JPH08111039A

JPH08111039A - 光ピックアップ装置

Info

Publication number: JPH08111039A
Application number: JP6246568A
Authority: JP
Inventors: Tetsuo Kamiyama; 徹男上山
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1994-10-12
Filing date: 1994-10-12
Publication date: 1996-04-30

Abstract

(57)【要約】【目的】検光子として一軸性光学結晶を用いることに
より、レーザユニット内に信号検出機能をすべて集積化
して小型にできるようにする。【構成】半導体レーザ素子１から出射された直線偏光
を光磁気記録媒体に照射し、光磁気記録媒体からの反射
光に基づいて少なくとも情報の再生を行う光ピックアッ
プ装置において、半導体レーザ素子１と光磁気記録媒体
との間の光路上に設けられたホログラム素子１３は、光
磁気記録媒体からの反射光を分離する。そのホログラム
素子１３により回折された光は、ホログラム素子１３の
光磁気記録媒体とは反対側に設けた複屈折性媒体よりな
る一軸性光学結晶平板（検光子）１８により、互いに直
交する２つの偏光成分に分離される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスクなどの
光磁気記録媒体から光磁気信号の再生などを行う光ピッ
クアップ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、情報記録媒体の一種である光ディ
スクは、多量の情報を高密度で記録することができるた
め、多くの分野において利用が進められている。また、
光ディスクは媒体交換も容易であるので、光ファイルや
コンピュータ等の外部記録媒体として注目されている。
その中でも光磁気ディスクは、光源として半導体レーザ
素子を用い、情報の記録、再生、消去または書き換えが
可能であるため特に注目を浴びている。

【０００３】光磁気ディスク用光ピックアップ装置は、
これまで様々な構成の光学系が提案されている。その中
で、小型軽量化を目的として光分岐用回折格子と偏光分
離用回折格子とを用いた光ピックアップ装置が知られて
いる（特開平４−２１９６５４）。

【０００４】図２５は、その提案された光ピックアップ
装置の光学系部分を示す正面図である。光源としての半
導体レーザ素子１から出射された光は、ガラス基板３の
上表面に設けられた光分岐用回折格子４に入射し、０次
透過光のみがコリメータレンズ２および対物レンズ（図
示せず）を順次透過して光磁気ディスク（図示せず）に
入射する。光磁気ディスクからの反射光は、同じ光路を
通り、再び光分岐用回折格子４に入射して２系統ある光
検出器６、７の方向に２つに分岐して回折される。回折
光の各々は、光分岐用回折格子４が設けられたガラス基
板３の下表面側に形成された偏光分離用回折格子５によ
って、互いに直交する偏光面を有する２つの光に分離さ
れて、光検出器６および７に入射する。光磁気ディスク
に記録された光磁気信号は光検出器６と７との差動信号
より検出される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の光ピッ
クアップ装置では、検光子として偏光分離用回折格子５
を用いており、偏光分離用回折格子を用いる場合は、高
い回折効率および消光比を得るためには、光をブラッグ
条件を満足する角度で入射させる必要がある。従来の光
ピックアップ装置に備わった偏光分離用回折格子は、格
子ピッチが０．５μｍ、溝深さが１μｍ程度と、非常に
深く、ピッチの狭いものとなっており、それ故に、ブラ
ッグ角は５０度以上と非常に大きな値となる。

【０００６】このように検光子に偏光分離用回折格子を
用いると、光磁気記録媒体側にある光分岐用回折格子の
出射角（回折角）を、偏光分離用回折格子のブラッグ角
に一致するように設定しなければならない。一般に、偏
光分離用回折格子のブラッグ角は大きいため、偏光分離
用回折格子への入射角や光分岐用回折格子での回折角が
大きくなってしまう。そのため、偏光分離用回折格子に
より分離した２つの光に対して、それぞれ光検出器が独
立して複数必要である。したがって、小型のレーザユニ
ット内に光検出器を含めて構成する場合には、偏光分離
用回折格子への入射角や光分岐用回折格子での回折角が
任意に設定できないため、光検出器などの配置が制限さ
れ、コンパクトな構成が困難となるという問題がある。

【０００７】また、偏光分離用回折格子は、半導体レー
ザ素子の波長変動によって回折角が変動し、光検出器上
でビームがシフトしてしまう。また、入射角のずれに対
しても回折効率や消光比が劣化してしまうという問題が
ある。

【０００８】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、検光子として一軸性光学
結晶（平板）を用いることにより、レーザユニット内に
信号機能をすべて集積化して小型にでき、しかも光検出
器上でのビームのシフトや、回折効率、消光比の向上を
図れる光ピックアップ装置を提供することを目的とす
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の光ピックアップ
装置は、半導体レーザ素子から出射された光を光磁気記
録媒体に照射し、該光磁気記録媒体からの反射光に基づ
いて少なくとも情報の再生を行う光ピックアップ装置に
おいて、該半導体レーザ素子と該光磁気記録媒体との間
の光路上に設けられ、該反射光を分離するホログラム素
子および該ホログラム素子により回折された光を互いに
ほぼ直交する２つの偏光成分に分離する複屈折性媒体よ
りなる検光子が、前者を光磁気記録媒体側に配した構成
の光束分離手段と、該光束分離手段にて分離された光を
検出する光検出器とを具備し、そのことにより上記目的
が達成される。

【００１０】本発明の光ピックアップ装置において、前
記検光子は、互いに異なる方向に光学軸を有する２つの
部分よりなる一軸性光学結晶の張り合わせで構成するこ
とができる。

【００１１】本発明の光ピックアップ装置において、前
記検光子は、その光学軸を、前記半導体レーザ素子から
出射される光の出射方向と平行にして設けられている構
成としてもよい。

【００１２】また、本発明の光ピックアップ装置は、半
導体レーザ素子から出射された光を光磁気記録媒体に照
射し、該光磁気記録媒体からの反射光に基づいて少なく
とも情報の再生を行う光ピックアップ装置において、該
半導体レーザ素子と該光磁気記録媒体との間の光路上に
設けられ、光学軸が半導体レーザ素子から出射される光
の出射方向と平行に設定されている一軸性光学結晶平板
の光磁気記録媒体側に該反射光を分離するホログラム素
子が形成された光束分離手段と、該光束分離手段にて分
離された光を検出する光検出器とを具備して、そのこと
により上記目的が達成される。

【００１３】

【作用】本発明にあっては、半導体レーザ素子と光磁気
記録媒体との間の光路上に設けられたホログラム素子
が、光磁気記録媒体からの反射光を分離する。そして、
ホログラム素子により回折された光は、ホログラム素子
の光磁気記録媒体側とは反対側に配された複屈折性媒体
よりなる検光子にて、互いにほぼ直交する２つの偏光成
分に分離する。このため、検光子への入射角に依存せ
ず、高い消光比で偏光分離ができる。また、検光子にお
ける分離角も半導体レーザ素子の波長変動に対してほと
んど影響なく、さらに数度程度と小さく設定できるた
め、光検出器も多分割の一体型が使用できる。

【００１４】さらに、検光子への入射角、すなわち分岐
用ホログラム素子の回折角を任意に設定できるため、光
束分離手段や光検出器をコンパクトに半導体レーザパッ
ケージ内に集中化することができる。

【００１５】また、ホログラム素子を、例えばガラス基
板の表面に形成した構成とすると、そのガラス基板に検
光子を、複雑な調整なしに接着するだけでよく、光束分
離手段を容易に製造できる。また、検光子をガラス基板
に接着固定する場合は、振動や衝撃あるいは温度変化に
対しても安定である。

【００１６】また、検光子を、互いに異なる方向の光学
軸を有する２つの部分よりなる一軸性光学結晶の張り合
わせで構成すると、偏光分離した光が検出器上で重なら
ないように分離角度またはビーム間距離を大きくするこ
とができる。

【００１７】また、検光子の光学軸をレーザ光の出射方
向と平行に設定すると、半導体レーザ素子からの出射光
（往路）も偏光分離のための検光子を透過させることが
できる。このため、検光子をレーザ出射光が通過する部
分を避けるような形状にする必要はなく、ホログラム素
子が設けられたガラス基板のホログラム素子とは反対側
の表面に張り付ければよいので、薄型化が可能で、しか
も量産に適する。

【００１８】また、光学軸がレーザ光の出射方向と平行
に設定されている一軸性光学結晶平板の光磁気記録媒体
側に直接分岐用ホログラム素子を形成した光束分離手段
を用いる場合には、一つの部品で光路分離と偏光分離と
ができるため、部品点数の削減および組立調整が容易に
なる。

【００１９】

【実施例】以下に本発明の実施例を図を用いて説明す
る。

【００２０】（実施例１）図１は、本実施例１の光ピッ
クアップ装置を示す斜視図であり、図２はその正面図で
ある。また、図３は、その光ピックアップ装置に備わっ
た検出系を示すブロック図である。この光ピックアップ
装置は、半導体レーザ素子１と、この半導体レーザ素子
１から出射される光の光路上に設けられた光束分離手段
と、この光束分離手段を透過したビームが通る図示しな
い対物レンズとを備える。上記対物レンズを経たビーム
は図示しない光磁気ディスク上に照射される。

【００２１】上記光束分離手段は、ガラス基板１１と、
このガラス基板１１の半導体レーザ素子１側（図では下
面）に接着されて一体化した一軸性光学結晶平板１８
と、上記ガラス基板１１の一軸性光学結晶平板１８とは
反対側に設けられたホログラム素子１３とからなる。

【００２２】かかる構成の光束分離手段の下方には、光
束分離手段にて分離されたビームを検出する光磁気信号
用の光検出器１５と、４分割されたサーボエラー用の光
検出器１４とを備える。この光検出器１４は、大きく分
けて３つの光検出器１４ａ、１４ｂ、１４ｃに分割さ
れ、かつ光検出器１４ａは１４ａ−１、１４ａ−２に２
分割されている。すなわち光検出器１４は、全体として
４分割構造の検出器となっている。

【００２３】光磁気信号用の光検出器１５にて検出され
た信号は、差動増幅器５０に与えられ、一方、サーボエ
ラー用の光検出器１４を構成する４つの光検出器１４ａ
−１、１４ａ−２、１４ｂ、１４ｃにて検出された信号
は差動増幅器５０、５１、５２に与えられる。

【００２４】次に、この構成の光ピックアップ装置の動
作内容について説明する。

【００２５】半導体レーザ素子１から出射された光は、
その出射側に設けられた光分岐用ホログラム素子１３を
透過し、対物レンズ（図示せず）に入射して光磁気ディ
スク（図示せず）に集光される。光磁気ディスクからの
反射光は、再び対物レンズを通ってホログラム素子１３
へ戻ってくる。戻ってきた光は、ホログラム素子１３で
回折される。その＋１次回折光２０の光路上には、ガラ
ス基板１１の下面に接着された一軸性光学結晶平板１８
が設置されている。この一軸性光学結晶平板１８は検光
子に相当し、＋１次回折光２０を互いに直交する２つの
偏光成分の光２２および２３に分離する。一軸性光学結
晶平板１８の検出偏光面は半導体レーザ素子１の出射偏
光面に対して４５°傾けて設定されている。この一軸性
光学結晶平板１８の材料としては、水晶、ＬｉＮｂＯ₃
や方解石など複屈折性の高い結晶を利用できる。

【００２６】上記一軸性光学結晶平板１８で分離された
光２２および２３は、光２２が光検出器１５により、光
２３が光検出器１４で検出される。ここで、光検出器１
４ａ−１、１４ａ−２、１４ｂ、１４ｃにて検出された
信号を、Ｓ₂、Ｓ₃、Ｓ₁、Ｓ₄とし、光検出器１５にて検
出された信号をＳ₅とする。また、Ｓ₁＋Ｓ₂＋Ｓ₃＋Ｓ₄
＝Ｓ₀とする。

【００２７】この場合において、光検出器１５の出力Ｓ
₅と光検出器１４の出力Ｓ₀との差動を、情報の再生信号
（ＭＯ信号）とすると、ＭＯ信号は以下のように示され
る。ＭＯ＝Ｓ₀−Ｓ₅ =(S₁＋Ｓ₂＋Ｓ₃＋Ｓ₄）−Ｓ₅ 一方、一軸性光学結晶平板１８で分離されたもう一つの
光２３は多分割の光検出器１４に導かれ、光検出器１４
にてサーボ用誤差信号も同時に検出される。

【００２８】次に、サーボ信号の検出原理を説明する。

【００２９】ガラス基板１１上に形成された光分岐用ホ
ログラム素子１３は、例えば３分割構造をしており、光
磁気ディスク（図示せず）からの反射光はホログラム素
子１３により光検出器１４および１５の方向に回折され
る。この回折光は、上記のように一軸性光学結晶平板１
８により一方の光２２は光検出器１５に導かれるが、も
う一方の光２３は４分割の光検出器１４に入射する。

【００３０】ホログラム素子１３は、３つの領域１３
ａ、１３ｂ、１３ｃに分割されている。すなわち、光磁
気ディスク（図示せず）のラジアル方向に対応する方向
に延びる分割線ｌ₂により、まず２つの領域に２分割さ
れている。このうち１つの領域がフォーカス用分割領域
１３ａになっている。残りの領域は、光磁気ディスク
（図示せず）のトラック方向に対応する方向に延びる分
割線ｌ₁により、更に２つのトラッキング用分割領域１
３ｂ、１３ｃに分割されている。

【００３１】上記トラッキング用分割領域１３ｂ、１３
ｃで回折された戻り光は、それぞれ光検出器１４ｂ、１
４ｃに入射する。また、フォーカス用分割領域１３ａで
回折された戻り光は、２分割の光検出器１４ａ−１、１
４ａ−２の分割線上に入射するようになっている。した
がって、これら光検出器１４ｂ、１４ａ−１、１４ａ−
２、１４ｃからの出力Ｓ₁、Ｓ₂、Ｓ₃、Ｓ₄に基づいてフ
ォーカスエラー信号ＦＥＳおよびラジアルエラー信号Ｒ
ＥＳが検出される。具体的には、フォーカスエラー信号
ＦＥＳは、フーコー法により以下のように検出される。

【００３２】ＦＥＳ＝（Ｓ₃−Ｓ₂）また、ラジアルエラー信号ＲＥＳは、プッシュプル法に
より以下のように検出さる。

【００３３】ＲＥＳ＝（Ｓ₄ーＳ₁）以上説明した実施例１の光ピックアップ装置において
は、検光子に複屈折材料からなるものを用いるため、入
射角に依存せず、高い消光比で偏光分離ができる。ま
た、分離角も数度程度と小さく取れるため、光検出器も
多分割の一体化されたものが使用できる。さらに、検光
子への入射角（光分岐用ホログラム素子１３の回折角に
相当する）や分離角が任意に設定できるため、光束分離
手段や光検出器をコンパクトに半導体レーザパッケージ
内に集中化することができる。したがって、光磁気信号
検出系およびサーボ信号検出系をホログラムレーザユニ
ットとして一体化した小型の光ピックアップ装置が実現
できる。

【００３４】また、ホログラム素子が形成されたガラス
基板への検光子の固定は、複雑な調整なしに検光子を接
着するだけでよく、光束分離手段を容易に製造すること
ができる。また、検光子を接着固定した場合には、振動
や衝撃あるいは温度変化に対しても安定である。その
他、半導体レーザ素子の波長変動に対する分離角の変化
も偏光分離用回折格子に比べて小さいなど、さまざまな
利点がある。

【００３５】なお、本実施例１では光分岐用ホログラム
素子１３の＋１次回折光のみを用いているが、特に＋１
次回折光のみに限定する必要はなく、−１次回折光も同
様に一軸性光学結晶平板により偏光分離して光磁気信号
を検出することができる。

【００３６】（実施例２）本実施例２は、±１次回折光
を利用した場合である。

【００３７】図４は、本実施例２の光ピックアップ装置
を示す斜視図であり、図５はその正面図である。また、
図６は、その光ピックアップ装置に備わった検出系を示
すブロック図である。これら図４〜図６は、前述の図１
〜図３と同一部分には同一符号を附している。

【００３８】この光ピックアップ装置にあっては、−１
次回折光２１は、＋１次回折光２０側と対称に配置され
た一軸性光学結晶平板１９によって互いに直交する２つ
の偏光成分の光２４および２５に分離される。一軸性光
学結晶平板１９の検出偏光面は、半導体レーザ素子１の
出射偏光面に対して４５°傾けて設定されている。光２
４および２５は、光検出器１６および１７で検出され、
光検出器１６の出力をＳ₇、光検出器１７の出力をＳ₆と
すると、情報の再生信号（ＭＯ信号）は以下のように検
出される。

【００３９】ＭＯ＝（Ｓ₀＋Ｓ₆）−（Ｓ₅＋Ｓ₇）したがって、本実施例２の光ピックアップ装置において
は、＋１次回折光２０と−１次回折光２１との両者を用
いて光磁気信号を検出するので、回折光を有効利用で
き、信号のＳ／Ｎが向上する。なお、図６中の５３は出
力Ｓ₅とＳ₇とが与えられる増幅器であり、５４は出力Ｓ
₀とＳ₆とが与えられる増幅器である。

【００４０】（実施例３）次に、本発明の実施例３につ
いて説明する。

【００４１】本実施例３は、本発明の光磁気信号検出方
法を、別のサーボ信号検出方法（ラジアルエラー信号検
出に３ビーム法）を利用したホログラムレーザユニット
に適用した場合である。本実施例３は、光磁気信号の検
出原理は実施例１（図１）と同じであるが、サーボ信号
検出方法が異なるので、この部分について図７〜図９を
用いて説明する。

【００４２】図７は、本実施例３の光ピックアップ装置
を示す斜視図であり、図８はその正面図である。また、
図９は、その光ピックアップ装置に備わった検出系を示
すブロック図である。これら図７〜図９は、前述の図１
〜図３と同一部分には同一符号を附している。

【００４３】本実施例３においては、一軸性光学結晶平
板１８は、実施例１と同様に検出偏光面が半導体レーザ
素子１の出射偏光面に対して４５°に傾けて設定されて
いる。一方、ホログラム素子１３′は分割領域１３ｄ、
１３ｅの２分割になっており、また、半導体レーザ素子
１からのレーザ光の出射光路上にはビームを３つに分け
るためのグレーティング２９が設けられている。このグ
レーティング２９は、ホログラム素子１３′が設けられ
たガラス基板１１の裏面側に形成されている。したがっ
て、グレーティング２９により、レーザ出射光は２つの
トラッキング用副ビームと情報読み出し用の１つの主ビ
ームに分けられる。光磁気ディスク（図示せず）からの
反射光は、ホログラム素子１３′によって回折され、光
検出器３２、３３の上に導かれる。光検出器３３は単独
で設けられており、一方の光検出器３２は５つの光検出
器３２ａ−１、３２ａ−２、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄか
らなる。なお、光検出器３２ａ−１、３２ａ−２は分割
されたものである。よって、上述したように、ホログラ
ム素子１３′によって回折された光は、光検出器３２ａ
−１、３２ａ−２、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ、３３の上
に導かれる。具体的には、主ビームの分割領域１３ｄを
経た１次回折光は光検出器３２ｄおよび３３に導かれ、
主ビームの分割領域１３ｅを経た１次回折光は光検出器
３２ａ−１、３２ａ−２の分割線上および光検出器３３
に導かれる。また、２つの副ビームはそれぞれ光検出器
３２ｂおよび３２ｃに導かれる。

【００４４】光磁気信号は、光検出器３２ａおよび３２
ｄの和と、光検出器３３との差動より得られる。ここ
で、光検出器３２ａ−１、３２ａ−２、３２ｂ、３２
ｃ、３２ｄ、３３の出力をそれぞれ、Ｓ₂、Ｓ₃、Ｓ₁、
Ｓ₄、Ｓ₅、Ｓ₆、とすると、情報の再生信号（ＭＯ信
号）は以下のように検出される。

【００４５】ＭＯ＝（Ｓ₂＋Ｓ₃＋Ｓ₅）−Ｓ₆ また、フォーカスエラー信号ＦＥＳは、フーコー法によ
り、以下のように検出される。

【００４６】ＦＥＳ＝（Ｓ₃ーＳ₂）また、ラジアルエラー信号ＲＥＳは、３ビーム法によ
り、以下のように検出される。

【００４７】ＲＥＳ＝（Ｓ₄−Ｓ₁）したがって、このような構成により、ラジアルエラー信
号検出方法に３ビーム法を用いたホログラムレーザユニ
ット光学系にも本発明の光磁気信号検出方法を適用する
ことができる。

【００４８】（実施例４）本実施例４は、上述したホロ
グラムの＋１次回折光のみを用いている実施例３とは異
なり、−１次回折光も同様に一軸性光学結晶平板により
偏光分離して光磁気信号を検出する場合である。

【００４９】図１０は、本実施例４の光ピックアップ装
置を示す斜視図であり、図１１はその正面図である。ま
た、図１２は、その光ピックアップ装置に備わった検出
系を示すブロック図である。これら図１０〜図１２は、
前述の図７〜図９と同一部分には同一符号を附してい
る。

【００５０】本実施例４では、グレーティング２９によ
り、レーザ出射光が２つのトラッキング用副ビームと情
報読み出し用の１つの主ビームに分けられ、その主ビー
ムの分割領域１３ｄを経た１次回折光は光検出器３２ｄ
および３３に導かれる。また、主ビームの分割領域１３
ｅを経た１次回折光は光検出器３２ａ−１、３２ａ−２
の分割線上および光検出器３３に導かれ、主ビームの分
割領域１３ｄを経た−１次回折光は光検出器３４および
３５に、主ビームの分割領域１３ｅを経た−１次回折光
も光検出器３４および３５に導かれる。また、２つの副
ビームはそれぞれ光検出器３２ｂおよび３２ｃに導かれ
る。

【００５１】ここで、光検出器３４、３５の出力を
Ｓ₇、Ｓ₈とすると、情報の再生信号（ＭＯ信号）は以下
のように検出される。

【００５２】ＭＯ＝（Ｓ₂＋Ｓ₃＋Ｓ₆＋Ｓ₇）−（Ｓ₅＋Ｓ₈）したがって、本実施例４のように、＋１次光と−１次光
の両者を用いて光磁気信号を検出すれば、回折光を有効
利用でき信号のＳ／Ｎが向上する。

【００５３】（実施例５）本実施例５は、光磁気信号の
検出原理は実施例１（図１）と同じであるが、１枚の一
軸性光学結晶の検光子としていた実施例１〜４とは検光
子の構成が異なる場合である。

【００５４】図１３は、本実施例４の光ピックアップ装
置を示す斜視図であり、図１４はその正面図である。ま
た、図１５は、その光ピックアップ装置に備わった検出
系を示すブロック図である。更に、図１６は、上述した
実施例とは構成が異なるウォーラストンプリズムの組立
て状態を説明する図であり、図１７はそのウォーラスト
ンプリズムでの光透過状態を示す図。これら図１３〜図
１７は、前述の図１〜図３と同一部分には同一符号を附
している。

【００５５】本実施例５では、図１３および図１４に示
すように、検光子（ウォーラストンプリズム）が、２枚
の平板状の一軸性光学結晶の張り合わせで構成されてい
る。具体的には、図１６に示すように、上側の結晶１８
−ａの光学軸を、レーザの出射光の偏光方向（ｚ方向）
に対してほば４５度に設定して上側の結晶１８−ａを設
け、下側の結晶１８−ｂはそれに対して直交して設けて
いる。つまり、光学軸を互いに直交させて２枚の平板状
の一軸性光学結晶１８−ａ、１８−ｂが張り合わされて
いる。この場合の検光子の検出偏光面は２つの結晶１８
−ａ、１８−ｂの一方の光学軸を含む面となる。

【００５６】この本実施例５による場合には、回折光２
０は上側の結晶１８−ａに入射すると常光線２２と異常
光線２３とに分かれ、下側の結晶１８−ｂに入射すると
さらに大きく分離する。下側の結晶１８−ｂから出射す
ると、２つの光は結晶１８−ａおよび１８−ｂ中で分離
した距離だけ離れてほぼ平行になって光検出器１４、１
５に集光する。

【００５７】（実施例６）本実施例６は、信号の検出法
は実施例５と全く同じであるが、検光子が２つの楔形の
一軸性光学結晶の張り合わせで構成されている場合であ
る。

【００５８】図１８は、本実施例６の光ピックアップ装
置を示す斜視図であり、図１９はその正面図である。ま
た、図２０は、その光ピックアップ装置に備わった検出
系を示すブロック図である。これら図１８〜図２０は、
前述の図１〜図３と同一部分には同一符号を附してい
る。

【００５９】本実施例６における検光子１８は、２つの
楔形の一軸性光学結晶１８−ｃ、１８−ｄ、いわゆるウ
ォーラストンプリズムと呼ばれているものを、互いに光
学軸は９０°になるようにして構成されている。

【００６０】このような構成の検光子を用いる場合に
は、楔形の一軸性光学結晶１８−ｃと１８−ｄとの境界
面が斜めに傾いているため、実施例５に比べてさらに分
離角を大きく設定することができる。

【００６１】（実施例７）本実施例７は、光磁気信号の
検出原理は実施例１（図１）と同じであるが、検光子の
構成が異なる場合である。

【００６２】図２１は、本実施例７の光ピックアップ装
置を示す正面図であり、図２２はその光ピックアップ装
置に備わった検出系を示すブロック図である。これら図
２１および図２２は、前述の図１〜図３と同一部分には
同一符号を附している。

【００６３】上述した実施例１〜６では、一軸性光学結
晶の張り合わせで作られている検光子を、往路のレーザ
出射ビームと干渉しないように、つまり光分岐用ホログ
ラム素子１３の回折光だけが通過するように配置してい
た。これに対して、実施例７では平板状の一軸性光学結
晶平板１８を、ホログラム素子１３が設けられたガラス
基板１１の裏側全面に張り合わす構成となっている。

【００６４】本実施例７の場合には、一軸性光学結晶平
板１８の光学軸はレーザの出射光と平行な方向（ｘ方
向）に設定しているため、往路のレーザ光は複屈折の影
響を受けずに一軸性光学結晶平板１８を透過する。

【００６５】また、レーザの偏光方向を、図２１に示す
ように、ｙ方向と４５度をなす方向にする場合は、光分
岐用ホログラム素子１３の回折方向はｙｚ面内でレーザ
出射ビームの偏光方向に対して４５度傾いたｙ方向とほ
ぼ一致する方向に設定する。これにより、回折された光
２０は、一軸性光学結晶平板１８に入射すると、互いに
レーザビームの偏光方向に対して４５度方向の成分であ
る常光線２２と異常光線２３に分離する。一軸性光学結
晶平板１８から出射すると、２つの光は一軸性光学結晶
平板１８中で分離した距離だけ離れた、ほぼ平行な状態
になって光検出器１５、１４に集中する。２つのビーム
の距離は一軸性光学結晶平板１８の厚さと回折角を調整
することによって設定できる。

【００６６】分離後は、実施例１と同様にして、光磁気
信号およびサーボ用誤差信号を検出する。

【００６７】このような構成にすることにより、一軸性
光学結晶平板１８はレーザ出射光が通過する部分を避け
るような形状にする必要がないため、薄型化が可能で、
しかもホログラム素子１３が設けられたガラス基板１１
の裏面全面に張り付ければよいので量産に適する。

【００６８】（実施例８）本実施例８は、光学系の全体
は実施例１（図１）と同じであるが、検光子の構成が異
なる場合である。

【００６９】図２３は、本実施例８の光ピックアップ装
置を示す正面図であり、図２４はその光ピックアップ装
置に備わった検出系を示すブロック図である。これら図
２３および図２４は、前述の図１〜図３と同一部分には
同一符号を附している。

【００７０】本実施例８においては、一軸性光学結晶平
板１８に直接に分岐用ホログラム素子１３が作製されて
いる。また、実施例７と同様、一軸性光学結晶平板１８
の光学軸はレーザの出射光と平行に設定している。この
ため、往路のレーザ光は複屈折の影響を受けずに一軸性
光学結晶平板１８およびホログラム素子１３を透過す
る。

【００７１】また、レーザの偏光方向は、図２１および
図２２と同様に、ｙ方向と４５度のなす方向に設定され
ており、光分岐用ホログラム素子１３の回折方向もｙｚ
面内ではレーザ出射ビームの偏光方向に対して４５度傾
いたｙ方向に設定されている。

【００７２】ホログラム素子１３が一軸性光学結晶平板
１８に直接形成されているため、互いにレーザビームの
偏光方向に対して４５度方向の成分である常光線２２と
異常光線２３とでは回折角が異なるため分離する。一軸
性光学結晶平板１８から出射すると、２つの光はさらに
分離して光検出器１４、１５に集光する。

【００７３】分離後は、実施例１と同様にして、光磁気
信号およびサーボ用誤差信号を検出する。

【００７４】本実施例８による場合には、このように一
軸性光学結晶平板に直接にホログラム素子を作製するこ
とによって、部品点数の削減、量産性の向上が可能とな
る。なお、上述した実施例５〜８では、サーボ信号検出
については、実施例１と同じ方法（ラジアルエラー信号
にプッシュプル法）を用いた場合を示したが、これに限
らず、実施例３と同じ３ビーム法を利用した場合にも適
用できることは言うまでもない。また、光分岐用ホログ
ラム素子の＋１次回折光だけでなく−１次回折光も同じ
ように一軸性光学結晶や光検出器を配置することで、実
施例２や実施例４のように光磁気信号の検出ができる。

【００７５】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明にあっては
以下の効果を奏する。

【００７６】（１）請求項１の発明では、半導体レーザ
素子と光磁気記録媒体との間の光路上に、光磁気記録媒
体からの反射光を分離するホログラム素子が光磁気記録
媒体側に形成され、ホログラム素子の光磁気記録媒体と
は反対側に上記ホログラム素子により回折された光を互
いに直交する２つの偏光成分に分離する複屈折性媒体よ
りなる検光子が設けられた光束分離手段を有するので、
検光子への入射角に制限なく、高い消光比で偏光分離が
できる。また、分離角もレーザの波長変動に対してほと
んど影響なく、さらに数度程度と小さく設定できるた
め、光検出器も多分割の一体型が使用できる。さらに、
入射角や回折角が任意に設定できるため、光束分離手段
や光検出器をコンパクトに半導体レーザパッケージ内に
一体化することができる。また、ホログラム素子が形成
された平板状の基板に、複雑な調整なしに検光子を接着
するだけでよく、容易に光束分離手段を製造できる。ま
た、ホログラム素子が設けられた基板に検光子を接着固
定した場合には、振動や衝撃あるい温度変化に対しても
安定である。

【００７７】（２）請求項２の発明では、前記検光子を
互いに異なる方向の光学軸を有する２つの部分よりなる
一軸性光学結晶の張り合わせで構成したため、偏光分離
した光が検出器上で重ならないように分離角度またはビ
ーム間距離を大きくすることができる。

【００７８】（３）請求項３の発明では、前記検光子の
光学軸をレーザの出射方向と平行に設定したため、半導
体レーザ光源からの出射光（往路）も偏光分離のための
複屈折媒体を透過させることができる。よって、検光子
をレーザ出射光が通過する部分を避けるような形状にす
る必要がないため薄型が可能で、しかもホログラム基板
の裏面全面に張り付ければよいので量産に適している。

【００７９】（４）請求項４の発明では、半導体レーザ
素子と光磁気記録媒体との間の光路上に、光学軸がレー
ザの出射方向と平行に設定されている一軸性光学結晶平
板の光磁気記録媒体側に上記反射光を分離するホログラ
ム素子が形成された光束分離手段を設けたので、一つの
部品で光路分離と偏光分離ができるため、部品点数の削
減および組立て調整が容易になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１の光ピックアップ装置を示す斜視図で
ある。

【図２】実施例１の光ピックアップ装置を示す正面図で
ある。

【図３】実施例１の光ピックアップ装置に備わった検出
系を示すブロック図である。

【図４】実施例２の光ピックアップ装置を示す斜視図で
ある。

【図５】実施例２の光ピックアップ装置を示す正面図で
ある。

【図６】実施例２の光ピックアップ装置に備わった検出
系を示すブロック図である。

【図７】実施例３の光ピックアップ装置を示す斜視図で
ある。

【図８】実施例３の光ピックアップ装置を示す正面図で
ある。

【図９】実施例３の光ピックアップ装置に備わった検出
系を示すブロック図である。

【図１０】実施例４の光ピックアップ装置を示す斜視図
である。

【図１１】実施例４の光ピックアップ装置を示す正面図
である。

【図１２】実施例４の光ピックアップ装置に備わった検
出系を示すブロック図である。

【図１３】実施例５の光ピックアップ装置を示す斜視図
である。

【図１４】実施例５の光ピックアップ装置を示す正面図
である。

【図１５】実施例５の光ピックアップ装置に備わった検
出系を示すブロック図である。

【図１６】実施例５の光ピックアップ装置に備わった検
光子を示す分解斜視図である。

【図１７】図１６の検光子において光の透過する状態を
示す図である。

【図１８】実施例６の光ピックアップ装置を示す斜視図
である。

【図１９】実施例６の光ピックアップ装置を示す正面図
である。

【図２０】実施例６の光ピックアップ装置に備わった検
出系を示すブロック図である。

【図２１】実施例７の光ピックアップ装置を示す正面図
である。

【図２２】実施例７の光ピックアップ装置に備わった検
出系を示すブロック図である。

【図２３】実施例８の光ピックアップ装置を示す正面図
である。

【図２４】実施例８の光ピックアップ装置に備わった検
出系を示すブロック図である。

【図２５】従来例の光ピックアップ装置を示す正面図で
ある。

【符号の説明】

１半導体レーザ素子１１ガラス基板１３ホログラム素子１４〜１７光検出器１８、１９一軸性光学結晶平板（検光子）１８−ａ、１８−ｂ平板状の一軸性光学結晶１８−ｃ、１８−ｄ楔形の一軸性光学結晶２０〜２５回折光２９グレーティング３２〜３５光検出器

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体レーザ素子から出射された光を光
磁気記録媒体に照射し、該光磁気記録媒体からの反射光
に基づいて少なくとも情報の再生を行う光ピックアップ
装置において、該半導体レーザ素子と該光磁気記録媒体との間の光路上
に設けられ、該反射光を分離するホログラム素子および
該ホログラム素子により回折された光を互いにほぼ直交
する２つの偏光成分に分離する複屈折性媒体よりなる検
光子が、前者を光磁気記録媒体側に配した構成の光束分
離手段と、該光束分離手段にて分離された光を検出する光検出器と
を具備する光ピックアップ装置。
【請求項２】前記検光子は、互いに異なる方向に光学
軸を有する２つの部分よりなる一軸性光学結晶の張り合
わせで構成されている請求項１に記載の光ピックアップ
装置。
【請求項３】前記検光子は、その光学軸を、前記半導
体レーザ素子から出射される光の出射方向と平行にして
設けられている請求項３に記載の光ピックアップ装置。
【請求項４】半導体レーザ素子から出射された光を光
磁気記録媒体に照射し、該光磁気記録媒体からの反射光
に基づいて少なくとも情報の再生を行う光ピックアップ
装置において、該半導体レーザ素子と該光磁気記録媒体との間の光路上
に設けられ、光学軸が該半導体レーザ素子から出射され
る光の出射方向と平行に設定されている一軸性光学結晶
平板の光磁気記録媒体側に該反射光を分離するホログラ
ム素子が形成された光束分離手段と、該光束分離手段にて分離された光を検出する光検出器と
を具備する光ピックアップ装置。