JP3717343B2 - 光学活性フリーデル−クラフト反応生成物類の製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般式［ＩＶ］
【０００２】
【化１２】

【０００３】
［式中、Ｒはメチル基または（Ｒ³）₃Ｓｉ−基を表し、Ｒ³はそれぞれ同一かまたは異なる炭素数１〜４の低級アルキル基を表し、Ｒ¹はフェニル基またはトリル基を表し、Ｒ²は水素原子またはメチル基を表す。Ｒ ¹ とＲ ² は一緒になってテトラメチレン基を形成してもよい。また、Ｘは水素、フッ素、塩素または臭素を表し、３つのＸは互いに同一でも異なっていてもよいが、すべて同時に水素となることはない。］で示される光学活性フリーデル−クラフト反応生成物類の製造方法に関するものである。
【０００４】
上式［ＩＶ］で示される光学活性フリーデル−クラフト反応生成物類は、医薬品、農薬あるいは各種機能材料などの製造中間体として有用な化合物である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来、光学活性ビナフトール−チタン錯体を触媒として使用し、光学活性フリーデル−クラフト反応生成物類を製造する方法として、アニソールなどの芳香族化合物類とハロゲン化アセトアルデヒドとを反応させる方法を本発明者らが開発し、特許出願した（特開平１１−１８９５５０号）。この方法は、芳香族環に対してハロゲン化アセトアルデヒドを反応させるものであり、医薬品、農薬あるいは各種機能材料などの製造中間体として有用なさまざまな化合物を得ることができる。しかしながら、より多種多様な化合物を得るためには、前記の反応がより幅広い化合物に対して適用できることが要求される。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、かかる問題点に鑑み、鋭意検討を行なった結果、光学活性ビナフトール−チタン錯体を用いてビニルエーテル類とハロゲン化アセトアルデヒドとを反応させることにより、極めて容易に光学活性フリーデル−クラフト反応生成物類を得ることができることを見出し、本発明に到達した。
【０００７】
すなわち、本発明は、光学活性ビナフトール−チタン錯体の存在下、一般式［ＩＩ］
【０００８】
【化１３】

【０００９】
［式中、Ｒはメチル基または（Ｒ³）₃Ｓｉ−基を表し、Ｒ³はそれぞれ同一かまたは異なる炭素数１〜４の低級アルキル基を表し、Ｒ¹はフェニル基またはトリル基を表し、Ｒ²は水素原子またはメチル基を表す。Ｒ ¹ とＲ ² は一緒になってテトラメチレン基を形成してもよい。］で示される化合物と一般式［ＩＩＩ］
【００１０】
【化１４】

【００１１】
［式中、Ｘは水素、フッ素、塩素または臭素を表し、３つのＸは互いに同一でも異なっていてもよいが、すべて同時に水素となることはない。］で示されるハロゲン化アセトアルデヒドとを反応させることを特徴とする一般式［ＩＶ］
【００１２】
【化１５】

【００１３】
［式中、Ｒはメチル基または（Ｒ³）₃Ｓｉ−基を表し、Ｒ³はそれぞれ同一かまたは異なる炭素数１〜４の低級アルキル基を表し、Ｒ¹はフェニル基またはトリル基を表し、Ｒ²は水素原子またはメチル基を表す。Ｒ ¹ とＲ ² は一緒になってテトラメチレン基を形成してもよい。また、Ｘは水素、フッ素、塩素または臭素を表し、３つのＸは互いに同一でも異なっていてもよいが、すべて同時に水素となることはない。］で示される光学活性フリーデル−クラフト反応生成物類の製造方法であり、また、一般式［ＩＶ］
【００１４】
【化１６】

【００１５】
［式中、Ｒはメチル基または（Ｒ³）₃Ｓｉ−基を表し、Ｒ³はそれぞれ同一かまたは異なる炭素数１〜４の低級アルキル基を表し、Ｒ¹はフェニル基またはトリル基を表し、Ｒ²は水素原子またはメチル基を表す。Ｒ ¹ とＲ ² は一緒になってテトラメチレン基を形成してもよい。また、Ｘは水素、フッ素、塩素または臭素を表し、３つのＸは互いに同一でも異なっていてもよいが、すべて同時に水素となることはない。］で示される光学活性化合物である。
【００１６】
以下、本発明の光学活性フリーデル−クラフト反応生成物類の製造方法について詳細に説明する。
【００１７】
本発明の光学活性フリーデル−クラフト反応生成物類の製造方法においては、光学活性ビナフトール−チタン錯体が触媒として用いられる。本発明に用いられる光学活性ビナフトール−チタン錯体は、次式［Ｉ］で示される錯体
【化１７】

［式中、ＸおよびＸ’は一緒になって次の基
【化１８】

を表すか、あるいは、それぞれハロゲン原子、ＯＴｆ、Ｎ（Ｔｆ）₂またはＣ（Ｔｆ）₃〔Ｔｆは−ＳＯ₂Ｒｆ（Ｒｆはフッ素原子またはトリフルオロメチル基を表す。）〕を表し、ＹおよびＹ’はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、ＣＮ、ＳＯ₂Ｒ⁶（Ｒ⁶はフェニル基を表す。）または
【化１９】

〔Ｒ⁷は水素原子またはフェニル基を表す。］で示される光学活性ビナフトール−チタン錯体であってもよいが、この構造に限定される訳ではない。
【００１８】
本発明の方法に使用する触媒としては、四ハロゲン化チタン（ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素をいう）とメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノールから選ばれるアルコール、またはメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノールから選ばれるアルコールのテトラアルコキシチタンを反応させて得られた反応液、またはメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノールから選ばれるアルコールのアルコキシハロゲノチタン（ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素をいう）などのチタン含有試剤に、光学活性な一般式［Ｖ］
【００１９】
【化２０】

【００２０】
（式中、ＹおよびＹ’はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、ＣＮ、ＳＯ₂Ｒ⁶（Ｒ⁶はフェニル基を表す。）または
【００２１】
【化２１】

【００２２】
〔Ｒ⁷は水素原子、フェニル基を表す。］で表されるビナフトールを加えて反応させることにより得られる光学活性ビナフトール−チタン錯体が好ましい。アルコールとしてはイソプロパノールが最も好ましい。アルコールのアルコキシハロゲノチタンとしては、ジイソプロポキシジハロゲノチタンが好適である。
【００２３】
さらに、この調製方法において、少なくとも上記チタン含有試剤とビナフトールを反応させる際にはゼオライトの存在下に行うのがよく、また溶媒を使用して行うのも好ましい。ゼオライトとしては、各種の合成ゼオライトが使用でき、３Ａ、４Ａ、５ＡなどのＡ型ゼオライト、１３ＸなどのＸ型ゼオライトなどが好適に使用できる。また、溶媒としては特に限定されないが、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、二塩化エタンなどの塩素系溶剤、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジグライムなどのエーテル類、アセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル類が好適に使用できる。
【００２４】
具体的には、例えば、塩化メチレン溶媒中で四ハロゲン化チタンの一種以上とテトライソプロポキシチタンを反応させてジイソプロポキシジハロゲノチタンを調製し、次いでこれにＭＳ（モレキュラーシーブ^TM）４Ａの存在下、光学活性なビナフトールを加えて反応させることにより調製することができる。四ハロゲン化チタンとしては、テトラクロロチタン、テトラブロモチタン、テトラヨードチタンなどが使用される。光学活性なビナフトールにはＳ体およびＲ体の２種類があるので、それにともなって調製される光学活性ビナフトール−チタン錯体もＳ体およびＲ体の２種類が存在するが、これらは目的とする生成物の絶対配置に応じて適宜使い分ければよい。
【００２５】
本発明においては、以上のような一般式［Ｉ］で示される光学活性ビナフトール−チタン錯体を触媒として用い、一般式［ＩＩ］で示される化合物と一般式［ＩＩＩ］で示されるハロゲン化アセトアルデヒドとを反応させることにより一般式［ＩＶ］で示される光学活性フリーデル−クラフト反応生成物類を容易に、かつ、効率よく製造することができる。
【００２６】
本発明において使用される一般式［ＩＩＩ］で示されるハロゲン化アセトアルデヒドとしては、具体的にはトリフルオロアセトアルデヒド、クロロジフルオロアセトアルデヒド、ブロモジフルオロアセトアルデヒド、ジクロロフルオロアセトアルデヒド、ブロモクロロフルオロアセトアルデヒド、ジブロモフルオロアセトアルデヒド、トリクロロアセトアルデヒド、ブロモジクロロアセトアルデヒド、ジブロモクロロアセトアルデヒド、トリブロモアセトアルデヒド、ジフルオロアセトアルデヒド、クロロフルオロアセトアルデヒド、ブロモフルオロアセトアルデヒド、ジクロロアセトアルデヒド、ブロモクロロアセトアルデヒド、ジブロモアセトアルデヒド、フルオロアセトアルデヒド、クロロアセトアルデヒド、ブロモアセトアルデヒドが挙げられる。また、本発明の方法においては、これらのハロゲン化アセトアルデヒドの水和物またはヘミアセタールも上記ハロゲン化アルデヒドと同様に使用できる。
【００２７】
本発明の光学活性フリーデル−クラフト反応生成物類の製造方法における上記の反応は、当モル反応であるため、一般式［ＩＩＩ］で示されるハロゲン化アセトアルデヒドは、通常、一般式［ＩＩ］で示される化合物１モルに対して、１モル以上使用すればよく、好ましくは１モル〜１００モル、さらに好ましくは１モル〜１０モル使用するのがよい。
【００２８】
また、本発明において不斉触媒として使用される上式［Ｉ］で示される光学活性ビナフトール−チタン錯体の使用量は、特に限定はないが、原料である一般式［ＩＩ］で示される化合物に対して０．１〜５０モル％とするのが好ましい。より好ましくは０．１〜３０モル％、さらに好ましくは０．１〜１０モル％である。
【００２９】
本発明の反応は、無溶媒で行ってもよいが、通常溶媒が使用され、使用される溶媒としては、例えばジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン化炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジオキサンなどのエーテル類、酢酸エチルなどのエステル類などを挙げることができる。
【００３０】
また、本発明の反応における反応温度は、−５０℃〜５０℃とするのが好ましい。より好ましくは−３０℃〜３０℃、さらに好ましくは−１０℃〜１０℃である。
【００３１】
本発明の製造方法においては、反応終了後、通常の後処理を行うことにより粗生成物を得ることができる。得られた粗生成物は、必要に応じて再結晶、カラムクロマトグラフィーなどの精製操作を行い、目的の一般式［ＩＶ］で示される光学活性フリーデル−クラフト反応生成物類を高収率、かつ、高い光学純度で得ることができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、実施例により、本発明の実施の形態を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００３３】
【実施例】
調製例１
（Ｒ）−１，１’−ビ−２−ナフトール［（Ｒ）−ＢＩＮＯＬ］（３６８ｍｇ、１．２８７ｍｍｏｌ）、ＴｉＣｌ₂（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）₂（３０５ｍｇ、１．２８７ｍｍｏｌ）およびモレキュラーシーブ^TM［ＭＳ４Ａ］（６．４３ｇ）を塩化メチレン（１２．９ｍｌ）に加え、アルゴン雰囲気下、室温で１時間撹拌した。撹拌終了後、トルエン（２０ｍｌ）を加え、遠心分離にかけ、セライトろ過した。ろ液を減圧下、乾燥し、（Ｒ）−ＢＩＮＯＬ−Ｔｉ触媒を得た。
【００３４】
調製例２
（Ｒ）−ＢＩＮＯＬの代わりに（Ｒ）−（−）−６，６’−ジブロモ−１，１’−ビ−２−ナフトールを使用して調製例１と同様の方法により、（Ｒ）−６，６’−Ｂｒ₂−ＢＩＮＯＬ−Ｔｉ触媒を得た。
【００３５】
実施例１
（Ｒ）−ＢＩＮＯＬ−Ｔｉ触媒（１９．７ｍｇ、０．０４９ｍｍｏｌ、０．２ｅｑ）と下記式
【００３６】
【化２２】

【００３７】
で示されるビニルエーテル（３９．９ｍｇ、０．２４６ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ、Ｅ／Ｚ＝１／１）を塩化メチレン（１．４８ｍｌ）に加え、アルゴン雰囲気下、氷冷下で過剰量のフルオラールを吹き込み、同温度で３０分間撹拌した。撹拌終了後、水を加え、塩化メチレンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮することによって粗体を得た。粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン：ヘキサン＝３：２）に付し、下記式
【００３８】
【化２３】

【００３９】
で示されるフリーデル−クラフト反応生成物を得た（収率：６４％、Ｅ／Ｚ＝５／１、Ｅ体の不斉収率：８５％ｅ．ｅ．（Ｒ体））。
¹Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、ｐｐｍ、ＣＤＣｌ₃）
Ｅ体：７．２（４Ｈ，ｍ，ａｒｏｍａｔｉｃ），４．９（１Ｈ，ｑ，ＣＦ₃ＣＨＯＨ），３．８（１Ｈ，ｄ，ＣＦ₃ＣＨＯＨ），３．３（３Ｈ，ｓ，ＣＨ ₃ Ｏ），２．４（３Ｈ，ｓ，ＣＨ ₃ −ａｒｏｍａｔｉｃ），１．７（３Ｈ，ｓ，ｖｉｎｙｌｉｃ−ＣＨ ₃ ）
Ｚ体：７．２（４Ｈ，ｍ，ａｒｏｍａｔｉｃ），４．４（１Ｈ，ｑ，ＣＦ₃ＣＨＯＨ），３．３（３Ｈ，ｓ，ＣＨ ₃ Ｏ），２．４（３Ｈ，ｓ，ＣＨ ₃ −ａｒｏｍａｔｉｃ），２．０（１Ｈ，ｄ，ＣＦ₃ＣＨＯＨ），１．９（３Ｈ，ｓ，ｖｉｎｙｌｉｃ−ＣＨ ₃ ）
Ｅ体の不斉収率は、酸加水分解物をキラルＨＰＬＣにより測定した。
キラルＨＰＬＣ条件
Ｄａｉｃｅｌ、ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ ＡＳ、ヘキサン：イソプロパノール＝９８：２、０．８ｍｌ／ｍｉｎ、２５４ｎｍ、保持時間；スレオ／Ｓ：１１ｍｉｎ，Ｒ：３８ｍｉｎ，エリスロ／Ｒ：１４ｍｉｎ，Ｓ：２５ｍｉｎ
実施例２
（Ｒ）−ＢＩＮＯＬ−Ｔｉ触媒（９．９ｍｇ、０．０２５ｍｍｏｌ、０．１ｅｑ）と下記式
【００４０】
【化２４】

【００４１】
示されるビニルエーテル（３３．０ｍｇ、０．２４６ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）を塩化メチレン（１．４８ｍｌ）に加え、アルゴン雰囲気下、氷冷下で過剰量のフルオラールを吹き込み、同温度で３０分間撹拌した。撹拌終了後、水を加え、塩化メチレンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮することによって粗体を得た。粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン：ヘキサン＝３：２）に付し、下記式
【００４２】
【化２５】

【００４３】
で示されるフリーデル−クラフト反応生成物を得た（収率：５４％、Ｅ／Ｚ＝１／２、Ｅ体とＺ体の混合物（Ｅ／Ｚ＝１／２）の不斉収率：７２％ｅ．ｅ．（Ｒ体））。
¹Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、ｐｐｍ、ＣＤＣｌ₃）
Ｚ体：７．４（５Ｈ，ｍ，ａｒｏｍａｔｉｃ），４．８（１Ｈ，ｄ，ｖｉｎｙｌｉｃ−Ｈ）、４．５（１Ｈ，ｍ，ＣＦ₃ＣＨＯＨ），３．８（３Ｈ，ｓ，ＣＨ ₃ Ｏ），２．０（１Ｈ，ｄ，ＣＦ₃ＣＨＯＨ）
Ｅ体：７．４（５Ｈ，ｍ，ａｒｏｍａｔｉｃ），５．２（１Ｈ，ｄ，ｖｉｎｙｌｉｃ−Ｈ）、５．０（１Ｈ，ｍ，ＣＦ₃ＣＨＯＨ），３．６（３Ｈ，ｓ，ＣＨ ₃ Ｏ），２．９（１Ｈ，ｄ，ＣＦ₃ＣＨＯＨ）
Ｅ体とＺ体の混合物の不斉収率は、酸加水分解物をキラルＨＰＬＣにより測定した。
キラルＨＰＬＣ条件
Ｄａｉｃｅｌ、ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ ＯＤ−Ｈ、ヘキサン：イソプロパノール＝９５：５、０．８ｍｌ／ｍｉｎ、２５４ｎｍ、保持時間；Ｓ：１２ｍｉｎ，Ｒ：１４ｍｉｎ
実施例３
（Ｒ）−６，６’−Ｂｒ₂−ＢＩＮＯＬ−Ｔｉ触媒（２７．０ｍｇ、０．０４９ｍｍｏｌ、０．２ｅｑ）と下記式
【００４４】
【化２６】

【００４５】
で示されるビニルエーテル（３３．０ｍｇ、０．２４６ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）を塩化メチレン（１．４８ｍｌ）に加え、アルゴン雰囲気下、氷冷下で過剰量のフルオラールを吹き込み、同温度で３０分間撹拌した。撹拌終了後、水を加え、塩化メチレンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮することによって粗体を得た。粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン：ヘキサン＝３：２）に付し、下記式
【００４６】
【化２７】

【００４７】
で示されるフリーデル−クラフト反応生成物を得た（収率：４８％、Ｅ／Ｚ＝１／２、Ｅ体とＺ体の混合物（Ｅ／Ｚ＝２／３）の不斉収率：５８％ｅ．ｅ．（Ｒ体））。
¹Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、ｐｐｍ、ＣＤＣｌ₃）
Ｚ体：７．４（５Ｈ，ｍ，ａｒｏｍａｔｉｃ），４．８（１Ｈ，ｄ，ｖｉｎｙｌｉｃ−Ｈ）、４．５（１Ｈ，ｍ，ＣＦ₃ＣＨＯＨ），３．８（３Ｈ，ｓ，ＣＨ ₃ Ｏ），２．０（１Ｈ，ｄ，ＣＦ₃ＣＨＯＨ）
Ｅ体：７．４（５Ｈ，ｍ，ａｒｏｍａｔｉｃ），５．２（１Ｈ，ｄ，ｖｉｎｙｌｉｃ−Ｈ）、５．０（１Ｈ，ｍ，ＣＦ₃ＣＨＯＨ），３．６（３Ｈ，ｓ，ＣＨ ₃ Ｏ），２．９（１Ｈ，ｄ，ＣＦ₃ＣＨＯＨ）
Ｅ体とＺ体の混合物の不斉収率は、酸加水分解物をキラルＨＰＬＣにより測定した。
キラルＨＰＬＣ条件
Ｄａｉｃｅｌ、ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ ＯＤ−Ｈ、ヘキサン：イソプロパノール＝９５：５、０．８ｍｌ／ｍｉｎ、２５４ｎｍ、保持時間；Ｓ：１２ｍｉｎ，Ｒ：１４ｍｉｎ
実施例４
（Ｒ）−ＢＩＮＯＬ−Ｔｉ触媒（２５．３ｍｇ、０．０６３ｍｍｏｌ、０．２ｅｑ）と下記式
【００４８】
【化２８】

【００４９】
で示されるシリルエノールエーテル（８２．９ｍｇ、０．３１６ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）を塩化メチレン（１．９０ｍｌ）に加え、アルゴン雰囲気下、氷冷下で過剰量のフルオラールを吹き込み、同温度で３０分間撹拌した。撹拌終了後、水を加え、塩化メチレンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮することによって粗体を得た。粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン：ヘキサン＝３：２）に付し、下記式
【００５０】
【化２９】

【００５１】
で示されるフリーデル−クラフト反応生成物を得た（収率：７７％、Ｚ／Ｅ＝６／１、Ｚ体の不斉収率：９４％ｅ．ｅ．（Ｒ体）、Ｅ体の不斉収率：６６％ｅ．ｅ．（Ｒ体））。
¹Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、ｐｐｍ、ＣＤＣｌ₃）
Ｚ体：７．２（４Ｈ，ｍ，ａｒｏｍａｔｉｃ），４．６（１Ｈ，ｑ，ＣＦ₃ＣＨＯＨ），２．４（３Ｈ，ｓ，ＣＨ ₃ −ａｒｏｍａｔｉｃ），２．０ （１Ｈ，ｄ，ＣＦ₃ＣＨＯＨ），１．８（３Ｈ，ｓ，ｖｉｎｙｌｉｃ−ＣＨ ₃ ），０．９（９Ｈ，ｓ，Ｓｉｔ−ＢｕＭｅ₂），−０．１６（３Ｈ，ｓ，Ｓｉｔ−ＢｕＭｅ ₂），−０．２４（３Ｈ，ｓ，Ｓｉｔ−ＢｕＭｅ ₂）
Ｅ体：７．２（４Ｈ，ｍ，ａｒｏｍａｔｉｃ），５．３（１Ｈ，ｑ，ＣＦ₃ＣＨＯＨ），２．７（１Ｈ，ｄ，ＣＦ₃ＣＨＯＨ），２．４（３Ｈ，ｓ，ＣＨ ₃ −ａｒｏｍａｔｉｃ），１．６（３Ｈ，ｓ，ｖｉｎｙｌｉｃ−ＣＨ ₃ ），０．９（９Ｈ，ｓ，Ｓｉｔ−ＢｕＭｅ₂），−０．２（６Ｈ，ｓ，Ｓｉｔ−ＢｕＭｅ ₂ ）
また、Ｚ体およびＥ体の不斉収率は、酸加水分解物をキラルＨＰＬＣにより測定した。
キラルＨＰＬＣ条件
Ｄａｉｃｅｌ、ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ ＡＳ、ヘキサン：イソプロパノール＝９８：２、０．８ｍｌ／ｍｉｎ、２５４ｎｍ、保持時間；スレオ／Ｓ：１１ｍｉｎ，Ｒ：３８ｍｉｎ，エリスロ／Ｒ：１４ｍｉｎ，Ｓ：２５ｍｉｎ
実施例５
（Ｒ）−ＢＩＮＯＬ−Ｔｉ触媒（１２．９ｍｇ、０．０３２ｍｍｏｌ、０．１ｅｑ）と下記式
【００５２】
【化３０】

【００５３】
で示されるシリルエノールエーテル（７５．５ｍｇ、０．３２３ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ）を塩化メチレン（１．９４ｍｌ）に加え、アルゴン雰囲気下、氷冷下で過剰量のフルオラールを吹き込み、同温度で３０分間撹拌した。撹拌終了後、水を加え、塩化メチレンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮することによって粗体を得た。粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン：ヘキサン＝３：２）に付し、下記式
【００５４】
【化３１】

【００５５】
で示されるフリーデル−クラフト反応生成物を得た（収率：３４％、Ｅ／Ｚ＝１／４、Ｚ体の不斉収率：９８％ｅ．ｅ．（Ｒ体）、Ｅ体の不斉収率：８０％ｅ．ｅ．（Ｒ体））。
¹Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、ｐｐｍ、ＣＤＣｌ₃）
Ｚ体：７．３〜７．５（５Ｈ，ｍ，ａｒｏｍａｔｉｃ），５．１（１Ｈ，ｄ，ｖｉｎｙｌｉｃ−ＣＨ），４．５（１Ｈ，ｄ−ｑｕｉｎ，ＣＦ₃ＣＨＯＨ），２．０（１Ｈ，ｄ，ＣＦ₃ＣＨＯＨ），０．９（９Ｈ，ｓ，Ｓｉｔ−ＢｕＭｅ₂），０．１（３Ｈ＊２，ｓ＊２，Ｓｉｔ−ＢｕＭｅ ₂ ）
Ｅ体：７．３〜７．５（５Ｈ，ｍ，ａｒｏｍａｔｉｃ），５．２（１Ｈ，ｄ，ｖｉｎｙｌｉｃ−ＣＨ），５．０（１Ｈ，ｄ−ｑｕｉｎ，ＣＦ₃ＣＨＯＨ），２．２（１Ｈ，ｄ，ＣＦ₃ＣＨＯＨ），１．０（９Ｈ，ｓ，Ｓｉｔ−ＢｕＭｅ₂），０．０（３Ｈ，ｓ，Ｓｉｔ−ＢｕＭｅ ₂），−０．１（３Ｈ，ｓ，Ｓｉｔ−ＢｕＭｅ ₂）
また、Ｚ体およびＥ体の不斉収率は、酸加水分解物をキラルＨＰＬＣにより測定した。
キラルＨＰＬＣ条件
Ｄａｉｃｅｌ、ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ ＯＤ−Ｈ、ヘキサン：イソプロパノール＝９５：５、０．８ｍｌ／ｍｉｎ、２５４ｎｍ、保持時間；Ｓ：１２ｍｉｎ，Ｒ：１４ｍｉｎ
実施例６
（Ｒ）−ＢＩＮＯＬ−Ｔｉ触媒（９．１ｍｇ、０．０２３ｍｍｏｌ、０．０１ｅｑ）と下記式
【００５６】
【化３２】

【００５７】
で示される化合物（６２３．２ｍｇ、２．２５８ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ、）を塩化メチレン（１４．５ｍｌ）に加え、アルゴン雰囲気下、氷冷下で過剰量のフルオラールを吹き込み、同温度で３０分間撹拌した。撹拌終了後、飽和炭酸水素ナトリウム溶液を加え、塩化メチレンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮することによって粗体を得た。粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１０）に付し、下記式
【００５８】
【化３３】

【００５９】
で示されるフリーデル−クラフト反応生成物を得た（収率：９０％、Ｚ／Ｅ＝５／１、Ｚ体の不斉収率：９６％ｅ．ｅ．（Ｒ体））。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、ｐｐｍ、ＣＤＣｌ3）
Ｅ体：７．４−７．５（２Ｈ，ｍ）、７．３−７．４（３Ｈ，ｍ）、５．０−５．１（２Ｈ，ｍ）、２．１（１Ｈ，ｄ）、１．０−１．１（２１Ｈ，ｍ）
Ｚ体：７．５（２Ｈ，ｍ）、７．４（３Ｈ，ｍ）、５．１（１Ｈ，ｄ）、４．５（１Ｈ，ｍ）、２．０（１Ｈ，ｄ）、１．２（３Ｈ，ｍ）、１．１ （９Ｈ＊２，ｄ＊２）
また、Ｅ体の不斉収率は、酸加水分解物をキラルＨＰＬＣにより測定した。
キラルＨＰＬＣ条件
Ｄａｉｃｅｌ、ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ ＯＤ−Ｈ、ヘキサン：イソプロパノール＝９５：５、０．８ｍｌ／ｍｉｎ、２５４ｎｍ、保持時間；Ｓ：１２ｍｉｎ，Ｒ：１４ｍｉｎ
実施例７
（Ｒ）−ＢＩＮＯＬ−Ｔｉ触媒（８０．６ｍｇ、０．２ｍｍｏｌ、０．２ｅｑ）と下記式
【００６０】
【化３４】

【００６１】
で示されるビニルエーテル（１１２ｍｇ、１ｍｍｏｌ、１．０ｅｑ、Ｅ／Ｚ＝１／１）を塩化メチレン（６ｍｌ）に加え、アルゴン雰囲気下、氷冷下で過剰量のフルオラールを吹き込み、同温度で３０分間撹拌した。撹拌終了後、水を加え、塩化メチレンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮することによって粗体を得た。粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン：ヘキサン＝３：２）に付し、下記式
【００６２】
【化３５】

【００６３】
で示されるフリーデル−クラフト反応生成物を得た（収率：５２％、Ｚ体１００％、不斉収率：４３％ｅ．ｅ．（Ｒ体））。
¹Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ、ｐｐｍ、ＣＤＣｌ₃）４．６（１Ｈ，ｑｕｉｎ），３．９（１Ｈ，ｄ），３．６（３Ｈ，ｓ）， １．９−２．３（４Ｈ，ｍ），１．４−１．８（４Ｈ，ｍ）
【００６４】
【発明の効果】
本発明の製造方法により、医薬品、農薬あるいは各種機能材料などの製造中間体として有用な化合物である一般式［ＩＶ］で示される光学活性フリーデル−クラフト反応生成物類を非常に容易に、効率よく、かつ、高い光学純度で製造することができる。

Claims (11)

1. 光学活性ビナフトール−チタン錯体の存在下、一般式［ＩＩ］
   

   

   ［式中、Ｒはメチル基または（Ｒ³）₃Ｓｉ−基を表し、Ｒ³はそれぞれ同一かまたは異なる炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ¹はフェニル基またはトリル基を表し、Ｒ²は水素原子またはメチル基を表す。Ｒ¹とＲ²は一緒になってテトラメチレン基を形成してもよい。］で示される化合物と一般式［ＩＩＩ］
   

   

   ［式中、Ｘは水素、フッ素、塩素または臭素を表し、３つのＸは互いに同一でも異なっていてもよいが、すべて同時に水素となることはない。］で示されるハロゲン化アセトアルデヒドとを反応させることを特徴とする一般式［ＩＶ］
   

   

   ［式中、Ｒはメチル基または（Ｒ³）₃Ｓｉ−基を表し、Ｒ³はそれぞれ同一かまたは異なる炭素数１〜４の低級アルキル基を表し、Ｒ¹はフェニル基またはトリル基を表し、Ｒ²は水素原子またはメチル基を表す。Ｒ¹とＲ²は一緒になってテトラメチレン基を形成してもよい。また、Ｘは水素、フッ素、塩素または臭素を表し、３つのＸは互いに同一でも異なっていてもよいが、すべて同時に水素となることはない。］で示される光学活性フリーデル−クラフト反応生成物類の製造方法。
2. Ｒ³がそれぞれ同一かまたは異なるメチル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基から選ばれる基であることを特徴とする、請求項１記載の光学活性フリーデル−クラフト反応生成物類の製造方法。
3. Ｒ，Ｒ¹，Ｒ²の組み合わせが、次の（１）〜（６）の何れかであることを特徴とする、請求項１記載の光学活性フリーデル−クラフト反応生成物類の製造方法。
   （１）Ｒがメチル基、Ｒ¹がトリル基、Ｒ²がメチル基である。
   （２）Ｒがメチル基、Ｒ¹がフェニル基、Ｒ²が水素である。
   （３）Ｒが（ＣＨ₃）₂（ｔ−Ｃ₄Ｈ₉）Ｓｉ−基、Ｒ¹がトリル基、Ｒ²がメチル基である。
   （４）Ｒが（ＣＨ₃）₂（ｔ−Ｃ₄Ｈ₉）Ｓｉ−基、Ｒ¹がフェニル基、Ｒ²が水素である。
   （５）Ｒが（ｉ−Ｃ₃Ｈ₇）₃Ｓｉ−基、Ｒ¹がフェニル基、Ｒ²が水素である。
   （６）Ｒがメチル基であり、Ｒ¹とＲ²がつながってテトラメチレン基を形成する。
4. 光学活性ビナフトール−チタン錯体が、一般式［Ｉ］
   

   

   ［式中、ＸおよびＸ’は一緒になって次の基
   

   

   を表すか、あるいは、それぞれハロゲン原子、ＯＴｆ、Ｎ（Ｔｆ）₂またはＣ（Ｔｆ）₃〔Ｔｆは−ＳＯ₂Ｒｆ（Ｒｆはフッ素原子またはトリフルオロメチル基を表す。）〕を表し、ＹおよびＹ’はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、ＣＮ、ＳＯ₂Ｒ⁶（Ｒ⁶はフェニル基を表す。）または
   

   

   〔Ｒ⁷は水素原子またはフェニル基を表す。］で示される光学活性ビナフトール−チタン錯体である請求項１乃至請求項３の何れかに記載の製造方法。
5. 光学活性ビナフトール−チタン錯体が、四ハロゲン化チタン（ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素をいう）とメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノールから選ばれるアルコール、またはメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノールから選ばれるアルコールのテトラアルコキシチタンを反応させて得られた反応液、またはメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノールから選ばれるアルコールのアルコキシハロゲノチタン（ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素をいう）に、光学活性な一般式［Ｖ］
   

   

   （式中、ＹおよびＹ’はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、ＣＮ、ＳＯ₂Ｒ⁶（Ｒ⁶はフェニル基を表す。）または
   

   

   〔Ｒ⁷は水素原子、フェニル基を表す。］で表されるビナフトールを加えて反応させることにより得られる光学活性ビナフトール−チタン錯体である請求項１乃至請求項３の何れかに記載の製造方法。
6. 光学活性ビナフトール−チタン錯体が、四ハロゲン化チタン（ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素をいう）とイソプロパノールまたはテトライソプロポキシチタンを反応させて得られた反応液、またはジイソプロポキシジハロゲノチタン（ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素をいう）に、光学活性な一般式
   

   

   （式中、ＹおよびＹ’はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、ＣＮ、ＳＯ₂Ｒ⁶（Ｒ⁶はフェニル基を表す。）または
   

   

   〔Ｒ⁷は水素原子、フェニル基を表す。］で表されるビナフトールを加えて反応させることにより得られる光学活性ビナフトール−チタン錯体である請求項１乃至請求項３の何れかに記載の製造方法。
7. 光学活性ビナフトール−チタン錯体が、一般式［Ｖ］で表されるナフトールを反応させる際に反応系にゼオライトを存在させて得られた光学活性ビナフトール−チタン錯体である請求項１乃至請求項３の何れかに記載の製造方法。
8. 光学活性ビナフトール−チタン錯体が、一般式［Ｖ］で表されるナフトールを反応させる際に反応系に溶媒を存在させて得られた光学活性ビナフトール−チタン錯体である請求項１乃至請求項３の何れかに記載の製造方法。
9. 一般式［ＩＶ］
   

   

   ［式中、Ｒはメチル基または（Ｒ³）₃Ｓｉ−基を表し、Ｒ³はそれぞれ同一かまたは異なる炭素数１〜４の低級アルキル基を表し、Ｒ¹はフェニル基またはトリル基を表し、Ｒ²は水素原子またはメチル基を表す。Ｒ¹とＲ²は一緒になってテトラメチレン基を形成してもよい。また、Ｘは水素、フッ素、塩素または臭素を表し、３つのＸは互いに同一でも異なっていてもよいが、すべて同時に水素となることはない。］で示される光学活性化合物。
10. Ｒ³がそれぞれ同一かまたは異なるメチル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基から選ばれる基であることを特徴とする、請求項９記載の光学活性フリーデル−クラフト反応生成物。
11. Ｒ，Ｒ¹，Ｒ²の組み合わせが、次の（１）〜（６）の何れかであることを特徴とする、請求項９記載の光学活性フリーデル−クラフト反応生成物。
    （１）Ｒがメチル基、Ｒ¹がトリル基、Ｒ²がメチル基である。
    （２）Ｒがメチル基、Ｒ¹がフェニル基、Ｒ²が水素である。
    （３）Ｒが（ＣＨ₃）₂（ｔ−Ｃ₄Ｈ₉）Ｓｉ−基、Ｒ¹がトリル基、Ｒ²がメチル基である。
    （４）Ｒが（ＣＨ₃）₂（ｔ−Ｃ₄Ｈ₉）Ｓｉ−基、Ｒ¹がフェニル基、Ｒ²が水素である。
    （５）Ｒが（ｉ−Ｃ₃Ｈ₇）₃Ｓｉ−基、Ｒ¹がフェニル基、Ｒ²が水素である。
    （６）Ｒがメチル基であり、Ｒ¹とＲ²がつながってテトラメチレン基を形成する。