメタル層材を形成する工程と、第２のバリアメタル層材の表面を、前記絶縁層の表面が露出するまで平坦化し、前記凹部に前記第２のバリアメタル層を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００１２】
本発明の好ましい実施態様を以下に記す。
前記酸化剤が、過酸化水素水、過硫酸アンモニウム、オゾン水の中から１種類以上選ばれていること。
前記錯体形成剤が、アミノ酸，エチレンジアミン，エチレンジアミン四酢酸、アミノスルホン酸のなから１種類以上選ばれていること。前記アミノ酸がグリシンであること。
前記溶媒が水であること。
前記リセスエッチング処理は、前記平坦化処理を行う平坦化装置内で連続して行われること。
前記リセスエッチング処理は、前記平坦化処理後に行われる洗浄工程での処理槽にて行われること。
【００１３】
［作用］
本発明は、上記構成によって以下の作用・効果を有する。配線層を構成する主元素の酸化剤と、配線層を構成する主元素のイオンと錯体を形成する錯体形成剤と、錯体を溶解する溶媒とを含むエッチング溶液を用いて該配線層に対してリセスエッチング処理を行うことにより、(1)酸化剤と配線層の主構成元素との反応により該主構成元素がイオン化、(2)イオン化した主構成元素と錯体形成剤との反応により主構成元素の錯体が形成、(3)形成された錯体が溶媒により溶解除去、の三つの工程が同時に進行することによりリセスエッチングが配線層の表面から均一に進行すると共に、ウェハ内でリセス量の場所依存性や、パターン依存性等が無くなる。
【００１４】
リセスエッチングが配線層の表面から均一に行われることにより、配線層の側壁部の第２のバリアメタル層のカバレッジが充分得られ、プロセス中に配線層の酸化、配線層の拡散が抑制されて歩留まりの低下を抑制することができる。また、ウェハ内でリセス量の場所依存性や、パターン依存性等が無いので、ウェハ面内やパターン間で配線抵抗が異なることがなく、所望の性能が得られる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を以下に図面を参照して説明する。
【００１６】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係わる半導体装置の製造工程を示す工程断面図である。
【００１７】
先ず、図１（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１１上に熱酸化膜１２を１００ｎｍ形成した後、ＣＶＤ法によりシリコン窒化膜１３を３０ｎｍ、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜１４を４００ｎｍ堆積する。
【００１８】
次いで、図１（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜１４上に、リソグラフィ法により開口部を有するレジスト膜１５を形成した後、シリコン酸化膜１４を選択的にエッチングして、溝１６を形成する。溝１６のパターンは、深さ４００ｎｍ、折り返して長さ３ｍにわたって形成されている。
【００１９】
次いで、図１（ｃ）に示すように、レジスト膜１５を除去した後、スパッタリング法により膜厚２０ｎｍのＴａＮ膜（第１のバリアメタル層材）１７、膜厚２００ｎｍのＣｕ膜を堆積した後、硫酸銅を用いた電解メッキ法によりさらにＣｕ膜の形成を行って、溝１６内を埋め込むようにＣｕ配線材１８を堆積する。次いで、図１（ｄ）に示すように、ＴａＮ膜１７をエッチングストッパに用いて、Ｃｕ配線材１８の表面に対してＣＭＰ処理を行う。次いで、図１（ｅ）に示すように、シリコン酸化膜１４の表面が露出するまで、Ｃｕ配線材１８及びＴａＮ膜１７に対してＣＭＰ処理を行って、溝１６内にＣｕダマシン配線１８及びＴａＮ膜（第１のバリアメタル層）１７を埋め込み形成する。
【００２０】
次いで、図１（ｆ）に示すように、Ｃｕダマシン配線１８のリセスエッチング処理を行い、凹部１９を形成する。Ｃｕダマシン配線１８に対するリセスエッチング処理は、スピンエッチャ装置によりＳｉ基板１１を高速回転させながら、溶媒である純水１０００ｃｃに対して、酸化剤である過酸化水素が溶媒である水に希釈された３５％過酸化水素水２０ｃｃ、及び錯体形成剤であるグリシン１ｇを溶解させたエッチング溶液をＣｕダマシン配線１８側の面に５０秒間供給して行う。リセスエッチング処理後、同様にＳｉ基板を高速回転させながら純水を５分間供給してリンス処理、乾燥処理を順次行う。
【００２１】
Ｃｕダマシン配線の表面に、グリシン（錯体形成剤）と過酸化水素水（酸化剤＋溶媒）との混合したエッチング液を供給してリセスエッチング処理を行うことにより、▲１▼酸化剤である過酸化水素とＣｕダマシン配線を構成するＣｕとの反応により配線層の表面がイオン化、▲２▼イオン化したＣｕダマシン配線表面と錯体形成剤であるグリシンとの反応によりＣｕの錯体が形成、▲３▼形成されたＣｕの錯体が溶媒である水により溶解除去、の三つの工程が同時に進行することによりエッチングがＣｕダマシン配線の表面から均一に進行する。
【００２２】
次いで、図１（ｇ）に示すように、リセスエッチング処理によって形成された凹部１９を埋め込むように、第２のＴａＮ膜（第２のバリアメタル層材）２０を堆積する。次いで、図１（ｈ）に示すように、第２のＴａＮ膜２０に対して、シリコン酸化膜１４が露出するまでＣＭＰ処理を行い、凹部１９内に第２のＴａＮ膜２０（第２のバリアメタル層）を埋め込み形成する。
【００２３】
以上示した工程によって、全面がバリアメタルであるＴａＮ膜に覆われたＣｕダマシン配線を形成することができる。上述した製造工程を用いて多層配線を形成することによりリセスエッチングがＣｕダマシン配線１８の表面から均一に行われることにより、Ｃｕダマシン配線１８の側壁部のＴａＮ膜２０のカバレッジが充分得られ、プロセス中にＣｕダマシン配線１８の酸化、Ｃｕダマシン配線１８を構成するＣｕの拡散が抑制されて歩留まりの低下を抑制することができる。また、ウェハ内でリセス量の場所依存性や、パターン依存性等が無いので、ウェハ面内やパターン間で配線抵抗が異なることがなく、所望の性能が得られる。
【００２４】
リセスエッチング処理後の断面の電子顕微鏡写真を図２に示す。図２に示すように、Ｃｕダマシン配線１８の側部での落ち込みが無く、均一にリセスエッチング処理が行われている。
【００２５】
次に、ウェハ内でのリセス量分布を求め、その結果を図３に示す。図３において、横軸は、リセスエッチング処理後に残存した配線の分率を示している。ウェハ内でのリセス量分布を求めるため、ＣＭＰ処理後の配線抵抗とリセスエッチング処理後の配線抵抗とをそれぞれプローブにより測定し、リセスエッチング処理後の抵抗上昇が表面から均一に配線がエッチングされているものとして残存配線量を見積もった。
【００２６】
本実施形態で用いた深さ４００ｎｍの配線に対し、Ｌ／Ｓ＝０．２μｍ／０．２μｍ、０．５μｍ／０．５μｍ、及び孤立配線の０．２〜１０μｍにおいても残存した配線の分率の分布の中心はほぼ０．８５であった。この値は、本実施形態で用いている配線深さ４００ｎｍから換算すると、６０ｎｍのリセスエッチング量に相当する。
【００２７】
比較例として、酸を用いてＣｕダマシン配線のリセスエッチング処理を行った結果を図４に示す。図４に示すように、ウェハ内の分布が大きいことに加えて、孤立０．２μｍ配線のリセスエッチング量が他のパターンに比べて大きくなっており、パターン依存性が大きいことが分かる。
【００２８】
断面形状とその後に形成されるバリア膜によるＣｕ配線酸化耐性との関係を調べるため、エッチング溶液を各種変化させてリセスエッチングを行った。断面ＳＥＭ写真から図５に示すようにリセスエッチングされたＣｕ配線表面と側壁とのなす角θを求めて接触角とし、断面形状の評価指標とした。これらと同条件で作成したウェハ上にスパッタリング法により全面にＴａＮ膜を５０ｎｍ形成した後、ＣＭＰ処理によりＣｕ配線上にのみＴａＮ膜を残した。
【００２９】
このウェハをプローブによりＣｕ配線の抵抗を測定した後、内部が３００℃の大気雰囲気であるオーブン中で１時間放置する加速試験を行った。加速試験後、再びプローブによりＣｕ配線の抵抗を測定したところ、バリア層であるＴａＮ膜が充分な酸化防止耐性を有している場合には加速試験前後でＣｕダマシン配線の抵抗に変化はなかった。それに対し、酸化防止耐性が充分でないためＣｕ配線が酸化してしまった場合には、顕著な抵抗上昇が観測されていた。
【００３０】
Ｌ／Ｓ＝０．２μｍ／０．２μｍ、長さ３ｍのＣｕ配線について加速試験後のＣｕ配線の抵抗が試験前のＣｕ配線の抵抗より上昇しないチップを合格として、ウェハ内での酸化耐性のイールド（合格確率）を求めた。更にリセスエッチング処理後のＣｕ配線の形状から接触角を求め、イールドとの関係を調べた関係を図６に示す。
【００３１】
接触角が小さい場合、即ちＣｕ配線の中心部よりＣｕ配線の側壁部が速くエッチングされて断面形状が食い込むようになった場合にはその後に形成されるＴａＮ膜の側壁部分でのカバレッジが悪く、分断されるためＣｕ配線は全て酸化されてイールドは０％である。接触角が６０゜を越える付近から酸化耐性が向上し、７０゜以上では充分な酸化耐性をウェハ全面で得ることができた。
【００３２】
また、接触角が８５゜の試料について、Ｃｕ配線パターンが多数形成されたウェハ上に塗布法により絶縁膜を形成した後、４５０℃６０時間のアニール処理を行った。塗布型絶縁膜を溶解させて塗布型絶縁膜中のＣｕ濃度を測定したところ、アニール処理の有無で有意な差は見られなかった。これらの結果から上部バリア層であるＴａＮ膜がＣｕ拡散防止層として機能していることが確認された。
【００３３】
以上説明したように本実施形態によれば、上述した製造工程を用いて多層配線を形成することによりリセスエッチングが配線層の表面から均一に行われることにより、配線層の側壁部の第２のバリアメタル層のカバレッジが充分得られ、プロセス中に配線層の酸化、配線層の主構成元素の拡散が抑制されて歩留まりの低下を抑制することができる。また、ウェハ内でリセス量の場所依存性や、パターン依存性等が無いので、ウェハ面内やパターン間で配線抵抗が異なることがなく、所望の性能が得られる。
【００３４】
酸化剤を入れない場合でも錯体が形成される系も存在するが、その場合は酸によるエッチングと同様、側壁部での進行が速い等の問題が生じる。本発明のような均一なエッチング特性を得るためには、上記３つの工程が同時に進行することが重要であり、ウェハを回転させながら薬液を供給する、強制循環させている槽内にウェハを挿入する等の手段が必須である。
【００３５】
［第２の実施形態］
本実施形態において、第１の実施形態と異なるのは、ＣＭＰ処理後のリセスエッチング処理なので、リセスエッチング処理だけについて説明する。
【００３６】
Ｃｕダマシン配線及びＴａＮ膜のＣＭＰ処理をＣＭＰ装置の研磨パッドにて行った後、第１の実施形態と同様なエッチング液で満たされたＣＭＰ装置内に設けられた洗浄槽内でウェハを１５０ｒｐｍで回転させながらリセスエッチング処理と洗浄処理を同時に行って、凹部を形成した。次に、５分間リンスした後、ウェハを乾燥処理した。リセスエッチング量は、５０ｎｍ、ウェハ面内均一性及び断面形状は良好であり、パターンによるエッチング量の差異は認められなかった。更に、第２のバリアメタル層であるＴａＮ膜を形成した後、ＣＭＰ処理を行って、凹部にＴａＮ膜を埋め込み形成した。
【００３７】
第１の実施形態と同様な加速試験を行った後評価を行ったところ、第２のバリア層であるＴａＮ膜が良好な酸化防止層、Ｃｕ拡散防止層として機能していることが確認していることが確認された。
【００３８】
このように、ＣＭＰ装置（平坦化装置）内で、平坦化処理からリセスエッチング処理を連続して行うことで、プロセス時間の短縮を図ることができる。
【００３９】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、錯体形成剤としてアミノ酸であるグリシンを含有する希釈過酸化水素を用いたが、錯体形成剤として他のアミノ酸や、エチレンジアミン、エチレンジアミン四酢酸を希釈過酸化水素水（酸化剤）に含有させた場合にも、同様に良好なリセス形状が得られた。また、酸化剤として過硫酸アンモニウム、オゾン水を用いても良好なリセス形状が得られた。
また、配線層を構成する主元素としては、Ｃｕ以外に、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔを用いることができる。Ｃｕ以外を用いた場合は、酸化剤、錯体形成剤、溶媒を選ぶ必要がある。更に、上記元素を主構成元素とする合金においてもエッチング特性に差し支えはない。Ｃｕ合金としては、例えばＣｕ−Ｓｉ合金，Ｃｕ−Ａｌ合金，Ｃｕ−Ｓｉ−Ａｌ合金，Ｃｕ−Ａｇ合金等を用いることができる。
また、上記実施形態では、第１及び第２のバリアメタル層としてＴａＮ膜を用いたが、第１のバリアメタル層と第２のバリアメタル層とで異なる材料を用いても良い。
また、配線層と第２のバリアメタル層の密着性を改善するため、配線層表面に前処理を施すことや、他の元素を含有する層を形成することも可能である。
【００４０】
上記実施形態では、リセスエッチング処理を行う前に絶縁層上の第１のバリアメタル層材を除去したが、リセスエッチング処理後に第１のバリアメタル層を除去しても良い。例えば、ＴａＮ膜１７上のＣｕ配線層材１８に対して平坦化処理を行った後（図７（ａ））、上記リセスエッチング処理を行ってＣｕダマシン配線１８の表面を後退させて凹部１９を形成し（図７（ｂ））、ＴａＮ膜２０を堆積し（図７（ｃ））、その後、ＴａＮ膜２０，ＴａＮ膜１７に対して絶縁層１４の表面が露出するまで平坦化処理を行う（図７（ｄ））。
【００４１】
その他、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが可能である。
【００４２】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、配線層を構成する主元素の酸化剤と、配線層を構成する主元素のイオンと錯体を形成する錯体形成剤と、錯体を溶解する溶媒とを含むエッチング溶液を用いて該配線層に対してリセスエッチング処理を行うことにより、配線層の表面に上述したエッチング液を供給してリセスエッチング処理を行うことにより、▲１▼酸化剤と配線層の主構成元素との反応により該主構成元素がイオン化、▲２▼イオン化した主構成元素と錯体形成剤との反応により主構成元素の錯体が形成、▲３▼形成された錯体が溶媒により溶解除去、の三つの工程が同時に進行することによりリセスエッチングが配線層の表面から均一に進行と共に、ウェハ内でリセス量の場所依存性や、パターン依存性等が無くなる。
【００４３】
リセスエッチングが配線層の表面から均一に行われることにより、配線層の側壁部の第１のバリアメタル層のカバレッジが充分得られ、プロセス中に配線層の酸化、配線層の拡散が抑制されて歩留まりの低下を抑制することができる。また、ウェハ内でリセス量の場所依存性や、パターン依存性等が無いので、ウェハ面内やパターン間で配線抵抗が異なることがなく、所望の性能が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係わる半導体装置の製造工程を示す工程断面図。
【図２】リセスエッチング処理後の構造を示す電子顕微鏡写真。
【図３】本発明に係わるエッチング溶液を用いてリセスエッチング処理を行った場合のウェハ内でのリセス量分布を示す図。
【図４】酸を用いてＣｕダマシン配線のリセスエッチング処理を行った場合のウェハ内でのリセス量分布を示す図。
【図５】Ｃｕダマシン配線表面と側壁であるＴａＮ膜とのなす角θの概略を示す断面図。
【図６】Ｃｕダマシン配線表面と側壁であるＴａＮ膜とのなす接触角とイールドとの関係を示す特性図。
【図７】図１に示す半導体装置の製造工程の変形例を示す工程断面図。
【符号の説明】
１１…Ｓｉ基板
１２…熱酸化膜
１３…シリコン窒化膜
１４…シリコン酸化膜
１５…レジスト膜
１６…溝
１７…ＴａＮ膜（第１のバリアメタル層材，第１のバリアメタル層）
１８…Ｃｕ配線材，Ｃｕダマシン配線（配線層材，配線層）
１９…凹部
２０…ＴａＮ膜（第２のバリアメタル層材，第２のバリアメタル層）

Claims

半導体基板上に形成された溝を有する絶縁層と、この絶縁層の溝の表面に沿って形成された第１のバリアメタル層と、前記絶縁層の溝内に形成され、表面が該絶縁層より低い配線層と、この配線層上に形成された第２のバリアメタル層とを具備し、前記溝側部における前記配線層の表面と第１のバリアメタル層とのなす角が６０゜以上であることを特徴とする半導体装置。
前記配線層を構成する主元素は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔの何れかであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
半導体基板上に形成された溝を有する絶縁層と、この絶縁層の溝の表面に沿って形成された第１のバリアメタル層と、前記絶縁層の溝内に形成され、表面が該絶縁層より低い配線層と、この配線層上に形成された第２のバリアメタル層とを具備し、前記溝側部における前記配線層の表面と第１のバリアメタル層とのなす角が６０゜以上である半導体装置の製造方法であって、
半導体基板上の絶縁層に溝を形成する工程と、
前記絶縁層の表面に沿って第１のバリアメタル層材を形成する工程と、
第１のバリアメタル層材上に、前記溝内を埋め込むように、配線材を堆積する工程と、
前記配線材の表面に対して平坦化処理を行い、前記溝内に第１のバリアメタル層及び配線層を埋め込み形成する工程と、
前記配線層を構成する主元素と反応する酸化剤と、前記配線層を構成する主元素のイオンと錯体を形成する錯体形成剤と、前記錯体を溶解する溶媒とを含むエッチング溶液を用いて該配線層に対してリセスエッチング処理を行って、前記配線層の表面と第１のバリアメタル層とのなす角が６０゜以上となるように該配線層の表面を後退させて凹部を形成する工程と、
前記配線層及び絶縁層上に前記凹部を埋め込むように第２のバリアメタル層材を形成する工程と、
第２のバリアメタル層材の表面を、前記絶縁層の表面が露出するまで平坦化し、前記凹部に前記第２のバリアメタル層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記酸化剤が、過酸化水素水、過硫酸アンモニウム、オゾン水、の中から１種類以上選ばれていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
前記錯体形成剤が、アミノ酸，エチレンジアミン，エチレンジアミン四酢酸、アミノスルホン酸の中から１種類以上選ばれていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
前記アミノ酸がグリシンであることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
前記溶媒が水であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
前記リセスエッチング処理は、前記平坦化処理を行う平坦化装置内で連続して行われることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
前記リセスエッチング処理は、前記平坦化処理後に行われる洗浄工程での処理槽にて行われることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。