JP3688444B2 - セラミック多層配線基板 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数で比較的薄肉のセラミック層の間に広域メタライズ層と配線パターンとが積層して形成されるセラミック多層配線基板に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、セラミック多層配線基板を得るには、図5(A)に示すように、複数のグリーンシート82〜84の間に略平面方向全体に広がる広域メタライズ層用のメタライズペースト層86,88と、図示しない配線パターン用のメタライズペースト層とを積層する。また、グリーンシート84において上記ペースト層88と図示しないペースト層とを厚さ方向に接続するビア用のインクメタライズ89を形成する。そして、グリーンシート82〜84やメタライズペースト層86,88等を積層し、得られた積層体80をプレスしてから焼成する。
焼成後において、上記グリーンシート82〜84はセラミック層92〜94に、上記メタライズペースト層86,88は例えば電源用のメタルプレーン層等の広域メタライズ層96,98に、且つ上記インクメタライズ89はビア99となってセラミック多層配線基板90を構成する。
【0003】
【発明が解決すべき課題】
ところで、上記積層体80を焼成する前に行うプレスによる厚さ方向への圧縮による相対的な変形差や、焼成後の相対的な熱収縮差により、以下のような問題点を生じることがある。
即ち、図5(B)に示すように、ビア99がその軸方向に沿って膨張(伸長)し、広域メタライズ層98の一部を突き上げる。このため、ビア99の直上の位置において広域メタライズ層98と広域メタライズ層96が接触して短絡することがある。この際、ビア99の上方の基板90の上面91には破線で示す凸部100が形成されることもある。
【0004】
また、図5(C)に示すように、逆にビア99が軸方向に沿って縮むため、広域メタライズ層96,98の一部が下向きに凹む。このため、その位置において広域メタライズ層96と広域メタライズ層98が接触して短絡することもある。この場合には、配線基板90の上面91に凹み102が形成されることもある。
これらの凸部100や凹み102は、セラミック層92,93が薄肉になるほど顕著に表れ易い傾向がある。
この広域メタライズ層96,98間の短絡により、配線基板90は当初の回路を形成できず、本来の機能を果たせなくなる。また、該基板90の上面91に上記凸部100や凹み102が形成されると、その位置にICチップ等の電子部品が正確に搭載できなくなるという問題もあった。特に、このような問題はセラミック層の厚さが60μm以下という薄いセラミック層において顕著であった。
【0005】
本発明は、以上の従来の技術が有する問題点を解決し、ビアの軸方向の変形が生じてもメタルプレーン層のような広域メタライズ層同士、又は広域メタライズ層と配線パターンとが短絡しないようにすると共に、併せて上面に電子部品を正確に搭載でき、且つセラミック層を薄肉化し得るセラミック多層配線基板を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するため、ビアが導通する広域メタライズ層又は配線パターンにセラミック層を介して隣接する広域メタライズ層に、ビアの変形を緩衝するための開口部を形成することに着想して成されたものである。
即ち、本発明のセラミック多層配線基板は、複数のセラミック層の間に広域メタライズ層と配線パターンとが形成されるセラミック多層配線基板であって、上記広域メタライズ層同士、又は配線パターン同士、或いは広域メタライズ層と配線パターンとの間を基板の厚さ方向に導通するビアと、上記ビアの少なくとも一端が導通する広域メタライズ層又は配線パターンにセラミック層を介して隣接する広域メタライズ層における上記ビアの軸方向と交差する位置を含んで上記広域メタライズ層に設けた開口部と、を有することを特徴とする。
【0007】
これによれば、ビアが軸方向に膨張又は収縮して該ビアと接続する広域メタライズ層等の一部が変形しても、この変形部分は隣接する広域メタライズ層に設けた上記開口部付近に留まるので、広域メタライズ層同士等の短絡を防止できる。また、係る開口部における広域メタライズ層の厚さ分だけ、配線基板の上面への変形が緩和されるので、電子部品を上面に正確に搭載することもできる。
また、本発明には、上記開口部の直径又は幅が、前記ビアの直径の2倍以上であるセラミック多層配線基板も含まれる。ここで2倍以上としたのは、2倍未満にすると短絡の防止が不十分になることがあり得るためである。
これによれば、前記短絡を一層確実に防止することができる。
【0008】
更に、上記ビアと導通する広域メタライズ層又は配線パターンと、この広域メタライズ層又は配線パターンと隣接する広域メタライズ層との間に形成されたセラミック層の厚さが60μm以下であるセラミック多層配線基板も含まれる。
これによれば、セラミック層を薄肉化しても前記短絡を容易に防止できるため、厚さ方向により多くの配線パターンを有する多層配線基板を提供することができる。尚、セラミック層の厚さが60μmを超えるとビアが変形しても前記短絡を生じにくくなるので、上記の60μm以下としたものである。
更に、前記ビアが複数個互いに平行且つ隣接して設けられ、且つ前記開口部がこれらの各ビアの軸方向と交差する各位置を含んで前記広域メタライズ層に設けられたセラミック多層配線基板とすることもできる。
これによれば、互いに隣接する複数のビアによる広域メタライズ層等の変形を1つの開口部によって吸収し、該広域メタライズ層等と隣接する広域メタライズ層との短絡を防止することが可能となる。
【0009】
また、前記開口部が、前記ビアの一端が導通する広域メタライズ層又は配線パターンにセラミック層を介して隣接する互いに平行な複数の広域メタライズ層における上記ビアの軸方向と交差する各位置にそれぞれ設けられたセラミック多層配線基板とすることもできる。
これによれば、ビアによる広域メタライズ層等の変形が大きくても、セラミック層を挟んで隣接する複数の広域メタライズ層に設けた各開口部内において、2層以上の広域メタライズ層間における短絡を防止することが可能となる。
この場合、各開口部は互いに略同心となる位置に設けられる。また、比較的ビアに近接する開口部と離隔する開口部の寸法を相違させることにより、短絡の防止と広域メタライズ層の面積の低減を抑えることが可能となる。
【0010】
更に、前記開口部が、前記ビアの両端がそれぞれ導通する広域メタライズ層又は配線パターンにセラミック層を介して隣接する基板の厚さ方向に離隔した各広域メタライズ層における上記ビアの軸方向と交差する位置を含んでそれぞれ設けられたセラミック多層配線基板とすることもできる。
これによれば、ビア両端の変形により基板の厚さ方向に離隔して配置された広域メタライズ層又は配線パターンと、これらにセラミック層を介して隣接する広域メタライズ層との短絡を防止することが可能となる。
【0011】
更にまた、前記開口部が平面視で略円形又は略正多角形であり、且つ平面視で前記ビアの中心軸と略同心となる前記広域メタライズ層の位置に上記開口部が設けられたセラミック多層配線基板とすることもできる。
これによれば、前記短絡を確実に予防することが可能となる。
尚、本明細書において、広域メタライズ層とは配線基板の厚さ方向に直交する平面方向の略全面に渉って導体が敷設される、例えば電源用のメタルプレーン層のようなものを指す。
【0012】
【実施の形態】
以下において本発明の実施に好適な形態を図面と共に説明する。
図1は本発明のセラミック多層配線基板1に関する。同図(A)の断面図に示すように、この配線基板1は、絶縁層となる複数のセラミック層2〜8の間に、例えば電源用のメタルプレーン層(広域メタライズ層)10,12と、配線パターン14とが配設されている。上記セラミック層2〜8は、それぞれの厚さが50μmで、主にアルミナを含むグリーンシートを焼成したものであり、メタルプレーン層10,12と、配線パターン14はタングステン(W)やモリブデン(Mo)等の高融点金属からなるペースト層を焼成したものである。
【0013】
上記配線パターン14内には、所要の直径を有する空隙部16が形成され、この空隙部16の略中心を基板1の厚さ方向に沿ってビア18が貫通する。このビア18は、その上端を下側のメタルプレーン層12に接続し、図示しない下端を他の配線パターン又はメタルプレーン層等の広域メタライズ層に接続して、これらの間を導通している。尚、このビア18は、セラミック層6,8の間における上記空隙16内の高さにおいて、その上下の部分を接続する図示しないビアカバを介在させている。また、上記空隙16は、ビア18と配線パターン14との間を絶縁するためのもので、配線パターン14となる金属ペースト層をスクリーン印刷して形成する際に同時に形成される。
【0014】
そして、図示で上側のメタルプレーン層10におけるビア18の軸方向が交差する位置を含む付近には、円形の開口部11が形成される。図1(B)に示すように、この開口部11は、平面視においてビア18と略同心の位置に形成される。尚、係る開口部11は、メタルプレーン層10となる金属ペースト層をスクリーン印刷して形成する際に、同時に形成されたものである。
係る開口部11を形成することにより、前述したように、ビア18が軸方向に相対的に膨張して下側のメタルプレーン層12を突き上げた場合でも、図1(A)中の破線で示すように、その突き上げた頂部分は開口部11に接近するか開口部11内に入るが、上側のメタルプレーン層10には接触しない。
また、ビア18が軸方向に相対的に収縮してメタルプレーン層12,10を下向きに引張った場合でも、図1(A)中の一点鎖線で示すように、開口部11が上側のメタルプレーン層10における変形部の最低部分となるため、下側のメタルプレーン層12に接触しない。
【0015】
従って、基板1の製造工程においてビア18が上記何れの変形を生じても、上下のメタルプレーン層10,12は、従来のように互いに短絡することはない。尚、上記開口部11の直径は0.5mmであり、且つビア18の直径0.1mmの5倍である。開口部11の直径は、前記短絡を防ぐため、少なくともビア18の直径の2倍以上とする必要があり、望ましくは3倍以上である。
また、ビア18と接続されるのは、上記メタルプレーン層12に限らず、配線パターン14と同様の配線パターンであっても良い。ビア18の変形によって短絡を生じるのは、セラミック層4を挟んで隣接するメタルプレーン層10が存在するためである。
【0016】
図2は、異なる形態の開口部に関し、同図(A)は前記と同じビア18に対し、その中心を略同心とする隅の丸い正方形状の開口部20を示す。また、図2(B)に示すように、2本のビア18,18が互いに平行して隣接する場合には、メタルプレーン層10に各ビア18を略中心として囲む長円形の開口部22を形成する。更に、図2(C)に示すように、同様な場合において、各ビア18を略中心として囲む2つの円形部分26,26を繋いだまゆ形状の開口部24を形成しても良い。
【0017】
特に、この開口部24のように、各ビア18を略中心とする円形部分26を活用することにより、メタルプレーン層10の面積を余り減らさずに、前記短絡を予防することができるので望ましい。
そして、3本以上のビア18が互いに平行して隣接する場合には、上記開口部22に倣った変形長円形の開口部、或いは図2(D)に示すような略L形状の開口部28にしたり、更には上記円形部分26を活用した略L形状や、略へ形状等の変形した形状の開口部を形成することが望ましい。
【0018】
図3は、異なる形態のセラミック多層配線基板に関する。
同図(A)に示す配線基板30は、厚さがそれぞれ50μmのセラミック層31〜35の間に、3層のメタルプレーン層(広域メタライズ層)36〜38と配線パターン39とを配設している。この配線パターン39の空隙40内を垂直に貫通するビア41の上端は、上から3層目のメタルプレーン層38と接続して導通している。該ビア41の下端は、図示しない配線パターン又はメタルプレーン層と導通している。
また、上から1層,2層目のメタルプレーン層36,37におけるビア41の軸方向と交差する位置を含む付近には、それぞれ円形の開口部42,43がビア41と同心状に形成されている。この場合、ビア41に近接する開口部43の直径が、ビア18から離れた開口部42よりも比較的小さく設定されている。但し、この開口部43の直径は、ビア41の直径の2倍以上である。
【0019】
そして、配線基板30の製造工程において、ビア41がその軸方向に沿って相対的に膨張した場合、メタルプレーン層38が突き上げられても、図中の破線で示すように、その突き上った頂部分は開口部43の付近において略留まる。また、これに応じて該開口部43が上方へ円錐状に盛り上がっても、その変形部分の上端は最上層のメタルプレーン層36の開口部42付近に留まる。従って、3層のメタルプレーン層36〜38の相互間において、短絡を招来することはない。一方、配線基板30の製造工程において、ビア41がその軸方向に沿って相対的に収縮した場合、図中の一点鎖線で示すように、上から3層目のメタルプレーン層38が下向きに引っ張られる。すると、このプレーン層38の凹みの上方にて、2層目のメタルプレーン層37における変形部の最下端となる開口部43が留まる。且つ、最上層のメタルプレーン層36の開口部42は、開口部43よりも大径であるため、殆んど下方へは変形しない。
【0020】
従って、上記開口部42,43を形成することにより、3層のメタルプレーン層36〜38が隣接する配線基板30においても、これら相互間の短絡を確実に予防することができる。また、配線基板30の上面30aの平坦性も保たれるので、上面30aに各種の電子部品を正確に搭載することができる。
尚、開口部42,43は上記とは逆に開口部42を開口部43より小径にしても、ビア41が軸方向に収縮する場合に対応して短絡を防ぐことができる。また、ビア41に近接する開口部43を円形とし、他方の開口部42を正多角形等の非円形とすることもできる。更に、配線基板の厚さ方向に沿って、3つ以上の開口部を略同心状にして各メタルプレーン層に形成することもできる。
更に、ビア41と導通するメタルプレーン層38が、配線パターン39と同様な配線パターンであっても上記の短絡を防止することができる。
【0021】
図3(B)は別のセラミック多層配線基板45に関する。
この基板45は、上方から各厚さが50μmのセラミック層46〜48,49a〜49e,48′〜46′と、これらの間に上・下部に2層のメタルプレーン層54,56及び56′,54′(広域メタライズ層)、及び、6層の配線パターン50a〜50fとが厚さ方向に沿って上下対称に積層されている。各配線パターン50a〜50fの所定の位置に形成された空隙51内を、ビア52が貫通する。該ビア52の上下端は、上下のメタルプレーン層56,56′に接続され、これらを互いに導通している。
【0022】
また、最上・最下層のメタルプレーン層54,54′における上記ビア52の軸方向と交差する位置を含む付近には、平面視においてビア52と略同心状の円形の開口部58,58′が形成されている。
上記ビア52は、配線基板45の厚さ方向に沿って長大であるため、焼成前のプレス時又は焼成後のセラミック層49a〜49eとの収縮差により、その軸方向に沿って膨張や収縮を生じ易い。
例えば、ビア52が軸方向に沿って相対的に膨張した場合、図中の破線で示すように上下のメタルプレーン層56,56′を突き上げ、突き下げる。しかし、この変形部分の最上・最下端は各開口部58,58′付近に留まる。このため、上方の各メタルプレーン層54,56同士と、下方の各メタルプレーン層54′,56′同士は互いに短絡することがない。
【0023】
また、逆にビア52が軸方向に沿って相対的に収縮した場合、図中の一点鎖線で示すように、ビア52と導通する上下のメタルプレーン層56,56′も中央側に引っ張られる。これに連れて最上・最下層のメタルプレーン層54,54′も同様に変形するが、各変形部には開口部58,58′が形成されているため、上記と同様に短絡を生じない。
しかも、配線基板45の上面54aには、開口部58によりビア52が変形しても凸部や凹みが形成されにくい。従って、該上面54aに搭載されるICチップ等の電子部品を正確に固着することも可能となる。
尚、ビア52と上下で導通するメタルプレーン層56,56′が、配線パターン50nに変っても上記と同様の効果を得ることができる。
【0024】
本発明は以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、図4に示すように、複数のセラミック層61〜65の中間に広域メタライズ層66,68を配設し、その上下に配線パターン70,74を配設して積層したセラミック多層配線基板60にも適用される。各広域メタライズ層66,68には、上方又は下方からビア72,76が接続され、図示しない広域メタライズ層等と互いに導通する。各ビア72,76は、配線パターン70,74に形成された空隙71,75内の略中心を垂直に貫通する。
【0025】
そして、上方の広域メタライズ層66における下方のビア76の軸方向と交差する位置を含む付近には円形の開口部67が、下方の広域メタライズ層68における上方のビア72の軸方向と交差する位置を含む付近には円形の開口部69がそれぞれ形成されている。
従って、図中の破線や一点鎖線で示すように、各ビア71,76が前記同様に膨張や収縮変形しても、互いに平行な広域メタライズ層66,68は、各開口部67,69によって相互間に短絡を生じない。尚、広域メタライズ層66,68の何れか一方が配線パターンであっても、残る他方の広域メタライズ層に開口部を形成しておくと、両者間の短絡を防げることも明らかである。
【0026】
また、本多層配線基板中のセラミック層には、前記アルミナに限らず、窒化アルミニウム、ガラスセラミック、ムライト等を用いることもできる。
更に、広域メタライズ層や配線パターンの材質も前記WやMoに限らず、CuやCo及びこれらをベースとする合金、Mo−Mn、Ag、Ag−Pd、Ag−Pt等を適用することも可能である。
更に、本発明の多層配線基板には、その上/下面にピンを植設するピングリッドアレイ型配線基板や、上面に複数の電子部品や素子を搭載するマルチチップモジュール等の表面実装型配線基板も含まれる。また、上面に搭載する電子部品も前記ICチップの他、トランジスタ、ダイオードやEFT等の素子を搭載することもできる。
【0027】
【発明の効果】
本発明のセラミック多層配線基板によれば、内蔵されるビアが軸方向に沿って膨張又は収縮する変形を生じても、そのビアが導通する広域メタライズ層又は配線パターンにセラミック層を挟んで隣接する広域メタライズ層の所定の位置に開口部を形成したので、この広域メタライズ層同士、又は配線パターンと広域メタライズ層とが互いに接触して短絡を生じることがない。特に、薄肉のセラミック層を用いても上記短絡を防止できるので、厚さ方向に沿ってより多くの配線パターンを有する高密度のセラミック多層配線基板とすることが容易となる。
また、上記ビアの変形が生じても、上記開口部を形成することにより、配線基板の上面に凸部や凹みが生じるのを抑制するので、係る上面にICチップなどの電子部品を正確に搭載することも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 (A)は本発明のセラミック多層配線基板の一形態を示す部分垂直断面図、(B)は(A)中のB−B断面図。
【図2】 (A)乃至(D)は共に異なる形態の開口部を示す図1(B)と同様の断面図。
【図3】 (A)及び(B)は異なる形態のセラミック多層配線基板を示す部分垂直断面図。
【図4】更に異なる形態のセラミック多層配線基板を示す部分垂直断面図。
【図5】 (A)は従来の積層体とこれを焼成したセラミック多層配線基板を示す部分垂直断面図、(B)及び(C)はその変形状態を示す部分垂直断面図。
【符号の説明】
1,30,45,60…………………………………………多層配線基板
2,4,6,8,31〜35,46〜49,61〜65………セラミック層
10,12,36〜38,54,56,66,68……………広域メタライズ層
11,20〜28,42,43,58,58′,67,69……開口部
14,39,50a〜50f,70,74……………………配線パターン
18,41,52,72,76…………………………………ビア
Claims (3)
- 複数のセラミック層の間に広域メタライズ層と配線パターンとが形成されるセラミック多層配線基板であって、
上記広域メタライズ層同士、又は配線パターン同士、或いは広域メタライズ層と配線パターンとの間を基板の厚さ方向に導通するビアと、
上記ビアの少なくとも一端が導通する広域メタライズ層又は配線パターンにセラミック層を介して隣接する広域メタライズ層における上記ビアの軸方向と交差する位置を含んで上記広域メタライズ層に設けた開口部と、
を有することを特徴とするセラミック多層配線基板。 - 前記開口部の直径又は幅が、前記ビアの直径の2倍以上である、ことを特徴とする請求項1に記載のセラミック多層配線基板。
- 前記ビアと導通する広域メタライズ層又は配線パターンと、この広域メタライズ層又は配線パターンと隣接する広域メタライズ層との間に形成されたセラミック層の厚さが60μm以下である、ことを特徴とする請求項1又は2に記載のセラミック多層配線基板。
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