JP3727669B2 - 磁場支援されたスパッタリング装置とそれを用いた真空処理装置 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は請求項1の前文に記載の磁場支援されたスパッタリング装置とそれを搭載した請求項17に記載の真空処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
材料のスパッタリングすべき表面すなわちターゲット表面と相手側電極間に電場と、それに伴ってプラズマ放電が発生され、反応室へ供給されるガスのプラスのイオンによって前記表面が放出されることによって、真空内で導電性あるいは絶縁性の材料をスパッタリングさせることが知られている。放出された材料は直接プロセス室内で工作物のコーティングに使用され、あるいは上述の反応室へ供給された反応ガスによる反応後に反応生成物の形状で使用される。
【0003】
この種のスパッタリング方法はDCプラズマ、HFプラズマあるいはDC並びに重畳されたACによって発生されるプラズマ内で実施される。
その場合にさらに、プラズマ励起の上述の場合のための本来のスパッタリングプロセスの詳細な機構が完全に異なっているにも拘らず、スパッタリングすべきターゲット表面の領域に磁場が印加されることによって、プラズマ密度とそれに伴ってスパッタリング率を高めることが知られている。この種の磁場支援されたスパッタリングはたとえばマグネトロンスパッタリングの概念で知られている。
【0004】
その場合にさらに、上述の磁場の磁束の少なくとも一部をターゲット表面上方でトンネル状に閉成させることが知られている。
さらに、たとえばヨーロッパ特許第−0399710号、アメリカ合衆国特許第−5130005号、ドイツ連邦共和国特許第A−3331245号あるいはドイツ連邦共和国特許第A−3506227号に記載されたマグネトロンスパッタリングの場合のように、それがターゲットをできるだけ均一に放出させるためであろうと、あるいは工作物において堆積される材料の所望の分布率に達するためであろうと、上述の磁場の磁束をターゲット表面に関して移動させ、それによって、最大のスパッタリング率の領域を移動させることが知られている。
【0005】
反応性のスパッタリングの場合においても、上述の磁束を放出される表面に対して移動させることが知られている。
その場合に、公知のプレナーマグネトロンの場合のように、さらに設けられるターゲット形状を平坦にすることができ、あるいは室平面をたとえば凹面に定義することができ、それについてはドイツ連邦共和国特許第A−3506227号に記載のポット形マグネトロン装置を指示しておく。その場合にターゲット装置には1部品の、あるいは多部品のターゲットを設けることができる。
【0006】
本発明の広範な視点において、上述の全てのスパッタリング技術ないしは、それに対応する磁場支援されたスパッタリング装置に関するものである。
ドイツ連邦共和国特許第A−3331245号およびアメリカ合衆国特許第A−5130005号からは平面状のマグネトロンについて、上述の磁束とターゲット表面の間で相対移動を実現するためにターゲット装置の下方でマグネット装置を移動させることが知られている。ドイツ連邦共和国特許第A−3331245号によれば、そのために、一方側が、支持プレートとターゲットからなるターゲット装置から隔絶された冷却室内で、マグネット装置が回転軸に関して偏心して回転移動され、あるいはさらにカムガイドを介してターゲット装置に対して移動され、それによってスパッタリングすべきターゲット面に沿って移動するトンネル状の磁場が発生される。マグネット装置の回転駆動は冷却媒体、すなわち水の流れによって、冷却室によってあるいは室壁を通して案内される駆動軸を介して行われる。
【0007】
アメリカ合衆国特許第A−5130005号からは、冒頭で述べた種類のプレナーマグネトロンとして形成され、磁場支援されたスパッタリング装置が知られている。この装置には装置ハウジングが設けられ、その上の端面側に、ここではターゲットからなるターゲット装置を取り付けることができ、その下にある支持プレートは装置を分解しないと取り付けあるいは取り外しができない。取付けプレートに隣接してハウジングには環状室が形成され、その中に回転軸を中心に移動可能に軸承されたマグネット支持体装置が設けられており、この装置が磁場を発生し、その磁束はターゲットプレート上に取り付けられたターゲットの領域を貫通し、かつ、磁束はマグネット支持体装置とハウジング固定のターゲットとの相対移動により移動される。
【0008】
さらにモータが設けられており、このモータは歯付きベルトとギヤを介し、室壁を貫通して案内されたピニオン軸を介して最終的マグネット支持体装置に作用する。この装置には、モータ並びにマグネット支持体装置とモータ間に設けられた駆動トランスミッションが非常に多くのスペースを要求し、かつ、さらにマグネット装置を有する冷却室として作用する環状室から隔絶されて取り付けられた駆動モータを別に冷却しなければならないという欠点がある。他の欠点は、駆動モータとマグネット装置間の故障も検出できるようにするためには、複雑な電子監視装置を用いてマグネット装置の移動自体を監視しなければならないことである。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、冒頭で述べた種類の磁場支援のスパッタリング装置において、上述の欠点を除去することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明によれば、ハウジング(3)を有し、その上の端面側にターゲット装置(1)を取り付けることができ、ハウジング内にそのハウジングに関して軸を中心に回転可能に軸承されたマグネット支持体装置(5)が設けられ、そのマグネット支持体装置が磁場を発生し、その磁場の磁束(φB )が取り付けられたターゲット装置(1)の領域を貫通し、その場合にその領域が相対回転動作によって移動され、ハウジング(3)と回転しないように結合されたステータとその中に回転軸承されたロータとを備えたモータ駆動装置(9、10)を有し、前記ロータ自体はマグネット支持体装置(5)に作用する磁場支援されたスパッタリング装置において、
ステータ(10)がハウジング(3)を形成し、かつ、ロータ(9)がマグネット支持体装置(5)と回転しないように結合され、マグネット支持体装置(5)の軸と共軸にされている、ことを特徴とする磁場支援されたスパッタリング装置が提供される。
本発明によれば特にギヤを設けないことができ、それによって可動の部品の点数を大幅に削減することが可能になる。それによって駆動安全性が増大し、製造コストが減少し、かつ、きわめてコンパクトな構造が得られる。 また、ターゲット装置の冷却によって同時にモータ駆動装置を冷却する基礎が形成される。
【0011】
請求項2の発明では、ステータ(10)とロータ(9)の間のエアギャップ(12)が軸(A)に共軸な環状を成し、その軸方向の長さはその直径よりも著しく小さくされ、よりコンパクトにされる。
請求項3の発明では、スパッタリング装置がマグネトロンとして形成されている。
請求項4の発明によれば、マグネトロンが、平坦なマグネトロンとされている。
請求項5の発明によれば、磁束が組み立てられたターゲット装置から出て、そこへ再びトンネル状に入るようにされている。
請求項6の発明では、回転移動する場合に前記領域が所定の軌跡を通るようにされ、請求項7の発明では前記軌跡が閉鎖されている。
請求項8の発明では、マグネット支持体装置(5)が、それに関して移動可能なマグネット(7)を有し、かつ、またはマグネット(7)の少なくとも一部が電磁石によって形成され、かつ、またはマグネットが偏心して配置されている。
請求項9の発明では、ハウジング(3)が真空処理装置に、あるいはその内部に取り付けるように形成されている。
請求項10の発明では、ロータ(9)が円形ディスク状に形成されている。
【0012】
請求項11の発明では、ハウジング(3)にロータの中央を貫通する中空軸(33)が設けられており、その中に冷却媒体を冷却室装置(31)から、ないしは同装置へ供給あるいは排出する供給パイプ装置(49)、および、または排出パイプ装置(51)が設けられており、冷却室装置(31)はターゲット装置(1)を冷却するためにハウジング(3)の端面側に設けられており、かつ、ターゲット装置から直接、または、熱伝導フィルム(31a)、を介して隔絶されている。請求項12の発明では、熱伝導フィルム(31a)が導電性を有するようにされている。
請求項13の発明では、ハウジング(3)にロータの中央を貫通する軸(33)が設けられており、その軸にターゲット装置(1)用の電気的接続部材(47)が設けられている。
請求項14の発明では、中空軸(33)の内部空間が仕切り壁(47)によって供給パイプ装置(49)と排出パイプ装置(51)に分割されている。請求項15の発明では、仕切り壁(47)がターゲット装置(1)用の電気的な供給導体を形成している。
請求項16の発明では、マグネット支持体装置(5)を有するハウジング室(35)の端面側が壁(29)によって閉鎖されており、壁が電気的な絶縁材料からなる。請求項17の発明では、前記壁(29)が、大体においてプラスチックからなる。
【0013】
請求項18の発明では、ハウジング(3)にロータの中央を貫通する中空軸(33)が設けられており、その中にターゲット装置によって直接あるいは間接的に熱伝導性のフィルムを介して閉鎖された冷却室(31)へ冷却媒体を供給し、かつ、冷却室から冷却媒体を排出する供給(49)および排出パイプ装置(51)が設けられている。請求項19の発明では、前記熱伝導性のフィルムが導電性をも有するようにされている。
請求項20の発明では、ターゲット装置(1)に設けられたターゲットプレート、または、ターゲットプレートとバックプレートからなるターゲット装置、または、冷却室(31)が、ターゲットを交換するために交換可能に形成されている。
請求項21の発明では、中空軸(33)内の供給、および、または排出パイプ装置が、ハウジング(3)を冷却するために、ハウジング(3)を取り巻く冷却媒体用のパイプと接続されている。
請求項22の発明では、前記冷却媒体用のパイプはハウジング(3)を多重に取り巻くパイプである。請求項23の発明では、冷却媒体用のパイプはフレキシブルである。
請求項24の発明では、ハウジング(3)にロータの中央を貫通する中空軸(33)が設けられ、その中空軸がまずターゲット装置用の冷却媒体用の流れシステム(31、49、51)の一部を形成し、かつ、中空軸の中でターゲット装置用の電気的な接続(47)が案内されており、中空軸の中空空間は水抵抗(61)として形成された少なくとも1つのパイプを介してハウジングを通って外方へ、ターゲット装置用の供給電圧が水抵抗に沿って降下するように導出されている。
【0014】
請求項25の発明では、ハウジング(3)にロータの中央を通って案内される中空軸(33)が設けられており、中空軸(33)内でターゲット装置(1)への電気的導線(47)が案内されており、中空軸がターゲット装置(1)を冷却する冷却媒体システム(41、49、51)の一部であって、中空軸(33)の外壁が電気的に絶縁性の壁から形成されており、かつ、マグネット支持体装置(5)を有するハウジング室(35)を閉鎖するためにハウジング(3)の端面側で半径方向外側へ延びており、ハウジング(3)を通して案内される、中空軸の内部空間と連通する冷却媒体用のパイプ装置(61)が水抵抗として形成されている。
請求項26の発明では、前記中空軸(33)の外壁が大体においてプラスチックから形成されている。
請求項27の発明では、前記パイプ装置(61)がハウジング(3)内、あるいはハウジング(3)に沿って巻き付けられている。
請求項28の発明では、電動駆動装置が非同期モータであり、あるいは電子的に整流されるモータ、あるいはたとえば電子的に制御されるDCモータであり、かつ、軸方向のエアギャップの延びがロータ直径よりずっと小さくされている。
請求項29の発明では、電動駆動装置が電子的に制御される。
請求項30の発明では、請求項1から29までのいずれか1項に記載の装置の少なくとも1つを有する真空処理装置が提供される。
【0015】
【実施例】
以下、図面に示す実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
図1には平坦なターゲット装置1を有する本発明による磁場支援のスパッタリング装置が概略図示されており、ターゲット装置は特にターゲットプレートを有する。ターゲット装置1はスパッタリング装置のハウジング3をプロセス室Uに対して閉鎖している。ハウジング3内でマグネット支持体室5a内には永久磁石、および、または電磁石7を含むマグネット支持体装置5が軸Aを中心に回転可能に軸承されている。その場合にマグネット7によって形成される装置は、固定的に取り付けられた永久磁石、および、または電磁石を有し、あるいは点線rで概略図示するように、軸Aを中心とする回転運動に加えて、それが半径方向であろうと、および、またはアジマス方向であろうと、一般にハウジング3に関してマグネットが所定の軌跡を通過するように、支持体装置5に対して移動される永久磁石、および、または電磁石を有することができる。それによってターゲット装置1のスパッタリングすべき表面の、それを通して、かつ、それに沿って磁束φB が有効となる領域が該当する軌跡上で移動され、それはまたマグネット支持体装置5に固定的に設けられ電磁石を駆動することによって行うことも可能である。
【0016】
図にはマグネットが軸Aに対して偏心して配置されている場合の磁束φB の推移がまったく概略的、かつ、定性的に図示されており(実線と点線)、これはターゲット表面上のトンネル状の磁束である。同様に特にHFを用いた場合に使用することのできる磁束イメージが一点鎖線で示されている。
したがって図1に概略図示する磁束φB はスパッタリングすべきターゲット表面の上方で少なくとも部分的にトンネル形状に閉鎖されており、かつ、または主として、ハウジング3の枠のような、ターゲット近傍の構造の上方で閉鎖されている。
【0017】
マグネット支持体装置5は本発明によればモータ駆動装置のロータ9と回転しないように結合されており、駆動装置のステータ10はハウジング3と回転しないように結合されている。環状のエアギャップ12を介して力を伝達する電磁的な駆動磁束φM が作用する。図示のスパッタリング装置はマグネトロンとしてDC駆動され、あるいは高周波駆動され、あるいはDCとACの混合形式で駆動され、それによって相手側電極14を介してプラズマ放電を発生させる。その場合に、通常のように、プロセス室ハウジング3aは相手側電極14と共通に基準電位、たとえばアース電位に接続することができる。さらに、当業者には知られているように、相手側電極14をバイアス電位に接続すること、あるいはバイアス電極を別に設けることができる。
【0018】
図1において供給ユニット16にはプラズマ放電の種々の方法が概略図示されている。
図2には図1に示すスパッタリング装置がスパッタリングすべき平坦でない、すなわち、例として円錐状のターゲット表面について図示されており、その場合に図1に示すターゲット装置の場合も図2に示すターゲット装置の場合にもスパッタリングすべき表面は唯一のターゲットによって、あるいは多数のターゲットによって形成することができる。
【0019】
図3には本発明によるスパッタリング源の現在の好ましい実施形態が、たとえばプレナーマグネトロンの形状で図示されている。カソード装置1は本来のターゲットプレート21と、ここでは例えば、バックプレート23から形成されており、これらのプレートは取り付けられた状態において熱的にも電気的にも互いに密着して、たとえば互いに締付けあるいは接着によって結合されている。
【0020】
電気的にブロックとして作用するターゲット装置1は装置のハウジング3に、すなわち金属の取付けフランジ25に取り外し可能に取り付けられている。その場合にターゲット装置1は(図示されない)締付けフレームによって取付けフランジ25上に締付け固定されており、あるいは図示のようにフランジ25と共にたとえばバヨネットロックなどターゲット交換クイックロックを形成する。この種のクイックロックはヨーロッパ特許第A−0512456号から知られており、この公報はこのことに関して本明細書の構成部分として統合されることを明らかにしておく。
【0021】
絶縁フランジ27を介して取付けフランジ25がハウジング3の残り部分と結合されており、ハウジングはほぼ釣鐘状に形成されており、かつ、ターゲット装置側は大体において硬いプラスチック材料から形成された壁29によってターゲット装置1と共に冷却室装置31を画成する。その場合に冷却室装置31の片側は直接ターゲット装置1によって画成され、あるいは熱伝導フィルム31aが設けられており、この熱伝導フィルムは冷却媒体の圧力によってターゲット装置1に対して押圧される。
【0022】
ちょうどターゲット装置1がクイックロックによって交換可能である場合には、上述のヨーロッパ特許第A−0512456号に記載された媒体操作されるフィルムはたとえば上述のバヨネットロックの場合のように、締付け機構ないし締付け解除機構として用いられる。
壁29は管壁33内で軸Aに対して同軸に続いており、管壁33は壁29と共にハウジング3内でマグネット支持体環状室35を形成している。軸受37には、管33、ないしは一般に中心軸を保持するハウジング中央部分39の中央に、ロータ41が回転可能に軸承されている。ハウジング3に回転しないように固定されたステータ43はロータ41と共に環状エアギャップ12を画成し、このエアギャップを介してロータ41の電動駆動が行われる。ロータ41には回転しないようにマグネット支持体装置5が軸承されており、このマグネット支持体装置はロータが駆動されるとマグネット支持体装置室35内で回転する。その場合に環状ギャップ12の直径はギャップ12の軸方向の延びよりもずっと大きく、それによってロータの正確で、かつ、特に充分に低速の回転駆動を行うことができ、同時にそれでなくともターゲット装置1が取り付けられている空間を装置をコンパクトにするために最適に利用することができ、かつ、その場合にギヤを省くことができる。
【0023】
駆動装置としては好ましくはステータ巻線45と巻線なしのロータを有する非同期モータ、軸方向に見て最適な平坦な構造の非同期モータが使用される。
それぞれ使用にしたがって他の駆動モータ、たとえば電子的に整流されるモータあるいはDCモータが、たとえば電子制御で使用される。
上述したように、電気的に絶縁性の材料、好ましくはプラスチックからなる管33の内部空間は分離壁としての内部管47によって、冷却室31へ、およびそこからの冷却媒体を循環させるために供給パイプ49と還流パイプ51に分割されている。金属的な内部管47は金属の分割壁53と電気的に接続されており、分割壁は壁29とターゲット装置1に対してほぼ平行に冷却室31を貫通して延びている。分割壁53の中央領域には流出開口部55が設けられており、それを通して矢印方向に供給パイプ49を通して供給される冷却媒体がターゲット装置1に沿って外部へ流出する。分割壁53の周辺には還流開口部57が設けられており、それを介して冷却媒体が還流パイプ51内へ半径方向に還流する。フィルム31aが設けられている場合には、それが導電性である場合にはそのフィルムによってターゲット装置への大面積の接触領域が保証される。
【0024】
管33内の供給パイプ49は接続パイプ装置59を介して可撓性のプラスチックホース61と接続されており、ハウジング3のプラスチック部分63内に埋設されているプラスチックホースは外部へ導出されており、かつ、そこでハウジング3の外側面に多数回巻き付けられている。還流パイプ51は半径方向外側へ案内するパイプ装置65と接続されている。
【0025】
管33、壁29並びにハウジングのプラスチック部分63を介して、分離壁として管33を貫通して延びる壁47がハウジング3の金属的な部分から電気的に絶縁されており、かつ、電気的な端子67と接続されており、この端子にはターゲット装置1を駆動する電気信号が印加される。ターゲット装置の電気的な接触は、さらに、分割壁53と場合によってはフィルム31aとを介して行われ、分割壁の周辺は金属の保持枠25と結合されている。
【0026】
冷却媒体として好ましくは水が使用される。電圧はターゲット装置1用の高電圧を有する端子67からホース61の半径方向外側へ案内される部分ないしはその内部に含まれる水抵抗としての水柱に沿って降下するので、ハウジング3の外部では実質的に基準電位、すなわちアース電位が得られる。
冷却室は軸方向に最適に薄くなっているので、全体としてターゲット装置1のスパッタリングすべき表面上でマグネットシステムの最適な効果がもたらされる。
【0027】
好ましくはプラスチックからなり、壁29によって分割された、電気的に絶縁性の管を設けることによって、ターゲット装置への電気的な供給手段としての電圧を導く壁47とハウジング3の金属的な部分へいたるプレート53間の絶縁が複雑な絶縁手段なしで保証され、それによって本発明によるスパッタリング装置の体積がさらに削減される。管33内の冷却媒体の供給および排出ガイドと組み合わせて分割壁53を設けることによって、最適な方法でターゲット装置に沿って新しい冷却媒体を流し、かつ、それを壁29の領域で還流させることができ、その場合に冷却媒体の供給および排出ガイドを行う分割壁は同時にターゲット装置1の電気的な接続導線として使用される。
【0028】
図3においてはさらに右側だけに記載された符号70は真空室への取付けフランジ、72は真空リングシール、74は場合によっては設けられるHfシール、そして、76はシールドを示している。
ターゲット装置1にはバヨネットロックが、フィルム31aを介して冷却媒体の圧力によって締付け可能に設けられており、かつ、ターゲット装置は取付け、または、バヨネットフランジ25に関して回動させることによって真空室側で取り外され、または代えられる。駆動装置並びにフィルム31aを含む冷却室を有する装置全体は、図において下方へ、すなわち標準大気Nから取り外して、フランジ70から除去することができる。
【0029】
装置の構造を著しく簡単にするこの構造的な方法によっても、コンパクト性が得られ、あるいはスパッタリング装置の体積が著しく減少される。
【0030】
【発明の効果】
可撓性のホース61を設けること、およびそれによって実現される水抵抗によって、まず、高電圧を導く部分とハウジングの間でわずかな電気的損失で充分な電圧降下が保証され、さらにそれによって同時にハウジングが冷却される。したがってターゲット装置冷却のためにもともと設けられている同一のシステムを用いて駆動システムのハウジングとそれに伴ってそのステータを熱伝導によって冷却することができる。
【0031】
ステータとロータ間の結合リングギャップの直径が大きいことによって、ロータの回転を最適に低速、かつ、均一に駆動することができ、それによって複雑でかさばるギヤを避けることができる。駆動システムの回転特性は、電子的に簡単に開ループ制御ないし閉ループ制御することができる。全体として見て、必要な構成部品の数が、従来の構造のスパッタリング源に比較して著しく減少され、それによって信頼性が増大し、構造的なコストが削減される。
【図面の簡単な説明】
【図1】ハウジングが静止しており、ターゲットが平板状である場合の本発明によるスパッタリング装置の原理を概略図示する断面図である。
【図2】ポット形状の本発明による原理的な装置を概略図示する図1と同様の断面図である。
【図3】本発明による磁場支援のスパッタリング装置の現在の好ましい実施例の縦断面図であって、全ての好ましい部分的な視点が組み合わせて使用されている。
【符号の説明】
1…ターゲット装置
3…装置ハウジング
5…マグネット支持装置
7…マグネット
9…ロータ
10…モータ駆動装置
12…環状エアギャップ
31…冷却室装置
31a…熱伝導フィルム
33…軸
35…ハウジング室
47…仕切り壁
49…供給パイプ装置
51…排出パイプ装置
61…パイプ装置
Claims (30)
- ハウジング(3)を有し、その上の端面側にターゲット装置(1)を取り付けることができ、
ハウジング(3)内にそのハウジング(3)に関して軸を中心に回転可能に軸承されたマグネット支持体装置(5)が設けられ、そのマグネット支持体装置が磁場を発生し、その磁場の磁束(φB )が取り付けられたターゲット装置(1)の領域を貫通し、その場合にその領域が相対回転動作によって移動され、
ハウジング(3)と回転しないように結合されたステータ(9)とその中に回転軸承されたロータとを備えたモータ駆動装置(9、10)を有し、前記ロータ自体はマグネット支持体装置(5)に作用する磁場支援されたスパッタリング装置において、
ステータ(10)がハウジング(3)を形成し、かつ、ロータ(9)がマグネット支持体装置(5)と回転しないように結合され、マグネット支持体装置(5)の軸と共軸にされている、ことを特徴とする磁場支援されたスパッタリング装置。 - ステータ(10)とロータ(9)の間のエアギャップ(12)が軸(A)に共軸な環状を成し、その軸方向の長さはその直径よりも著しく小さい、ことを特徴とする請求項1に記載のスパッタリング装置。
- スパッタリング装置がマグネトロンとして形成されている、ことを特徴とする請求項1あるいは2に記載のスパッタリング装置。
- マグネトロンが、平坦なマグネトロンである、ことを特徴とする請求項3記載のスパッタリング装置。
- 磁束が組み立てられたターゲット装置から出て、そこへ再びトンネル状に入るようにされている、ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のスパッタリング装置。
- 回転移動する場合に前記領域が所定の軌跡を通る、ことを特徴とする請求項1から5までのいずれか1項に記載のスパッタリング装置。
- 前記軌跡が閉鎖されている、ことを特徴とする請求項6に記載のスパッタリング装置。
- マグネット支持体装置(5)が、それに関して移動可能なマグネット(7)を有し、かつ、またはマグネット(7)の少なくとも一部が電磁石によって形成され、かつ、またはマグネットが偏心して配置されている、ことを特徴とする請求項1から7までのいずれか1項に記載のスパッタリング装置。
- ハウジング(3)が真空処理装置に、あるいはその内部に取り付けるように形成されている、ことを特徴とする請求項1から8までのいずれか1項に記載のスパッタリング装置。
- ロータ(9)が円形ディスク状に形成されている、ことを特徴とする請求項1から9までのいずれか1項に記載のスパッタリング装置。
- ハウジング(3)にロータの中央を貫通する中空軸(33)が設けられており、その中に冷却媒体を冷却室装置(31)から、ないしは同装置へ供給あるいは排出する供給パイプ装置(49)、および、または排出パイプ装置(51)が設けられており、冷却室装置(31)はターゲット装置(1)を冷却するためにハウジング(3)の端面側に設けられており、かつ、ターゲット装置から直接、または、熱伝導フィルム(31a)、を介して隔絶されている、ことを特徴とする請求項10に記載のスパッタリング装置。
- 熱伝導フィルム(31a)が導電性を有する、ことを特徴とする請求項11に記載のスパッタリング装置。
- ハウジング(3)にロータの中央を貫通する軸(33)が設けられており、その軸にターゲット装置(1)用の電気的接続部材(47)が設けられている、ことを特徴とする請求項10に記載のスパッタリング装置。
- 中空軸(33)の内部空間が仕切り壁(47)によって供給パイプ装置(49)と排出パイプ装置(51)に分割されている、ことを特徴とする請求項7に記載のスパッタリング装置。
- 仕切り壁(47)がターゲット装置(1)用の電気的な供給導体を形成している、ことを特徴とする請求項14に記載のスパッタリング装置。
- マグネット支持体装置(5)を有するハウジング室(35)の端面側が壁(29)によって閉鎖されており、壁が電気的な絶縁材料からなる、ことを特徴とする請求項1から15までのいずれか1項に記載のスパッタリング装置。
- 前記壁(29)が、大体においてプラスチックからなる、ことを特徴とする請求項16に記載のスパッタリング装置。
- ハウジング(3)にロータの中央を貫通する中空軸(33)が設けられており、その中にターゲット装置によって直接あるいは間接的に熱伝導性のフィルムを介して閉鎖された冷却室(31)へ冷却媒体を供給し、かつ、冷却室から冷却媒体を排出する供給(49)および排出パイプ装置(51)が設けられている、ことを特徴とする請求項10から17までのいずれか1項に記載のスパッタリング装置。
- 前記熱伝導性のフィルムが導電性をも有する、ことを特徴とする請求項18に記載のスパッタリング装置。
- ターゲット装置(1)に設けられたターゲットプレート、
または、ターゲットプレートとバックプレートからなるターゲット装置、
または、冷却室(31)が、
ターゲットを交換するために交換可能に形成されている、ことを特徴とする請求項18または19に記載のスパッタリング装置。 - 中空軸(33)内の供給、および、または排出パイプ装置が、ハウジング(3)を冷却するために、ハウジング(3)を取り巻く冷却媒体用のパイプと接続されている、ことを特徴とする請求項10から20までのいずれか1項に記載のスパッタリング装置。
- 前記冷却媒体用のパイプはハウジング(3)を多重に取り巻くパイプである、ことを特徴とする請求項21に記載のスパッタリング装置。
- 前記冷却媒体用のパイプはフレキシブルである、ことを特徴とする請求項21に記載のスパッタリング装置。
- ハウジング(3)にロータの中央を貫通する中空軸(33)が設けられ、その中空軸がまずターゲット装置用の冷却媒体用の流れシステム(31、49、51)の一部を形成し、かつ、中空軸の中でターゲット装置用の電気的な接続(47)が案内されており、中空軸の中空空間は水抵抗(61)として形成された少なくとも1つのパイプを介してハウジングを通って外方へ、ターゲット装置用の供給電圧が水抵抗に沿って降下するように導出されている、ことを特徴とする請求項10から23までのいずれか1項に記載のスパッタリング装置。
- ハウジング(3)にロータの中央を通って案内される中空軸(33)が設けられており、
中空軸(33)内でターゲット装置(1)への電気的導線(47)が案内されており、
中空軸がターゲット装置(1)を冷却する冷却媒体システム(41、49、51)の一部であって、
中空軸(33)の外壁が電気的に絶縁性の壁から形成されており、かつ、マグネット支持体装置(5)を有するハウジング室(35)を閉鎖するためにハウジング(3)の端面側で半径方向外側へ延びており、
ハウジング(3)を通して案内される、中空軸の内部空間と連通する冷却媒体用のパイプ装置(61)が水抵抗として形成されている、ことを特徴とする請求項10から24までのいずれか1項に記載のスパッタリング装置。 - 前記中空軸(33)の外壁が大体においてプラスチックから形成されている、ことを特徴とする請求項25に記載のスパッタリング装置。
- 前記パイプ装置(61)がハウジング(3)内、あるいはハウジング(3)に沿って巻き付けられている、ことを特徴とする請求項25に記載のスパッタリング装置。
- 電動駆動装置が非同期モータであり、あるいは電子的に整流されるモータ、あるいはたとえば電子的に制御されるDCモータであり、かつ、軸方向のエアギャップの延びがロータ直径よりずっと小さい、ことを特徴とする請求項1から27までのいずれか1項に記載のスパッタリング装置。
- 電動駆動装置が電子的に制御される、ことを特徴とする請求項1から28のいずれか1項に記載のスパッタリング装置。
- 請求項1から29までのいずれか1項に記載の装置の少なくとも1つを有する真空処理装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH01362/93A CH690805A5 (de) | 1993-05-04 | 1993-05-04 | Magnetfeldunterstützte Zerstäubungsanordnung und Vakuumbehandlungsanlage hiermit. |
CH01362/93-1 | 1993-05-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06330312A JPH06330312A (ja) | 1994-11-29 |
JP3727669B2 true JP3727669B2 (ja) | 2005-12-14 |
Family
ID=4208668
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP05367294A Expired - Lifetime JP3727669B2 (ja) | 1993-05-04 | 1994-03-24 | 磁場支援されたスパッタリング装置とそれを用いた真空処理装置 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5490913A (ja) |
JP (1) | JP3727669B2 (ja) |
KR (1) | KR100349407B1 (ja) |
AU (1) | AU673727B2 (ja) |
CH (1) | CH690805A5 (ja) |
DE (1) | DE4405747B4 (ja) |
FR (1) | FR2704870B1 (ja) |
GB (1) | GB2278368B (ja) |
NL (1) | NL194654C (ja) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6689254B1 (en) | 1990-10-31 | 2004-02-10 | Tokyo Electron Limited | Sputtering apparatus with isolated coolant and sputtering target therefor |
US5433835B1 (en) * | 1993-11-24 | 1997-05-20 | Applied Materials Inc | Sputtering device and target with cover to hold cooling fluid |
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US7670436B2 (en) | 2004-11-03 | 2010-03-02 | Applied Materials, Inc. | Support ring assembly |
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US8647484B2 (en) | 2005-11-25 | 2014-02-11 | Applied Materials, Inc. | Target for sputtering chamber |
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US7981262B2 (en) | 2007-01-29 | 2011-07-19 | Applied Materials, Inc. | Process kit for substrate processing chamber |
US7942969B2 (en) | 2007-05-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
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US7901552B2 (en) * | 2007-10-05 | 2011-03-08 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target with grooves and intersecting channels |
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DE102009056241B4 (de) * | 2009-12-01 | 2012-07-12 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Stützeinrichtung für eine Magnetronanordnung mit einem rotierenden Target |
DE102010031259B4 (de) * | 2010-07-12 | 2012-07-12 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Stützeinrichtung für eine Magnetronanordnung mit einem rotierenden Target |
DE102011111779A1 (de) * | 2011-09-01 | 2013-03-07 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Medienanschlussstutzen, Sputterbeschichtungseinrichtung und Vakuumbeschichtungsanlage |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1993
- 1993-05-04 CH CH01362/93A patent/CH690805A5/de not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-02-23 DE DE4405747A patent/DE4405747B4/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-02-25 FR FR9402187A patent/FR2704870B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1994-03-24 JP JP05367294A patent/JP3727669B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-13 KR KR1019940007782A patent/KR100349407B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-04-27 GB GB9408346A patent/GB2278368B/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-05-02 US US08/236,535 patent/US5490913A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-05-02 AU AU61831/94A patent/AU673727B2/en not_active Ceased
- 1994-05-04 NL NL9400734A patent/NL194654C/nl not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB9408346D0 (en) | 1994-06-15 |
CH690805A5 (de) | 2001-01-15 |
JPH06330312A (ja) | 1994-11-29 |
NL9400734A (nl) | 1994-12-01 |
NL194654C (nl) | 2002-10-04 |
NL194654B (nl) | 2002-06-03 |
DE4405747A1 (de) | 1994-11-10 |
US5490913A (en) | 1996-02-13 |
KR100349407B1 (ko) | 2002-12-11 |
DE4405747B4 (de) | 2006-04-27 |
AU673727B2 (en) | 1996-11-21 |
AU6183194A (en) | 1994-11-10 |
GB2278368A (en) | 1994-11-30 |
FR2704870B1 (fr) | 1997-01-17 |
FR2704870A1 (fr) | 1994-11-10 |
GB2278368B (en) | 1997-04-23 |
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Legal Events
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A521 | Written amendment |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R371 | Transfer withdrawn |
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R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
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|
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131007 Year of fee payment: 8 |
|
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|
EXPY | Cancellation because of completion of term |