JP3735932B2 - 光学ピックアップ - Google Patents
光学ピックアップ Download PDFInfo
- Publication number
- JP3735932B2 JP3735932B2 JP07131296A JP7131296A JP3735932B2 JP 3735932 B2 JP3735932 B2 JP 3735932B2 JP 07131296 A JP07131296 A JP 07131296A JP 7131296 A JP7131296 A JP 7131296A JP 3735932 B2 JP3735932 B2 JP 3735932B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light beam
- prism
- optical axis
- incident
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Polarising Elements (AREA)
- Optical Head (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光磁気ディスクに対して情報信号の記録及び/または再生を行なうための光学ピックアップに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、このような光磁気ディスクの記録/再生を行なうための光学ピックアップは、図12に示すように構成されている。
図12において、光学ピックアップ1は、半導体レーザ素子2,回折格子3,ビームスプリッタ4,コリメータレンズ5,対物レンズ6,ウォラストンプリズム7,マルチレンズ8及び光検出器9を備えている。
【0003】
このような構成の光学ピックアップ1においては、半導体レーザ素子2から出射されるレーザ光は、回折格子3を通ってビームスプリッタ4に入射し、このビームスプリッタ4で、半導体レーザ素子2から出射された光ビームと光磁気ディスクMOの信号記録面からの戻り光ビームが分離される。
ビームスプリッタ4は、一般に、一対の光学プリズムとこれら一対の光学プリズムの間に蒸着またはスパッタリング等により形成された誘電体多層膜によって構成されている。
【0004】
上記ビームスプリッタ4により分離されて透過した半導体レーザ素子2からの例えばP偏光成分の光ビームは、コリメータレンズ5に入射し、コリメータレンズ5によって平行な光ビームに変換されて対物レンズ6に入射する。
対物レンズ6は、入射光を光磁気ディスクMOの信号記録面のある一点に収束させると共に、図示しないアクチュエータによってフォーカス方向及びトラッキング方向に駆動される。
光磁気ディスクMOの信号記録面に照射された上記光ビームは、信号記録面の磁化の方向によってカー効果により、その偏光方向が回転され、S偏光成分を含んだ光ビームとなる。
光磁気ディスクMOの信号記録面からの戻り光ビームは、再び対物レンズ6及びコリメータレンズ5を介してビームスプリッタ4に入射し、ビームスプリッタ4で90度偏光されると共に、上記S偏光成分が分離される。
【0005】
このビームスプリッタ4により分離された戻り光ビームは、ウォラストンプリズム7に入射され、ウォラストンプリズム7で複数の光ビームに分割されて、マルチレンズ8に入射される。
マルチレンズ8に入射された戻り光ビームは、フォーカスエラー検出のための非点収差が発生されると共に、光検出器までの戻り光ビームの光路長の短縮が図られている。
光検出器9は、マルチレンズ8を介してウォラストンプリズム7で複数の光ビームに分割された戻り光ビームを受光するために、その受光面が、各分割ビームに対応した複数の受光部から構成されており、各受光部からの検出信号に基づいて、フォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号等のエラー信号及び光磁気ディスクMOの読取信号が生成されるようになっている。
かくして、光学ピックアップ1によれば、光磁気ディスクMOに記録された情報信号の再生が行われることになる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記ウォラストンプリズム7は、第一のプリズム7aと第二のプリズム7bとが接着層7cを挟んで一体に構成されている。
上述の光学ピックアップ1においては、光磁気ディスクMOに記録された情報信号の再生に関して、このようなウォラストンプリズム7を使用している。すなわち、光検出器9の分割された受光部に、戻り光の常光成分と異常光成分とがそれぞれ入射することで、各分割受光部の出力信号に基づいて、記録情報の再生をしている。
【0007】
ところが、このような従来のウォラストンプリズム7では、常光と異常光の分離(分割)角が比較的小さくなっている。
このため、光検出器9の分割された受光部で、上記各分割された光を受光して、情報信号を再生しようとする場合には、分割された戻り光ビームの間隔が十分大きくなるように、ウォラストンプリズム7と光検出器9との距離を十分大きく取る必要がある。従って、光学ピックアップ1全体が大型化してしまうという問題があった。
【0008】
本発明は、以上の点に鑑み、信号検出に用いる戻り光の分離角が大きくなるようにして、光学ピックアップを小型に構成できる光分離素子と、この光分離素子を使用した光学ピックアップを提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、本発明によれば、光源と対物レンズと光分離素子と光検出器とを含む光学ピックアップにおいて、光の入射面に偏光分離膜を設けた一軸性の複屈折材料からなる一軸性結晶素子であって、この一軸性結晶素子の光学軸が前記偏光分離膜を介して入射する光磁気成分を含む戻り光ビームの光軸に対して常光成分と異常光成分の屈折率差が最大となるような角度を有する面内にあり、さらに、前記一軸性結晶素子の光学軸が、入射する戻り光ビームの偏光方向に対して、所定の角度だけ傾斜して配設されている光分離素子を用いることにより、達成される。
本発明では、一軸性結晶素子の光学軸が、戻り光ビームの光軸に対して、常光成分と異常光成分の屈折率差が最大となるような角度を有する面内にあるようにするために、下記のように光分離素子を構成する。
まず、一軸性結晶素子により光分離素子を構成する場合には、一軸性結晶素子の光学軸が、偏光分離膜を介して入射する光磁気成分を含む戻り光ビームの光軸に直交する面に対して、戻り光ビームの光軸に直交する面に対する一軸性結晶素子の入射面のなす角度をθm2、一軸性結晶素子内を通過する異常光成分の屈折角をθe4としたとき、(θm2−θe4)傾斜した角度を有する面内にある構成とする。
また、光学的に等方性を有する材質から成るプリズムである第一のプリズムブロックと一軸性の複屈折材料から成る一軸性結晶プリズム(即ち一軸性結晶素子によるプリズム)である第二のプリズムブロックとの間に偏光分離膜を挟んで光分離素子を構成する場合には、一軸性結晶プリズムの光学軸が、偏光分離膜を介して入射する光磁気成分を含む戻り光ビームの光軸に直交する面に対して、戻り光ビームの光軸に直交する面に対する第二のプリズムブロックの入射面のなす角度をθm2、第二のプリズムブロック内を通過する異常光成分の屈折角をθe4としたとき、(θm2−θe4)傾斜した角度を有する面内にある構成とする。
また、二つの一軸性の複屈折材料から成る一軸性結晶プリズム(即ち一軸性結晶素子によるプリズム)の間に偏光分離膜を挟んで光分離素子を構成する場合には、第一の一軸性結晶プリズムの光学軸が、入射する光磁気成分を含む戻り光ビームの光軸に直交する面に対して、戻り光ビームの光軸に直交する面に対する第一の一軸性結晶プリズムの入射面のなす角度をθm1、第一の一軸性結晶プリズム内を通過する異常光成分の屈折角をθe2としたとき、(θm1−θe2)傾斜した角度を有する面内にあって、第二の一軸性結晶プリズムの光学軸が、第一の一軸性結晶プリズムから接着層を介して入射する戻り光ビームの光軸に直交する面に対して、戻り光ビームの光軸に直交する面に対する第二の一軸性結晶プリズムの入射面のなす角度をθm2、第二の一軸性結晶プリズムにより屈折される光線の屈折角をθoe4,θeo4としたとき、{θm2−(θoe4+θeo4)/2}傾斜した角度を有する面内にある構成とする。
【0010】
上記構成によれば、光分離素子を構成する少なくとも一つの一軸性結晶プリズムの光学軸が、常光成分及び異常光成分の屈折率の差を最大にするように、配置されていることから、常光成分及び異常光成分の屈折角の差が最大となる。従って、常光成分及び異常光成分の分離角が最大となることから、光分離素子と光検出器との間の光路長がより短く設定されることになる。
【0011】
【実施形態】
以下、この発明の好適な実施形態を図1乃至図10を参照しながら、詳細に説明する。
尚、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。
【0012】
図1は、本発明による光磁気ディスク装置用の光学ピックアップの一実施形態を示している。
図1において、光学ピックアップ10は、光源としての半導体レーザ素子11,回折格子12,第1の光分離素子としてのビームスプリッタ13,コリメータレンズ14,対物レンズ15,第2の光分離素子16,マルチレンズ17及び光検出器18とから構成されている。
【0013】
上記半導体レーザ素子11は、半導体の再結合発光を利用した発光素子であり、レーザ光源として使用される。半導体レーザ素子11から出射した光ビームは、回折格子12に導かれる。
【0014】
上記回折格子12は、入射光を回折させるものであり、半導体レーザ素子11から出射した光ビームを、光磁気ディスクMOの接線方向に0次回折光から成る主ビーム及びプラスマイナス1次回折光から成るサイドビームの少なくとも3本の光ビームに分離するために使用される。
【0015】
上記ビームスプリッタ13は、半導体レーザ素子からの光ビームと、光ディスクMOからの戻り光ビームを分離する光分離素子(第1の光分離素子)として機能するものである。このビームスプリッタ13は、その反射面13aが対物レンズ14の光軸に対して45度傾斜した状態で配設されており、半導体レーザ素子11から出射した光ビームと光磁気ディスクMOの記録面からの戻り光を分離する。これにより、半導体レーザ素子11からの例えばP偏光の光ビームが、ビームスプリッタ13を透過するようになっている。
【0016】
上記コリメータレンズ14は、凸レンズであって、ビームスプリッタ13を透過した光ビームを平行光に変換する。
【0017】
対物レンズ15は、凸レンズであって、コリメータレンズ14からの平行光をを、回転駆動される光磁気ディスクMOの記録面の所望のトラック上に結像させる。
【0018】
光磁気ディスクMOの記録面に照射された光ビームは、戻り光ビームとして、再び対物レンズ15,コリメータレンズ14を介してビームスプリッタ13に導かれる。そして、このビームスプリッタ13の反射面13aにより反射された戻り光ビームは、光分離素子16に入射されることになる。
【0019】
上記光分離素子16は、上記ビームスプリッタ13に対して第2の光分離素子であり、後述する常光と異常光との各光路が互いに大きな角度を有するように分離するものである。この光分離素子16は、二つのプリズムブロック16a,16bを接着層16cを挟んで貼り合わせることにより、構成されている。
対物レンズ15側の第一のプリズムブロック16aは、光学的に等方性を有する材質である例えばガラスから成るガラスプリズムであり、これに対して光検出器18側の第二のプリズムブロック16bは、一軸性の複屈折結晶、例えばニオブ酸リチウム(LiNbO3 )から成る一軸性結晶プリズムである。
【0020】
これにより、光分離素子16を透過する光ビームLは、図3に示すように、第一面にて、プリズムブロック16a入射し、第二面にて、接着層16cを透過することにより、プリズムブロック16aからプリズムブロック16bに入射し、さらに第三面にて、プリズムブロック16bから出射することになる。その際、各面における屈折は、各面を境界とする光透過媒質の屈折率を順次にn1,n2,n3,n4として、各面の入射光に対する角度をそれぞれθm1,θm2,θm3とし、第一面に対する入射角θ1,屈折角θ2、第二面に対する入射角θ3,屈折角θ4、第三面に対する入射角θ5,屈折角θ6として、第一面に入射する光ビームと第三面から出射する光ビームの全体の屈折角をθ0とすれば、スネルの法則によって、
【数1】
【数2】
【数3】
となり、また各角度の間には、以下の関係が成立する。即ち、
【数4】
【数5】
【数6】
【数7】
【0021】
ここで、一軸性結晶プリズム16bは、入射する収束光に対して、二つの光ビーム、即ち常光成分Poと異常光成分Peに偏光分離する。
この際、波面進行方向がベクトルkである入射光に関して、ベクトルkに垂直で且つ原点を通る平面上における複屈折楕円体(図4参照)の長軸方向及び短軸方向にDベクトルをもつ二つの偏光は、その偏光方向が媒質中を伝搬しても変化せず、しかも二つの偏光方向は互いに直交している。そして、二つの偏光の位相速度が等しくなるとき、その方向が光学軸と呼ばれ、ここでは光学軸は長軸方向即ちz軸方向に一致している。
【0022】
ここで、Dベクトルがy軸に平行である第一の偏光に対する屈折率nordは、noである。これに対して、DベクトルがOP方向に平行な第二の偏光に対する屈折率nextは、
【数8】
で与えられることになる。この場合、第一の偏光即ち常光線は、屈折後の偏光方向Eベクトルは、Dベクトルと平行であり、前述したスネルの法則を満足するが、第二の偏光即ち異常光線は、屈折後の偏光方向EベクトルがDベクトルに対して平行ではないので、スネルの法則を満足せず、而も屈折率nextは、方向によって変化することになる。
従って、上記常光線の屈折率noと異常光線の屈折率nextの差が最大となるためには、θ=90度なる条件が必要となり、これは進行波が光学軸に対して垂直に入射するということである。
【0023】
かくして、第二のプリズムブロック16bは、常光線及び異常光線に対して異なる屈折率、即ち常光線に対する屈折率no3,異常光線に対する屈折率ne3を有することから、第二のプリズムブロック16bの光学軸が、第1のプリズムブロック16aへの入射光線の光軸に直交する面に対して(θm2−θe4)なる角度だけ傾斜して配設されると、常光線については、
【数9】
なる関係が成立し、また異常光線については、
【数10】
なる関係が成立することになる。これにより、第二のプリズムブロック16bにより、常光成分Poと異常光線Peがそれぞれ屈折角θo6及びθe6で分離されることになる。
【0024】
具体的には、第二のプリズムブロック16bの光学軸は、図5に示すように、矢印O1で示すように、入射する戻り光ビームの光軸方向Iに対して、第一のプリズムブロック16aへの入射光線の光軸に直交する面に対して(θm2−θe4)の傾きを有する面内にあって、且つX,Y平面内において、入射する戻り光ビームのP偏光方向(x面に直交するy面内にある)に対して、45度だけ傾斜している。
これにより、ガラスプリズムである第一のプリズムブロック16aから接着層16cを介して入射する光磁気成分を含む戻り光ビームに基づいて、第二のプリズムブロック16bの入射面における法線に対してy面内において、角度θoをなす光軸方向Ioを有する常光成分である第一の光ビームと、また第二のプリズムブロック16bの入射面における法線に対してy面内において、角度θe(θe>θo,ただしne<nord)をなす光軸方向Ieを有する異常光成分である第二の光ビームが得られる。かくして、光分離素子16にて、ビームスプリッタ13で反射されたP偏光入射する戻り光ビームのうち、常光成分の光ビームと、異常光成分の光ビームとが分離されることになる。
【0025】
マルチレンズ17は、シリンドリカルレンズであって、光分離素子16により分離された各光ビームに非点収差を与えるようになっている。
【0026】
光検出器18は、図2に示すように、各光ビームの結像位置に配設されていると共に、光分離素子16により分離された二つの光ビーム及び回折格子12により分離されたサイドビームに対して、それぞれ分割受光部を有するように構成されている。
即ち、光検出器18は、戻り光の常光成分Poが入射する受光部18aと、戻り光の異常光成分Peが入射する受光部18bと、上記サイドビームが入射する受光部18c,18dとを備えており、受光部18aは、図示のように縦横に4分割された分割受光部A,B,C,Dを備えている。
【0027】
そして、受光部18aの各分割受光部A,B,C,Dからの検出信号Sa,Sb,Sc及びSdは、演算回路19a及び19bに入力され、また受光部18bからの検出信号Siは、演算回路19aに入力される。さらに、受光部18c,18dからの検出信号Se,Sfは、それぞれ演算回路19cに入力される。
かくして、演算回路19aにより、上記検出信号Sa,Sb,Sc,Sd及びSiに基づいて、MO信号及びCD信号が、
【数11】
【数12】
により算出されることになる。
また、演算回路19bにより、上記検出信号Sa,Sb,Sc,Sdに基づいて、フォーカス信号FCSが、いわゆる非点収差法によって、
【数13】
により算出される。
さらに、演算回路19cにより、上記検出信号Se,Sfに基づいて、トラッキング信号TRKが、
【数14】
により算出される。
【0028】
本実施形態による光学ピックアップ10によれば、レーザ光源11から出射される光ビームは、回折格子12及びビームスプリッタ13を透過した後、コリメータレンズ14により平行光に変換され、対物レンズ15により光磁気ディスクMOの情報記録面に収束される。
この光磁気ディスクMOの情報記録面で反射された戻り光は、反射する際、情報記録面の磁化磁性に応じてカー効果を受け、対物レンズ15及びコリメータレンズ14を介してビームスプリッタ13で反射され、光分離素子16に入射する。
【0029】
ここで、この光分離素子16を透過する際、戻り光の第一の偏光成分である常光成分が、屈折率noで屈折すると共に、第二の偏光成分である異常光成分が、屈折率nextで屈折することになり、常光成分と異常光成分が分離されることになる。その際、光分離素子16の第二のプリズムブロック16bは、その光学軸が、入射する戻り光の光軸に直交する面に対して前述のように(θm2−θe4)だけ傾斜して配設されていることから、上記屈折率noと屈折率nextの差が最大となるように設定されることになる。これにより、第二のプリズムブロック16bによる常光成分と異常光成分の分離角も最大となる。従って、光分離素子16から光検出器18までの光路長が比較的短く選定されることになる。
【0030】
かくして、光分離素子16により分割された常光成分及び異常光成分は、それぞれマルチレンズ17を介して、光検出器18の受光部18a及び18bに入射すると共に、回折格子12で分割されたサイドビームが、光検出器18の受光部18c,18dに入射することになる。これにより、演算回路19aにより、上記検出信号Sa,Sb,Sc,Sd及びSiに基づいて、MO信号及びCD信号が、算出されることになる。
これに対して、演算回路19bにより、上記検出信号Sa,Sb,Sc,Sdに基づいて、フォーカス信号FCSが算出され、また、演算回路19cにより、上記検出信号Se,Sfに基づいて、トラッキング信号TRKが算出される。
【0031】
かくして、本実施形態による光学ピックアップ10によれば、光分離素子16の第二のプリズムブロック16bの光学軸の配置によって、第二のプリズムブロック16bにより分離される常光成分と異常光成分とが、最大の分離角で分離されることになるので、光分離素子16から光検出器18までの光路長が比較的短く構成されることになり、光学ピックアップ10が、全体として小型に構成されることになる。
【0032】
尚、上述した実施形態の光学ピックアップ10においては、第二のプリズムブロック16bの光学軸は、第一のプリズムブロックから入射する戻り光ビームの光軸方向Iに対して所定の傾きを有する面内にあり、且つ戻り光ビームのP偏光方向に対して45度だけ傾斜して配設されているが、これに限らず、戻り光ビームのP偏光方向に対して45度よりも小さい角度あるいは大きい角度だけ傾斜していてもよい。
また、光分離素子16は、二つのプリズムブロック16a,16bを有しているが、この第一のプリズムブロック16aを省略し、一軸性結晶材料でなるひとつのプリズムブロック16bと、その光ビームの入射面に設けた、例えば誘電体多層膜等でなる偏光分離膜16cとからなるものとして構成するようにしてもよい。このような光分離素子16はビームスプリッタ13と同じように、光源からの光と光磁気ディスクMOの信号記録面にて反射された戻り光とを偏光分離するのに用いることができるので、ビームスプリッタ13を省略した構成を実現することが可能になる。
【0033】
図7及び図8は、本発明による光学ピックアップの第二の実施形態を示している。
図7において、光学ピックアップ20は、半導体レーザ素子21,回折格子22,ビームスプリッタ23,コリメータレンズ24,対物レンズ25,光分離素子26,マルチレンズ27及び光検出器28とから構成されている。
【0034】
上記半導体レーザ素子21,回折格子22,ビームスプリッタ23,コリメータレンズ24,対物レンズ25,マルチレンズ27は、図1及び図2の光学ピックアップ10における半導体レーザ素子11,回折格子12,ビームスプリッタ13,コリメータレンズ14,対物レンズ15,マルチレンズ17と同じ構成であり、その効果も同様である。
【0035】
上記光分離素子26は、二つのプリズムブロック26a,26bを接着層26cを挟んで貼り合わせることにより、構成されている。
対物レンズ25側の第一のプリズムブロック26a及び光検出器28側の第二のプリズムブロック26bは、それぞれ一軸性の複屈折結晶、例えばニオブ酸リチウム(LiNbO3 )から成る一軸性結晶プリズムである。
【0036】
ここで、第一のプリズムブロック26aが、常光線及び異常光線に対して異なる屈折率、即ち常光線に対する屈折率no2,異常光線に対する屈折率ne2を有することから、第一のプリズムブロック26aの光学軸が、入射光線の光軸に直交する面に対して(θm1−θe2)なる角度だけ傾斜して配設される。
また、第二のプリズムブロック26bが、常光線及び異常光線に対して異なる屈折率、即ち常光線に対する屈折率no3,異常光線に対する屈折率ne3を有することから、第二のプリズムブロック26bにより屈折角θoe4,θeo4で屈折される光線に等しい屈折率nextを与えるためには、第二のプリズムブロック26bの光学軸が、入射光線の光軸に直交する面に対して、
【数15】
【数16】
で与えられるθoe4,θeo4により、(θm2−(θoe4+θeo4)/2なる角度だけ傾斜して配設されることにより、同様にして、スネルの法則によって、第三面にて、屈折角θoo6,θoe6,θeo6,θee6で、屈折することになる。
【0037】
かくして、第一のプリズムブロック26a及び第二のプリズムブロック26bにより、常光成分Poと異常光線Peがそれぞれ屈折角θoo6,θoe6,θeo6,θee6で分離されることになる。
具体的には、第一のプリズムブロック26aの光学軸は、図9に示すように、矢印O1で示すように、入射する戻り光ビームの光軸方向Iに対して、実質的に直交する面内にあって、且つ入射する戻り光ビームのP偏光方向(x面に直交するy面内にある)に対して、45度だけ傾斜している。
また、第二のプリズムブロック26bの光学軸は、図9に示すように、矢印O2で示すように、入射する戻り光ビームの光軸方向Iに対して、実質的に直交する面に対して所定の傾きを有し、且つ入射する戻り光ビームのP偏光方向に対して、直交している。即ち、第二のプリズムブロック26bの光学軸は、第一のプリズムブロック26aにおける光学軸に対して45度だけ傾斜している。
【0038】
これにより、第一のプリズムブロック26aの入射面(第一面)にて、この入射面に直交する光軸方向Iを有するP偏光入射する戻り光ビームに基づいて、第二のプリズムブロック26bの入射面における法線に対してy面内において、角度θoをなす光軸方向Ioを有する常光成分である第一の光ビームと、また第二のプリズムブロック26bの入射面における法線に対してy面内において、角度θe(θe>θo,ただしne<no)をなす光軸方向Ieを有する異常光成分である第二の光ビームが得られる。さらに、上記第一の光ビームと第二の光ビームとの間に、戻り光ビームと同じ光軸方向Iを有する常光成分及び異常光成分の合成成分である第三の光ビームが得られる。
かくして、光分離素子26にて、ビームスプリッタ23で反射されたP偏光入射する戻り光ビームのうち、常光成分の第一の光ビームと、異常光成分の第二の光ビームと、そして常光成分及び異常光成分の合成成分である第三の光ビームが分離されることになる。
【0039】
光検出器28は、図8に示すように、各光ビームの結像位置に配設されていると共に、光分離素子26により分離された二つの光ビーム及び回折格子22により分離されたサイドビームに対して、それぞれ分割受光部を有するように構成されている。
即ち、光検出器28は、戻り光のうち、第三の光ビーム(光軸方向I)が入射する中央の受光部28aと、第一の光ビーム(光軸方向Io)及び第二の光ビーム(光軸方向Ie)が入射する受光部28b,28cと、上記サイドビームが入射する受光部28d,28eとを備えており、受光部28aは、図示のように縦横に4分割された分割受光部A,B,C,Dを備えている。
そして、受光部28aの各分割受光部A,B,C,Dからの検出信号Sa,Sb,Sc及びSdは、演算回路29a及び29cに入力され、また受光部28b及び28cからの検出信号Si,Sjは、演算回路29b及び29cに入力される。さらに、受光部28d,28eからの検出信号Se,Sfは、それぞれ演算回路29a,29cに入力される。
【0040】
かくして、演算回路29aにより、上記検出信号Sa,Sb,Sc,Sdに基づいて、フォーカス信号FCSが、いわゆる非点収差法によって、
【数17】
により算出される。
また、演算回路29bにより、上記検出信号Si,Sjに基づいて、MO信号が、
【数18】
により算出される。
さらに、演算回路29cにより、上記検出信号Sa,Sb,Sc,Sd及びSi,Sjに基づいて、CD信号が、
【数19】
により算出される。
また、演算回路29dにより、上記検出信号Se,Sfに基づいて、トラッキング信号TRKが、
【数20】
により算出される。
【0041】
このような構成の光学ピックアップ20によれば、レーザ光源21から出射される光ビームは、回折格子22及びビームスプリッタ23を透過した後、コリメータレンズ24により平行光に変換され、対物レンズ25により光磁気ディスクMOの情報記録面に収束される。
この光磁気ディスクMOの情報記録面で反射された戻り光は、反射する際、情報記録面の磁化磁性に応じてカー効果を受け、対物レンズ25及びコリメータレンズ24を介してビームスプリッタ23で反射され、光分離素子26に入射する。
【0042】
ここで、この光分離素子26を透過する際、戻り光の第一の偏光成分である常光成分が、屈折率nordで屈折すると共に、第二の偏光成分である異常光成分が、屈折率nextで屈折することになり、常光成分と異常光成分が分離されることになる。その際、光分離素子26の第一のプリズムブロック26a及び第二のプリズムブロック26bは、その光学軸が、入射する戻り光の光軸に直交する面に対して前述のように、それぞれ(θm1−θe2),{θm2−(θoe4+θee4)/2}だけ傾斜して配設されていることから、上記屈折率nordと屈折率nextの差が最大となるように設定されることになる。これにより、第二のプリズムブロック26bによる常光成分と異常光成分の分離角も最大となる。従って、光分離素子26から光検出器28までの光路長が比較的短く選定されることになる。
【0043】
かくして、光分離素子26により分割された常光成分及び異常光成分は、それぞれマルチレンズ27を介して、光検出器28の受光部28a,28b及び28cに入射すると共に、回折格子22で分割されたサイドビームが、光検出器28の受光部28d,28eに入射することになる。これにより、演算回路29a,29b,29c及び29dにより、MO信号及びCD信号と、トラッキング信号TRK及びフォーカス信号FCSが算出される。
【0044】
かくして、本実施形態による光学ピックアップ20によれば、光分離素子26の第一のプリズムブロック26aと第二のプリズムブロック26bの光学軸の配置によって、第一のプリズムブロック26a及び第二のプリズムブロック26bにより分離される常光成分と異常光成分とが、最大の分離角で分離されることになるので、光分離素子26から光検出器28までの光路長が比較的短く構成されることになり、光学ピックアップ20が、全体として小型に構成されることになる。
【0045】
図11は、本発明の光学ピックアップの第三の実施形態を示している。
この光学ピックアップ30は、半導体レーザ素子31,回折格子32,ビームスプリッタ33,コリメータレンズ34,対物レンズ35,光検出器38を備えている。
【0046】
上記半導体レーザ素子31,回折格子32,コリメータレンズ34,対物レンズ35は、図1及び図2の光学ピックアップ10における半導体レーザ素子11,回折格子12,コリメータレンズ14,対物レンズ15,と同じ構成であり、その効果も同様である。
この光学ピックアップ30では、ビームスプリッタ33は、半導体レーザ素子31からの光ビームと、光ディスクMOの信号記録面にて反射された戻り光ビームを分離する素子である。さらに、ビームスプリッタ30は、この戻り光ビームの常光と異常光とを、これらの光路が互いに大きな角度を有するように分離する素子として構成されている。したがって、このビームスプリッタ33は、図1の光学ピックアップ10におけるビームスプリッタ13と光分離素子16とを兼ねる構成となっている。
【0047】
このため、ビームスプリッタ33は、第1のプリズムブロック33aが光学的に等方性を有する材質,例えばガラス等により形成されている。第2のプリズムブロック33bは、一軸性の複屈折結晶、例えばニオブ酸リチウム(LiNbO3 )から成る一軸性結晶プリズムである。これらの二つのプリズムブロック33a,33bは誘電体多層膜等で形成された偏光分離膜33cを挟むようにして配設されている。
【0048】
本実施形態による光学ピックアップ30によれば、レーザ光源31から出射される光ビームは、回折格子32を通って少なくとも3本の光ビームに分割された後、ビームスプリッタ33に入射して、一部が図において上方に反射さる。この光ビームは、コリメータレンズ34により平行光に変換され、対物レンズ35により光磁気ディスクMOの情報記録面に収束される。
この光磁気ディスクMOの情報記録面で反射された戻り光は、反射する際、情報記録面の磁化磁性に応じてカー効果を受け、対物レンズ15及びコリメータレンズ14を介してビームスプリッタ33を透過する。
【0049】
ここで、このビームスプリッタ30を透過する際、戻り光の第一の偏光成分である常光成分が、屈折率noで屈折すると共に、第二の偏光成分である異常光成分が、屈折率nextで屈折することになり、常光成分と異常光成分が分離されることになる。その際、ビームスプリッタ33の第二のプリズムブロック33bは、その光学軸が、入射する戻り光の光軸に直交する面に対して図1の光学ピックアップの光分離素子の第二の光学ブロック16bと同じように、(θm2−θe4)だけ傾斜して配設されていることから、常光と異常光の各屈折率noと屈折率nextの差が最大となるように設定されている。これにより、第二のプリズムブロック33bによる常光成分と異常光成分の分離角も最大となる。
【0050】
したがって、この光学ピックアップ30では、ビームスプリッタ30と光検出器38までの光路長を比較的短く選定することができる。しかも、この光学ピックアップ30では、光磁気信号の検出のために常光と異常光とを、これらの光路の角度が大きくなるように分離する素子を別途設ける必要がないので、その分さらに全体を小型に形成することができる。
【0051】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、光分離素子を構成する少なくとも一つの一軸性結晶プリズムの光学軸が、常光成分及び異常光成分の屈折率の差を最大にするように、配置されていることから、常光成分及び異常光成分の分離角が最大となるので、光分離素子と光検出器との間の光路長がより短く設定されることになる。これにより、光学ピックアップが小型に構成されることになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による光学ピックアップの第一の実施形態を示す概略図である。
【図2】図1の光学ピックアップにおける光検出器の平面図である。
【図3】図1の光学ピックアップの光分離素子における光の屈折状態を示す概略図である。
【図4】図3の光分離素子における複屈折楕円体を示す概略図である。
【図5】図3の光分離素子での屈折状態を示す概略斜視図である。
【図6】図3の光分離素子での屈折状態を示す概略側面図である。
【図7】本発明による光学ピックアップの第二の実施形態を示す概略図である。
【図8】図7の光学ピックアップにおける光検出器の平面図である。
【図9】図7の光学ピックアップにおける光分離素子での屈折状態を示す概略斜視図である。
【図10】図9の光分離素子での屈折状態を示す概略側面図である。
【図11】本発明の光学ピックアップの第4の実施形態を示す概略図である。
【図12】従来の光学ピックアップの一例の構成を示す概略図である。
【符号の説明】
10・・・光学ピックアップ、11・・・半導体レーザ素子、12・・・回折素子、13・・・ビームスプリッタ、14・・・コリメータレンズ、15・・・対物レンズ、16・・・光分離素子、16a・・・ガラスプリズム、16b・・・一軸性結晶プリズム、16c・・・接着層、17・・・マルチレンズ、18・・・光検出器、19a,19b,19c・・・演算回路、20・・・光学ピックアップ、21・・・半導体レーザ素子、22・・・回折格子、23・・・ビームスプリッタ、24・・・コリメータレンズ、25・・・対物レンズ、26・・・光分離素子、26a,26b・・・一軸性結晶ブロック、26c・・・偏光分離膜、27・・・マルチレンズ、28・・・光検出器、29a,29b,29c,29d・・・演算回路
Claims (3)
- 光ビームを出射する光源と、
この光源から出射された光ビームを光磁気記録媒体の記録面上に合焦するように照射する対物レンズと、
この光源と対物レンズとの間に配設されていて且つこの光源からの光ビームと前記対物レンズを介した光磁気記録媒体の記録面からの戻り光ビームを分離する光分離素子と、
前記光分離素子によって分離された戻り光ビームの各光ビームを受光する光検出器とを含んでおり、
前記光分離素子が、
光の入射面に偏光分離膜を設けた一軸性の複屈折材料からなる一軸性結晶素子であって、
この一軸性結晶素子の光学軸が、前記偏光分離膜を介して入射する光磁気成分を含む戻り光ビームの光軸に直交する面に対して、前記戻り光ビームの光軸に直交する面に対する前記一軸性結晶素子の入射面のなす角度をθm2、前記一軸性結晶素子内を通過する異常光成分の屈折角をθe4としたとき、(θm2−θe4)傾斜した角度を有する面内にあり、
さらに、前記一軸性結晶素子の光学軸が、入射する戻り光ビームの偏光方向に対して、所定の角度だけ傾斜して配設されていることを特徴とする光学ピックアップ。 - 光ビームを出射する光源と、
この光源から出射された光ビームを光磁気記録媒体の記録面上に合焦するように照射する対物レンズと、
この光源と対物レンズとの間に配設されていて且つこの光源からの光ビームと前記対物レンズを介した光磁気記録媒体の記録面からの戻り光ビームを分離する光分離素子と、
前記光分離素子によって分離された戻り光ビームの各光ビームを受光する光検出器とを含んでおり、
前記光分離素子が、
偏光分離膜を挟むように配設された二つのプリズムブロックから構成されていて、
第一のプリズムブロックが光学的に等方性を有する材質から成るプリズムであり、
第二のプリズムブロックが一軸性の複屈折材料から成る一軸性結晶プリズムであって、
この一軸性結晶プリズムの光学軸が、偏光分離膜を介して入射する光磁気成分を含む戻り光ビームの光軸に直交する面に対して、前記戻り光ビームの光軸に直交する面に対する前記第二のプリズムブロックの入射面のなす角度をθm2、前記第二のプリズムブロック内を通過する異常光成分の屈折角をθe4としたとき、(θm2−θe4)傾斜した角度を有する面内にあり、
さらに、前記一軸性結晶プリズムの光学軸が、入射する戻り光ビームの偏光方向に対して、所定の角度だけ傾斜して配設されていることを特徴とする光学ピックアップ。 - 光ビームを出射する光源と、
この光源から出射された光ビームを光磁気記録媒体の記録面上に合焦するように照射する対物レンズと、
この光源と対物レンズとの間に配設されていて且つこの光源からの光ビームと前記対物レンズを介した光磁気記録媒体の記録面からの戻り光ビームを分離する第1の光分離素子と、
この第1の光分離素子により分離された戻り光ビームを複数本の光ビームに分割する第2の光分離素子と、
前記光分離素子によって分割された戻り光ビームの各光ビームを受光する光検出器とを含んでおり、
前記第2の光分離素子が、
接着層を挟むように配設された、二つのプリズムブロックから構成されていて、
双方のプリズムブロックが一軸性の複屈折材料から成る一軸性結晶プリズムであって、
第一の一軸性結晶プリズムの光学軸が、入射する光磁気成分を含む戻り光ビームの光軸に直交する面に対して、前記戻り光ビームの光軸に直交する面に対する前記第一の一軸性結晶プリズムの入射面のなす角度をθm1、前記第一の一軸性結晶プリズム内を通過する異常光成分の屈折角をθe2としたとき、(θm1−θe2)傾斜した角度を有する面内にあって、しかも入射する戻り光ビームの偏光方向に対して、所定の角度だけ傾斜して配設され、
第二の一軸性結晶プリズムの光学軸が、第一の一軸性結晶プリズムから接着層を介して入射する戻り光ビームの光軸に直交する面に対して、前記戻り光ビームの光軸に直交する面に対する前記第二の一軸性結晶プリズムの入射面のなす角度をθm2、前記第二の一軸性結晶プリズムにより屈折される光線の屈折角をθoe4,θeo4としたとき、{θm2−(θoe4+θeo4)/2}傾斜した角度を有する面内にあって、しかも入射する戻り光ビームの偏光方向に対して、所定の角度だけ傾斜して配設されている
ことを特徴とする光学ピックアップ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07131296A JP3735932B2 (ja) | 1996-03-01 | 1996-03-01 | 光学ピックアップ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07131296A JP3735932B2 (ja) | 1996-03-01 | 1996-03-01 | 光学ピックアップ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09236705A JPH09236705A (ja) | 1997-09-09 |
JP3735932B2 true JP3735932B2 (ja) | 2006-01-18 |
Family
ID=13456977
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP07131296A Expired - Fee Related JP3735932B2 (ja) | 1996-03-01 | 1996-03-01 | 光学ピックアップ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3735932B2 (ja) |
-
1996
- 1996-03-01 JP JP07131296A patent/JP3735932B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09236705A (ja) | 1997-09-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5708644A (en) | Optical head for optical disk drive | |
KR100286865B1 (ko) | 광헤드장치 | |
US6556532B2 (en) | Optical pickup device | |
JP3362912B2 (ja) | ビーム整形及びビーム分離装置 | |
KR100449612B1 (ko) | 광픽업및광자기신호재생장치 | |
JP3735932B2 (ja) | 光学ピックアップ | |
US5751682A (en) | Compact size magneto-optical head with a hologram and a beam splitting means | |
JPS63181145A (ja) | 磁気光学ヘツド | |
JPH10149560A (ja) | 光学ピックアップ及び光ディスク装置 | |
JPH03192305A (ja) | 光学素子 | |
JP3520629B2 (ja) | 光学ピックアップ及びこの光学ピックアップを用いた記録及び/又は再生装置 | |
JP3431679B2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
JP3558963B2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
JP2004103241A (ja) | 光ディスク装置用光学ヘッド | |
JPH0391133A (ja) | 光情報記録再生装置 | |
JPH07249242A (ja) | 光ピックアップ | |
JPH08111039A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
JPH06124495A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
JP2000048389A (ja) | 光ピックアップ | |
JPH03192303A (ja) | 光学素子 | |
JPH06195794A (ja) | 光磁気ピックアップ | |
JPH0933720A (ja) | 複像プリズムとこれを利用した光学ピックアップ装置 | |
JPS60626A (ja) | 光ピツクアツプ | |
JPH08249741A (ja) | 光磁気ヘッド | |
JPH03192557A (ja) | 光学ヘッド |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040301 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050315 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050516 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050607 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050805 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050908 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051004 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051017 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091104 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |