JP3684523B2 - 化合物半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、MESFET(metal semiconductor field effect transistor)やHEMT(high electron mobility transistor)などの特性を向上させることができる化合物半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
前記したような化合物半導体装置を製造する場合、例えば化合物半導体基板上に化合物半導体結晶層を成長させることが必須であるが、その際、基板と結晶層との界面が活性化してキャリヤが発生し易く、その為、半導体装置の特性が低下し、或いは、信頼性が低下する旨の問題が起こっているところであり、本発明では、その問題を解消する簡単な手段を開示する。
【0003】
【従来の技術】
例えばGaAs基板上にMESFETやHEMTを構成するのに必要な化合物半導体結晶層を成長させると、基板と結晶層との界面が活性化してキャリヤが発生し易いので、結晶成長前にアルシン(AsH3 )雰囲気中で基板の熱処理を行ない、界面の活性化を抑えることが提案されている。
【0004】
また、結晶の成長前に基板を例えば硫酸系溶液、或いはアンモニア(NH3 )系溶液などでエッチングしてから、成長装置中に導入して結晶成長を行なって、界面の活性化を抑えることも提案されているが、Siを除去し切れないので、活性化を充分に抑えることはできない。
【0005】
本発明者の実験に依れば、基板を硫酸系溶液やアンモニア系溶液で前処理することなく、MESFETやHEMTに必要な結晶層を成長させる温度と同じ温度を適用し、AsH3 雰囲気中で熱処理を加えても、界面の活性化を抑止することはできず、キャリヤが発生することを知った。
【0006】
図7は基板と成長させた結晶層との界面に於けるキャリヤ濃度を表す線図であり、横軸には結晶層表面からの深さ、また、縦軸にはキャリヤ濃度をそれぞれ採ってある。
【0007】
このデータは、基板の前処理を行なわずにAsH3 雰囲気中の熱処理のみを加えた試料について、C−V測定を行なった結果を表すものであり、基板と結晶層との界面に鋭いピークが現れているのが看取される。
【0008】
同じく、実験に依れば、AsH3 雰囲気中で行なう基板の熱処理に於いては、条件、即ち、AsH3 の分圧、従って、AsH3 の供給量と熱処理温度を適切な条件に設定した場合には、界面の活性化を抑止することができるのであるが、その条件の許容範囲は狭く、制御するには困難が伴い、また、基板の表面状態に依っては活性化が起こってしまう。
【0009】
また、基板を硫酸系溶液やアンモニア系溶液でエッチングする前処理をしてから、AsH3 雰囲気中で熱処理を加えると良い結果が得られとは云うものの、エッチングに依る前処理とAsH3 雰囲気中での熱処理とは別個の装置を用いて行なわなければならず、そのような前処理中に基板表面が汚染されたり、或いは、前処理後から結晶成長を開始するまでに汚染が起こったりする。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
基板の熱処理を行なうのみで、そのまま直ちに結晶成長工程に入れるように、しかも、基板と結晶層との界面を充分に不活性化し、特性良好な半導体装置を製造できるようにする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明では、MOCVD(metalorganic chemical vapour deposition)法を実施する気相成長装置を利用して化合物半導体基板の熱処理を行なうに際し、温度を400〔℃〕以下とし、
トリスジメチルアミノアルシン(〔(CH3 )2 N〕3 As:TDMAAs)を導入して実施することが基本になっている。
【0012】
ここで、本発明者が本発明に到達するまでに知得したところ、及び、実験過程について触れておくことは、本発明を理解する上で有効と思われる。
【0013】
本発明者は、TDMAAsを用いて熱処理することで、GaAs基板表面に於けるシリコン(Si)、サルファ(S)、酸素(O2 )などを除去するクリーニング効果があるのではないかと考え、TDMAAsを気相成長装置内に導入し、GaAs基板のクリーニングについて数多くの実験を行なった。
【0014】
実験の一つとして、気相成長装置内にTDMAAsを導入する際の基板温度を低いところから高いところまで振って、データの蒐集を行なったところ、基板温度が低い時点でTDMAAsを導入した場合には、眞に瞠目すべき結果が得られた。
【0015】
即ち、気相成長装置内に於いて、基板を加熱し、AsH3 を流しつつ、基板温度がデータを蒐集する目標に達した際にTDMAAsを導入し、クリーニングを行なってから、直ちにGaAs結晶層をエピタキシャル成長させて試料を作製して、その試料を測定する作業を繰り返した。
【0016】
図1は作製した試料及び試料の測定結果を表す図であって、(A)は試料の要部切断側面図、(B)は測定結果を表す線図である。
【0017】
図1(A)に於いて、1はGaAs基板、2は厚さが500〔nm〕であるノンドープGaAs結晶層、3は厚さが160〔nm〕且つ不純物濃度が1.5×1017〔cm-3〕であるn−GaAs結晶層、▲1▼は基板1と結晶層2との界面、▲2▼は結晶層2と結晶層3との界面をそれぞれ示している。
【0018】
図1(B)は、基板温度及びAsH3 の供給量及びTDMAAsの供給量と時間との関係を表し、縦軸に基板温度及びAsH3 の供給量及びTDMAAsの供給量を、また、横軸に時間をそれぞれ採ってある。
【0019】
図1(B)から明らかなように、適当な時点からAsH3 を流し、基板温度がデータをとる目標温度に達した際にTDMAAsを導入し、熱処理に依るクリーニングを終わってから、GaAs結晶層を成長させて試料を作製した。
【0020】
その試料は、室温から650〔℃〕を越える程度までの範囲に於いて、多くのデータ蒐集目標温度を設定して多数を作製し、その各試料についてC−V法(capacitance−voltage method)を適用して測定を行なった。
【0021】
その結果、基板温度が低い状態、即ち、室温乃至400〔℃〕程度の状態でTDMAAsを導入した場合、GaAs基板とエピタキシャル成長したGaAs結晶層との界面にはキャリヤが発生しないことを確認した。
【0022】
図2は作製した試料についてC−V法に依る測定を行なった結果を表す線図であり、横軸には結晶層表面からの深さ、また、縦軸にはキャリヤ濃度をそれぞれ採ってある。
【0023】
図から明らかなように、基板と成長させた結晶層との界面には、図7に見られるような鋭いピークは存在せず、なだらかに立ち下がっていることが明瞭に看取される。
【0024】
ところで、前記のようにして得られた試料について、SIMS(secondary ion mass spectroscopy)に依る観測を行なったところ、前記のようなクリーニングを行なっても、基板表面から不純物が除去されたわけではないことが判った。
【0025】
図3は試料をSIMSに依って観測することで得られた不純物プロファイルを表す線図であり、横軸には試料表面からの深さ、また、縦軸には不純物濃度をそれぞれ採ってある。
【0026】
図に於いて、▲1▼は図1(A)に示した試料に於けるGaAs基板1とノンドープGaAs結晶層2との界面、▲2▼はノンドープGaAs結晶層2とn−GaAs結晶層3との界面をそれぞれ示している。
【0027】
図から明らかなように、GaAs基板1とノンドープGaAs結晶層2との界面▲1▼には、5.4×1012〔cm-2〕ものSiドナーの存在が看取される。
【0028】
このようにSiドナーが存在する状態にありながら、界面▲1▼にキャリヤが発生しない理由は、同じく界面▲1▼に大量のO2 、即ち、1.5×1014〔cm-2〕ものO2 が存在することに由来し、このO2 がSiドナーを補償して界面を不活性化しているものと考えられる。
【0029】
さて、前記したように、界面▲1▼には、Siドナーを補償するO2 、即ち、深い準位のアクセプタになると考えられるO2 が大量に存在しているのであるが、その理由の確たるところは不分明であって、現在、解析中なのであるが、推測されるところは次の通りである。
【0030】
SIMSのデータからすると、界面▲1▼に於けるO2 のシート濃度は×1013台後半であることが認識され、このO2 がGaAs層の一層のみに全て含まれているとすると、O2 濃度は2×1021〔cm-3〕以上である。
【0031】
GaAsの原子密度は約4.4×1022〔cm-3〕であるから、前記のO2 濃度であれば、5〔%〕程度のO2 が含まれていることになる。尚、実際には、GaAs層に於ける界面の一層のみにO2 が存在するのではなく、若干は拡散しているものと思われる。
【0032】
この大量のO2 が混入することについて、TDMAAsに含まれる不純物が供給源であるとは考えられず、また、基板温度が400〔℃〕以下の低温の状態でTDMAAsを導入した場合のみにO2 の混入が認められることからすれば、本来、基板表面に存在していた酸化膜が残ったのではないか、そして、本発明に依る処理を行なったことで、酸化膜の成分が例えばAs2 O3 から主にGa2 O3 になるなど更に安定化される方向に変わったのではないかと推測される。因みに基板温度が400〔℃〕を越えた状態でTDMAAsを導入すると酸化膜は失われてしまう。
【0033】
前記実験に於いて、基板温度を650〔℃〕、或いは、それ以上にしてからTDMAAsを導入した場合、その効果は、AsH3 のみを用いてクリーニングした場合と変わりなかった。
【0034】
図4は参考の為にAsH3 のみでクリーニングした試料をSIMSに依って観測することで得られた図3と同様な不純物プロファイルを表す線図であり、横軸には試料表面からの深さ、また、縦軸には不純物濃度をそれぞれ採ってあり、図3に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
【0035】
図から明らかなように、GaAs基板1とノンドープGaAs結晶層2との界面▲1▼には、Siドナーを補償して不活性化できるほどのO2 は存在しない。
【0036】
前記諸実験からすると、基板温度が低い状態、即ち、400〔℃〕以下の状態でTDMAAsを導入してクリーニングを行なうことで、基板と結晶層との界面に大量のO2 が含まれることが確認され、又、そのO2 がSiドナーを補償して不活性化するとの推測は実験結果と良く一致する。尚、基板温度が400〔℃〕乃至500〔℃〕を越えた場合、基板表面のO2 は除去されてしまい、TDMAAsを導入しても、O2 は残らなくなってしまう。
【0037】
前記したところから、本発明に依る化合物半導体装置の製造方法に於いては、
(1)
化合物半導体ウエハ(例えばGaAs基板1)を気相成長装置(例えば図5参照)内にセットしてから化合物半導体結晶層(例えばノンドープGaAs結晶層2)を成長する前にウエハ温度が400〔℃〕以下の状態でトリスジメチルアミノアルシンを導入してウエハ熱処理を施す工程が含まれてなることを特徴とするか、又は、
【0038】
(2)
前記(1)に於いて、化合物半導体ウエハがGaAsウエハであって且つその上に成長させる化合物半導体結晶層がGaAs層であることを特徴とするか、又は、
【0039】
(3)
前記(1)に於いて、化合物半導体ウエハがGaAsウエハであって且つその上に成長させる化合物半導体結晶層がAlGaAs層であることを特徴とするか、又は、
【0040】
(4)
前記(2)或いは(3)に於いて、GaAsウエハを硫酸系溶液、アンモニア系溶液、フッ酸系溶液、塩酸系溶液の何れかを用いて前処理する工程が含まれてなることを特徴とする。
【0041】
前記手段を採ることに依り、基板と成長結晶層との界面は不活性化され、キャリヤが生成されることはなく、従って、リークが少ないMESFETやHEMTを作製することができ、高性能の半導体装置を実現することが可能である。
【0042】
また、その為に必要な従来の技術と異なる作業は、基板に結晶層を成長させる為の気相成長装置内に結晶成長を行なうに先立ち基板温度が低い状態でTDMAAsを導入するのみであり、クリーニングを行なう手間としては、従来の技術で行なわれているクリーニングと変わりないので、その為に工程が増加することもなく、実施には何等の困難もない。
【0043】
【発明の実施の形態】
図5は本発明を実施するのに用いたMOCVD装置を表す要部説明図であり、図に於いて、11は成長室、12はヒータを含むウエハ載置台、13はAsH3 のボンベ、14並びに15はMO(metalorganic)容器、16並びに17は恒温槽、18はドライ・ポンプ、19は除害装置、20はウエハ、MFCはマス・フロー・コントローラ、Pは圧力計、PVは圧力コントロール・バルブをそれぞれ示している。
【0044】
本実施の形態の場合、MO容器14にはトリメチルガリウム(TMGa:Ga(CH3 )3 )が、また、MO容器15にはTDMAAsがそれぞれ収容されている。
【0045】
次に、前記説明したMOCVD装置を用い、本発明を実施してGaAsウエハ20を熱クリーニングする場合について説明する。
【0046】
(1)
成長室11内にGaAsウエハ20をセットしてから、ドライ・ポンプ18で真空引きを行なって、圧力を50〔mmTorr〕に維持する。
【0047】
(2)
ヒータに通電し、GaAsウエハ20を基板温度が300〔℃〕を越えない低温でAsH3 を7×10-3〔モル/分〕の流量で導入する。尚、この場合、図1(B)を参照すると理解が容易になる。
【0048】
(3)
TDMAAsは、基板温度が400〔℃〕を越えない時点で導入を開始し、その流量は、例えば8×10-5〔モル/分〕とする。
【0049】
(4)
GaAsウエハ20の基板温度が650〔℃〕に達してから、10〔分〕間の熱クリーニングを行なう。尚、この際、AsH3 の流量は、2×10-2〔モル/分〕とした。
【0050】
(5)
この後、前記熱クリーニングしたGaAsウエハ20上に所要の化合物半導体層を成長させてヘテロ接合FET(field effect transistor)やHEMTを作製したところ、リークが少ない、特性良好なものが得られた。
【0051】
図6は本発明による熱クリーニングを行なったGaAsウエハを用いて製造した化合物半導体装置を表す要部切断側面図であり、(A)にはヘテロ接合FETを、(B)にはHEMTをそれぞれ表してある。
【0052】
図6の(A)に於いて、31は基板、32はバッファ層、33はチャネル層、34はショットキ・バリヤ層、35はキャップ層、36はソース領域、37はドレイン領域、38はゲート電極、39はソース電極、40はドレイン電極をそれぞれ示し、又、▲1▼は基板31とバッファ層32との界面を示している。
【0053】
図示のヘテロ接合FETの各部分に関する主要なデータを例示すると次の通りである。
【0054】
(1) 基板31について
材料:半絶縁性GaAs
(2) バッファ層32について
材料:i−GaAs(基板側)→i−Alx Ga1-x As(表面側)
厚さ:500〔nm〕
(3) チャネル層33について
材料:n−GaAs
n−InGaAsに代替可
不純物濃度:5×1017〔cm-3〕
厚さ:10〔nm〕
(4) ショットキ・バリヤ層34について
材料:i−AlGaAs
厚さ:20〔nm〕
(5) キャップ層35について
材料:i−GaAs
厚さ:10〔nm〕
(6) ソース領域36及びドレイン領域37について
導電型:n
不純物濃度:5×1018〔cm-3〕以上
(7) ゲート電極38について
材料:WSi
厚さ:500〔nm〕
(8) ソース電極39及びドレイン電極40について
材料:AuGe/Ni/Au
厚さ:全部で400〔nm〕程度
【0055】
図6の(B)に於いて、41は基板、42はバッファ層、43はチャネル層、44はキャリヤ(この場合は電子)供給層、45はコンタクト層、46はソース領域、47はドレイン領域、48はゲート電極、49はソース電極、50はドレイン電極をそれぞれ示し、又、▲1▼は基板41とバッファ層42との界面を示している。
【0056】
図示のHEMTの各部分に関する主要なデータを例示すると次の通りである。
【0057】
(1) 基板41について
材料:半絶縁性GaAs
(2) バッファ層42について
材料:i−GaAs(基板側)→i−Alx Ga1-x As(表面側)
厚さ:500〔nm〕
(3) チャネル層43について
材料:i−GaAs
i−InGaAsに代替可
厚さ:30〔nm〕
(4) 電子供給層44について
材料:n−AlGaAs
不純物濃度:2×1018〔cm-3〕
厚さ:25〔nm〕
(5) コンタクト層45について
材料:n−GaAs
不純物濃度:2×1018〔cm-3〕
厚さ:10〔nm〕
(6) ソース領域46及びドレイン領域47について
導電型:n
不純物濃度:5×1018〔cm-3〕以上
(7) ゲート電極48について
材料:WSi
厚さ:500〔nm〕
(8) ソース電極49及びドレイン電極50について
材料:AuGe/Ni/Au
厚さ:全体で400〔nm〕程度
【0058】
図6に示した化合物半導体装置は、何れもリーク電流は低く、特性は良好であった。
【0059】
【発明の効果】
本発明に依る化合物半導体装置の製造方法に於いては、化合物半導体ウエハを気相成長装置内にセットしてから化合物半導体結晶層を成長する前にウエハ温度が400〔℃〕以下の状態でトリスジメチルアミノアルシンを導入してウエハ熱処理を施す工程が含まれる。
【0060】
前記手段を採ることに依り、基板と成長結晶層との界面は不活性化され、キャリヤが生成されることはなく、従って、リークが少ないMESFETやHEMTを作製することができ、高性能の半導体装置を実現することが可能である。
【0061】
また、その為に必要な従来の技術と異なる作業は、基板に結晶層を成長させる為の気相成長装置内に結晶成長を行なうに先立ち基板温度が低い状態でTDMAAsを導入するのみであり、クリーニングを行なう手間としては、従来の技術で行なわれているクリーニングと変わりないので、その為に工程が増加することもなく、実施には何等の困難もない。
【図面の簡単な説明】
【図1】作製した試料及び試料の測定結果を表す図である。
【図2】作製した試料についてC−V法に依る測定を行なった結果を表す線図である。
【図3】試料をSIMSに依って観測することで得られた不純物プロファイルを表す線図である。
【図4】参考の為にAsH3 のみでクリーニングした試料をSIMSに依って観測することで得られた図3と同様な不純物プロファイルを表す線図である。
【図5】本発明を実施するのに用いたMOCVD装置を表す要部説明図である。
【図6】本発明による熱クリーニングを行なったGaAsウエハを用いて製造した化合物半導体装置を表す要部切断側面図である。
【図7】基板と成長させた結晶層との界面に於けるキャリヤ濃度を表す線図である。
【符号の説明】
1 GaAs基板
2 ノンドープGaAs結晶層
3 n−GaAs結晶層
▲1▼ 基板1と結晶層2との界面
▲2▼ 結晶層2と結晶層3との界面
Claims (4)
- 化合物半導体ウエハを気相成長装置内にセットしてから化合物半導体結晶層を成長する前にウエハ温度が400〔℃〕以下の状態でトリスジメチルアミノアルシンを導入してウエハ熱処理を施す工程
が含まれてなることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。 - 化合物半導体ウエハがGaAsウエハであって且つその上に成長させる化合物半導体結晶層がGaAs層であること
を特徴とする請求項1記載の化合物半導体装置の製造方法。 - 化合物半導体ウエハがGaAsウエハであって且つその上に成長させる化合物半導体結晶層がAlGaAs層であること
を特徴とする請求項1記載の化合物半導体装置の製造方法。 - GaAsウエハを硫酸系溶液、アンモニア系溶液、フッ酸系溶液、塩酸系溶液の何れかを用いて前処理する工程
が含まれてなることを特徴とする請求項2或いは請求項3記載の化合物半導体装置の製造方法。
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