JP3687960B2

JP3687960B2 - バリスタ用穴付素子の製造方法

Info

Publication number: JP3687960B2
Application number: JP2001150167A
Authority: JP
Inventors: 稔小笠原; 義春渡辺
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2001-05-18
Filing date: 2001-05-18
Publication date: 2005-08-24
Anticipated expiration: 2021-05-18
Also published as: JP2002343609A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、印加電圧に対し電流特性が非直線性を示すバリスタを作製するためのバリスタ用穴付素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
印加電圧によって著しく抵抗値が変わり、印加電圧に対し電流特性が非直線性を示す固体素子としてバリスタがある。電子機器や家電製品は自らノイズを出すことがあるとともに、外部の電子機器等から侵入してくるサージやノイズにより誤作動や故障を生じることがあり、それら電子機器や家電製品からノイズが出ることを防ぐ、あるいはサージやノイズから電子機器や家電製品を保護するためにバリスタが用いられる。
【０００３】
バリスタにはシリコンカーバイドバリスタ、シリコンバリスタ、ＺｎＯ系バリスタ、そして半導体チタン酸ストロンチウム系バリスタ等があり、なかでも、半導体チタン酸ストロンチウム系バリスタは、還元焼成して得られる半導体磁器の表面を空気中等で熱処理して再酸化し、そうして得られる素子に電極を設けたバリスタのことであり、静電容量が大きい特徴を有し小型モータのノイズ除去用に多く使われており、その形状は中心に穴を有する円板であることが多く、その穴を小型モータの整流子部に挿着するものであり、このバリスタをリングバリスタと呼ぶことがある。
【０００４】
半導体チタン酸ストロンチウム系バリスタについて、例えば、Ｓｒ、Ｔiを主成分とするバリスタは、抵抗値の非直線的動作に加えてコンデンサ機能も有するので、異常電圧、ノイズ等の吸収又は除去に好適である。しかし、このバリスタは温度上昇に伴うバリスタ電圧の低下によりバリスタ電圧値が低下して常時印加電圧値付近に達すると、バリスタに過大な電流が流れたり、最悪の場合は熱暴走を起こしたりすることが知られている。
【０００５】
この問題を改善するものとして、特開平３−４５５５９号公報に記載されているＳｒ、Ｂａ、Ｃａ及びＴｉを主成分とするバリスタがある。このバリスタは、温度上昇を伴ってもバリスタ電圧が上昇するか、あるいは変動しないものであり、周囲温度の上昇や自己発熱によりバリスタに過大電流が流れることによる熱暴走を生じないものである。また、このバリスタは、還元焼成により得られた半導体磁器を、目的に応じた適当なバリスタ電圧が得られるように空気中で再酸化処理を行うものであり、再酸化処理する際の温度設定により所望のバリスタ電圧を示すバリスタの素子が得られる。従って、同一の半導体磁器であっても異なる温度で再酸化処理を施すことにより、異なるバリスタ電圧を示すバリスタを得ることができる。
【０００６】
バリスタとしての性能は非直線係数αで表される。この非直線係数αは測定したいバリスタの素子を挟む表面絶縁層の上層に、Ａｇ、Ｃｕ等の電極材を塗布し、通常４００〜８００℃で、３０〜６０分間焼き付けて電極を形成する。この電極に、１０ｍ秒のパルス電圧を印加し、徐々に印加電圧を高くして、１ｍＡの電流が流れたときの電圧をＥ_１、１０ｍＡの電流が流れたときの電圧をＥ_１０とする。このＥ_ｌ及びＥ_１０を用いてα＝１／｛ｌｏｇ（Ｅ_１０／Ｅ_１）｝で表される値αは、高い値が得られるほどバリスタとして優れていることになるが、原料粉末を混合する組成と還元焼成から再酸化処理する焼成工程によりほぼ決まることが知られており、得られるバリスタ電圧に対応してこの値がほぼ決まってしまう。
【０００７】
従来、図１１及び図１２に示すように、バリスタ用穴付素子を焼成するのに使用する匣２１は底を備える容器である。バリスタ原料粒体をプレス成型した厚み方向に貫通穴２を有する成形体１は、匣２１の底に立てて載置され整列して収納されることになる。また、図１３のように、平面底の匣２２に外径が比較的大きな成形体１を重ねて配置する場合もある。
【０００８】
図４のように、同じ組成の成形体１が載置された匣２１を４段積みにして還元焼成し半導体磁器を得る場合に、その匣２１を段積みにした段位置を番号１〜４で示す。そして、そのように還元焼成して得た半導体磁器を専用の容器に移し替えて再酸化処理してバリスタの素子を得る。
【０００９】
匣２１を用いた従来例の場合、図８に示す如く非直線係数αは３.５〜３.６の値が得られている。また、半導体磁器を再酸化処理する際の温度設定により所望のバリスタ電圧を得るが、この従来例の場合、図７ではそのバリスタ電圧をＥ_１０で示し、そのバリスタ電圧Ｅ_１０が匣２１の段位置に対応して示され、バリスタ電圧Ｅ_１０は匣２１の段位置で上段は下段より高くなる傾向にある。換言すれば、段位置によりバリスタ電圧のばらつきが大きい。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ及びＴｉを主成分とするバリスタは小型モータのノイズ除去用に需要が多く、なかでも円板形状の中心に穴を備え小型モータの整流子部に挿着するバリスタは需要が多い。いわゆるリングバリスタと呼ばれるバリスタである。そのバリスタとしての性能である非直線係数αがもっと高い値のバリスタを得るために、特に原料粉末を混合する組成を変更することなく、還元焼成から再酸化処理に至る焼成工程を改良し、得られるバリスタ電圧に対応して、非直線係数αがもっと高い値となるバリスタ用穴付素子の製造方法を提供することを目的とする。また、効率よく還元焼成を行うために、穴付素子が支持される支持手段（匣等）を段積みにして還元焼成しても、段位置によりバリスタ電圧が異なることがなく、バリスタ電圧にばらつきを生じることのないバリスタ用穴付素子の製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
本発明の他の目的や新規な特徴は後述の実施の形態において明らかにする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本願請求項１の発明は、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ及びＴｉが主成分であるバリスタ原料粒体をプレス成型し、厚み方向に貫通穴を有する成形体を作成し、前記成形体を還元焼成して半導体磁器と成し、前記半導体磁器を再酸化処理してバリスタ用穴付素子を得る製造方法であって、
少なくとも前記成形体の還元焼成は、前記成形体の貫通穴を貫通可能な耐火物の棒と、前記棒を支持する、底を有しない方形枠状である棒支持手段と、トンネル形状の焼成炉とを用い、
還元焼成前の前記成形体の貫通穴に前記棒を貫通させ、還元焼成前の前記成形体を前記棒で保持しかつ前記棒を前記棒支持手段で位置決め支持し、前記棒支持手段が前記棒を略水平に支持する姿勢で複数の前記棒支持手段を段積み状態にして前記焼成炉を通過させ、前記棒が保持する前記成形体を前記焼成炉で還元焼成して半導体磁器と成すことを特徴としている。
【００１３】
本願請求項２の発明に係るバリスタ用穴付素子の製造方法は、請求項１において、前記再酸化処理は、トンネル形状の再酸化用焼成炉を用い、前記棒が保持する前記成形体を還元焼成して半導体磁器と成した後、前記半導体磁器を引き続き前記棒で保持しかつ前記棒を前記棒支持手段で位置決め支持し、前記棒支持手段が前記棒を略水平に支持する姿勢で複数の前記棒支持手段を段積み状態にして前記再酸化用焼成炉を通過させて行うことを特徴としている。
【００１４】
本願請求項３の発明に係るバリスタ用穴付素子の製造方法は、請求項１又は２において、前記棒支持手段が、複数の位置決め凹部を有する対向する２辺で前記棒を支持する、底を有しない方形枠状であり、前記位置決め凹部で前記棒を回転しないように位置決めすることを特徴としている。
【００１６】
本願請求項４の発明に係るバリスタ用穴付素子の製造方法は、請求項１、２又は３において、前記耐火物の棒が、アルミナあるいはムライトの棒本体の表面にジルコニアを溶射して付着させて成ることを特徴としている。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るバリスタ用穴付素子の製造方法の実施の形態を図面に従って説明する。
【００１８】
図１乃至図３は本発明に係るバリスタ用穴付素子の製造方法の実施の形態であって、これらの図は原料粒体をプレス成型した厚み方向に貫通穴２を有する成形体１に耐火物の棒５を挿通し、さらに棒５を棒支持手段としての匣１０に載置した状態を示すが、各部材の詳細は後述する。
【００１９】
まず、成形体１を得るために、出発原料としてＳｒＣＯ_３、ＢａＣＯ_３、ＣａＣＯ_３、ＴｉＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＳｉＯ_２、ＭｇＣＯ_３を、焼成後に以下の表１に示す組成（第１〜４成分の合計は１００モル％）となるようにそれぞれ換算して秤量し、混合する。
【００２０】

【００２１】
前記出発原料の混合方法として、通常は、溶媒とともに湿式混合することが好ましく、溶媒としては純水を用いればよい。混合に用いる装置等に特に制限はないが、他成分の混入がなく、混合する成分が十分分散するものであればどのような装置であっても良く、また、混合する時間等についても、用いる装置と混合方法等により適宜選択すればよいが、混合方法としていわゆるバッチ式を用いる場合は、例えばボールミルを用いて１０〜２０時間混合すればよい。そうして得られた混合物のスラリーを乾燥機で乾燥する。このとき、乾燥時間を短縮するために、あらかじめスラリーを濾過・脱水するとよい。
【００２２】
得られた混合物を乾燥してから仮焼成を行う。この仮焼成は空気中で１１００〜１２５０℃を１〜３時間ほど維持して行えばよい。得られた仮焼成物を粗粉砕した後、秤量してから溶媒を加えて微粉砕する。微粉砕に用いる装置等に特に制限はないが、他成分の混入がなく効率よく微粉砕できればよい。例えばボールミルを用いて１０〜２０時間混合すると微粉砕できる。そうして得られたスラリーを濾過・脱水し、乾燥する。得られた粉末とポリビニールアルコール（ＰＶＡ）と純水をタンクで４〜２０時間混合しスラリーと成す。このスラリーをスプレードライヤー等で造粒する。得られた粒体をプレス装置の金型に入れ成型する。例えば、外周が直径１１mm、外周と同心の穴径７mm、厚さ１mm、成型圧力１９６ＭＮ／ｍ^２（２トン／cm^２）で成形体１を作成する。この成形体１は還元焼成から再酸化処理が行われて穴付素子となる。この穴付素子に電極を設けるとリングバリスタが得られるものである。
【００２３】
成形体１は、図１乃至図３のように、匣詰めして還元焼成から再酸化処理して穴付素子と成すが、所定の枚数の成形体１を耐火物の棒５に次々と差して担持させる。例示した成形体１では穴径７mmの貫通穴２に棒５が挿入することになる。棒５はマグネシア（主材質ＭｇＯ）あるいはジルコニア（主材質ＺｒＯ_２）とすると成形体１と反応しないので使用できる。しかし、コストの方から見るとマグネシアとジルコニアは高くて安易に生産に使用できるものではない。そこで、安価なアルミナ（主材質Ａｌ_２Ｏ_３）あるいはムライト（主材質３Ａｌ_２Ｏ_３２ＳｉＯ_２）の棒本体にジルコニアを溶射して表面に成膜する。表面にジルコニアを溶射したアルミナあるいはムライトで成る棒５は成形体１とほとんど反応することなく、これらの棒５は実用的に使用することができる。また形状について、少なくとも一端は先細テーパーの円錐端６を形成し、この円錐端６が棒５を貫通穴２に挿通するとき容易に入り込むように作用する。
【００２４】
所定の枚数の成形体１を挿通した棒５は、横にしてほぼ水平にすると成形体１は貫通穴２で棒５に保持された安定した姿勢を保つことになる。そこで、成形体１を略水平にした棒５の中間部に保持した状態で、棒５を底面のない方形枠状の匣１０の対向する一対の辺に各々両端を支持される状態として平行に並べて匣詰めしていく。
【００２５】
図１乃至図３に示す匣１０は底面のない方形枠状の耐火物（耐火物の材質はアルミナあるいはムライトとアルミナとで成る基材の表面にジルコニアを溶射して覆う）であり、対向する２辺で成形体１を保持する棒５の両端を支えるようになっている（支持手段として機能する）。棒５両端を支持する前記２辺には、各棒５が相互にほぼ平行で当該２辺に直交した位置を保ち、さらに棒５が回転しない所定位置を保つよう複数の位置決め凹部（Ｖ溝等）１１が等間隔に形成されている。この複数の位置決め凹部１１を形成した箇所の厚み方向の高さは、匣１０全体の厚みのほぼ中間位置にし、貫通穴２を棒５が貫通することで棒５に支持される成形体１が、匣１０の上下方向のほぼ中間位置になるようにしている。また、匣１０の上面側には重ねて上に位置する匣１０の下面側に係合し横ずれを防ぐ突起部１２が備わり、匣１０の下面側には重ねて下に位置する匣１０の上面側突起部に係合する凹部１３が備わる。
【００２６】
還元焼成から再酸化処理に至る焼成工程で用いる焼成炉はトンネル形状であり、一端に入口の開口と他端に出口の開口とを有する構造であり、還元雰囲気あるいは酸化雰囲気を保持する必要に応じて開口あるいはトンネル内の所定位置に遮蔽手段を備える。そして、成形体１が匣詰めされた匣１０を図４に示す如く４段に重ねて台板に載せトンネル形状の焼成炉を通過させる。台板の下面は耐火物の搬送面となっており、連続生産するときは台板同士が押せ押せ状態で焼成炉内のトンネルを通過する。始めに脱バインダー工程を通し、成形体１を加熱しながらバインダーのポリビニールアルコール（ＰＶＡ）を分解して取り除く。続いて還元工程を通し、Ｎ_２（９５容量％）＋Ｈ_２（５容量％）の還元雰囲気中において、約１３５０℃で４時間の焼成を行い、成形体１が還元焼成された半導体磁器を得る。次いで再酸化工程を通し、その半導体磁器を空気中あるいは酸化性雰囲気中において、７００〜１０００℃の範囲から選択する処理温度（処理温度の設定を変えることによりバリスタ電圧Ｅ_１０が異なるバリスタの素子が得られ、また非直線係数α等の電気的特性も変化する）で４時間の再酸化処理しバリスタ用穴付素子を得る。
【００２７】
得られた穴付素子を挟む表面絶縁層の上層に、Ａｇ、Ｃｕ等の電極材を塗布し、通常４００〜８００℃で、３０〜６０分間焼き付けて電極を形成する。この電極に、１０ｍ秒のパルス電圧を印加し、徐々に印加電圧を高くして、１ｍＡの電流が流れたときの電圧をバリスタ電圧Ｅ_１、１０ｍＡの電流が流れたときの電圧をバリスタ電圧Ｅ_１０とする、このバリスタ電圧Ｅ_１及びＥ_１０を用いてα＝１／｛ｌｏｇ（Ｅ_１０／Ｅ_１）｝で計算して非直線係数αを求める。図６に示す如く非直線係数αは３.９５〜４.０５の値が得られる。ここに説明した本実施の形態と、原料粉末を混合する組成や還元焼成から再酸化処理する設定等が共通するが、匣２１を用いる点が異なる従来例により得られる非直線係数αを示す図８と比較すると、本実施の形態の図６は得られる非直線係数αの値が１２〜１３％高くなることを示す。また、図５はバリスタ電圧Ｅ_１０を示し、そのバリスタ電圧Ｅ_１０が匣１０の段位置に対応して示され、バリスタ電圧Ｅ_１０は匣１０の段位置に係わらずほぼ同じであることを示す。
【００２８】
図９と図１０は、前者が本実施の形態、後者が従来例による匣の段積み状態と気体の移動を模式図として示す。匣１０と匣２１（又は匣２２）を段積みして焼成炉に入れた場合、本実施の形態の匣１０は底がなく焼成炉の雰囲気を構成する気体は比較的容易に匣１０間を移動する。しかし、従来例による匣２１（又は匣２２）は底があり気体は匣２１（又は匣２２）間を移動し難い。匣２１は容器を成す側壁に開口を多く設けることで気体の移動を容易にしようとしていたが、本実施の形態で用いる匣１０は匣２１（又は匣２２）より遥かに容易に気体が移動し、その結果として還元焼成が良好に施された半導体磁器が得られ、かつ段積みの上下においてもばらつきが生じない半導体磁器が得られる。この半導体磁器を再酸化処理した穴付素子に電極を設けると優れたバリスタが得られる。穴付素子が円板であるとリングバリスタと呼ぶことがある。
【００２９】
この実施の形態によれば、次の通りの効果を得ることができる。
【００３０】
(1) 還元焼成前の成形体１の貫通穴２に耐火物の棒５を貫通させ、還元焼成前の成形体１を棒５で保持しかつ棒５を棒支持手段としての匣１０で支持しながら焼成炉を通過させ、棒５が保持する成形体１を前記焼成炉で還元焼成して半導体磁器と成した後、再酸化処理してバリスタ用穴付素子を得ることができる。このため、焼成時に隣り合う成形体同士で圧迫し合うような力が働かないため、棒５に保持された成形体１は隣り合うもの同士で付着することがなく、従って、欠けや割れの発生もほとんどなく、歩留まり良く効率的にバリスタ用穴付素子の製造が可能である。
【００３１】
(2) 前記半導体磁器の再酸化処理は、トンネル形状の再酸化用焼成炉を用い、前記棒５が保持する前記成形体１を還元焼成して前記半導体磁器と成した後、前記半導体磁器を引き続き前記棒５で保持しかつ前記棒５を前記匣１０で支持しながら前記再酸化用焼成炉を通過させることで実行可能であり、再酸化処理のために別の容器等に半導体磁器を移し替える必要がなく、例えばトンネル形状の焼成炉の前半が還元焼成を実行する焼成炉部分、後半が再酸化処理を実行する焼成炉部分とすることで、効率よく連続生産が可能である。
【００３２】
(3) 棒５を支える支持手段としての匣１０が、底を有しない方形枠状であり、図９のように、多段積みしたときでも焼成炉の雰囲気を構成する気体は比較的容易に匣１０間を移動できる。この結果、得られたバリスタ用穴付素子のバリスタ電圧Ｅ_１０は、図５のように匣１０の段積み位置に係わらず異なることがなく、また、非直線係数αは図６のように１２〜１３％の向上が得られる。
【００３３】
(4) 以上のことから、多数の成形体１の穴２を貫通した棒５を略水平に支持する姿勢で匣１０を多段積みしてトンネル形状の焼成炉に通過させ、連続生産することで作業効率を上げてもバリスタとしての性能が良い製品が得られ、安価で性能が良いバリスタの穴付素子の製造が可能となる。
【００３４】
(5) なお、耐火物の棒５は、アルミナあるいはムライトの棒本体の表面にジルコニアを溶射し付着させて構成することで、成形体１に対して反応性の無い棒５を比較的安価に得ることができる。
【００３５】
なお、上記実施の形態では、匣１０を４段に積み重ねた例で、バリスタ用穴付素子のバリスタ電圧Ｅ_１０や非直線係数αの測定結果を示したが、匣１０を積み重ねる段数は焼成炉の形状に応じて適宜変更可能であることは明らかである。
【００３６】
また、穴付きの成形体の外径寸法や穴径に合わせて匣や棒の高さや径を変更することで、多様な寸法の成形体に適用できる。
【００３７】
以上本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当業者には自明であろう。
【００３８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、還元焼成前の成形体の貫通穴に耐火物の棒を貫通させ、前記還元焼成前の成形体を前記棒で保持しかつ前記棒を底を有しない方形枠状である棒支持手段で位置決め支持し、前記棒支持手段が前記棒を略水平に支持する姿勢で複数の前記棒支持手段を段積み状態にして焼成炉を通過させ、前記棒が保持する成形体を前記焼成炉で還元焼成して半導体磁器と成した後、再酸化処理してバリスタ用穴付素子を得ることができる。このため、焼成時に隣り合う成形体同士で圧迫し合うような力が働かないため、前記棒に保持された成形体は隣り合うもの同士で付着することがなく、従って、欠けや割れの発生もほとんどなく、歩留まり良く効率的にバリスタ用穴付素子の製造が可能である。
【００３９】
また、バリスタ電圧Ｅ_１０は前記棒支持手段の段積み位置に係わらず異なることがなく（例えば図５参照）、本発明がバリスタ電圧にばらつきを生じない製造方法であることが示され、また、非直線係数αは１２〜１３％の向上が得られる（例えば図６参照）。これらのことから、トンネル形状の焼成炉に前記棒支持手段を多段積みして通過させ、連続生産することで作業効率を上げてもバリスタとしての性能が良い製品が得られ、安価で性能が良いバリスタの穴付素子の製造方法が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るバリスタ用穴付素子の製造方法の実施の形態であって、原料粒体をプレス成型した厚み方向に貫通穴を有する成形体に耐火物の棒を挿通し、さらに棒を棒支持手段としての匣に載置した状態を示す平面図である。
【図２】同正断面図である。
【図３】同側断面図である。
【図４】成形体を詰めた匣を４段に重ねた状態及び段位置を示す説明図である。
【図５】実施の形態における匣の段位置と焼成により得られたバリスタ用穴付素子のバリスタ電圧Ｅ_１０との関係を示す説明図である。
【図６】同じく匣の段位置と焼成により得られたバリスタ用穴付素子の非直線係数αとの関係を示す説明図である。
【図７】従来例における匣の段位置と焼成により得られたバリスタ用穴付素子のバリスタ電圧Ｅ_１０との関係を示す説明図である。
【図８】同じく匣の段位置と焼成により得られたバリスタ用穴付素子の非直線係数αとの関係を示す説明図である。
【図９】実施の形態において成形体を匣詰めした匣を多段積みして焼成炉中を通過させた場合の気体の流通を示す説明図である。
【図１０】従来例において成形体を匣詰めした匣を多段積みして焼成炉中を通過させた場合の気体の流通を示す説明図である。
【図１１】従来例で用いる匣及び成形体の配列の１例を示す正断面図である。
【図１２】同側断面図である。
【図１３】従来例で用いる匣及び成形体の配列の他の例を示す正断面図である。
【符号の説明】
１成形体
２貫通穴
５棒
６円錐端
１０，２１，２２匣
１１位置決め凹部
１２突起部
１３凹部

Claims

Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ及びＴｉが主成分であるバリスタ原料粒体をプレス成型し、厚み方向に貫通穴を有する成形体を作成し、前記成形体を還元焼成して半導体磁器と成し、前記半導体磁器を再酸化処理してバリスタ用穴付素子を得る製造方法であって、
少なくとも前記成形体の還元焼成は、前記成形体の貫通穴を貫通可能な耐火物の棒と、前記棒を支持する、底を有しない方形枠状である棒支持手段と、トンネル形状の焼成炉とを用い、
還元焼成前の前記成形体の貫通穴に前記棒を貫通させ、還元焼成前の前記成形体を前記棒で保持しかつ前記棒を前記棒支持手段で位置決め支持し、前記棒支持手段が前記棒を略水平に支持する姿勢で複数の前記棒支持手段を段積み状態にして前記焼成炉を通過させ、前記棒が保持する前記成形体を前記焼成炉で還元焼成して半導体磁器と成すことを特徴とするバリスタ用穴付素子の製造方法。
前記再酸化処理は、トンネル形状の再酸化用焼成炉を用い、前記棒が保持する前記成形体を還元焼成して半導体磁器と成した後、前記半導体磁器を引き続き前記棒で保持しかつ前記棒を前記棒支持手段で位置決め支持し、前記棒支持手段が前記棒を略水平に支持する姿勢で複数の前記棒支持手段を段積み状態にして前記再酸化用焼成炉を通過させて行う請求項１記載のバリスタ用穴付素子の製造方法。
前記棒支持手段が、複数の位置決め凹部を有する対向する２辺で前記棒を支持する、底を有しない方形枠状であり、前記位置決め凹部で前記棒を回転しないように位置決めする請求項１又は２記載のバリスタ用穴付素子の製造方法。
前記耐火物の棒が、アルミナあるいはムライトの棒本体の表面にジルコニアを溶射して付着させて成る請求項１、２又は３記載のバリスタ用穴付素子の製造方法。