JP3677983B2 - セラミック基板 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板面に多数の半田ボール(半田バンプ)を列設したセラミック基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年の半導体実装技術における高密度化、高周波数化、多ピン化の要求を満たすために、BGA(Ball Grid Array )基板の需要が急増している。セラミック基板をBGA化する場合には、基板面にAg/Pdペーストでパッドを形成し、そのパッドの表面にNiめっきを下地としてSnめっきを施し、このSnめっき被膜の上にSn/Pb半田で半田ボールを形成するようにしている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
最近の電子機器は、デジタル信号処理を高速化するために、動作周波数が益々高周波数化されるようになってきている。高周波数化に伴って、パッドも高周波特性の良い導体で形成する必要があるが、従来のパッドを形成するAg/Pdは導通抵抗値が15〜20mΩ/□(Ag/Pd比=80/20の場合)であり、最近の高周波数化の要求を満たすには導通抵抗値が大きく、高周波特性を低下させる要因となっている。また、近年、地球環境保護の観点からPb不使用(Pbレス化)の要求もあり、従来のSn/Pbの半田ボールは使用できなくなってきている。
【0004】
本発明はこのような事情を考慮してなされたものであり、従ってその目的は、高周波数化及びPb不使用の要求を満たすことができるセラミック基板を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の請求項1のセラミック基板は、半田ボールを形成するためのパッドをAg/Pt層で形成すると共に、その表面にNiめっきを下地としてSnめっきを施し、半田ボールをSn/Ag半田で形成したものである。この場合、パッドを形成するAg/Ptは、導通抵抗値が5mΩ/□以下(Ag/Pt比=99/1〜98.5/1.5の場合)であり、導通抵抗値が小さく、最近の高周波数化にも十分に対応できる。しかも、パッドの表面にNi/Snめっきが施されているため、Pbを含まないSn/Ag半田で半田ボールを形成しても、半田ボールとパッドとの接着強度を十分に確保することができる。
【0006】
また、請求項2のように、パッドを構成するAg/Pt層の下にAg/Pd層が介在されていても良い。一般に、耐半田食われ性は、Ag/PtよりもAg/Pdの方が優れ、半田濡れ性は、Ag/PdよりもAg/Ptの方が優れているため、パッドの下層をAg/Pd層、上層をAg/Pt層とすることで、耐半田食われ性と半田濡れ性とを共に向上できる。
【0007】
【発明の実施の形態】
[実施形態(1)]
以下、本発明の実施形態(1)を図1に基づいて説明する。セラミック基板11は、複数の低温焼成セラミック層を積層して800〜1000℃で焼成した低温焼成セラミック多層基板である。ここで、低温焼成セラミックとしてはCaO−SiO2 −Al2 O3 −B2 O3 系ガラス50〜65重量%(好ましくは60重量%)とアルミナ50〜35重量%(好ましくは40重量%)との混合物を用いる。この他、例えば、MgO−SiO2 −Al2 O3 −B2 O3 系ガラスとアルミナとの混合物、SiO2 −B2 O3 系ガラスとアルミナとの混合物、PbO−SiO2 −B2 O3 系ガラスとアルミナとの混合物、コージェライト系結晶化ガラス等の800〜1000℃で焼成できる低温焼成セラミック材料を用いても良い。
【0008】
セラミック基板11の各低温焼成セラミック層に形成されたビアホール12には、Ag系のビア導体13が充填されている。このビア導体13に用いるAg系導体としては、Ag、Ag/Pt、Ag/Pd、Ag/Pd/Pt、Ag/Au等の中からいずれかを用いれば良い。セラミック基板11の表面には、パッド14がビア導体13の上端露出部をカバーするように形成されている。
【0009】
このパッド14は次のようにして形成される。まず、焼成前のセラミック基板11の表面にAg/PtペーストでAg/Pt層15のパターンをスクリーン印刷し、このAg/Pt層15をビア導体13、内層導体(図示せず)、セラミック基板11と共に800〜1000℃で同時焼成する。尚、Ag/Pt層15は低抵抗化、マイグレーション抑制等のために、Ag/Pt比が99.5/0.5〜95/5、より好ましくは、99/1〜98.5/1.5のものを用いると良い。焼成後、Ag/Pt層15の表面に、無電解Niめっき又は電解NiめっきでNiめっき被膜16を形成し、更に、このNiめっき被膜16の表面に、無電解Snめっき又は電解SnめっきでSnめっき被膜17を形成する。
【0010】
このようにしてパッド14を形成した後、パッド14の表面(Snめっき被膜17)に、Pbを含まないSn/Ag半田ペーストを印刷し、これをリフローさせて半球状の半田ボール18を形成する。ここで使用するSn/Ag半田は、低融点化、低抵抗化、半田濡れ性等を考慮して、Sn/Ag比が99/1〜94/6、より好ましくは、98.5/1.5〜96.5/3.5のものを用いると良い。
尚、Ag/Pt層15は、セラミック基板11の焼成後に、印刷・焼成するようにしても良い。
【0011】
[実施形態(2)]
上記実施形態(1)では、Ag/Pt層15を直接、ビア導体13に接続する構成としたが、図2に示す実施形態(2)では、パッド14の下層をAg/Pd層20、上層をAg/Pt層15として、パッド14を二層構造とし、Ag/Pt層15をAg/Pd層20を介してビア導体13に接続している。これ以外の構成は、前記実施形態(1)と同じである。尚、Ag/Pd層20は低抵抗化、マイグレーション抑制等のために、Ag/Pd比が95/5〜70/30のものを用いると良い。
【0012】
この場合、Ag/Pd層20とAg/Pt層15は、次の▲1▼〜▲4▼のいずれかの方法で形成すれば良い。
▲1▼焼成前のセラミック基板11にAg/Pd層20とAg/Pt層15とを順に印刷して、これらを同時焼成する。
▲2▼焼成前のセラミック基板11にAg/Pd層20を印刷して、これらを同時焼成した後、該Ag/Pd層20上にAg/Pt層15を印刷して焼成する。
▲3▼セラミック基板11の焼成後に、該セラミック基板11にAg/Pd層20とAg/Pt層15とを順に印刷して、これらを同時焼成する。
▲4▼セラミック基板11の焼成後に、該セラミック基板11にAg/Pd層20を印刷して焼成した後、該Ag/Pd層20上にAg/Pt層15を印刷して焼成する。
【0013】
【実施例】
本発明者らは、種々の形態のパッドの導体構造について、半田ボールの接着強度、半田濡れ性、保管性(パッド表面の外観の経時的変化)、リペア性(耐半田食われ性)、導通抵抗を評価する試験を行ったので、その試験結果を次の表1に示す。
【0014】
【表1】
【0015】
実施例1は、実施形態(1)で説明した図1と同じく、パッドをAg/Pt層で形成して、その表面にNi/Snめっきを施している。
実施例2は、実施形態(2)で説明した図2と同じく、パッドをAg/Pd層とAg/Pt層の二層構造として、その表面にNi/Snめっきを施している。
【0016】
比較例1は、パッドをAg/Pd層で形成し、めっきは施されていない。
比較例2は、パッドをAg/Pt層で形成し、めっきは施されていない。
比較例3は、パッドをAg/Pd層とAg/Pt層の二層構造とし、めっきは施されていない。
比較例4は、パッドをAg/Pd層で形成し、その表面にNi/Auめっきを施している。
比較例5は、パッドをAg/Pt層で形成し、その表面にNi/Auめっきを施している。
比較例6は、パッドをAg/Pd層で形成し、その表面にNi/Snめっきを施している。
【0017】
これら実施例1,2及び比較例1〜6は、いずれも、焼成前のセラミック基板表面に導体ペーストでパッドの導体層を印刷して、この導体層をセラミック基板と同時焼成している。また、実施例1,2及び比較例1〜6は、いずれも、パッド上にSn/Ag半田(Sn/Ag比=97.5/2.5)で半田ボールを形成している。以下、各評価項目について説明する。
【0018】
▲1▼半田ボールの接着強度
パッドに対する半田ボールの接着強度の評価は、条件ピール法で行い、150℃で200時間エージングした後に、半田ボールをパッドから引き剥がすのに要する力を接着強度として測定し、要求される0.30kgf/mm2 以上の接着強度があるか否かで、良(○)/不良(×)を判定した。パッド表面がめっき処理されていない比較例1,2,3及びNi/Auめっき処理が施された比較例4,5は、パッドとSn/Ag半田との相性が悪く、接着強度が要求値0.30kgf/mm2 に達しなかった。これに対し、パッド表面にNi/Snめっきを施した実施例1,2は、パッドとSn/Ag半田との相性が良く、要求値0.30kgf/mm2 以上の接着強度が確保された。
【0019】
▲2▼半田濡れ性
半田濡れ性の評価は、パッドにSn/Ag半田をディプ半田付けしたときに、パッドの面積の90%以上が半田で濡れているか否かで、良(○)/不良(×)を判定した。半田濡れ性については、実施例1,2と比較例1〜6の全てが良(○)であった。
【0020】
▲3▼保管性(パッド表面の外観の経時的変化)
保管性の評価は、パッドに半田ボールを形成しない状態で、室温(22〜28℃)、湿度40〜60%で6ケ月以上放置したときに、パッド表面の外観が経時的変化したか否かで、不良(×)/良(○)を判定した。パッド表面がめっき処理されていない比較例1,2,3は、パッド表面が酸化されて変色し、保管性が不良(×)となったが、パッド表面がめっき処理されている実施例1,2及び比較例4,5,6は、いずれも、パッドの表面がめっき被膜で保護され、保管性が良(○)と評価された。
【0021】
▲4▼リペア性
リペア性の評価は、パッドに一旦半田付けした部品を特性調整等により他の部品と付け替えるリペア作業を2回数以上行っても、パッドが耐え得るか否かで、良(○)/不良(×)を判定した。パッド表面がめっき処理されていない比較例1,2,3及びNi/Auめっき処理が施された比較例4,5は、パッドとSn/Ag半田との相性が悪いため、リペア作業によりパッドに半田食われが起こり、リペア性は不良(×)と評価された。これに対し、パッド表面にNi/Snめっきを施した実施例1,2は、パッドとSn/Ag半田との相性が良いため、2回以上のリペア作業を行っても、パッドに半田食われが起こらず、リペア性が良(○)と評価された。
【0022】
▲5▼導通抵抗
導通抵抗の評価は、導通抵抗値が小さいか否かで良(○)/不良(×)を判定した。パッドの導体としてAg/Pdを用いた比較例1,4,6は、導通抵抗値が大きく、導通抵抗の評価が不良(×)となった。これに対し、パッドの導体(少なくとも上層の導体)としてAg/Ptを用いた実施例1,2及び比較例2,3,5は、導通抵抗値が小さく、導通抵抗の評価が良(○)となり、良好な高周波特性が得られた。
【0023】
▲6▼総合評価
比較例1〜6は、上記▲1▼〜▲5▼のいずれかの項目が不良(×)となったが、実施例1,2のパッド導体構造(図1及び図2のパッド導体構造)では、半田ボールの接着強度、半田濡れ性、保管性、リペア性、導通抵抗の全ての項目について良(○)の評価が得られ、高周波数化にも十分に対応できる品質の良いパッド導体構造となる。しかも、半田ボールを、Pbを含まないSn/Ag半田で形成できるので、Pb不使用の要求を満たすことができる。
【0024】
尚、焼成後のセラミック基板にパッドの導体を印刷焼成する場合には、セラミック基板として、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板等の高温焼成セラミック基板を用いるようにしても良い。また、半田ボールの形成方法も上記実施形態に限定されず、公知の種々の半田ボールの形成方法を採用しても良い。
【0025】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、パッドの少なくとも上層を導通抵抗値の小さいAg/Pt層で形成し、その表面にNi/Snめっきを施し、その上にSn/Ag半田ボールを形成したので、近年の重要な技術的課題である高周波数化及びPb不使用の要求を満たすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態(1)におけるパッドと半田ボール部分の構造を模式的に示す縦断面図
【図2】本発明の実施形態(2)におけるパッドと半田ボール部分の構造を模式的に示す縦断面図
【符号の説明】
11…セラミック基板、13…ビア導体、14…パッド、15…Ag/Pt層、16…Niめっき被膜、17…Snめっき被膜、18…半田ボール、20…Ag/Pd層。
Claims (2)
- 基板面に多数の半田ボールを列設したセラミック基板において、
前記半田ボールを形成するためのパッドをAg/Pt層で形成すると共に、その表面にNiめっきを下地としてSnめっきを施し、
前記半田ボールをSn/Ag半田で形成したことを特徴とするセラミック基 板。 - 前記Ag/Pt層の下にAg/Pd層が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のセラミック基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2372098A JP3677983B2 (ja) | 1998-02-05 | 1998-02-05 | セラミック基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2372098A JP3677983B2 (ja) | 1998-02-05 | 1998-02-05 | セラミック基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11224887A JPH11224887A (ja) | 1999-08-17 |
JP3677983B2 true JP3677983B2 (ja) | 2005-08-03 |
Family
ID=12118177
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2372098A Expired - Lifetime JP3677983B2 (ja) | 1998-02-05 | 1998-02-05 | セラミック基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3677983B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4034107B2 (ja) | 2002-04-17 | 2008-01-16 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
JP4817418B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2011-11-16 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 回路装置の製造方法 |
WO2014115358A1 (ja) * | 2013-01-25 | 2014-07-31 | 株式会社村田製作所 | モジュールおよびその製造方法 |
CN112951730B (zh) * | 2021-01-26 | 2024-03-29 | 北京遥感设备研究所 | 一种基板三维堆叠工艺方法 |
-
1998
- 1998-02-05 JP JP2372098A patent/JP3677983B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11224887A (ja) | 1999-08-17 |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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A621 | Written request for application examination |
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