JP3751130B2 - 計測装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、計測装置に関し、例えば半導体製造時の配線の検査や異物の検査のためにウエハに形成されたパターンの形状を計測するのに適した計測装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年の半導体の微細化にともない、ウエハに形成されたパターンの形状を計測する計測装置も微細化に対応してきている。微細な観察を行うことのできる計測装置は分子レベルまで計測可能である。しかし、各計測装置の計測レンジは狭い。例えば、ある計測装置は数100ミクロン程度の分解能をもち、またある計測装置は数ナノメートル程度の分解能をもつが、1つの計測装置が数100ミクロン程度から数ナノメートル程度の広いレンジの分解能で形状を計測できるものはなかった。
【0003】
そのため、必要な計測レベルに応じて、種々の計測装置を使用することが必要である。さらに、計測は歩留りに影響を与えるために、効率よく、短時間に且つ試料に影響なく、行う必要がある。従って、広いレンジの形状情報を得る非破壊計測技術が必要である。
例えば、図9は光切断計測法の原理図である。光切断計測法では、試料1に対して、シート状の入射光2を試料1に投射し、試料1の表面の形状を反映した反射光3を観察することで、試料1の表面の形状を計測している。光切断計測法では、反射光3を検知することにより、1/10ミクロン程度の高さ情報を得ることができる。しかし、これ以下の大きさの形状は認識、計測できなかった。
【0004】
図2の(B)は、光切断計測法で検出された計測結果の一例を示している。試料1の表面の形状が図2の(B)に示したものである場合、高さの分布50を示す計測結果が得られる。
図10は微分干渉計測法の原理図である。試料1に対して、光源4からの白色光は、偏光子5で直線偏光となり、半透明鏡6で反射され、そして、偏光分離プリズム7で互いに垂直方向に振動し且つ横ずれした2偏光に分離される。分離された2偏光は試料1に垂直に落射して試料1で反射し、偏光分離プリズム7に再入射する。偏光分離プリズム7に再入射した2偏光は、偏光分離プリズム7で合成され且つ干渉光となり、半透明鏡6を透過して検光子8を介してカラー撮像装置9に至る。検光子8では特定の波長成分の光が遮蔽され、通過した波長成分の光のみがカラー撮像装置9で捕らえられることができる。
【0005】
2偏光が試料1で反射するときに、試料1の表面に凹凸があると、2偏光が偏光分離プリズム7と試料1を往復する間に、一方の偏光の光路長と他方の偏光の光路長とに差ができることになる。2偏光の間に試料1の表面の形状に起因する光路差が生じていれば、偏光分離プリズム7で合成するときに完全に最初の偏光の状態にはならず、偏光状態が変わり、干渉光が生じる。検光子8はクロスニコルで配置されている場合には最初の偏光に相当する偏光を遮断し、試料1の表面の各部分の状態の変化を表す干渉光を透過させる。こうして、干渉光はカラー撮像装置9で試料1の表面の各部分の状態の変化を表す色の変化として観察、検出される。
【0006】
図2の(C)は、微分干渉計測法で検出された計測結果の一例を示している。試料1の形状は図2の(B)の場合と同じである。この場合、色の分布52を示す計測結果が得られる。例えば、この色の分布52においては、試料1の平坦な表面に対しては緑色52a、緩い斜面に対しては薄い青52b及び薄い薄いオレンジ52c、急な斜面に対してはかなり薄い灰色52d及びかなり薄い薄い青52eが出る。斜面の傾き方向により観察できる色が異なっている。投射される2偏光の横ずれ方向は試料1の斜面の傾斜方向と平行である。計測はレンズ類や偏光分離プリズムや検光子の向きに左右されるが、数10ナノメートル前後の傾斜を捕らえることができる。
【0007】
なお、微分干渉計測法は、特開平5─303040号公報、特開平5─303041号公報、特開平7─260574号公報等に記載されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
光切断計測法及び微分干渉計測法ともに計測のレンジが限定されており、両者を用いて広いレンジの計測を行いたい場合でも、それぞれ別々に計測する必要があった。
本発明の目的は、上記した光切断計測法及び微分干渉計測法の2種類の非破壊計測法を組み合わせ、計測レンジを拡張することにより、効率のよい計測を行うことができるようにした計測装置を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明による計測装置は、試料を支持する支持手段と、該支持手段に対して斜めに配置され、光源の光を互いに垂直方向に振動し且つ互いに横ずれした2偏光に分離する偏光分離手段と、該投光手段は該偏光分離手段と該支持手段との間に配置された、光源からの光をシート光に変換するための投光手段と、該偏光分離手段を通り、該支持手段に支持された試料で反射した2偏光を合成し且つ干渉光を出射させる微分干渉検知手段と、該微分干渉検知手段から出射した干渉光を検出する検出手段とを備えことを特徴とするものである。
【0010】
この構成においては、試料の光切断計測法による形状情報と微分干渉計測法による微細形状情報とを同時に且つ非破壊で得ることができる。
好ましくは、前記検知手段で検出した干渉光に基づいて、微分干渉計測法で得られる色の分布、及び、光切断計測法で得られる高さの分布を映像出力するための出力手段を更に備える。また、該偏光分離手段は偏光分離プリズムからなり、偏光子が光源と該偏光分離プリズムとの間に配置される。該微分干渉検知手段は偏光合成プリズムからなり、検光子が該偏光合成プリズムと該検出手段との間に配置される。
【0011】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の原理図である。本発明による計測装置10は、試料1を支持する支持手段12と、支持手段12に対して斜めに配置され、光源20の光を互いに垂直方向に振動し且つ互いに横ずれした2偏光に分離する偏光分離手段14と、偏光分離手段14を通り、支持手段12に支持された試料1で反射した2偏光を合成し且つ干渉させる微分干渉検知手段16と、微分干渉検知手段16を通った干渉光を検出する検出手段18とを備えている。
【0012】
光源20は多くの波長成分を含む白色光源を使用することができる。例えば、光源20として、ハロゲンランプや白色電球や多波長レーザーなどを使用できる。光源20からの白色光は後で述べる偏光子(図3)を通って直線偏光となって偏光分離手段14に入射し、この直線偏光は偏光分離手段14によって互いに垂直方向に振動し且つ横ずれした2偏光に分離される。光源20が偏光を発生するものであれば偏光子を設ける必要はない。
【0013】
偏光分離手段14は好ましくは図5に示される偏光分離プリズム14aからなるものとする。図5に示されるように、偏光26が偏光分離プリズム14aに入射すると、供給される偏光の振動面と偏光分離プリズム14aの光学軸との角度関係により、偏光26は常光28及び異常光30に分離される。常光28及び異常光30は互いに直交する振動面を有する。常光28及び異常光30は互いに横ずれして試料1に入射する。
【0014】
図6は試料1に入射した常光28及び異常光30を示している。偏光分離手段14と試料1との間に対物レンズを設置し、常光28及び異常光30が互いに平行に試料1に入射するようにすることもできる。常光28と異常光30とは横ずれ量dをもって存在する。横ずれ方向は偏光分離手段14に設置の仕方によって定まり、図1の構成においては、横ずれ方向が図1の紙面と平行な方向となるように、偏光分離プリズム14aが配置される。
【0015】
微分干渉検知手段16は偏光合成プリズムを含む。偏光合成プリズムは偏光分離手段14の偏光分離プリズム14aと同様の構造のものとすることができる。図7は偏光分離手段14を構成する偏光分離プリズム14aと、微分干渉検知手段16を構成する偏光合成プリズム16aとを示している。これらの偏光分離プリズム14a及び偏光合成プリズム16aはノマルスキープリズムからなるのが好ましく、偏光分離の作用と偏光合成の作用に応じて、微分干渉検知手段16の偏光合成プリズム16aは偏光分離手段14の偏光分離プリズム14aとは光路上で逆向きに配置される。なお、偏光分離プリズム14a及び偏光合成プリズム16aの代わりに、その他の偏光分離プリズムや、偏光分離プリズムとリレーレンズとの組み合わせを用いることもできる。
【0016】
さらに、図1では、光源20から偏光分離手段14を通った光をシート光に変換するための投光手段22を備えている。投光手段22は偏光分離手段14と支持手段12との間に配置される。投光手段22は例えば図8に示すスリット26aをもった板26からなる。スリット26aは図1において紙面に対して垂直な方向に延びるように配置される。スリット26aは図示省略した対物レンズ(円筒形レンズや集光レンズ)に設けてもよい。また、スリット26aを用いなくても、例えば細いビームを走査することによってシート光とすることもできる。
【0017】
こうして、偏光分離手段14及び投光手段22を通った2偏光を含むシート光が支持手段12に支持された試料1に入射し、試料1で反射される。試料1で反射した2偏光は微分干渉検知手段16で合成され、干渉光となり、干渉光が検出手段18で検出される。検出手段18はカラー撮像装置やCCDカメラ等を使用することができる。
【0018】
2偏光が試料1で反射するときに、試料1の表面に凹凸があると、2偏光が偏光分離手段14から試料1を覆って微分干渉検知手段16へ進む間に、一方の偏光の光路長と他方の偏光の光路長とに差ができることになる。2偏光の間に試料1の表面の形状に起因する光路差が生じていれば、微分干渉検知手段16で合成するときに完全に最初の偏光の状態にはならず、偏光状態が変わり、干渉光が生じる。従って、検出手段18で検出される干渉光は、試料1の表面の形状に従った情報を含む光であり、試料1の表面の各部分の状態の変化は色の変化として観察、検出される。
【0019】
図2の(A)は、こうして検出された計測結果の一例を示している。計測結果は図2の(C)に示した微分干渉計測法で得られたのと同様な色の分布52を含む。この色の分布52は、試料1の平坦な表面に対しては緑色52a、緩い斜面に対しては薄い青52b及び薄い薄いオレンジ52c、急な斜面に対してはかなり薄い灰色52d及びかなり薄い薄い青52eが出る。斜面の傾き方向により観察できる色が異なっている。色の分布は数10ナノメートル前後の高低差のある傾斜毎に捕らえることができる。
【0020】
さらに、図2の(A)は、図2の(B)に示した光切断計測法で検出されたのと同様な高さの分布50を含む。従って、図1の装置10で計測を行えば、色の分布52及び高さの分布50のデータが得られ、色の分布52又は高さの分布50を使用して所望の分解能に応じた計測を実施することができる。また、高さの分布50によれば広い部分のおおまかな形状を把握するのに適し、分布52によればより小さな形状の変化を把握できるので、色の分布52と高さの分布50とを併用することにより、より確実な検査を行うことができる。また、色の分布52を使用する場合には試料1の急な斜面では得られる色が非常に薄くなる場合があるが、このような場合には色の分布52と高さの分布50とを併用することにより、より確実な検査を行うことができる。
【0021】
図3は図1の装置をより詳細に示した本発明による計測装置10の構成図である。この計測装置10は、試料1を支持する支持手段12と、偏光子32と、偏光分離手段14と、投光手段22と、支持手段12に支持された試料1で反射した光を受ける受光光学系34と、2偏光を合成し且つ干渉させる微分干渉検知手段16と、検光子36と、結像光学系38と、カラー撮像装置からなる検出手段18とを備えている。
【0022】
図3においては、各部材の機能は図1のものと同じである。投光手段22は対物レンズの機能を有するものとすることができ、受光光学系34は対物レンズとして作用する。微分干渉検知手段16を通った干渉光は検光子36を通り、偏光子32で得られた偏光に相当する偏光が遮断され、試料1の表面の各部分の状態の変化を表す干渉光が透過する。結像光学系38は検出手段18上で干渉光を結像させる。
【0023】
こうして、干渉光は検出手段18によって試料1の表面の各部分の状態の変化を表す色の変化として観察、検出される。検光子36は偏光子32に対して垂直又は平行て関係で配置されるので望ましいが、必ずしもそのように関係で配置する必要もない。また、検光子36はそれ自身の軸線のまわりで回転可能に配置されることができる。これによって、検光子36によって遮断する偏光成分と透過させる偏光成分を変えることができる。
【0024】
検出手段18は、カラー撮像装置又はCCDカメラを利用することができる。検出手段18としてCCDカメラを使用する場合には、3板式CCDカメラ又は単板式CCDカメラとすることができる。検出手段18としてカラー撮像装置(撮像管を用いた装置)を使用する場合にも、単管式又は3管式カラー撮像装置を使用することができる。3板式・3管式の場合、単板式、単管式に比較して画像が鮮明である。またCCDの場合、撮像管のような焼きつきを起こす心配がない。
【0025】
図4は図3の変形例を示す図である。この例では、投光手段22は対物レンズ40とは別に設けられている。さらに、図4では、信号変換器42とパーソナルコンピュータ44とが示されている。信号変換器42はRGB/SYNケーブル46によって検出手段18に接続され、パーソナルコンピュータ44はRS232Cケーブル48によって信号変換器42に接続される。検出手段18の映像信号は信号変換器42によってデジタル信号に変換され、パーソナルコンピュータ44は色信号を数値化及び積分し、形状情報を復元する。信号変換器42及びパーソナルコンピュータ44は、画像処理装置やシステムでもよく、付随するケーブルも画像処理装置やシステムの都合によって変更してもよい。
【0026】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、試料の光切断計測法による形状情報と微分干渉計測法による微細形状情報とを同時に且つ非破壊で得ることができ、形状計測の効率化を図ることができる。また、この計測装置を半導体の検査に使用する場合には、信頼性の高い半導体を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の計測装置の原理図である。
【図2】試料に対して得られた計測結果を示す図である。
【図3】図1の装置をより詳細に示した本発明による計測装置を示す図である。
【図4】図3の変形例の計測装置を示す図である。
【図5】偏光分離プリズムの作用を示す図である。
【図6】横ずれした2偏光を示す図である。
【図7】偏光分離プリズムと偏光合成プリズムの関係を示す図である。
【図8】スリットで投光手段を構成する例を示す図である。
【図9】光切断計測法の原理図である。
【図10】微分干渉計測法の原理図である。
【符号の説明】
1…試料
10…計測装置
12…支持手段
14…偏光分離手段
14a…偏光分離プリズム
16…微分干渉検知手段
16a…偏光合成プリズム
18…検出手段
20…光源
22…投光手段
32…偏光子
36…検光子
38…結像光学系
Claims (4)
- 試料を支持する支持手段と、
該支持手段に対して斜めに配置され、光源の光を互いに垂直方向に振動し且つ互いに横ずれした2偏光に分離する偏光分離手段と、
該偏光分離手段と該支持手段との間に配置された、光源からの光をシート光に変換するための投光手段と、
該偏光分離手段を通り、該支持手段に支持された試料で反射した2偏光を合成し且つ干渉光を出射させる微分干渉検知手段と、
該微分干渉検知手段から出射した干渉光を検出する検出手段とを備えたことを特徴とする計測装置。 - 前記検知手段で検出した干渉光に基づいて、微分干渉計測法で得られる色の分布、及び、光切断計測法で得られる高さの分布を映像出力するための出力手段を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の計測装置。
- 該偏光分離手段は偏光分離プリズムからなり、偏光子が光源と該偏光分離プリズムとの間に配置されることを特徴とする請求項1に記載の計測装置。
- 該微分干渉検知手段は偏光合成プリズムからなり、検光子が該偏光合成プリズムと該検出手段との間に配置されることを特徴とする請求項1に記載の計測装置。
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