JP3691404B2 - 微小寸法測定装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学顕微鏡とＣＣＤカメラ等の二次元イメージセンサを利用して、磁気ヘッドトラック幅，半導体ウェハ生成用マスクの線幅等の微小寸法を非接触で測定する微小線幅測定装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
基本的な微小寸法測定装置の構成は、図５に示すように、光学顕微鏡２３で投影された被写体（被測定物）２の空間像をＣＣＤカメラ２７で撮像し、寸法測定演算処理装置２８で所望部分の寸法を電気的（映像信号の波形処理）に測定し、ＴＶモニタ１に被測定物２の画像と寸法測定値を表示するものがある。ここで、寸法測定演算処理装置２８はＣＰＵ２８０、ＲＯＭ２８１、フレームメモリ２８２、Ｚ軸モータ駆動パルス発生部２８３、映像ピーク検出回路２８４、ＤＣモータ駆動パルス発生部２８５で構成されている。
【０００３】
被測定物２を、ＸＹステージ２０上に搭載し、顕微鏡の視野に移動する。移動はＣＰＵ２８０がステージ制御部２９へＲＳ−２３２Ｃ回線を介して命令する。被写体２の焦点方向の移動は、ＣＰＵ２８０がＺ軸モータ駆動パルス発生部２８３に命令し、Ｚ軸移動モータ２２を駆動し、Ｚ軸ステージ２１を上下移動させ、合焦点を得る。
【０００４】
ＣＣＤカメラ２７への入射光量の最適化は、映像ピーク検出回路２８４で所定範囲の映像信号の輝度ピーク値を検出し、ＤＣモータ駆動パルス発生部２８５で、図示していない基準値と比較し、その出力により、ＤＣモータ２６を駆動し、減光機構２５を制御し、光量を調整する。
【０００５】
図６は、図５のＣＣＤカメラ２７で撮像した被測定物２のＴＶモニタ1とＴＶモニタ1における測定対象走査線６（Ｌｉ）上のフレームメモリ２８２（図５）で得られる輝度分布である。５はポール面を示す。測定対象走査線６（Ｌｉ）の輝度分布は、走査線６（Ｌｉ）に対応する映像信号をＮ分解した各画素位置と、それぞれの輝度により、寸法を求めるが、輝度分布６０における最大輝度レベル６１を１００％とし、最小輝度レベル６２を０％とし、５０％の輝度レベル６３に相当するａ番目の位置の画素とｂ番目の位置の画素間の位置差Ｎａｂを求め、この位置差Ｎａｂに、この時の光学顕微鏡２３の測定倍率とＣＣＤカメラ２７の受光サイズから求めた係数ｋを乗じて、対応する被測定物２の寸法値Ｘを求めていた。これを便宜上エッジ認識法と呼ぶ。
Ｘ＝ｋ×Ｎａｂ
一方、寸法測定の最小寸法限界は、光学顕微鏡の分解能となる。ここで、分解能αは、
α＝λ／（２×Ｎａｂ）、 λ：波長 ＮＡ：対物レンズの開口数
であらわされる。
【０００６】
図７は光学顕微鏡の分解能αと輝度分布の関係図である。図７において、３４は２α幅の白線輝度分布であり、３７は最小輝度レベル、３８は最大輝度レベル（ＶＨ）、４１はスレッシュホールドレベルである。また、３５はα幅の白線輝度分布であり、３９は最大輝度レベル、４２はスレッシュホールドレベルである。また、３６はα幅未満の白線輝度分布であり、４０は最大輝度レベル、４３はスレッシュホールドレベルである。図７に示すように、２α幅の白線輝度分布３４，α幅の白線輝度分布３５，α幅未満の白線輝度分布３６のエッジ認識法での寸法は、５３，５４，５５となり、５３＞５４であるが、５４と５５の大小が判別つかなくなり、α幅未満の白線輝度分布は測定不能である。
【０００７】
また、図７において、４４は２α幅の黒線輝度分布であり、４７は最小輝度レベル、５０はスレッシュホールドレベルである。また、４５はα幅の黒線輝度分布であり、４８は最小輝度レベル、５１はスレッシュホールドレベルである。また、４６はα幅未満の黒線輝度分布であり、４９は最小輝度レベル、５２はスレッシュホールドレベルである。図７に示すように、２α幅の黒線輝度分布４４，α幅の黒線輝度分布４５，α幅未満の黒線輝度分布４６のエッジ認識法での寸法は、５６，５７，５８となり、５６＞５７であるが、５７と５８の大小が判別つかなくなり、α幅未満の黒線は測定不能である。
【０００８】
ここで、光学顕微鏡の分解能αは、
対物レンズ１００倍の開口数は、ＮＡ＝０．９５で，
可視光顕微鏡を使用時、光源波長λ＝０．５５μｍ時に、α＝０．２９μｍ
紫外光顕微鏡を使用時、光源波長λ＝０．３６５μｍ時に、α＝０．１９μｍ
深紫外光顕微鏡を使用時、光源波長λ＝０．２４８μｍ時に、α＝０．１３μ
ｍが限界となる。
【０００９】
この課題を解決するために、特公平６−１０３１６８号公報（特許第１９６７４８９号）の方法がすでに提案されている。
【００１０】
図８は、この従来の微小寸法の測定を説明する図である。図８は、図５に示すＣＣＤカメラ２７で被測定物２を撮像し、寸法測定をする１走査線に対応する映像信号を、寸法測定演算処理装置２８に取込み、図示していないＡ／Ｄコンバータでその輝度レベルをデジタル化し、これを一連の記憶素子であるフレームメモリ２８２に画素単位で記憶させたときの各画素位置における輝度レベル特性を示したものである。ここで、フレームメモリ２８２上の画素番地を０〜Ｎ番地、ｉ番地の輝度レベルをＶｉとする。そして記憶された輝度レベル６０の最大値６１を１００％レベル、最小値６２を０％レベルとし、スレッシュホールドレベルＴＬ６３の値を、例えば５０％レベルに定め、このスレッシュホールドレベルＴＬ６３と同じ輝度レベルの画素ａ，ｂの番地を求める。そして、画素ａ，ｂ間の全ての番地の輝度レベル（スレッシュホールドレベルＴＬ以上の輝度）を加算し、画素ａ，ｂ間の輝度レベルＶｉの積分値Ｓを次式により得る。
【００１１】
【数１】
ここで、この積分値Ｓは、被測定物２の実寸法と密接な比例関係がある。そこで、このＳに顕微鏡２３の光学倍率等によって決まる，あらかじめ算出した係数ｋを乗じて、被測定物２の測定寸法値Ｘを次の如くして得る。
【００１２】
【数２】
以上の説明は、顕微鏡の分解能α以下の場合の寸法測定方法であり、分解能α以上の寸法測定においては従来の被測定物画像の輪郭間の位置差に基づく測定寸法を併用することにより、この従来の測定寸法は、分解能α以上からα以下までの被測定物の寸法測定において、図９に示すように、エッジ検出成分だけの測定値特性７０に比較して理想寸法値特性７１に、より近づいた測定値特性７２となる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
この従来の微小寸法の測定は、長年の実測の結果、下記のことが判明した。すなわち、被測定物がギャップ長等の黒い幅の線を測定する場合には、α／３幅まで、実際の寸法値（測長ＳＥＭで測定した値）と相関性がとれていることが既に確立されている。しかしながら、被測定物がトラック等の白い幅の線を測定する場合には、輪郭間の位置差と輝度積分値だけでは、α／２幅近辺で、実際の寸法値（測長ＳＥＭで測定した値）と相関性がないことがある。
【００１４】
一例として、図１０で説明する。図１０は、紫外光顕微鏡を使用した時の、分解能αと輝度分布の関係図である。
光源波長λ＝０．３６５μｍ時に、α＝０．１９μｍであり、白線輝度分布の測定の場合、２α幅の白線輝度分布３４，α幅の白線輝度分布３５，２α／３幅の白線輝度分布３６，α／２幅の白線輝度分布８０は、図１０のようになり、その時の、実際の寸法値と従来の測定値は、図１０に記載のようになる。この結果、２α／３幅の白線輝度分布３６が０．１３μｍであるのに対し、α／２幅白線８０が０．１５μｍの測定値となり、大小関係が逆転しており、測定不能である。
【００１５】
本発明の目的は、光顕微鏡の分解能以下の被測定物に対しても測定をより可能とする微小寸法測定装置を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記図１０において、α／２幅の白線輝度分布８０の最大輝度８１は、２α／３幅の白線輝度分布３６の最大輝度４０よりも低くなること、すなわち白線の幅が小さくなるに従い最大輝度Ｖｍａｘも低くなることから、従来の測定値Ｘに、最大輝度Ｖｍａｘを乗じ、α幅以上の白線輝度分布３４の最大輝度ＶＨで除することにより、実際の寸法値と相関性のとれた測定値が得られることを見い出した。これにより、白線(α)＞白線(α／２)＞白線(α／３)＞白線(α／４）の関係の測定値が提供可能となる。
測定値＝Ｘ×（Ｖｍａｘ／ＶＨ）
本発明の測定によれば、図１０に記載のように、２α／３幅の白線輝度分布３６が０．１２μｍ、α／２幅白線８０が０．０９５μｍの測定値となり、実際の寸法値と同じである。
【００１７】
すなわち、本発明は、光学顕微鏡とイメージセンサを用いて、被測定物を撮像し、得られた映像信号から所定の輝度レベルの一致する２点の信号位置を抽出し、この２点間の位置情報に基づき前記被測定物の寸法を算出測定する微小寸法測定装置において、前記２点間の位置の差と、基準となる最大輝度に対する前記２点間の最大輝度の比率との乗算に基づき、前記被測定物の寸法を測定することを特徴とする微小寸法測定装置である。
【００１８】
本発明は、前記被測定物が磁気ヘッドのトラック幅であることを特徴とする微小寸法測定装置である。
【００１９】
本発明は、前記被測定物が半導体ウェハ生成用マスクの線幅であることを特徴とする微小寸法測定装置である。
【００２０】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の第１の実施の形態による被測定物が磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）のトラック幅測定の場合で、図５の基本的な微小寸法測定装置で撮像したＴＶモニタ１の画像である。
【００２１】
ＴＶモニタにおいて、上部シールド面３と下部シールド面４とポール面５が明るくて白に、周辺が暗くて黒く映る。シールド面の幅は、分解能α以上での最大輝度を得るために、十分広く、そこの最大輝度を基準となる最大輝度ＶＨとし記憶し、測定ライン６上の白線の幅であるトラック幅７を測定する時に使用する。ここで、測定ライン６は、指定位置の上下１０ライン分６'とする。
【００２２】
図２は、図１のトラック幅寸法測定過程を説明するフローチャート図である。
（１）ステップ１００：上部シールド面水平中心線検出
画面の輝度を水平方向に加算して垂直プロジェクション像８が得られる。この垂直プロジェクション像８の上から下への所定スレッシュホールドレベルを超す点ａを検出し、さらに下側に白が黒方向に立下りかつ最大白レベルよりノイズレベルだけ下がった点ｂを検出する。
（２）ステップ１１０：ポール面垂直中心線検出
ａ点から上側の画面の輝度を垂直方向に加算して水平プロジェクション像９が得られる。この水平プロジェクション像９の最大輝度を有す点ｃを検出する。
【００２３】
（３）ステップ１２０：測定基準座標検出
測定基準座標１０を（ｘ０，ｙ０）＝（ｃ，ａ）とする。
（４）ステップ１３０：ＶＨ検出
測定基準座標１０（ｘ０，ｙ０）と、予め設定していたｘ１，ｙ１から、４点１１１（ｘ０−ｘ１，ｙ０），１１２（ｘ０＋ｘ１，ｙ０），１１３（ｘ０−ｘ１，ｙ０＋ｙ１），１１４（ｘ０＋ｘ１，ｙ０＋ｙ１）で囲まれたＶＨ検出エリア１１をつくり、そのなかで、輝度の最大値ＶＨを求める。この最大値ＶＨは、ノイズ除去のため、最大値の周辺１０×１０画素の輝度の平均値とする。
【００２４】
（５）ステップ１４１：測定ライン数測定済か？
測定すべき測定ラインを全て測定していたら、ステップ１５０：測定値平均化へ行く。測定してないときは、ステップ１４２：測定ラインの最大最小輝度検出へ行く。
（６）ステップ１４２：測定ラインの最大最小輝度検出
測定ラインを測定すると、その画素−輝度特性は、図８の６０のようになり、その中の最大輝度６１と、最小輝度６２を求める。ノイズ防止対策として、最大輝度は最大輝度を有す画素とその周辺３画素の平均とする。最小輝度は最小輝度を有す画素とその周辺１０画素の平均とする。また、最大最小輝度の５０％の輝度レベル６３を算出する。
【００２５】
（７）ステップ１４４：左右のエッジ検出
従来の方法と同様に輝度レベル６３に相当するａ番目の位置の画素とｂ番目の位置の画素間の位置差Ｎａｂを求め、このＮａｂに、この時の光学顕微鏡２３の測定倍率とＣＣＤカメラ２７の受光サイズから求めた係数ｋを乗じて、対応する被測定物２の寸法値Ｘを求める。
Ｘ＝ｋ×Ｎａｂ
（８）ステップ１４６：寸法演算
寸法値Xは、測定ラインの最大輝度Ｖｍａｘと基準となる最大輝度ＶＨを用い、
Ｘ＝ｋ×Ｎａｂ（Ｖｍａｘ／ＶＨ）
を算出する。
【００２６】
（９）ステップ１４８：測定値記憶
寸法値Ｘを記憶し、ステップ１４１に戻る。
（１０）ステップ１５０：測定値平均化
全ての測定ラインの寸法値Ｘを平均化して、測定値とする。
（１１）ステップ１６０：測定値表示
測定値をＴＶモニタ１に表示し、作業者に結果を知らせると共に、記憶媒体ハードディスクに収納する。
【００２７】
以上、磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）トラック幅測定について説明したが、磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）トラック幅測定の場合は、上部シールド３において、基準輝度ＶＨが同一画面から求められる。次に、測定画面から常時、基準となる最大輝度ＶＨが得られない被測定物が半導体ウェハ生成用マスクの線幅の測定の実施の形態について、次に、説明する。
【００２８】
図３は、本発明の第２の実施の形態による被測定物が半導体ウェハ生成用マスクの線幅の測定の場合で、図５の基本的な微小寸法測定装置で撮像したＴＶモニタの画像である。図４は、図３の半導体ウェハ生成用マスクの線幅の測定過程を説明するフローチャート図である。この図３と図４により、基準マスクで最大輝度を得、基準となる最大輝度ＶＨを登録することにより測定可能となる。
【００２９】
図４の半導体ウェハ生成用マスクの線幅の測定過程は、次の通りである。
（１）ステップ２００：基準マスク測定移動
基準輝度ＶＨを登録できるような、十分広い基準マスク１２を、ＸＹステージ２０（図５）上に搭載し、光学顕微鏡２３の視野に移動する。移動はＣＰＵ２８０がステージ制御部２９へＲＳ−２３２Ｃ回線を介して命令する。被測定物２の焦点方向の移動は、ＣＰＵ２８０がＺ軸モータ駆動パルス発生部２８３に命令し、Ｚ軸移動モータ２２を駆動し、Ｚ軸ステージ２１を上下移動させ、合焦点を得る。その画像が図３（ａ）である。６は測定ライン、１１はＶＨ検出エリア、１２は輝度検出用白線（マスク）である。
【００３０】
（２）ステップ２０２：自動調光ＯＮ
ＣＣＤカメラ２７（図５）への入射光量の最適化は、映像ピーク検出回路２８４で所定範囲の映像信号の輝度ピーク値を検出し、ＤＣモータ駆動パルス発生部２８５で、図示していない基準値と比較し、その出力により、ＤＣモータ２６を駆動し、減光機構２５を制御し、光量を調整する。
（３）ステップ２０４：基準となる最大輝度ＶＨを記憶
ＶＨ検出エリアをつくり、そのなかで輝度の最大値ＶＨを求める。最大値ＶＨは、ノイズ除去のため,最大値の周辺１０×１０画素の輝度の平均値とし、記憶する。
【００３１】
（４）ステップ２０６：自動調光ホールド
ＤＣモータ２６と減光機構２５を停止させ、基準となる最大輝度ＶＨを得た照明光量を保つ。
（５）ステップ２１０：全測定終了かチェックする。
ＹＥＳならば、ステップ２２０：測定終了へ。ＮＯならば、ステップ１４０：測定へ。
【００３２】
（６）ステップ１４０：測定
図３（ｂ）の測定対象物（マスク）１３を、図２のステップ１４１からステップ１６０のルーチン１４０と同様に測定する。
（７）ステップ２１２：次の測定位置へ移動
ステップ２１０に戻る。
【００３３】
以上は、基準となる最大輝度ＶＨを登録できるような十分広い線幅と被測定対象線幅が１枚のマスクに混在している場合のフローチャートであるが、上記（１）から（４）の手順を、基準となる最大輝度ＶＨを登録できるような十分広い線幅を有するマスクで行い、減光機構２５を停止位置とし、基準となる最大輝度ＶＨを記憶しておき、測定対象マスクを上記（１）と同様に行い、上記（５），（６）で測定を行うことも可能である。
【００３４】
【発明の効果】
本発明によれば、光顕微鏡の分解能以下の被測定物に対しても測定をより可能とする微小寸法測定装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による被測定物が磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）のトラック幅測定の場合で、図５の基本的な微小寸法測定装置で撮像したＴＶモニタの画像である。
【図２】図１のトラック幅寸法測定過程を説明するフローチャート図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態による被測定物が半導体ウェハ生成用マスクの線幅の測定の場合で、図５の基本的な微小寸法測定装置で撮像したＴＶモニタの画像である。
【図４】図３の半導体ウェハ生成用マスクの線幅の測定過程を説明するフローチャート図である。
【図５】基本的な微小寸法測定装置の構成図である。
【図６】図５のＴＶモニタとＴＶモニタにおける輝度分布を示す図である。
【図７】光学顕微鏡の分解能αと輝度分布の関係図である。
【図８】従来の微小寸法の測定を説明する図である。
【図９】実際の寸法と従来の測定値の特性図である。
【図１０】実際の寸法値と従来の測定値と本発明の測定値の関係図である。
【符号の説明】
１：ＴＶモニタ、２：被測定物、３：上部シールド面、４：下部シールド面、５：ポール面、６：測定ライン、７：トラック幅、８：垂直プロジェクション像、９：水平プロジェクション像、１０：測定基準座標（ｘ０，ｙ０）、１１：ＶＨ検出エリア、１２：輝度検出用白線（マスク）、１３：測定対象物（マスク）、２０：ＸＹ軸ステージ、２１：Ｚ軸ステージ、２２：Ｚ軸移動モータ、２３：光学顕微鏡、２４：光源、２５：減光機構、２６：ＤＣモータ、２７：ＣＣＤカメラ、２８：寸法測定演算処理装置、２８０：ＣＰＵ、２８１：ＲＯＭ、２８２：フレームメモリ、２８３：Ｚ軸モータ駆動パルス発生部、２８４：映像ピーク検出回路、２８５：ＤＣモータ駆動パルス発生部、２９：ＸＹステージ制御部。
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学顕微鏡とＣＣＤカメラ等の二次元イメージセンサを利用して、磁気ヘッドトラック幅，半導体ウェハ生成用マスクの線幅等の微小寸法を非接触で測定する微小線幅測定装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
基本的な微小寸法測定装置の構成は、図５に示すように、光学顕微鏡２３で投影された被写体（被測定物）２の空間像をＣＣＤカメラ２７で撮像し、寸法測定演算処理装置２８で所望部分の寸法を電気的（映像信号の波形処理）に測定し、ＴＶモニタ１に被測定物２の画像と寸法測定値を表示するものがある。ここで、寸法測定演算処理装置２８はＣＰＵ２８０、ＲＯＭ２８１、フレームメモリ２８２、Ｚ軸モータ駆動パルス発生部２８３、映像ピーク検出回路２８４、ＤＣモータ駆動パルス発生部２８５で構成されている。
【０００３】
被測定物２を、ＸＹステージ２０上に搭載し、顕微鏡の視野に移動する。移動はＣＰＵ２８０がステージ制御部２９へＲＳ−２３２Ｃ回線を介して命令する。被写体２の焦点方向の移動は、ＣＰＵ２８０がＺ軸モータ駆動パルス発生部２８３に命令し、Ｚ軸移動モータ２２を駆動し、Ｚ軸ステージ２１を上下移動させ、合焦点を得る。
【０００４】
ＣＣＤカメラ２７への入射光量の最適化は、映像ピーク検出回路２８４で所定範囲の映像信号の輝度ピーク値を検出し、ＤＣモータ駆動パルス発生部２８５で、図示していない基準値と比較し、その出力により、ＤＣモータ２６を駆動し、減光機構２５を制御し、光量を調整する。
【０００５】
図６は、図５のＣＣＤカメラ２７で撮像した被測定物２のＴＶモニタ1とＴＶモニタ1における測定対象走査線６（Ｌｉ）上のフレームメモリ２８２（図５）で得られる輝度分布である。５はポール面を示す。測定対象走査線６（Ｌｉ）の輝度分布は、走査線６（Ｌｉ）に対応する映像信号をＮ分解した各画素位置と、それぞれの輝度により、寸法を求めるが、輝度分布６０における最大輝度レベル６１を１００％とし、最小輝度レベル６２を０％とし、５０％の輝度レベル６３に相当するａ番目の位置の画素とｂ番目の位置の画素間の位置差Ｎａｂを求め、この位置差Ｎａｂに、この時の光学顕微鏡２３の測定倍率とＣＣＤカメラ２７の受光サイズから求めた係数ｋを乗じて、対応する被測定物２の寸法値Ｘを求めていた。これを便宜上エッジ認識法と呼ぶ。
Ｘ＝ｋ×Ｎａｂ
一方、寸法測定の最小寸法限界は、光学顕微鏡の分解能となる。ここで、分解能αは、
α＝λ／（２×Ｎａｂ）、 λ：波長 ＮＡ：対物レンズの開口数
であらわされる。
【０００６】
図７は光学顕微鏡の分解能αと輝度分布の関係図である。図７において、３４は２α幅の白線輝度分布であり、３７は最小輝度レベル、３８は最大輝度レベル（ＶＨ）、４１はスレッシュホールドレベルである。また、３５はα幅の白線輝度分布であり、３９は最大輝度レベル、４２はスレッシュホールドレベルである。また、３６はα幅未満の白線輝度分布であり、４０は最大輝度レベル、４３はスレッシュホールドレベルである。図７に示すように、２α幅の白線輝度分布３４，α幅の白線輝度分布３５，α幅未満の白線輝度分布３６のエッジ認識法での寸法は、５３，５４，５５となり、５３＞５４であるが、５４と５５の大小が判別つかなくなり、α幅未満の白線輝度分布は測定不能である。
【０００７】
また、図７において、４４は２α幅の黒線輝度分布であり、４７は最小輝度レベル、５０はスレッシュホールドレベルである。また、４５はα幅の黒線輝度分布であり、４８は最小輝度レベル、５１はスレッシュホールドレベルである。また、４６はα幅未満の黒線輝度分布であり、４９は最小輝度レベル、５２はスレッシュホールドレベルである。図７に示すように、２α幅の黒線輝度分布４４，α幅の黒線輝度分布４５，α幅未満の黒線輝度分布４６のエッジ認識法での寸法は、５６，５７，５８となり、５６＞５７であるが、５７と５８の大小が判別つかなくなり、α幅未満の黒線は測定不能である。
【０００８】
ここで、光学顕微鏡の分解能αは、
対物レンズ１００倍の開口数は、ＮＡ＝０．９５で，
可視光顕微鏡を使用時、光源波長λ＝０．５５μｍ時に、α＝０．２９μｍ
紫外光顕微鏡を使用時、光源波長λ＝０．３６５μｍ時に、α＝０．１９μｍ
深紫外光顕微鏡を使用時、光源波長λ＝０．２４８μｍ時に、α＝０．１３μ
ｍが限界となる。
【０００９】
この課題を解決するために、特公平６−１０３１６８号公報（特許第１９６７４８９号）の方法がすでに提案されている。
【００１０】
図８は、この従来の微小寸法の測定を説明する図である。図８は、図５に示すＣＣＤカメラ２７で被測定物２を撮像し、寸法測定をする１走査線に対応する映像信号を、寸法測定演算処理装置２８に取込み、図示していないＡ／Ｄコンバータでその輝度レベルをデジタル化し、これを一連の記憶素子であるフレームメモリ２８２に画素単位で記憶させたときの各画素位置における輝度レベル特性を示したものである。ここで、フレームメモリ２８２上の画素番地を０〜Ｎ番地、ｉ番地の輝度レベルをＶｉとする。そして記憶された輝度レベル６０の最大値６１を１００％レベル、最小値６２を０％レベルとし、スレッシュホールドレベルＴＬ６３の値を、例えば５０％レベルに定め、このスレッシュホールドレベルＴＬ６３と同じ輝度レベルの画素ａ，ｂの番地を求める。そして、画素ａ，ｂ間の全ての番地の輝度レベル（スレッシュホールドレベルＴＬ以上の輝度）を加算し、画素ａ，ｂ間の輝度レベルＶｉの積分値Ｓを次式により得る。
【００１１】
【数１】
【００１２】
【数２】
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
この従来の微小寸法の測定は、長年の実測の結果、下記のことが判明した。すなわち、被測定物がギャップ長等の黒い幅の線を測定する場合には、α／３幅まで、実際の寸法値（測長ＳＥＭで測定した値）と相関性がとれていることが既に確立されている。しかしながら、被測定物がトラック等の白い幅の線を測定する場合には、輪郭間の位置差と輝度積分値だけでは、α／２幅近辺で、実際の寸法値（測長ＳＥＭで測定した値）と相関性がないことがある。
【００１４】
一例として、図１０で説明する。図１０は、紫外光顕微鏡を使用した時の、分解能αと輝度分布の関係図である。
光源波長λ＝０．３６５μｍ時に、α＝０．１９μｍであり、白線輝度分布の測定の場合、２α幅の白線輝度分布３４，α幅の白線輝度分布３５，２α／３幅の白線輝度分布３６，α／２幅の白線輝度分布８０は、図１０のようになり、その時の、実際の寸法値と従来の測定値は、図１０に記載のようになる。この結果、２α／３幅の白線輝度分布３６が０．１３μｍであるのに対し、α／２幅白線８０が０．１５μｍの測定値となり、大小関係が逆転しており、測定不能である。
【００１５】
本発明の目的は、光顕微鏡の分解能以下の被測定物に対しても測定をより可能とする微小寸法測定装置を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記図１０において、α／２幅の白線輝度分布８０の最大輝度８１は、２α／３幅の白線輝度分布３６の最大輝度４０よりも低くなること、すなわち白線の幅が小さくなるに従い最大輝度Ｖｍａｘも低くなることから、従来の測定値Ｘに、最大輝度Ｖｍａｘを乗じ、α幅以上の白線輝度分布３４の最大輝度ＶＨで除することにより、実際の寸法値と相関性のとれた測定値が得られることを見い出した。これにより、白線(α)＞白線(α／２)＞白線(α／３)＞白線(α／４）の関係の測定値が提供可能となる。
測定値＝Ｘ×（Ｖｍａｘ／ＶＨ）
本発明の測定によれば、図１０に記載のように、２α／３幅の白線輝度分布３６が０．１２μｍ、α／２幅白線８０が０．０９５μｍの測定値となり、実際の寸法値と同じである。
【００１７】
すなわち、本発明は、光学顕微鏡とイメージセンサを用いて、被測定物を撮像し、得られた映像信号から所定の輝度レベルの一致する２点の信号位置を抽出し、この２点間の位置情報に基づき前記被測定物の寸法を算出測定する微小寸法測定装置において、前記２点間の位置の差と、基準となる最大輝度に対する前記２点間の最大輝度の比率との乗算に基づき、前記被測定物の寸法を測定することを特徴とする微小寸法測定装置である。
【００１８】
本発明は、前記被測定物が磁気ヘッドのトラック幅であることを特徴とする微小寸法測定装置である。
【００１９】
本発明は、前記被測定物が半導体ウェハ生成用マスクの線幅であることを特徴とする微小寸法測定装置である。
【００２０】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の第１の実施の形態による被測定物が磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）のトラック幅測定の場合で、図５の基本的な微小寸法測定装置で撮像したＴＶモニタ１の画像である。
【００２１】
ＴＶモニタにおいて、上部シールド面３と下部シールド面４とポール面５が明るくて白に、周辺が暗くて黒く映る。シールド面の幅は、分解能α以上での最大輝度を得るために、十分広く、そこの最大輝度を基準となる最大輝度ＶＨとし記憶し、測定ライン６上の白線の幅であるトラック幅７を測定する時に使用する。ここで、測定ライン６は、指定位置の上下１０ライン分６'とする。
【００２２】
図２は、図１のトラック幅寸法測定過程を説明するフローチャート図である。
（１）ステップ１００：上部シールド面水平中心線検出
画面の輝度を水平方向に加算して垂直プロジェクション像８が得られる。この垂直プロジェクション像８の上から下への所定スレッシュホールドレベルを超す点ａを検出し、さらに下側に白が黒方向に立下りかつ最大白レベルよりノイズレベルだけ下がった点ｂを検出する。
（２）ステップ１１０：ポール面垂直中心線検出
ａ点から上側の画面の輝度を垂直方向に加算して水平プロジェクション像９が得られる。この水平プロジェクション像９の最大輝度を有す点ｃを検出する。
【００２３】
（３）ステップ１２０：測定基準座標検出
測定基準座標１０を（ｘ０，ｙ０）＝（ｃ，ａ）とする。
（４）ステップ１３０：ＶＨ検出
測定基準座標１０（ｘ０，ｙ０）と、予め設定していたｘ１，ｙ１から、４点１１１（ｘ０−ｘ１，ｙ０），１１２（ｘ０＋ｘ１，ｙ０），１１３（ｘ０−ｘ１，ｙ０＋ｙ１），１１４（ｘ０＋ｘ１，ｙ０＋ｙ１）で囲まれたＶＨ検出エリア１１をつくり、そのなかで、輝度の最大値ＶＨを求める。この最大値ＶＨは、ノイズ除去のため、最大値の周辺１０×１０画素の輝度の平均値とする。
【００２４】
（５）ステップ１４１：測定ライン数測定済か？
測定すべき測定ラインを全て測定していたら、ステップ１５０：測定値平均化へ行く。測定してないときは、ステップ１４２：測定ラインの最大最小輝度検出へ行く。
（６）ステップ１４２：測定ラインの最大最小輝度検出
測定ラインを測定すると、その画素−輝度特性は、図８の６０のようになり、その中の最大輝度６１と、最小輝度６２を求める。ノイズ防止対策として、最大輝度は最大輝度を有す画素とその周辺３画素の平均とする。最小輝度は最小輝度を有す画素とその周辺１０画素の平均とする。また、最大最小輝度の５０％の輝度レベル６３を算出する。
【００２５】
（７）ステップ１４４：左右のエッジ検出
従来の方法と同様に輝度レベル６３に相当するａ番目の位置の画素とｂ番目の位置の画素間の位置差Ｎａｂを求め、このＮａｂに、この時の光学顕微鏡２３の測定倍率とＣＣＤカメラ２７の受光サイズから求めた係数ｋを乗じて、対応する被測定物２の寸法値Ｘを求める。
Ｘ＝ｋ×Ｎａｂ
（８）ステップ１４６：寸法演算
寸法値Xは、測定ラインの最大輝度Ｖｍａｘと基準となる最大輝度ＶＨを用い、
Ｘ＝ｋ×Ｎａｂ（Ｖｍａｘ／ＶＨ）
を算出する。
【００２６】
（９）ステップ１４８：測定値記憶
寸法値Ｘを記憶し、ステップ１４１に戻る。
（１０）ステップ１５０：測定値平均化
全ての測定ラインの寸法値Ｘを平均化して、測定値とする。
（１１）ステップ１６０：測定値表示
測定値をＴＶモニタ１に表示し、作業者に結果を知らせると共に、記憶媒体ハードディスクに収納する。
【００２７】
以上、磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）トラック幅測定について説明したが、磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）トラック幅測定の場合は、上部シールド３において、基準輝度ＶＨが同一画面から求められる。次に、測定画面から常時、基準となる最大輝度ＶＨが得られない被測定物が半導体ウェハ生成用マスクの線幅の測定の実施の形態について、次に、説明する。
【００２８】
図３は、本発明の第２の実施の形態による被測定物が半導体ウェハ生成用マスクの線幅の測定の場合で、図５の基本的な微小寸法測定装置で撮像したＴＶモニタの画像である。図４は、図３の半導体ウェハ生成用マスクの線幅の測定過程を説明するフローチャート図である。この図３と図４により、基準マスクで最大輝度を得、基準となる最大輝度ＶＨを登録することにより測定可能となる。
【００２９】
図４の半導体ウェハ生成用マスクの線幅の測定過程は、次の通りである。
（１）ステップ２００：基準マスク測定移動
基準輝度ＶＨを登録できるような、十分広い基準マスク１２を、ＸＹステージ２０（図５）上に搭載し、光学顕微鏡２３の視野に移動する。移動はＣＰＵ２８０がステージ制御部２９へＲＳ−２３２Ｃ回線を介して命令する。被測定物２の焦点方向の移動は、ＣＰＵ２８０がＺ軸モータ駆動パルス発生部２８３に命令し、Ｚ軸移動モータ２２を駆動し、Ｚ軸ステージ２１を上下移動させ、合焦点を得る。その画像が図３（ａ）である。６は測定ライン、１１はＶＨ検出エリア、１２は輝度検出用白線（マスク）である。
【００３０】
（２）ステップ２０２：自動調光ＯＮ
ＣＣＤカメラ２７（図５）への入射光量の最適化は、映像ピーク検出回路２８４で所定範囲の映像信号の輝度ピーク値を検出し、ＤＣモータ駆動パルス発生部２８５で、図示していない基準値と比較し、その出力により、ＤＣモータ２６を駆動し、減光機構２５を制御し、光量を調整する。
（３）ステップ２０４：基準となる最大輝度ＶＨを記憶
ＶＨ検出エリアをつくり、そのなかで輝度の最大値ＶＨを求める。最大値ＶＨは、ノイズ除去のため,最大値の周辺１０×１０画素の輝度の平均値とし、記憶する。
【００３１】
（４）ステップ２０６：自動調光ホールド
ＤＣモータ２６と減光機構２５を停止させ、基準となる最大輝度ＶＨを得た照明光量を保つ。
（５）ステップ２１０：全測定終了かチェックする。
ＹＥＳならば、ステップ２２０：測定終了へ。ＮＯならば、ステップ１４０：測定へ。
【００３２】
（６）ステップ１４０：測定
図３（ｂ）の測定対象物（マスク）１３を、図２のステップ１４１からステップ１６０のルーチン１４０と同様に測定する。
（７）ステップ２１２：次の測定位置へ移動
ステップ２１０に戻る。
【００３３】
以上は、基準となる最大輝度ＶＨを登録できるような十分広い線幅と被測定対象線幅が１枚のマスクに混在している場合のフローチャートであるが、上記（１）から（４）の手順を、基準となる最大輝度ＶＨを登録できるような十分広い線幅を有するマスクで行い、減光機構２５を停止位置とし、基準となる最大輝度ＶＨを記憶しておき、測定対象マスクを上記（１）と同様に行い、上記（５），（６）で測定を行うことも可能である。
【００３４】
【発明の効果】
本発明によれば、光顕微鏡の分解能以下の被測定物に対しても測定をより可能とする微小寸法測定装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による被測定物が磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）のトラック幅測定の場合で、図５の基本的な微小寸法測定装置で撮像したＴＶモニタの画像である。
【図２】図１のトラック幅寸法測定過程を説明するフローチャート図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態による被測定物が半導体ウェハ生成用マスクの線幅の測定の場合で、図５の基本的な微小寸法測定装置で撮像したＴＶモニタの画像である。
【図４】図３の半導体ウェハ生成用マスクの線幅の測定過程を説明するフローチャート図である。
【図５】基本的な微小寸法測定装置の構成図である。
【図６】図５のＴＶモニタとＴＶモニタにおける輝度分布を示す図である。
【図７】光学顕微鏡の分解能αと輝度分布の関係図である。
【図８】従来の微小寸法の測定を説明する図である。
【図９】実際の寸法と従来の測定値の特性図である。
【図１０】実際の寸法値と従来の測定値と本発明の測定値の関係図である。
【符号の説明】
１：ＴＶモニタ、２：被測定物、３：上部シールド面、４：下部シールド面、５：ポール面、６：測定ライン、７：トラック幅、８：垂直プロジェクション像、９：水平プロジェクション像、１０：測定基準座標（ｘ０，ｙ０）、１１：ＶＨ検出エリア、１２：輝度検出用白線（マスク）、１３：測定対象物（マスク）、２０：ＸＹ軸ステージ、２１：Ｚ軸ステージ、２２：Ｚ軸移動モータ、２３：光学顕微鏡、２４：光源、２５：減光機構、２６：ＤＣモータ、２７：ＣＣＤカメラ、２８：寸法測定演算処理装置、２８０：ＣＰＵ、２８１：ＲＯＭ、２８２：フレームメモリ、２８３：Ｚ軸モータ駆動パルス発生部、２８４：映像ピーク検出回路、２８５：ＤＣモータ駆動パルス発生部、２９：ＸＹステージ制御部。
Claims (3)
- 光学顕微鏡とイメージセンサを用いて、被測定物を撮像し、得られた映像信号から所定の輝度レベルの一致する２点の信号位置を抽出し、この２点間の位置情報に基づき前記被測定物の寸法を算出測定する微小寸法測定装置において、前記２点間の信号位置の抽出部分と、基準となる最大輝度の抽出部分とを有し、該基準となる最大輝度の抽出部分は前記２点間の信号位置の抽出部分外で且つ広い平面であり、前記２点間の信号位置の抽出部分で抽出した前記２点間の位置の差と、前記広い平面で抽出した前記基準となる最大輝度に対する前記２点間の最大輝度の比率と、の乗算に基づき、前記被測定物の寸法を測定することを特徴とする微小寸法測定装置。
- 請求項１記載において、前記２点間の信号位置の抽出部分と、基準となる最大輝度の抽出部分とが明るくて白、周辺が暗くて黒いことを特徴とする微小寸法測定装置。
- 請求項１または２記載において、前記被測定物が磁気ヘッドのトラック幅であることを特徴とする微小寸法測定装置。
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