JPH11504986A - 冷却液を隔離したスパッタリング装置及びそのスパッタリングターゲット - Google Patents

冷却液を隔離したスパッタリング装置及びそのスパッタリングターゲット

Info

Publication number
JPH11504986A
JPH11504986A JP8534031A JP53403196A JPH11504986A JP H11504986 A JPH11504986 A JP H11504986A JP 8534031 A JP8534031 A JP 8534031A JP 53403196 A JP53403196 A JP 53403196A JP H11504986 A JPH11504986 A JP H11504986A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
target
sputtering
cooling water
cooling
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8534031A
Other languages
English (en)
Inventor
ディー ハーヴィット スティーブン
Original Assignee
マテリアルズ リサーチ コーポレーション
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US08/439,490 external-priority patent/US6689254B1/en
Application filed by マテリアルズ リサーチ コーポレーション filed Critical マテリアルズ リサーチ コーポレーション
Publication of JPH11504986A publication Critical patent/JPH11504986A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435Target holders (includes backing plates and endblocks)
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405Magnetron sputtering
    • H01J37/3408Planar magnetron sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3488Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/3497Temperature of target

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 スパッタリング装置(10)は、可動の励磁部と冷却水供給源とを備えるカソードユニット(22)と、交換可能なターゲットユニット(25)とターゲットユニットの背面(33)を密閉し、冷却水路(45)を取り囲む取り外し及び好ましくは再生可能な冷却用のジャケット(40)とを有する取り外し可能なターゲット部材(23)とを備える。ターゲット部材がカソード部材に対し、取り外し及び取り付けらると、ダクト(50)は冷却水路と水源との連結を解除し及び再び連結する。ターゲットユニットは一塊のスパッタリング材料を備え、スパッタリング材料からなるスパッタリング表面(32)と、スパッタリング表面の周囲にある窪んだリムとを備える。リムは、スパッタリングチャンバを気密にし、冷却用のジャケットを水密にする。これにより、励磁部は冷却液に接することなく隔離される。例えば突出するハブ(35)により形成される中央の連結部は、ターゲットユニットの背面中央に配設され、カソード部材の軸65に連結され、これにより処理チャンバ(13)内で通常ターゲットの中央部に加わる、圧力や温度変化による歪みからターゲット材料を保護する。ターゲット(25)は、材料が強度を有する場合、スパッタリング材料により一体に形成されることが望ましく、或いは、リム及びハブを有するバッキングプレートをターゲット材料に接合してターゲットユニットを形成してもよい。いずれの場合も、ターゲットユニットの背面は、冷却水を漏洩させない非透水性の物質からなり、或いはそのようにコーティングされ若しくは処理されている。

Description

【発明の詳細な説明】 冷却液を隔離したスパッタリング装置及びそのスパッタリングターゲット 技術分野 本発明はカソードスパッタリングに関し、詳しくは、スパッタリング蒸着処理 に用いるスパッタリングターゲットの構成、使用及び冷却、又は、スパッタリン グ装置のスパッタリングカソードの構成部材であるターゲットの冷却に関する。 背景技術 スパッタリング蒸着処理において、基板は、処理チャンバ内のスパッタリング ターゲットに近接して配設され、チャンバ内の気圧は高真空レベルに減圧される 。そして、ターゲットに負電圧が印加されてプラズマが生成され、このプラズマ は、基板表面付近において磁界の作用により集束され、強められる。プラズマの 形成によりチャンバ内の希薄ガスに大量の陽イオンが発生し、陽イオンはターゲ ットに衝突してターゲット表面からターゲット材料の原子又は粒子を叩き出す。 ターゲット表面へのイオン衝突はターゲットにエネルギを伝達するが、原子又 は粒子を叩き出す働きをするのは、このエネルギのうちの数パーセントに過ぎな い。通常、プラズマに印加された電力の約90パーセントは、ターゲットの温度 上昇に費やされる。通常用いられている30000ワット毎平方フィートの密度 でターゲット表面領域に電力を印加した場合、ターゲットの融解やひび割れを防 止し、ターゲットを支持するカソード部材や近辺の部材がオーバーヒートしない よう、ターゲットを積極的に冷却する必要がある。 ターゲットから熱を除去するために従来から用いられている典型的な冷却法は 、ターゲットの背面又はターゲットに熱伝導するように接合されたバッキングプ レートに水を流す方法である。また、カソード部材のターゲット支持部材を水冷 し、 カソード部材に接触するターゲットを熱伝導により間接的に冷却するように設計 されたカソード部材もある。従来のカソードの設計においては、表面が円錐状に 窪んだターゲットが用いられ、ターゲット外周縁又はエッジの厚みにより、ター ゲットの外周縁に熱流が生じ、これによりある程度冷却がなされる。このような ターゲットは、米国特許番号第4,855,033号に開示されており、ここで は、最初に冷却されるターゲット表面は外周縁周辺であり、協働するターゲット 表面とターゲットを支持する挿入口の表面は、効率的に熱を伝導するよう接触し ている。しかしながら、この深い円錐状のターゲットは、細いリング状に浸食さ れ、例えば半導体ウェハのような段を有する3次元的な表面形状のコーティング にはあまり適していない。さらに、ターゲットとターゲット挿入口との熱伝導を 利用する他のタイプの冷却法は、処理時の高圧力による機械的な歪みによりター ゲットとターゲット挿入口の間の間隙が広がるにつれて効力を失う。このような 間隙によりターゲットから外部への熱伝導が妨げられ、その結果ターゲットの融 解等の不都合を生じることもある。 しかしながら、近年のターゲットの設計においては、多くの細部の性能が改善 され、コーティングの能力が高められるとともに、スパッタリング表面の面積に 対してより薄いターゲットが用いられるようになり、また、このターゲットの背 面又はターゲットのバッキングプレートは、予め冷却に適するように形成されて いる。 多くのカソードは、ターゲット背面の背後に回転磁石を備える励磁機構を配設 してスパッタリングプラズマを形成し、強めるように設計されている。励磁機構 は、通常、回転磁石とそれに付随する部材とを備え、それらによりターゲット背 面の大部分が占有されてしまう。回転磁石カソード部材の具体例は、米国特許番 号第5,130,550号、第5,252,194号、第5,242,556号 に開示されている。このようなターゲット及びカソード部材では、ターゲット表 面全体の浸食をコントロールすることができ、基板表面の3次元的な形状への微 少なコーテイングを改善することができる。多くの場合、このような励磁機構を 用いることにより、設計段階において励磁機構と冷却能力との折り合いをつける 必要が生じ、カソード及びターゲットのユニットとしての性能若しくは信頼性が 制限される。 回転磁石装置においては、例えば冷却水は、流入口からターゲットの背面の空 隙に注がれ、ターゲットの背面を通って流出口へと流れる。このような装置では 、ターゲットの冷却の効果は、空隙内の冷却液に浸って回転する磁石保持体の動 きに追従する冷却水の動きにより高められる。しかしながら、ターゲットの望ま しい浸食形状は、複雑な形状をした励磁機構によってコントロールされ、励磁機 構は、駆動ギア、入力軸、駆動ベルト及びモータにより、ベアリングを介して回 転している。構成部品を上述のように冷却水に含侵させることにより、やがて、 装置が腐食し、性能が低下し、耐久期間が短くなってしまう。さらに、磨耗した ターゲットの交換時に、ターゲット又はバッキングプレートが部材から取り外さ れて、冷却水用の空隙が露出することになる。このような露出により、スパッタ された薄膜を汚染する根源となる少量の水がスパッタリングチャンバ内に滴下す ることがある。 上述のような問題により、スパッタリングターゲットをより効果的且つ効率よ く冷却する装置が望まれている。 発明の開示 本発明の第1の目的は、カソード部材内の励磁部やスパッタリング処理性能に 関わる構成部材に影響を及ぼすことなく、ターゲットを効果的に冷却するカソー ド部材を提供することである。詳しくは、本発明は、スパッタリング用のカソー ド部材におけるターゲットの冷却に際し、励磁部が配設される空間に冷却液を流 通させず、励磁部と冷却液とを隔離することを目的とする。さらに詳しくは、本 発明は、特に磁石、ベアリング及びその他の駆動部材を冷却液から隔離したスパ ッタリング用のカソード部材の提供を目的とする。本発明の更なる目的は、特に スパッタリングターゲットの取り外し及び交換時に、冷却液が処理チャンバ内を 汚染することなく、スパッタ装置の駆動時には、ターゲットと冷却液が直接接触 するスパッタ用のカソード部材を提供することである。 本発明の更なる目的は、スパッタリングカソードに装着されている場合は、冷 却液に直接接触し、ターゲットの取り外し及び交換時には、処理チャンバを冷却 液による汚染を防ぐスパッタリング用のターゲットを提供することである。更に 、本発明の目的は、冷却液に直接接触しながら、ターゲット自体が冷却液により 汚染或いは腐食しないように保護されたスパッタリング用のターゲットを提供す ることである。さらに、本発明の目的は、処理チャンバを気密にし、冷却水路を 水密にするよう装着されるターゲットを提供することにあり、このターゲットに おいては、好ましくは構造的なバッキングプレート若しくはそのような部材をタ ーゲットに接合する必要がなく、ターゲットの構造に必要となるスパッタリング に直接加担しないスパッタリング材料の量を増加させることもない。 本発明に係るターゲットは、特にスパッタリング表面の寸法に比して薄く形成 され、スパッタ用のカソード部材に装着した場合、ターゲットの後部に形成され る冷却水路内を流れる冷却水に背面が接触する。ターゲットの好ましい実施の形 態においては、ターゲットは外方に突出するターゲットリムを備え、ターゲット リムは、前方に臨みスパッタリングチャンバを真空に密閉する気密面を有する表 面側縁部と、冷却水路を取り囲むシールを形成する水密面を有して後方に臨む背 面側縁部とを備える。例えば円盤状のターゲットは、好ましくはターゲット材料 から一体に形成され、その背面は冷却液に直接接触するように形成される。さら に、ターゲットが冷却液を浸透させ、或いは冷却液と好ましくない反応を引き起 こすような材料からなる場合、冷却液に直接接触する面はコーティングされ、或 いは他の方法により冷却液による汚染が防止される。 さらに、ある実施の形態において、ターゲットリムは、スパッタリング材料に よりターゲットに一体に形成され、表面側縁部及び背面側縁部を備え、遮蔽体を 補助或いは形成する。さらに、ターゲット背面の中央部に支持構造体を形成して ターゲット中央部を支持し、ターゲットを中央部及びリムの両方で支持すること により、ターゲット使用時のターゲットの歪みや変形を防止する。ターゲットの 中央部の支持構造体は、例えば、ターゲット材料により一体に形成され、中央か ら延出するハブである。 またさらに、本発明に係るスパッタリング用のカソード部材は、スパッタリン グ材料により一体に形成された、又はスパッタリング材料にバッキングプレート を接合して背面を形成したターゲットを備え、ターゲットは、冷却水路内の冷却 水に接触するように面を晒し、冷却水路はターゲットのリムの背面側縁部とカソ ード部材のターゲット装着構造体のリムとにより密閉されている。好適な実施の 形態において、カソード部材のターゲット装着構造体は、カソード部材のターゲ ット装着構造体は、カソード部材に取り外し可能に取り付けられる冷却用のジャ ケットとして冷却水路壁を形成し、ターゲットは冷却用のジャケットに水密可能 に取り付けられ、ターゲットの背面が冷却水路内の対向する壁面を形成する。冷 却用のジャケットは、構造的にターゲットをカソード部材に連結させており、タ ーゲットを交換のためにチャンバから取り外す場合、ターゲットと共にターゲッ ト部材として取り外すことができる。 さらに、本発明の好適な実施例において、冷却水路は、ターゲットが取り外さ れ、或いは交換されるとき、カソード部材の流入口及び流出口をカソードユニッ トに残したまま、組み立てられたターゲットと冷却用のジャケットと共に取り外 すことができる。ターゲット及び冷却用のジャケットの取り外しに伴って、カソ ードユニットの冷却液の流入/流出口と取り除かれる冷却用ジャケットに設けら れているダクトとの連結は、自動的に解除され、またその部分からの冷却液の漏 洩が遮蔽される。本発明の重要な特徴は、励磁部及び特に回転又は可動の磁石か らなる部材を駆動する機構部を、それらを腐食させる可能性のある冷却液から完 全に隔離させる点である。 さらに、本発明の実施の形態において、ターゲットの歪みや変形は、ターゲッ ト中央部に設けられた支持構造体により防止され、支持構造体は、ターゲットの ターゲットリムにおける支持と共働してターゲットを平面状に固く保持する。中 央の支持構造体は、ターゲットの中央部において、ターゲット材料又はターゲッ ト材料の背面に固着された中央ハブに螺入している。中央の支持構造体は、回転 可能な励磁部を回転させる中心軸としても機能し、さらに後端部においてスパッ タリング装置のフレーム及びターゲットリムを密閉するチャンバ開口部のリムに 固定された部材に装着されている。中央の支持構造体を固く取り付けることによ り、例えば冷却水路と真空処理チャンバ間の圧力差から引き起こるターゲットの 冷却水路内への変形や、例えばターゲットの冷却される背面に対し、熱せられた スパッタリング表面が膨張して引き起こる熱による歪み等を抑制している。 本発明によれば、スパッタリングターゲットを効果的に冷却することができ、 この冷却は、特にターゲットの背面を介して行われる。この冷却によれば、励磁 部をターゲットの背面に接近させることができ、ターゲット表面側のプラズマを 所望の形状に形成し、また強めることができる。 さらに、本発明によれば、励磁部を使用しながらターゲットの背面を冷却液に より効果的に冷却できるとともに、回転又はその他の運動を行う励磁部を冷却液 から隔離することができる。 さらに、本発明は、冷却液が背面に直接接触するターゲットを提供するととも に、冷却液に接触するターゲットの表面の材料を、冷却液による望ましくない反 応や汚染から保護している。本発明の実施の形態においては、少量のスパッタリ ング材料からなり、スパッタリングチャンバと冷却水路とを直接密閉するターゲ ットリムを用いることにより、ターゲットと異なる材料からなるバッキングプレ ートを不要にすることができる。 さらに、本発明によれば、ターゲットを冷却液に直接接触させて冷却するとと もに、冷却液を漏洩させてチャンバ内を汚染することなくスパッタリングターゲ ットを取り外し、交換することができる。 本発明によれば、比較的薄いターゲットを、圧力差や熱による変形に対し、強 固に保持することができ、近年多く用いられている大型の、特に半径方向に大き なターゲットに好適である。 本発明の上述及びその他の目的は、本発明の好適な実施の形態に関する以下の 詳細な記述により、さらに明確なものとなる。 図面の簡単な説明 図1は、本発明を適用したスパッタリング装置の、特にスパッタリングターゲ ット及びカソード部材を示す一部断面図である。 図2は、図1に示すスパッタリングターゲット及びカソード部材の冷却水路を 示す拡大断面図である。 図3は、冷却液ダクト及び冷却水路に結合する流入/流出口及び保護絶縁シー ルドを示す図2の一部拡大断面図である。 図3Aは、図3と同様の部分の、従来のシールドの形状を示す図である。 図4は、ターゲット保護ユニットのリムがクランプリングとしても機能する、 本発明の変化例の図3と同様の部分を示す図である。 発明を実施するための最良の形態 図1は、スパッタリング装置10の一部を示すものであり、装置のフレーム1 1は、スパッタリング装置10の真空処理チャンバ13の壁部12の一部を形成 する部材に固定されている。ターゲット取り出し用のドア部又は他の取り外し可 能なパネル14は、ヒンジ14aにより開閉自在とされ、又は開口部15におい てフレーム11に着脱可能にチャンバ13に取り付けられている。ドア部14は 、閉じられた状態で、フレーム11をシール16により真空密閉する。チャンバ 13の反対に位置するドア部14の片側にはドアフレーム部材17が溶接されて おり、これによりドア部14とドアフレーム部材17の間にドアフレーム冷却路 18が形成されている。ドアフレーム部材18の反対側には、更にシール19が 設けられており、これによりドアフレーム部材18と、ドアフレーム部材18に ボルト18aによりボルト付けされている環状のカソード部材アダプタのフラン ジ20との間が真空密閉されている。 アダプタのフランジ20には、スパッタリングカソード部材21が着脱可能に 装着されており、カソード部材21は、カソードユニット又はターゲット支持部 材22と、ターゲット部材23とを備え、ターゲット部材23は、交換可能な消 耗性のスパッタ用ターゲット25を備える。カソード部材21は、開口部15の 周囲に配設され、フレーム11に固定され、電気的に絶縁された1組のクランプ 26により、フランジ20に装着されている。クランプ26は、カソード部材2 1をフランジ20に押し付けている。フランジ20とカソード部材21の間には 、例えばテフロン(商標)のような絶縁性の物質により形成された絶縁リング2 7が設けられている。絶縁リング27とフランジ20の間、及び絶縁リング27 と カソード部材21との間には1組のOリングシール28、29が設けられており 、フランジ20とカソード部材21の間に介在する絶縁リング27の気密性を保 っている。カソード部材21のアダプタのフランジ20からの取り外しは、クラ ンプ26を解除し、カソード部材21をフランジ20の絶縁リング27から引き 離すことにより行う。 フランジ20に取り付けられているカソード部材21の一部は、ターゲット部 材23であり、このターゲット部材23を図2に実線で示す。ターゲット部材2 3は、ターゲット25を備え、このターゲット25は、適切に機械加工可能なチ タンやアルミニウム合金等からなる部材に取り付けられ、スパッタリング材料を 一体にして形成された略環状の外周縁31と、スパッタリング面又はターゲット 面32と、冷却液を流通させ、耐食性の背面33と、ターゲット25のスパッタ リング面32から離隔し、背面33付近の側の外周縁31から外側に突出する環 状のリップ又はリム34と、背面方向に突出する中央ハブ35とを備え、望まし くはこれらすべてをスパッタリング材料により一体に成形する。リム34は、ス パッタリング面32から背面方向に窪むように形成され、研磨、コーティング或 いは真空シールの効果を確実にするようなその他の処理が施された表側の面であ る表面34aを備える。また、リム34は、背面方向に臨む裏側の表面34bを 備え、表面34bは、研磨、コーティング或いは液体を効果的に密閉するような その他の処理が施されている。 ターゲット25として用いるスパッタ材料の一部、例えばシリコン或いはある 種の磁性材料等は、カソード部材21を支持し、或いは例えば機械加工により所 望の形状に形成するための十分な物理的強度を有していない。ターゲット25に そのような材料を用いる場合、ターゲット25は、例えば、図2の左側に想像線 で示す接合面25cにおいて、はんだ付け又はその他の周知の技術によりバッキ ングプレート25bにスパッタ材料からなるディスク25aを接合して形成され る。このように接合されたターゲット25では、リム34は、バッキングプレー ト25bの一部として形成される。スパッタ材料が強度を有し、バッキングプレ ート25bを用いず、スパッタ材料のみで形成したターゲット25を用いる場合 の方が、ターゲットをより長く使用できることは、図2に破線の曲線で示す浸食 輪郭36からも明らかであり、これは、浸食溝37が接合面25cを超えて深く 浸食することがあることを示している。接合されたターゲット25又は一体型の ターゲット25のいずれを用いる場合でも、中央ハブ35を異なる材料から別部 品として形成してターゲット25の背面33に接合してもよいが、中央ハブ35 をバッキングプレート25b又はターゲット25に一体に形成する方が好ましい 。ターゲット25の中央ハブ35は、中ぐり39のネジ溝38の形成、又はネジ の螺入に耐える強度を有する材料から形成される。 バッキングプレート25bを用いたターゲット25では、バッキングプレート 25bの材料を適切に選択し、背面33を適切に加工処理することで、容易に背 面33の非透水性及び耐食性を得ることができる。スパッタ材料が一体成形され てスパッタ材料の背面33が形成されるターゲット25については、例えばチタ ンやアルミニウム合金の幾つか等のある種の材料は、十分な真正の非透水性及び 耐食性を有し、冷却液に直接接触する冷却面を背面33に形成する。ある種のタ ーゲット材料に対する水による腐食作用は、アルミニウムからなるターゲットに 陽極酸化処理を施したり、焼結チタニウムタングステン等からなる多孔性のスパ ッタ材料に有機材料の皮膜又は層を形成する等、ターゲット25の背面33に化 学的処理を施すことにより防止することができる。シリコンのようなスパッタ材 料は、材料自体は、十分な真正の非透水性を有しているが、これにも保護用のバ ッキングプレートを用いることにより、バッキングプレートを備えない脆弱なシ リコンターゲットが構造的に損壊し、処理チャンバ内に水が溢れてしまう等のよ り深刻な水による汚染を防止できる。 さらに、ターゲット部材23は、冷却用のジャケット40を備え、ジャケット 40は、ターゲットの交換時にターゲット25から取り外すことができる非消耗 性で再利用可能なターゲット部材23の一部である。この変化例として、冷却用 のジャケット40は、ターゲット25と共に消耗し、新しいターゲットの一部と して交換されるようにしてもよい。冷却用のジャケット40は、ターゲット25 の背面33に当接する中央リップ41と外周リップ42とを備え、中央リップ4 1、外周リップ42には、それぞれOリングシール44、43が設けられている 。ジャケット40は、装着されてジャケット40とターゲット25の背面33と の 間の空隙を包囲し、冷却水路45を形成する。冷却水路45は、図に示すような 環状のディスク形状若しくは、冷却用のジャケット40に設けられた溝のパター ン又は冷却用のジャケット40内に直立するリブにより仕切られた複数の仕切板 により形成される形状を有する。冷却水路45は、冷却水路45を出入りする冷 却液の圧力差と共働するように構成され、ターゲット25の背面33上の冷却水 路45を冷却液を高速に流通させ、これによりターゲット25から冷却液への熱 伝導効果を高める。さらに熱伝導効果を高めるために、冷却用のジャケット40 にターゲット25の背面33に直接向けられた噴出口を有するダクトを設けても 良く、このように熱伝導効果を高める他の手法は、本願と同様に譲渡され、審査 係属中の1995年2月15日に出願された米国出願番号08/398,743 号に詳しく開示されており、これは参照により本願に組み込まれるものとする。 この実施例では、ターゲット部材23は、さらに環状のクランプリング47を 備え、クランプリング47は、ターゲット25の外周縁31を取り巻き、ジャケ ット外周リップ42に対向してターゲット25の外周リップ又はリム34に当接 し、冷却用のジャケットの外周リム42に一定間隔で設けられた例えば12のネ ジ48により支持されている。ネジ48は、ジャケット40の背面から挿入され 、クランプリング47のネジ溝に螺入する。クランプリング47の背面の環状の 溝にはOリングシール49がはめ込まれており、ターゲット25の外周のリム3 4を密閉している。クランプリング47は、さらに前面に形成された環状の溝に シール29を備えている。 冷却用のジャケット40は、冷却水路45と冷却液をやりとりする一組のダク ト又は連設された複数のダクト50と、カソードユニットのカソード本体53( 図1)及び、カソード及びターゲット部材21のターゲット支持部材22にそれ ぞれ設けられた流入口51及び流出口52を備える。流入口51及び流出口52 は、例えばステンレススチール又はその他の耐食性を有するカソード本体53へ の取付部品(詳細は図示せず。)から形成されている。カソード本体53は、カ ソードユニット22の構造的に主となるフレームであり、クランプ26は、これ を絶縁リング27に押し付けている。ターゲット部材23は、1組の、例えば4 本のネジ55によってカソード本体53に取り付けられており、ネジ55は、 何本かのネジ48に替えてクランプリング47を冷却用のジャケット40に留め る役割を果たしている。ネジ55は、カソード部材21がドア部14のアダプタ フランジ20から取り外された時に操作できる。 ターゲット部材23をカソードユニット22から取り外すと、ダクト50は自 動的に連結が解除される。「自動的」とは、ダクト50の連結の解除に際して、 例えば流入口51及び流出口52に繋がる管の連結部を取り外したり、ダクト5 0付近の関連する構造部品を取り外す工程等のさらなる作業を必要としないとの 意である。ターゲット部材23をカソードユニット22に再び結合すると、ダク ト50は自動的に再び連結する。流入口51及び流出口52と冷却水路45間の 液体出入りをせき止めるために、図3に示すように、各ダクト50にバネにより 付勢された、又はその他の種類のバルブ部品57、58を冷却用のジャケット4 0及びカソード本体53に設け、ネジ55を外してカソードユニット22からタ ーゲット部材23を取り外すときにダクト50を閉鎖するようにしてもよい。 カソード本体53は、構造的に剛性を有している。カソード本体53の上部に は、同様に構造的に剛性を有するスピンドルハウジング60が固着されている。 スピンドルハウジング60内には中ぐり61が形成されており、中ぐり61には 、スピンドル軸65を回転可能に保持する2組のベアリング62、63が設けら れている。スピンドル軸65の上部先端部には、駆動ベルト車66が設けられて おり、駆動ベルト車66と電磁モータ69の出力軸68に駆動ベルト67が巻掛 けられている。スピンドル軸65の他方の先端部には、励磁部70が固定されて おり、励磁部70は、電磁モータ69の動力により、スピンドル軸65と共に回 転する。励磁部70は、磁石パック71を備え、磁石パック71は、ターゲット 25に所望の浸食輪郭37が得られるように設計された環状の永久磁石である。 励磁部70の最適な構成の詳細については、米国特許番号5,130,005号 に記述されており、これは参照により本願に組み込まれるものとする。励磁部7 0の回転時において、磁石パック71は、カソード本体53及びジャケット40 の背面には接触しない。冷却液は、冷却水路45内を流れ、励磁部70と接触し ないため、例えば水などの冷却液によって励磁部70や磁石を回転させるための 部材が腐食することが回避され、それら部材の耐食性に関する設計が容易となる 。 ターゲット25は、さらに中央ハブ35において中央の支持ロッド75に保持 されており、支持ロッド75は、先端部にネジ山76を有し、ターゲット25の ハブ35の中ぐり39に設けられたネジ溝38に螺入している。支持ロッド75 は、上部先端部のナット77の締め付けによりスピンドルハウジング60の上部 にボルト付けされた蓋板78に固着されている。支持ロッド75は、スパッタリ ング処理時における冷却水路45に加わる冷却液の圧力や、ターゲット25への 熱応力により引き起こる、処理チャンバ内でのターゲット中央部の変形に耐える 張力をターゲットに与えるよう装着されている。ターゲット25の中央部分の変 形に対する抵抗を確実にするため、冷却用のジャケット40の中央リム41の背 面83に隣接する円筒状スペーサ82の下端に肩部81を設けている。肩部81 は、支持ロッド75の張力により、ジャケット40の背面33を押圧している。 さらに、この張力は、ジャケット40の中央リム41をターゲット25の背面3 3に密着させ、ターゲット25の中央部において冷却水路45内の冷却液を遮断 するシール44を密閉する。このような構造によれば、オフセットギアを用いる ことなく、電磁モータ69と支持ロッド75とを容易に機械的に連動させること ができる。 カソードアダプタ20の内側の縁部には、図3に示すように、シールド85が 装着されており、シールド85は、シールド85の周囲に一定の間隔で取り付け られたネジ86により、カソードアダプタ20に取り付けられている。シールド 85は、背面方向に突出するリップ87を有し、リップ87は、ターゲット25 の外周縁31に対向して近接し、ターゲット25とシールド85間にアーク放電 が発生しない程度の間隔を有する間隙88が設けられている。シールド85の内 側のリップ87は、ターゲット25からスパッタされた物質が間隙88を通って 絶縁リングに蒸着し、導電性のパスを形成し、このパスからアーク放電が発生し ないよう、絶縁リング27を保護している。図3Aに示す従来のシールド85a では、ターゲット25からスパッタされた物質の一部が、粒子89は、スパッタ されたガス粒子からなり、間隙88aに飛び込み、絶縁リング27に蒸着するこ とがある。リップ87を備えたシールド85は、このような粒子89のパスを遮 断し、絶縁リングをそのような蒸着から保護している。 図4は、ターゲット部材23とカソードユニット22の他の実施例を示すもの であり、ここでは、クランプリング47は、図4にリム34cとして示すように 、ターゲット25の外側のリム34と一体に形成されている。この実施例では、 ネジ48は、ターゲット25の背面に直接螺入し、シール29は、リム34の表 面34aに設けられた溝にはめ込まれている。図3に示すシール49は、ここで は不要である。リム34cは、図4に示すように、ターゲット25のバッキング プレート25bの外周の突出した部分である。接合面25cにおいてターゲット 材料のディスク25aにバッキングプレート25bを接合せず、ターゲット25 全体をスパッタ材料のみで一体成形する場合、リム34cもスパッタ材料から一 体に形成される。このような構成は、ターゲット25がアルミニウムやある種の 合金等、構造的に強固な材料から形成される場合に可能である。図4に示す実施 例によれば、ターゲット25のスパッタリング面32を磁石パック71により接 近させることができ、特にスパッタ材料が軟磁性であるか透磁率が高い場合に有 効である。 本発明によれば、ターゲット25を効果的に冷却することができるとともに、 ターゲット25を取り外し、交換する際に、チャンバ13内部、スパッタリング 装置10のその他の部分及びスパッタリング装置10近傍に冷却液を漏洩させる ことはない。使用済みのターゲット25の取り外しは、クランプ26を緩め、カ ソード部材21全体をチャンバ13上方の空間に引き離して行う。様々なカソー ド部材の構造において、特に大型のものでは、取り外されたカソード部材21は 、スパッタリング装置10のフレーム11に装着されたヒンジが取り付けられた ブラケット、又はスライダ(図示せず)により支持されている。あるいは、ター ゲット25を支持台に置くようにしてもよい。このようなカソード部材21の取 り外しの際、電磁モータ69への電線や、ターゲット部材23への電力供給ライ ン(図示せず)などの電気的な結線を取り外す必要はない。同様に、流入口51 、流出口52に結合し、それぞれ冷却液を流入及び流出する(図示せず)冷却液 用の管もまた結合したままでよい。しかしながら、このとき流入口51から流出 口52に空気を通して、ダクト50及び冷却水路45から冷却液を除去すること が望ましい。 そして、クランプ26を解除してカソード部材21をドア部14から引き離し 、クランプリング47及び冷却用のジャケット40をカソード本体53に留めて いるネジ55を外し、支持ロッド75をスピンドルハウジング60内に固定して いるナット77を緩めてターゲット部材23をカソードユニット22から取り外 す。ネジ48がターゲット25に螺入しているため、ターゲット25は、取り付 けられたままである。支持ロッド75は、通常はターゲット部材23に挿入され ているが、ナット77を緩めて、正確にはネジが切られた先端部のネジ山76に おいてターゲット25から螺退され、この場合、後にターゲット25の中央ハブ 35の中ぐり39に形成されたネジ溝38から取り外される。冷却水路45及び ダクト50内の冷却液を除去しておけば、ターゲット部材23をカソード本体5 3から取り外し、分解する際にダクト50から漏洩する冷却液を最小限にするこ とができる。ダクト50にバルブ58を備えれば、ジャケット40がカソード本 体53から引き離される際にバネの付勢力によりバルブ58がダクト50を遮断 し、これにより僅かな漏洩の可能性さえもさらに低減させることができる。 ターゲット部材23がカソードユニット22から取り外されると、ターゲット 部材23は、離れた場所に運ばれ、そこでターゲット25が冷却用のジャケット 40から取り外され、他のターゲット25に交換される。この交換の作業は、ネ ジ48をターゲット部材23から取り外してクランプリング47を解除し、これ によりターゲット25を取り外し可能にして行う。そして、消耗した古いターゲ ット25に替えて新しいターゲット25を装着し、ネジ48が再度取り付けられ てクランプリング47が再度締められ、組み立てられたターゲット部材23がネ ジ55によりカソードユニット22に再度取り付けられる。ジャケット40がカ ソード本体53に装着されると、バルブ58は、バネによりジャケット40とカ ソード本体53の表面を越えて拡張し、カソード本体53とジャケット40の相 対向する面の係合により押圧されて、ダクト50に冷却液を流通させる経路を開 通する。そして支持ロッド75を元に戻し、ナット77を締めてカソード部材2 1の再組立を完了し、クランプ26を締めてカソード部材21をドア部14に再 度固定する。 以上により、当業者は、本発明の主旨を逸脱することなく、上述し、図面に示 した実施の形態を変更し、追加を加えることができる。よつて、請求の範囲は、 次の通りである。
【手続補正書】特許法第184条の8第1項 【提出日】1997年6月25日 【補正内容】 請求の範囲 1. 少なくとも一部が一塊のスパッタ材料からなり、スパッタ材料により形成 されて前方に臨むスパッタリング表面(32)と、中央部周囲の環状の領域に非 透水性の冷却面を有して後方に臨む背面(33)とを備える円盤状のターゲット ユニット(25)と、 上記スパッタリング表面を取り囲む気密面を有し、上記ターゲットユニットの スパッタリング表面から後方に窪んで前方に臨む環状の表面側縁部(34a)と 、上記ターゲットユニットの背面を取り囲む外側の水密面を有して後方に臨む環 状の背面側縁部(34b)とを備える窪んだ外周リム(34)と、 上記背面の中央部で上記ターゲットユニットを固定して構造的に支持する、張 力を保持する支持構造体とを備え、 上記背面は、上記張力を保持する支持構造体の周囲に環状の内側の水密面を有 し、張力を保持する支持構造体は、上記外側の水密面及び内側の水密面より後方 に突出し、上記外側の水密面及び上記環状の内側の水密面は、使用時に冷却用の ジャケット(40)を水密にし、上記ターゲットユニットに環状の冷却水路(4 5)を形成し、上記冷却水路の後方側の外部であって上記張力を保持する支持構 造体の周囲に、プラズマ形成用の励磁部を収納する環状の空間を形成することを 特徴とする交換式スパッタリングターゲット。 2. 取り外し可能なスパッタリングターゲット部材を有するスパッタリング装 置であって、 少なくとも一部が一塊のスパッタ材料からなり、スパッタ材料により形成され て前方に臨むスパッタリング表面と、1領域に非透水性の冷却面を有して後方に 臨む背面とを備える交換可能なターゲットユニットを備え、 上記ターゲットユニットは、上記スパッタリング表面を取り囲む気密面を有し て前方に臨む環状の表面側縁部と、上記ターゲットユニットの背面を取り囲む水 密面を有する背面側縁部とを備え、 上記ターゲットユニットの背面側に冷却用のジャケットが連結され、上記冷却 用のジャケットは、上記ターゲットユニットの背面側縁部の水密面と結合して封 水する水密面を有する前方に臨む環状の縁部を備え、上記冷却用のジャケットと 上記冷却面間に冷却水路を形成し、冷却水路の内部にプラズマ形成用の励磁部を 配設せず、上記冷却用のジャケットは、上記冷却水路に連結する冷却水ポート( 50)を備えることを特徴とするスパッタリング装置。 3. 筐体(22)と、上記筐体内に収納されたプラズマ形成用の励磁部(70 )と、取り外し可能なスパッタリングターゲット部材と、上記取り外し可能なス パッタリングターゲット部材と筐体との間の取り外し可能な結合部において上記 冷却水ポートに分離可能に結合する冷却水流入用の供給源とを備えるスパッタリ ングカソード部材を有する請求の範囲第2項記載のスパッタリング装置。 4. チャンバ壁(12)に包囲され、内部に基板を装着して支持する真空チャ ンバと、 上記チャンバ壁の開口部に装着され、筐体と、上記筐体内に保持されてプラズ マを形成及び維持する励磁部と、上記筐体に結合された取り外し可能なスパッタ リングターゲット部材とを備えるスパッタリングカソード部材と、 上記カソード部材と、上記開口部の内周の上記ターゲットのスパッタ表面を取 り囲むチャンバ壁との間を電気的に絶縁する絶縁体と、 上記カソード部材に接続された負極と、少なくとも間接的に上記チャンバ壁に 接続された陽極とを有する電力源と、 を備える請求の範囲第2項記載のスパッタリング装置。 5. 上記チャンバ壁内の開口部内周に設けられ、上記ターゲットから狭い間隙 をもって離隔する環状の遮蔽体(87)を備え、上記遮蔽体の一部は、上記絶縁 体を少なくとも部分的に取り囲んで保護している ことを特徴とする請求の範囲第4項記載のスパッタリング装置。 6. 上記遮蔽体は、前方に臨む略平面状の部分と、外周縁と、上記ターゲット のスパッタリング表面を取り囲み、ターゲットから狭い間隙をもって離隔する内 周縁と、上記内周縁から後方に突出し、径方向に内面に臨むリップとを備え、上 記チャンバから上記絶縁体への狭い経路を形成し、上記チャンバにおいてスパッ タされる物質が上記絶縁体に堆積することを防止する、 ことを特徴とする請求の範囲第5項記載のスパッタリング装置。 7. 上記冷却用のジャケットは、上記冷却水路に連結する冷却水ポートとを備 え、 上記スパッタリング装置は、上記ターゲット部材の上記筐体への取り外し可能 な結合により、上記冷却水ポートに分離可能に連結する冷却水の供給源を更に備 える、 ことを特徴とする請求の範囲第4項記載のスパッタリング装置。 8. 上記冷却用のジャケットは、上記ターゲットユニットに取り外し可能に連 結され、再利用可能である ことを特徴とする請求の範囲第2項、第3項又は第4項記載のスパッタリング 装置。 9. 上記ターゲットユニットは、スパッタリング材料(25a)が熱伝導性を 有するように接合されるバッキングプレート(25b)を備え、上記バッキング プレートは、上記冷却水路内の冷却液により直接冷却される背面を有する ことを特徴とする請求の範囲第3項又は第4項記載のスパッタリング装置。 10. 上記励磁部は、上記ターゲットユニットに対して可動の磁石と、上記磁 石を駆動する駆動装置と、上記磁石と上記駆動装置とを連動させるリンク機構と を備え、上記磁石、上記駆動装置及び上記リンク機構は、上記冷却水路内の冷却 水から隔離されている ことを特徴とする請求の範囲第3項又は第4項記載のスパッタリング装置。 11. 上記冷却用のジャケットの冷却水ポートは、上記ターゲット部材の上記 筐体への結合及び上記ターゲット部材の上記筐体からの分離にそれぞれ従って、 上記供給源の冷却水ダクトに連結し、及び連結が解除される ことを特徴とする請求の範囲第3項又は第4項記載のスパッタリング装置。 12. 上記ターゲットの背面から上記冷却水への熱伝導の効率を高めるように 上記冷却水路内の上記冷却水の流れに作用する作用手段をさらに備える ことを特徴とする請求の範囲第3項又は第4項記載のスパッタリング装置。 13. 上記筐体と上記ターゲットユニットの中央の間に取り外し可能に連結さ れた、中央で張力を支える支持構造部材(60)をさらに備える ことを特徴とする請求の範囲第3項又は第4項記載のスパッタリング装置。 14 上記励磁部は、上記ターゲットユニットに対して可動の磁石(71)と、 上記筐体に取り付けられて上記磁石を駆動する駆動装置(67、68、69)と 、上記支持構造部材に同心円状に装着され、上記磁石と上記駆動装置とを駆動可 能に連結するリンク機構(65)とを備える ことを特徴とする請求の範囲第13項記載のスパッタリング装置。 15. 上記リンク機構は、上記磁石に固定され上記ハウジングに回転可能に取 り付けられた中空のスピンドル(65)を備え、上記支持構造部材は、上記中空 のスピンドル内を挿通している ことを特徴とする請求の範囲第14項記載のスパッタリング装置。 16. 上記ターゲットユニットは、窪んだ外周リムと、非透水性の冷却面を備 えて後方に臨む背面と、気密性及び水密性を有する表面を備える表面側及び背面 側縁部とがスパッタ材料により一体に形成されてなる ことを特徴とする請求の範囲第2項、第3項又は第4項記載のスパッタリング 装置。 17. 上記ターゲットユニットは、張力を保持する支持構造体がスパッタ材料 により一体に形成されてなる ことを特徴とする請求の範囲第16項記載のスパッタリング装置。 18. 上記非透水性の冷却面は、該非透水性の冷却面又はスパッタ材料に接合 されたプレートにコーティングを施して形成された非透水層を備える ことを特徴とする請求の範囲第16項記載のスパッタリング装置。 19. 上記ターゲットユニットは、背面側に後方に臨む背面と、一塊のスパッ タリング材料(25a)に熱伝導可能に接合された表面とを有するバッキングプ レート(25b)を備え、上記窪んだ外周リムは、上記バッキングプレートと一 体に形成され、上記張力を保持する支持構造体は、上記バッキングプレートの背 面から後方に延出している ことを特徴とする請求の範囲第2項、第3項又は第4項記載のスパッタリング 装置。 20. 上記ターゲットユニットは、前方に臨む滑らかに連続的に窪んだスパッ タリング表面と、後方に臨む平坦な背面と、上記背面から後方に延出する張力を 保持する支持構造体とを備える ことを特徴とする請求の範囲第2項、第3項又は第4項記載のスパッタリング 装置。 21. 上記張力を保持する支持構造体は内部にネジ溝を有することを特徴とす る請求の範囲第19項記載のスパッタリング装置。 22. 上記張力を保持する支持構造体は、該支持構造体に張力が加わったとき の上記ターゲットの後方への変形を抑制する肩部を備えることを特徴とする請求 の範囲第21項記載のスパッタリング装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FR,GB,GR,IE,IT,LU,M C,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF,CG ,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE,SN, TD,TG),AP(KE,LS,MW,SD,SZ,U G),AL,AM,AT,AU,BB,BG,BR,B Y,CA,CH,CN,CZ,DE,DK,EE,ES ,FI,GB,GE,HU,IS,JP,KE,KG, KP,KR,KZ,LK,LR,LS,LT,LU,L V,MD,MG,MK,MN,MW,MX,NO,NZ ,PL,PT,RO,RU,SD,SE,SG,SI, SK,TJ,TM,TT,UA,UG,UZ,VN 【要約の続き】 歪みからターゲット材料を保護する。ターゲット(2 5)は、材料が強度を有する場合、スパッタリング材料 により一体に形成されることが望ましく、或いは、リム 及びハブを有するバッキングプレートをターゲット材料 に接合してターゲットユニットを形成してもよい。いず れの場合も、ターゲットユニットの背面は、冷却水を漏 洩させない非透水性の物質からなり、或いはそのように コーティングされ若しくは処理されている。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1. 少なくとも一部が一塊のスパッタ材料からなり、スパッタ材料により形成 されて前方に臨むスパッタリング表面と、中央部周囲の環状の領域に非透水性の 冷却面を有して後方に臨む背面とを備える円盤状のターゲットユニットと、 上記スパッタリング表面を取り囲む気密面を有し、上記ターゲットユニットの スパッタリング表面から後方に窪んで前方に臨む環状の表面側縁部と、上記ター ゲットユニットの背面を取り囲む外側の水密面を有して後方に臨む環状の背面側 縁部とを備える窪んだ外周リムと、 上記背面の中央部に設けられた張力を保持する支持構造体と を備える交換式スパッタリングターゲット装置。 2. 少なくとも一部が一塊のスパッタ材料からなり、スパッタ材料により形成 されて前方に臨むスパッタリング表面と、1領域に非透水性の冷却面を有して後 方に臨む背面と、上記スパッタリング表面を取り囲む気密面を有して前方に臨む 環状の表面側縁部と、上記ターゲットユニットの背面を取り囲む水密面を有する 前面側縁部とを備える交換可能なターゲットユニットと、 上記ターゲットユニットの背面側に連結され、上記ターゲットユニットの背面 側縁部の水密面と結合して封水する水密面を有する前方に臨む環状の縁部を備え 、上記冷却面との間に冷却水路を形成し、上記冷却水路に連結する冷却水ポート を備える冷却用のジャケットと を備える取り外し可能なスパッタリングターゲット装置。 3. 筐体と、 上記筐体内に収納されたプラズマ形成用の励磁部と、 上記筐体に連結され、表面を有する少なくとも一塊のスパッタ材料からなり、 背面を有する交換可能なターゲットと、上記ターゲットの背面に水密可能に連結 して背面を有するターゲットユニットとの間に冷却水路を形成して上記ターゲッ トユニットの背面に冷却水が直接接触するようにし、冷却水路に接続する冷却水 ポートを備え、上記冷却水路内の冷却液から上記励磁部を隔離して保護する冷却 用のジャケットとを備えるターゲット部材と、 上記冷却水ポートに分離可能に結合する冷却水流入用の供給源と を備えるスパッタリングカソード装置。 4. チャンバ壁に包囲され、内部に基板を装着して支持する真空チャンバと、 上記チャンバ壁の開口部に装着され、筐体と、上記筐体内に保持されてプラズ マを形成及び維持する励磁部と、上記筐体に連結され、表面を有する少なくとも 一塊のスパッタ材料からなり、背面を有する交換可能なターゲットと、上記ター ゲットの背面に水密可能に連結して背面を有するターゲットユニットとの間に冷 却水路を形成して上記ターゲットユニットの背面に冷却水が直接接触するように し、冷却水路に接続する冷却水ポートを備え、上記冷却水路内の冷却液から上記 励磁部を隔離して保護する冷却用のジャケットとを備えるターゲット部材とを備 えるスパッタリングカソード部材と、 上記カソード部材と、上記開口部の内周の上記ターゲットのスパッタ表面を取 り囲むチャンバ壁との間を電気的に絶縁する絶縁体と、 上記カソード部材に接続された負極と、少なくとも間接的に上記チャンバ壁に 接続された陽極とを有する電力源と、 を備えるスパッタリング装置。 5. 上記チャンバ壁内の開口部内周に設けられ、上記ターゲットから狭い間隙 をもって離隔する環状の遮蔽体を備え、上記遮蔽体の一部は、上記絶縁体を少な くとも部分的に取り囲んで保護している ことを特徴とする請求の範囲第4項記載のスパッタリング装置。 6. 上記遮蔽体は、前方に臨む略平面状の部分と、外周縁と、上記ターゲット のスパッタリング表面を取り囲み、ターゲットから狭い間隙をもって離隔する内 周縁と、上記内周縁から後方に突出し、径方向に内面に臨むリップとを備え、上 記チャンバとから上記絶縁体への狭い経路を形成し、上記チャンバにおいてスパ ッタされる物質の堆積から上記絶縁体を保護する、 ことを特徴とする請求の範囲第5項記載のスパッタリング装置。 7. 上記冷却用のジャケットは、上記冷却水路に連結する冷却水ポートとを備 え、 上記スパッタリング装置は、上記ターゲット部材の上記筐体への取り外し可能 な結合により、上記冷却水ポートに分離可能に連結する冷却水の供給源を更に備 える、 ことを特徴とする請求の範囲第4項記載のスパッタリング装置。 8. 上記冷却用のジャケットは、上記ターゲットユニットに取り外し可能に連 結され、再利用可能である ことを特徴とする請求の範囲第2項、第3項又は第4項記載のスパッタリング 装置。 9. 上記ターゲットユニットは、スパッタリング材料が熱伝導性を有するよう に接合されるバッキングプレートを備え、上記バッキングプレートは、上記冷却 水路内の冷却液により直接冷却される背面を有する ことを特徴とする請求の範囲第3項又は第4項記載のスパッタリング装置。 10. 上記冷却用のジャケットは上記冷却水路内の冷却液から上記励磁部を隔 離して保護する ことを特徴とする請求項第3項又は第4項記載のスパッタリング装置。 11. 上記励磁部は、上記ターゲットユニットに対して可動の磁石と、上記磁 石を駆動する駆動装置と、上記磁石と上記駆動装置とを連動させるリンク機構と を備え、上記磁石、上記駆動装置及び上記リンク機構は、上記冷却水路内の冷却 水から隔離されている ことを特徴とする請求の範囲第10項記載のスパッタリング装置。 12. 上記冷却用のジャケットの冷却水ポートは、上記ターゲット部材の上記 筐体への結合及び上記ターゲット部材の上記筐体からの分離にそれぞれ従って、 上記供給源の冷却水ダクトに連結し、及び連結が解除される ことを特徴とする請求の範囲第10項記載のスパッタリング装置。 13. 上記ターゲットの背面から上記冷却水への熱伝導の効率を高めるように 上記冷却水路内の上記冷却水の流れに作用する作用手段をさらに備える ことを特徴とする請求の範囲第10項記載のスパッタリング装置。 14. 上記筐体と上記ターゲットユニットの中央の間に取り外し可能に連結さ れた、中央で張力を支える支持構造部材をさらに備える ことを特徴とする請求の範囲第10項記載のスパッタリング装置。 15. 上記励磁部は、上記ターゲットユニットに対して可動の磁石と、上記筐 体に取り付けられて上記磁石を駆動する駆動装置と、上記支持構造部材に同心円 状に装着され、上記磁石と上記駆動装置とを駆動可能に連結するリンク機構とを 備える ことを特徴とする請求の範囲第14項記載のスパッタリング装置。 16. 上記リンク機構は、上記磁石に固定され上記ハウジングに回転可能に取 り付けられた中空のスピンドルを備え、上記支持構造部材は、上記中空のスピン ドル内を挿通している ことを特徴とする請求の範囲第15項記載のスパッタリング装置。 17. 上記ターゲットユニットは、窪んだ外周リムと、非透水性の冷却面を備 えて後方に臨む背面と、気密性及び水密性を有する表面を備える表面側及び背面 側縁部とがスパッタ材料により一体に形成されてなる ことを特徴とする請求の範囲第1項、第2項、第3項又は第4項記載のスパッ タリング装置。 18. 上記ターゲットユニットは、張力を保持する支持構造体がスパッタ材料 により一体に形成されてなる ことを特徴とする請求の範囲第17項記載のスパッタリング装置。 19. 上記非透水性の冷却面は、該非透水性の冷却面又はスパッタ材料に接合 されたプレートにコーティングを施して形成された非透水層を備える ことを特徴とする請求の範囲第17項記載のスパッタリング装置。 20. 上記ターゲットユニットは、背面側に後方に臨む背面と、一塊のスパッ タリング材料に熱伝導可能に接合された表面とを有するバッキングプレートを備 え、上記窪んだ外周リムは、上記バッキングプレートと一体に形成され、上記張 力を保持する支持構造体は、上記バッキングプレートの背面から後方に延出して いる ことを特徴とする請求の範囲第1項、第2項、第3項又は第4項記載のスパッ タリング装置。 21. 上記ターゲットユニットは、前方に臨む滑らかに連続的に窪んだスパッ タリング表面と、後方に臨む平坦な背面と、上記背面から後方に延出する張力を 保持する支持構造体とを備える ことを特徴とする請求の範囲第1項、第2項、第3項又は第4項記載のスパッ タリング装置。 22. 上記張力を保持する支持構造体は内部にネジ溝を有することを特徴とす る請求の範囲第22項記載のスパッタリング装置。 23. 上記張力を保持する支持構造体は、該支持構造体に張力が加わったとき の上記ターゲットの後方への変形を抑制する肩部を備えることを特徴とする請求 の範囲第22項記載のスパッタリング装置。
JP8534031A 1995-05-11 1995-11-27 冷却液を隔離したスパッタリング装置及びそのスパッタリングターゲット Pending JPH11504986A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/439,490 1995-05-11
US08/439,490 US6689254B1 (en) 1990-10-31 1995-05-11 Sputtering apparatus with isolated coolant and sputtering target therefor
PCT/US1995/015422 WO1996036065A1 (en) 1995-05-11 1995-11-27 Sputtering apparatus with isolated coolant and sputtering target therefor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11504986A true JPH11504986A (ja) 1999-05-11

Family

ID=23744912

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8534031A Pending JPH11504986A (ja) 1995-05-11 1995-11-27 冷却液を隔離したスパッタリング装置及びそのスパッタリングターゲット

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP0824760A1 (ja)
JP (1) JPH11504986A (ja)
AU (1) AU4503696A (ja)
CA (1) CA2218736A1 (ja)
WO (1) WO1996036065A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007051337A (ja) * 2005-08-18 2007-03-01 Ulvac Japan Ltd スパッタ電極及びスパッタ電極を備えたスパッタリング装置
JP2010280982A (ja) * 2009-06-08 2010-12-16 Showa Denko Kk マグネトロンスパッタ装置、インライン式成膜装置、磁気記録媒体の製造方法、磁気記録再生装置
JP2015172230A (ja) * 2014-03-12 2015-10-01 住友重機械工業株式会社 成膜装置
WO2016088284A1 (ja) * 2014-12-03 2016-06-09 株式会社アルバック ターゲットアッセンブリ
JP2016517469A (ja) * 2013-03-05 2016-06-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 半導体プロセスチャンバ内で使用するためのスパッタ源
JP2018109206A (ja) * 2016-12-28 2018-07-12 Jx金属株式会社 ガスフロースパッタリング装置及びスパッタリングターゲット原料の製造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005525471A (ja) * 2002-05-14 2005-08-25 東京エレクトロン株式会社 スパッタリングカソードアダプタアセンブリおよび方法
DE10312631A1 (de) * 2003-03-21 2004-10-07 Interpane Entwicklungs- Und Beratungsgesellschaft Mbh & Co.Kg Magnetron mit Kühlmittelschutz
WO2005007924A1 (en) * 2003-07-07 2005-01-27 Honeywell International Inc. Sputtering target constructions
EP1711646A4 (en) 2004-02-03 2008-05-28 Honeywell Int Inc TARGET STRUCTURES FOR VAPOR PHYSICAL DEPOSITION
JP7153290B2 (ja) * 2017-06-01 2022-10-14 エリコン サーフェス ソリューションズ アーゲー、 プフェフィコン 脆性材料の安全で経済的な蒸発のためのターゲットアセンブリ

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3945911A (en) * 1974-08-28 1976-03-23 Shatterproof Glass Corporation Cathodes for sputter-coating glass sheets or other substrates
CH664303A5 (de) * 1985-04-03 1988-02-29 Balzers Hochvakuum Haltevorrichtung fuer targets fuer kathodenzerstaeubung.
KR0178555B1 (ko) * 1990-10-31 1999-02-18 터그룰 야사 회전 마그네트 캐소드를 갖는 마그네트론 스퍼터 코팅 장치 및 그 방법
CH690805A5 (de) * 1993-05-04 2001-01-15 Unaxis Balzers Ag Magnetfeldunterstützte Zerstäubungsanordnung und Vakuumbehandlungsanlage hiermit.

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007051337A (ja) * 2005-08-18 2007-03-01 Ulvac Japan Ltd スパッタ電極及びスパッタ電極を備えたスパッタリング装置
JP2010280982A (ja) * 2009-06-08 2010-12-16 Showa Denko Kk マグネトロンスパッタ装置、インライン式成膜装置、磁気記録媒体の製造方法、磁気記録再生装置
JP2016517469A (ja) * 2013-03-05 2016-06-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 半導体プロセスチャンバ内で使用するためのスパッタ源
JP2015172230A (ja) * 2014-03-12 2015-10-01 住友重機械工業株式会社 成膜装置
WO2016088284A1 (ja) * 2014-12-03 2016-06-09 株式会社アルバック ターゲットアッセンブリ
JPWO2016088284A1 (ja) * 2014-12-03 2017-08-10 株式会社アルバック ターゲットアッセンブリ
US10435783B2 (en) 2014-12-03 2019-10-08 Ulvac, Inc. Target assembly
JP2018109206A (ja) * 2016-12-28 2018-07-12 Jx金属株式会社 ガスフロースパッタリング装置及びスパッタリングターゲット原料の製造方法
JP2021127524A (ja) * 2016-12-28 2021-09-02 Jx金属株式会社 ガスフロースパッタリング装置及びスパッタリングターゲット原料の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
AU4503696A (en) 1996-11-29
EP0824760A1 (en) 1998-02-25
CA2218736A1 (en) 1996-11-14
WO1996036065A1 (en) 1996-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6689254B1 (en) Sputtering apparatus with isolated coolant and sputtering target therefor
KR102257940B1 (ko) 후면측 냉각 그루브들을 갖는 스퍼터링 타겟
US5985115A (en) Internally cooled target assembly for magnetron sputtering
JP2004526051A (ja) 湾曲スパッタリングターゲット用の旋回性中心磁石付きマグネトロン
TW480529B (en) Method and apparatus for ionized physical vapor deposition
JPH11504986A (ja) 冷却液を隔離したスパッタリング装置及びそのスパッタリングターゲット
US9096927B2 (en) Cooling ring for physical vapor deposition chamber target
US7901552B2 (en) Sputtering target with grooves and intersecting channels
US5597459A (en) Magnetron cathode sputtering method and apparatus
US20080289957A1 (en) Vacuum Film Forming Apparatus
JPH07197248A (ja) 一体型スパッタリングターゲット組立体
KR20150091435A (ko) 증가된 수명 및 스퍼터링 균일도를 가지는 스퍼터링 타겟
WO1996024947A9 (en) Magnetron sputtering cathode apparatus
JPH04293771A (ja) スパッタコーティング源
US6733641B1 (en) Mechanically joined sputtering target and adapter therefor
KR19990014667A (ko) 고립된 냉각제 및 스퍼터링 타겟을 가진 스퍼터링 장치
US5569361A (en) Method and apparatus for cooling a sputtering target
US6231726B1 (en) Plasma processing apparatus
CN209890728U (zh) 磁控溅射反应腔室的冷却组件及其磁控溅射设备
JPH10140341A (ja) スパッタ装置
JPH02258974A (ja) スパッタリング装置のターゲット及び陰極部
JP2755919B2 (ja) スパッタリング装置
JP2004183022A (ja) ターゲット装置及びスパッタリング装置
JPH02254162A (ja) スパッタ装置
JPH0311226Y2 (ja)