JP3674917B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、ＩＣ内蔵ホールセンサチップのＧａＡｓ電界効果トランジスタを形成するための半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＧａＡｓ半導体プロセスにおいて、ＧａＡｓウエハ上にレジストパターンを形成しアライメントマーク形成、イオン注入工程を経てアニール工程によりチャネル層は完成する。次にチャネル層上にオーミック接合により接合するソース電極とドレイン電極、ショットキー接合により接合するゲート電極を形成する。
【０００３】
従来電極の形成において、ゲート電極はチタンタングステン（Ｔｉ／Ｗ）をスパッタリング装置により成膜する。レジストパターニング後、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）工程で電極を形成し、レジスト剥離を行い、ゲート電極は完成する。オーミック電極はイメージリバースパターニング後、オーミック電極を構成する金属を蒸着により成膜し、リフトオフにより余分な金属を除去することにより、オーミック電極は完成する。
【０００４】
図７と図８は、従来のＧａＡｓ電界効果トランジスタ（ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ）の製造工程を示すフローチャートである。ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴの製造工程は、ドレイン領域、ソース領域およびチャネル層形成工程（ＳＴ１００）とゲート電極形成工程（ＳＴ１１０）とドレイン電極およびソース電極形成工程（ＳＴ１２０）から成っている。
【０００５】
ゲート電極形成工程（ＳＴ１１０）は、ゲート電極用メタル堆積工程（ＳＴ１１１）とレジストパターニング工程（ＳＴ１１２）と反応性イオンエッチング工程（ＳＴ１１３）とレジスト剥離工程（ＳＴ１１４）から成っている。
【０００６】
ドレイン電極およびソース電極形成工程（ＳＴ１２０）は、無機系絶縁層堆積工程（ＳＴ１２１）とドレイン電極およびソース電極窓開け工程（ＳＴ１２２）とイメージリバースパターニングによるレジストパターニング工程（ＳＴ１２６）とドレインメタルおよびソースメタル堆積工程（ＳＴ１２７）とリフトオフ工程（ＳＴ１２８）から成っている。
【０００７】
ドレイン電極およびソース電極窓開け工程（ＳＴ１２２）は、レジストパターニング工程（ＳＴ１２３）とドライエッチングによりゲート電極を形成する部分の無機系絶縁層をエッチングする工程（ＳＴ１２４）とレジスト剥離工程（ＳＴ１２５）から成っている。
【０００８】
ドレイン領域、ソース領域およびチャネル層形成工程（ＳＴ１００）は、まず、アライメントマークが形成されたＧａＡｓ半導体基板にドレイン領域とソース領域を構成する高不純物濃度活性層を形成するために、適当なマスクを通して、１６０ｋｅＶ，２．０×１０13／ｃｍ2の高ドーズのＳｉ+イオン注入を行う。次に、そのＧａＡｓ半導体基板にチャネル層を形成するために、適当なマスクを通して、Ｓｉ+を１２０ｋｅＶ，２．０×１０12／ｃｍ2でイオン注入する。その後、ＧａＡｓ半導体基板をアニール炉の中に入れ、アルシン（ＡｓＨ3）雰囲気中で、８５０℃で約１５分間加熱する。それにより、Ｓｉイオンが活性化され、チャネル層、ドレイン領域、ソース領域が形成される。
【０００９】
ゲート電極形成工程（ＳＴ１１０）は、次のように行われる。図９は、ゲート電極形成工程（ＳＴ１１０）の各工程でのＧａＡｓ半導体基板の断面図である。
【００１０】
ゲート電極用メタル堆積工程（ＳＴ１１１）では、ゲートメタルは、図９（ａ）において、チャネル層１００、ドレイン領域１０１、ソース領域１０２が形成されたＧａＡｓ半導体基板１０３に、例えば、チタンタングステン（Ｔｉ／Ｗ）１０４を３０００オングストロームの膜厚でスパッタリングにより成膜する。その後、図９（ｂ）において、レジスト１０５でレジストパターニングを行い（ＳＴ１１２）、図９（ｃ）において、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりチタンタングステン（Ｔｉ／Ｗ）１０４をエッチングする（ＳＴ１１３）。その後、レジストを除去することにより（ＳＴ１１４）、ゲート電極１０６を形成する。（図９（ｄ））。
【００１１】
ドレイン電極およびソース電極形成工程（ＳＴ１２０）は、次のように行われる。図１０と図１１は、ドレイン電極およびソース電極形成工程（ＳＴ１２０）の各工程でのＧａＡｓ半導体基板の断面図である。
【００１２】
無機系絶縁層堆積工程（ＳＴ１２１）は、図１０（ａ）において、図９（ｄ）で示したチャネル層１００、ドレイン領域１０１、ソース領域１０２が形成され、ゲート電極１０６が形成されたＧａＡｓ半導体基板１０３の上にプラズマＣＶＤにより、３６００オングストロームの膜厚のＳｉＯ2膜１０７を無機系絶縁層として成膜する。
【００１３】
ドレイン電極およびソース電極窓開け工程（ＳＴ１２２）は、まず、図１０（ｂ）において、ＧａＡｓ半導体基板１０３上に堆積した無機系絶縁層であるＳｉＯ2膜１０７の上にレジスト１０８をスピンコータなどにより、均一に塗布する。次に、ドレイン電極およびソース電極を形成する部分が光を通すようになっているマスクをＧａＡｓ半導体基板１０３上の無機系絶縁層であるＳｉＯ2膜１０７上のレジスト１０８に密着させ、レジスト１０８が反応する波長の光により露光し、その後、現像液に浸けることによりレジストの露光された部分が溶け、開口１０９，１１０を形成する（ＳＴ１２３）。そして、リンス液により現像液を洗浄する。
【００１４】
その後、レジスト１０８中に存在する現像液あるいはリンス液を除き、レジスト１０８と無機系絶縁層であるＳｉＯ2膜１０７との接着性を増すため、ポストベークを行う。
【００１５】
次に、図１０（ｃ）において、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、レジスト１０８の開口部１０９，１１０のＳｉＯ2を除去する（ＳＴ１２４）。そして、図１０（ｄ）において、レジストを除去する（ＳＴ１２５）。
【００１６】
その後、図１１（ａ）において、レジスト１１１を塗布し、イメージリバースパターニングを行ってレジストパターンを形成する（ＳＴ１２６）。ドレインメタルおよびソースメタルは、図１１（ｂ）において、例えば、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ膜１１２を３６００オングストロームの膜厚に蒸着して成膜する（ＳＴ１２７）。その後、リフトオフすることにより（ＳＴ１２８）、ドレイン電極１１３およびソース電極１１４を形成する。（図１１（ｃ））。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の半導体装置の製造方法においては、各工程の最後に有機系溶剤によるレジスト剥離の工程を伴い、ＧａＡｓウエハ表面にダメージを与えていた。また、リフトオフを伴う場合、蒸着時のレジストへのダメージのためレジスト残査が生じる危険性を伴う。よって剥離条件を、ＧａＡｓウエハに対してダメージを促進する方向で行う必要が生じる。その条件はＧａＡｓ表面を数百オングストロームエッチングする程で、チャネル層自体を失う結果となる。また、剥離しきれないレジスト残査をドライエッチングにより除去する必要があるため、プラズマによるチャネル層へのダメージが生じる。当然反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）工程においても、ＧａＡｓ表面にプラズマダメージが生じる。そのダメージにより、完成した半導体装置のトランジスタ特性が安定しない、すなわち、ウエハ上でばらつきを伴うという問題点が生じていた。
【００１８】
上記問題点を解決する半導体装置の製造方法が、特開平５−１７５２４３号公報により開示されている。その方法によると、半絶縁性半導体基板の一主面にイオン注入法によって選択的に形成された能動層上にソース電極とドレイン電極を形成し、次にＣＶＤ法によって第１の絶縁膜例えばＳｉＯ2膜を堆積し、その上に第２の絶縁膜例えばＳｉＮｘ膜をプラズマＣＶＤ法によって積層して形成する。次に、フォトレジスト層を被着し、ゲート電極形成予定域に開口を形成する。開口が形成されたフォトレジスト層をマスクとして反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法により第２の絶縁膜をエッチングして開孔を形成する。次に、第２の絶縁膜をマスクとして開孔を通してふっ化アンモニウム液を用いて能動層の上にある第１の絶縁膜をエッチングする。このとき第２の絶縁膜はほとんどエッチングされない。これによると、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）工程は第１の絶縁膜（ＳｉＯ2）上の第２の絶縁膜（ＳｉＮｘ）に対してのみ行われるため、イオンによって直接能動層が叩かれることなく、従って能動層にダメージが生じない。
【００１９】
しかしながら、上記製造方法においては、絶縁膜（無機系絶縁層）として、２種類の絶縁膜を積層する必要があり、すなわち、第１の絶縁膜としてのＳｉＯ2膜はＣＶＤ法によって堆積し、第２の絶縁膜としてのＳｉＮｘ膜はプラズマＣＶＤ法により堆積する必要があり、絶縁膜を形成するための工程に２種類の装置が必要であり工程数が増えてしまうという問題点がある。
【００２０】
本発明の目的は、上記問題を解決するため、ＧａＡｓ半導体プロセスにおいて、ＧａＡｓウエハ表面を有機性薬品およびプラズマによるダメージから防ぐことができ、かつ工程が少ない半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段および作用】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記の目的を達成するために、次のように構成される。
【００２２】
第１の半導体装置の製造方法（請求項１に対応）は、ＧａＡｓ半導体基板に複数回のイオン注入工程と少なくとも１回のアニール工程によって形成された、ドレイン電極と接合するドレイン領域を構成する高不純物濃度活性層と、ソース電極と接合するソース領域を構成する高不純物濃度活性層と、ドレイン領域を構成する高不純物濃度活性層とソース領域を構成する高不純物濃度活性層に介在してゲート電極と接合するチャネル層を備えた半導体装置の製造方法において、ドレイン領域を構成する高不純物濃度活性層とソース領域を構成する高不純物濃度活性層およびチャネル層の上に無機系絶縁層を層間膜として備えた半導体装置のゲート電極を形成する工程と、ドレイン電極とソース電極を形成する工程を含んでおり、ゲート電極を形成する工程が、無機系絶縁層上にゲート電極を形成する箇所に第１の開口を有する第１のレジストパターンを形成する工程と、第１の開口により露出する無機系絶縁層を所定の膜厚になるまでドライエッチングによりエッチングする工程と、第１のレジストパターンを除去する工程と、イメージリバースパターニングで第１のレジストパターンの第１の開口の位置と同一の箇所に第１の開口より開口幅の広い第２の開口を有する第２のレジストパターンを形成する工程と、第１の開口により露出していた所定の膜厚の無機系絶縁層を取り除くまでウェットエッチングによりエッチングする工程と、ゲート電極を構成する金属を成膜する工程と、リフトオフでゲート電極を構成する金属以外の金属を除去する工程とを順に行い、ドレイン電極とソース電極を形成する工程が、無機系絶縁層上にドレイン電極とソース電極を形成する箇所に第３の開口を有する第３のレジストパターンを形成する工程と、第３の開口により露出する無機系絶縁層を所定の膜厚になるまでドライエッチングによりエッチングする工程と、第３のレジストパターンを除去する工程と、イメージリバースパターニングで第３のレジストパターンの第３の開口の位置と同一の箇所に第３の開口より開口幅の広い第４の開口を有する第４のレジストパターンを形成する工程と、第３の開口により露出していた所定の膜厚の無機系絶縁層を取り除くまでウェットエッチングによりエッチングする工程と、ドレイン電極とソース電極を構成する金属を成膜する工程と、リフトオフでドレイン電極とソース電極を構成する金属以外の金属を除去する工程とを順に行うことで特徴づけられる。
【００２３】
第１の半導体装置の製造方法によれば、ドレイン領域を構成する高不純物濃度活性層とソース領域を構成する高不純物濃度活性層およびチャネル層の上に無機系絶縁層を層間膜として備えた半導体装置のゲート電極を形成する工程と、ドレイン電極とソース電極を形成する工程を含んでおり、ゲート電極を形成する工程が、無機系絶縁層上にゲート電極を形成する箇所に第１の開口を有する第１のレジストパターンを形成する工程と、第１の開口により露出する無機系絶縁層を所定の膜厚になるまでドライエッチングによりエッチングする工程と、第１のレジストパターンを除去する工程と、イメージリバースパターニングで第１のレジストパターンの第１の開口の位置と同一の箇所に第１の開口より開口幅の広い第２の開口を有する第２のレジストパターンを形成する工程と、第１の開口により露出していた所定の膜厚の無機系絶縁層を取り除くまでウェットエッチングによりエッチングする工程と、ゲート電極を構成する金属を成膜する工程と、リフトオフでゲート電極を構成する金属以外の金属を除去する工程とを順に行い、ドレイン電極とソース電極を形成する工程が、無機系絶縁層上にドレイン電極とソース電極を形成する箇所に第３の開口を有する第３のレジストパターンを形成する工程と、第３の開口により露出する無機系絶縁層を所定の膜厚になるまでドライエッチングによりエッチングする工程と、第３のレジストパターンを除去する工程と、イメージリバースパターニングで第３のレジストパターンの第３の開口の位置と同一の箇所に第３の開口より開口幅の広い第４の開口を有する第４のレジストパターンを形成する工程と、第３の開口により露出していた所定の膜厚の無機系絶縁層を取り除くまでウェットエッチングによりエッチングする工程と、ドレイン電極とソース電極を構成する金属を成膜する工程と、リフトオフでドレイン電極とソース電極を構成する金属以外の金属を除去する工程とを順に行うため、有機性薬品およびプラズマによるチャネル層、ドレイン領域およびソース領域へのダメージを生じない。また、電極がＴ型に形成されるため、電極からの薬液のしみ込みを防ぐことができる。それにより、ダメージによる半導体装置のトランジスタ特性にばらつきがなく安定である。また、無機系絶縁層が一種類であるため、無機系絶縁層堆積のための工程数を少なくすることができる。
【００２４】
第２の半導体装置の製造方法（請求項２に対応）は、上記の方法において、好ましくは所定の膜厚が３００オングストローム以上７００オングストローム以下であることで特徴づけられる。
【００２５】
第３の半導体装置の製造方法（請求項３に対応）は、上記の方法において、好ましくはドライエッチングが、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）であることで特徴づけられる。
【００２６】
第３の半導体装置の製造方法によれば、ドライエッチングが反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）であるため、異方性に優れた微細パターンの加工が可能である。
【００２７】
第４の半導体装置の製造方法（請求項４に対応）は、上記の方法において、好ましくはウェットエッチングのエッチャントは、バッファードふっ酸（ＢＨＦ）であることで特徴づけられる。
【００２８】
第４の半導体装置の製造方法によれば、ウェットエッチングのエッチャントにバッファードふっ酸（ＢＨＦ）を用いるため、レジストをマスクにする場合、レジストとＳｉＯ2界面へのしみ込みを押さえることができ良好なエッチングを行うことができる。
【００２９】
第５の半導体装置の製造方法（請求項５に対応）は、上記の方法において、好ましくは無機系絶縁層は、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜であることで特徴づけられる。
【００３０】
第５の半導体装置の製造方法によれば、無機系絶縁層がシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜であるため、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、スパッタ法により容易に形成することができる。また、基板との熱的安定性、緻密性、密着性、耐クラック性、基板構成物質の無機系絶縁層中への拡散がない。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態を添付図面に基づいて説明する。
【００３２】
実施形態で説明される構成、形状、大きさおよび配置関係については本発明が理解・実施できる程度に概略的に示したものにすぎず、また数値および各構成の組成（材質）については例示にすぎない。従って本発明は、以下に説明される実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に示される技術的思想の範囲を逸脱しない限り様々な形態に変更することができる。
【００３３】
図１と図２は、本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法によりＧａＡｓ電界効果トランジスタ（ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ）を製造する工程を示すフローチャートである。ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴの製造工程は、ドレイン領域、ソース領域およびチャネル層形成工程（ＳＴ１０）とゲート電極形成工程（ＳＴ２０）とドレイン電極およびソース電極形成工程（ＳＴ３０）から成っている。
【００３４】
ゲート電極形成工程（ＳＴ２０）は、無機系絶縁層堆積工程（ＳＴ２１）と第１のレジストパターニング工程（ＳＴ２２）とドライエッチングによりゲート電極を形成する部分の第１の開口により露出する無機系絶縁層を所定の膜厚までエッチングする工程（ＳＴ２３）と第１のレジスト剥離工程（ＳＴ２４）とイメージリバースパターニングにより、第１のレジストパターンの第１の開口の位置と同一の箇所に第１の開口より開口幅の広い第２の開口を有する第２のレジストパターニング工程（ＳＴ２５）とアッシング工程（ＳＴ２６）とウェットエッチングにより第１の開口により露出していた所定の膜厚の無機系絶縁層を取り除くまでエッチングする工程（ＳＴ２７）とゲート電極用メタル堆積工程（ＳＴ２８）とリフトオフ工程（ＳＴ２９）から成っている。
【００３５】
ドレイン電極およびソース電極形成工程（ＳＴ３０）は、第３のレジストパターニング工程（ＳＴ３１）とドライエッチングによりドレイン電極およびソース電極を形成する部分の第３の開口により露出する無機系絶縁層を所定の膜厚までエッチングする工程（ＳＴ３２）と第３のレジスト剥離工程（ＳＴ３３）とイメージリバースパターニングにより第３のレジストパターンの第３の開口の位置と同一の箇所に第３の開口より開口幅の広い第４の開口を有する第４のレジストパターニング工程（ＳＴ３４）とアッシング工程（ＳＴ３５）とウェットエッチングにより第３の開口により露出していた所定の膜厚の残りの無機系絶縁層をエッチングする工程（ＳＴ３６）とドレインメタルおよびソースメタル堆積工程（ＳＴ３７）とリフトオフ工程（ＳＴ３８）から成っている。
【００３６】
ドレイン領域、ソース領域およびチャネル層形成工程（ＳＴ１０）は、従来の技術と同様に、まず、アライメントマークが形成されたＧａＡｓ半導体基板にドレイン領域とソース領域を構成する高不純物濃度活性層を形成するために、表面に数百オングストロームの酸化膜を形成し、適当なマスクを通して、１６０ｋｅＶ，２．０×１０13／ｃｍ2の高ドーズのＳｉ+イオン注入を行う。次に、そのＧａＡｓ半導体基板にチャネル層を形成するために、適当なマスクを通して、Ｓｉ+を１２０ｋｅＶ，２．０×１０12／ｃｍ2でイオン注入する。その後、ＳｉＯ2膜をＧａＡｓ半導体基板上に堆積し、そのＧａＡｓ半導体基板をアニール炉の中に入れ、水素（Ｈ2）雰囲気中で、８５０℃で約１５分間加熱し、キャップアニールを行う。それにより、Ｓｉイオンが活性化され、チャネル層、ドレイン領域、ソース領域が形成される。
【００３７】
ゲート電極形成工程（ＳＴ２０）は、次のように行われる。図３と図４は、ゲート電極形成工程（ＳＴ２０）の各工程でのＧａＡｓ半導体基板の断面図である。
【００３８】
無機系絶縁層堆積工程（ＳＴ２１）は、図３（ａ）において、チャネル層１０、ドレイン領域１１、ソース領域１２が形成されたＧａＡｓ半導体基板１３にプラズマＣＶＤにより、３０００オングストロームの膜厚のＳｉＯ2膜１４を無機系絶縁層として成膜する。
【００３９】
第１のレジストパターニング工程（ＳＴ２２）は、まず、図３（ｂ）において、ＧａＡｓ半導体基板１３上に堆積した無機系絶縁層であるＳｉＯ2膜１４の上に第１のレジスト１５をスピンコータなどにより、均一に塗布する。次に、ゲート電極を形成する部分が光を通すようになっているマスクをＧａＡｓ半導体基板１３上の無機系絶縁層であるＳｉＯ2膜１４上のレジスト１５に密着させ、レジスト１５が反応する波長の光により露光し、その後、現像液に浸けることによりレジストの露光された部分が溶け、第１の開口１６を形成する（ＳＴ２２）。そして、リンス液により現像液を洗浄する。
【００４０】
その後、第１のレジスト１５中に存在する現像液あるいはリンス液を除き、第１のレジスト１５と無機系絶縁層であるＳｉＯ2膜１４との接着性を増すため、ポストベークを行う。
【００４１】
次に、図３（ｃ）において、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、レジスト１５の第１の開口部１６のＳｉＯ2を所定の膜厚、例えば５００オングストロームの膜厚のＳｉＯ2膜１７を残すようにエッチングする（ＳＴ２３）。
【００４２】
その後、図３（ｄ）において、第１のレジスト１５を剥離し（ＳＴ２４）、図４（ａ）においてイメージリバースパターニングにより、第１のレジストパターンの第１の開口１６の位置と同一の箇所に第１の開口１６より開口幅の広い第２の開口１８を有する第２のレジストパターン１９を形成する（ＳＴ２５）。
【００４３】
この第２のレジストパターン１９を形成する工程では、まず、ポジ型レジストをウエハ全面に塗布する。次に、紫外線によりゲート電極を形成する第１の開口１６上に第１の開口１６より広い領域が遮光されたマスクを用いて第１の露光をする。次に、イメージリバース処理として、１１０℃のベークを行い、その後、ウエハ全面に紫外線により第２の露光を行い現像を行ってレジスト膜の第１の露光時の未感光部を除去する。これにより、第１の開口１６上に開口幅が広くかつリフトオフが可能であるようにアンダーカット形状を有する第２の開口１８が形成される。
【００４４】
次に、現像残査を除去するために、プラズマアッシング装置により酸素（Ｏ2）プラズマを発生させて、アッシングを行う。その後、図４（ｂ）において残りの５００オングストロームの厚さのＳｉＯ2膜１７をバッファードふっ酸（ＢＨＦ）によるウェットエッチングによって除去する（ＳＴ２７）。そのとき、第２の開口１８により露出した部分のＳｉＯ2膜も上部がエッチングされる。
【００４５】
このように、第１の開口１６により露出する無機系絶縁層を所定の膜厚になるまでドライエッチングによりエッチングする工程（ＳＴ２３）と、第１の開口１６上に第１の開口幅よりも広い第２の開口１８を形成した後に、第１の開口１６により露出していた所定の膜厚の無機系絶縁層をすべて取り除くまでウェットエッチングによりエッチングする工程（ＳＴ２７）によりエッチングするため、プラズマによるチャネル層１０へのダメージを生じない。それにより、ダメージによる半導体装置のトランジスタ特性にばらつきがなくなり安定になる。また、無機系絶縁層がＳｉＯ2膜１４の一種類であるため、無機系絶縁層堆積のための工程数を少なくすることができる。
【００４６】
ゲート電極用メタル堆積工程（ＳＴ２８）では、ゲートメタルは、図４（ｃ）において、例えば、チタン金チタン（Ｔｉ／Ａｕ／Ｔｉ）２０を３０００オングストロームの膜厚で蒸着法により成膜する。その後、図４（ｄ）においてリフトオフにより、ゲート電極２１を形成する。これにより、ゲート電極２１がＴ型となるため、電極の端からの薬液のしみ込みを防ぐことができる。また、平坦度も向上する。
【００４７】
ドレイン電極およびソース電極形成工程（ＳＴ３０）は、次のように行われる。図５と図６は、ドレイン電極およびソース電極形成工程（ＳＴ３０）の各工程でのＧａＡｓ半導体基板の断面図である。
【００４８】
まず、図５（ａ）において、ＧａＡｓ半導体基板１３上に堆積した無機系絶縁層であるＳｉＯ2膜１４の上に第３のレジスト２２をスピンコータなどにより、均一に塗布する。次に、図５（ｂ）において、ドレイン電極およびソース電極を形成する部分が光を通すようになっているマスクをＧａＡｓ半導体基板１３上の無機系絶縁層であるＳｉＯ2膜１４上のレジスト２２に密着させ、レジスト２２が反応する波長の光により露光し、その後、現像液に浸けることによりレジストの露光された部分が溶け、第３の開口２３，２４を形成する（ＳＴ３１）。そして、リンス液により現像液を洗浄する。
【００４９】
その後、レジスト２２中に存在する現像液あるいはリンス液を除き、レジスト２２と無機系絶縁層であるＳｉＯ2膜１４との接着性を増すため、ポストベークを行う。
【００５０】
次に、図５（ｃ）において、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、レジスト２２の第３の開口部２３，２４のＳｉＯ2を所定の膜厚、例えば５００オングストロームの膜厚のＳｉＯ2膜２５，２６を残すようにエッチングする（ＳＴ３２）。
【００５１】
その後、図５（ｄ）において、第３のレジストを剥離し（ＳＴ３３）、６（ａ）においてイメージリバースパターニングにより、第３のレジストパターンの第３の開口２３，２４の位置と同一の箇所に第３の開口より開口幅の広い第４の開口２７，２８を有する第４のレジストパターン２９を形成する（ＳＴ３４）。
【００５２】
この第４のレジストパターン２９を形成する工程では、まず、ポジ型レジストをウエハ全面に塗布する。次に、紫外線によりオーミック電極を形成する第３の開口２３，２４上に第３の開口より広い領域が遮光されたマスクを用いて第３の露光をする。次に、イメージリバース処理として、１１０℃のベークを行い、その後、ウエハ全面に紫外線による第２の露光を行い現像を行ってレジスト膜の第１の露光時の未感光部を除去する。これにより、第３の開口上に開口幅が広くかつリフトオフが可能であるようにアンダーカット形状を有する第４の開口２７，２８が形成される。
【００５３】
次に、現像残査を除去するために、プラズマアッシング装置により酸素（Ｏ2）プラズマを発生させて、アッシングを行う。その後、図６（ｂ）において、残りの５００オングストロームの厚さのＳｉＯ2膜２５，２６をバッファードふっ酸（ＢＨＦ）によるウェットエッチングによって除去する（ＳＴ３６）。そのとき、第４の開口２７，２８により露出した部分のＳｉＯ2膜も上部がエッチングされる。
【００５４】
このように、第３の開口２３，２４により露出する無機系絶縁層であるＳｉＯ2を所定の膜厚になるまでドライエッチングによりエッチングする工程（ＳＴ３２）と、第３の開口上に第３の開口幅よりも広い第４の開口２７，２８を形成した後に、第３の開口により露出していた所定の膜厚の無機系絶縁層を取り除くまでウェットエッチングによりエッチングする工程（ＳＴ３６）によりエッチングするため、プラズマによるドレイン領域およびソース領域へのダメージを生じない。それにより、ダメージによる半導体装置のトランジスタ特性にばらつきがなくなり安定となる。また、無機系絶縁層がＳｉＯ2膜の一種類であるため、無機系絶縁層堆積のための工程数を少なくすることができる。
【００５５】
次に、図６（ｃ）において、ドレインメタルおよびソースメタルとして、例えば、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ膜３０を３０００オングストロームの膜厚で蒸着により成膜する（ＳＴ３７）。その後、リフトオフ技術により（ＳＴ３８）、ドレイン領域およびソース領域以外のメタルを剥離することにより、ドレインメタル電極３１およびソースメタル電極３２を形成する（図６（ｄ））。これにより、ゲート電極がＴ型となるため、電極の端からの薬液のしみ込みを防ぐことができる。また、平坦度も向上する。
【００５６】
なお、本実施形態においては、無機系絶縁層として、ＳｉＯ2膜を用いて説明したが、無機系絶縁層としてＳｉＮｘを用いて行うこともできる。また、本実施形態においては、レジストの第１の開口部のＳｉＯ2の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によるエッチングを所定の膜厚として５００オングストローム残すようにして行ったが、パターンが広がってしまうようなサイドエッチングの影響とドライエッチングの精度を考慮して、所定の膜厚として３００オングストローム以上７００オングストローム以下の範囲内であれば、５００オングストローム以外の膜厚でも可能である。
【００５７】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように本発明によれば、次の効果を奏する。
【００５８】
ＧａＡｓ半導体プロセスにおいて、チャネル層全体へのプラズマ、有機系薬品によるダメージを防ぐとともに、さらに電極をＴ型にすることにより、電極の端からの薬液のしみ込みを防ぐ効果がある。また、チャネル層へのダメージも少なく、電極との接合状態も良好であるため、完成した半導体装置のトランジスタ特性も安定させることができる。また、一種類の無機系絶縁層を用いるため、工程数を少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法によりＧａＡｓ電界効果トランジスタ（ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ）を製造する工程を示すフローチャートである。
【図２】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法によりＧａＡｓ電界効果トランジスタ（ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ）を製造する工程を示すフローチャートである。
【図３】ゲート電極形成工程の各工程でのＧａＡｓ半導体基板の断面図である。
【図４】ゲート電極形成工程の各工程でのＧａＡｓ半導体基板の断面図である。
【図５】ドレイン電極およびソース電極形成工程の各工程でのＧａＡｓ半導体基板の断面図である。
【図６】ドレイン電極およびソース電極形成工程の各工程でのＧａＡｓ半導体基板の断面図である。
【図７】従来のＧａＡｓ電界効果トランジスタ（ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ）の製造工程を示すフローチャートである。
【図８】従来のＧａＡｓ電界効果トランジスタ（ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ）の製造工程を示すフローチャートである。
【図９】従来のゲート電極形成工程の各工程でのＧａＡｓ半導体基板の断面図である。
【図１０】従来のドレイン電極およびソース電極形成工程の各工程でのＧａＡｓ半導体基板の断面図である。
【図１１】従来のドレイン電極およびソース電極形成工程の各工程でのＧａＡｓ半導体基板の断面図である。
【符号の説明】
１０ チャネル層
１１ ドレイン領域
１２ ソース領域
１３ ＧａＡｓ半導体基板
１４ ＳｉＯ2膜
１５ レジスト
１６ 第１の開口
１７ ＳｉＯ2膜
１８ 第２の開口
ＳＴ１０ ドレイン領域、ソース領域およびチャネル層形成工程
ＳＴ２０ ゲート電極形成工程
ＳＴ２１ 無機系絶縁層堆積工程
ＳＴ２２ 第１のレジストパターニング工程
ＳＴ２３ ドライエッチングにより第１の開口で露出した部分の無機系絶縁層を所定の膜厚までエッチングする工程
ＳＴ２４ 第１のレジスト剥離工程
ＳＴ２５ イメージリバースパターニングによる第２のレジストパターニング工程
ＳＴ２６ アッシング
ＳＴ２７ ウェットエッチングにより第１の開口で露出していた部分の所定の膜厚の残りの絶縁層をエッチングする工程
ＳＴ２８ ゲート電極用メタル堆積工程
ＳＴ２９ リフトオフ
ＳＴ３０ ドレイン電極およびソース電極形成工程
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、ＩＣ内蔵ホールセンサチップのＧａＡｓ電界効果トランジスタを形成するための半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＧａＡｓ半導体プロセスにおいて、ＧａＡｓウエハ上にレジストパターンを形成しアライメントマーク形成、イオン注入工程を経てアニール工程によりチャネル層は完成する。次にチャネル層上にオーミック接合により接合するソース電極とドレイン電極、ショットキー接合により接合するゲート電極を形成する。
【０００３】
従来電極の形成において、ゲート電極はチタンタングステン（Ｔｉ／Ｗ）をスパッタリング装置により成膜する。レジストパターニング後、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）工程で電極を形成し、レジスト剥離を行い、ゲート電極は完成する。オーミック電極はイメージリバースパターニング後、オーミック電極を構成する金属を蒸着により成膜し、リフトオフにより余分な金属を除去することにより、オーミック電極は完成する。
【０００４】
図７と図８は、従来のＧａＡｓ電界効果トランジスタ（ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ）の製造工程を示すフローチャートである。ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴの製造工程は、ドレイン領域、ソース領域およびチャネル層形成工程（ＳＴ１００）とゲート電極形成工程（ＳＴ１１０）とドレイン電極およびソース電極形成工程（ＳＴ１２０）から成っている。
【０００５】
ゲート電極形成工程（ＳＴ１１０）は、ゲート電極用メタル堆積工程（ＳＴ１１１）とレジストパターニング工程（ＳＴ１１２）と反応性イオンエッチング工程（ＳＴ１１３）とレジスト剥離工程（ＳＴ１１４）から成っている。
【０００６】
ドレイン電極およびソース電極形成工程（ＳＴ１２０）は、無機系絶縁層堆積工程（ＳＴ１２１）とドレイン電極およびソース電極窓開け工程（ＳＴ１２２）とイメージリバースパターニングによるレジストパターニング工程（ＳＴ１２６）とドレインメタルおよびソースメタル堆積工程（ＳＴ１２７）とリフトオフ工程（ＳＴ１２８）から成っている。
【０００７】
ドレイン電極およびソース電極窓開け工程（ＳＴ１２２）は、レジストパターニング工程（ＳＴ１２３）とドライエッチングによりゲート電極を形成する部分の無機系絶縁層をエッチングする工程（ＳＴ１２４）とレジスト剥離工程（ＳＴ１２５）から成っている。
【０００８】
ドレイン領域、ソース領域およびチャネル層形成工程（ＳＴ１００）は、まず、アライメントマークが形成されたＧａＡｓ半導体基板にドレイン領域とソース領域を構成する高不純物濃度活性層を形成するために、適当なマスクを通して、１６０ｋｅＶ，２．０×１０13／ｃｍ2の高ドーズのＳｉ+イオン注入を行う。次に、そのＧａＡｓ半導体基板にチャネル層を形成するために、適当なマスクを通して、Ｓｉ+を１２０ｋｅＶ，２．０×１０12／ｃｍ2でイオン注入する。その後、ＧａＡｓ半導体基板をアニール炉の中に入れ、アルシン（ＡｓＨ3）雰囲気中で、８５０℃で約１５分間加熱する。それにより、Ｓｉイオンが活性化され、チャネル層、ドレイン領域、ソース領域が形成される。
【０００９】
ゲート電極形成工程（ＳＴ１１０）は、次のように行われる。図９は、ゲート電極形成工程（ＳＴ１１０）の各工程でのＧａＡｓ半導体基板の断面図である。
【００１０】
ゲート電極用メタル堆積工程（ＳＴ１１１）では、ゲートメタルは、図９（ａ）において、チャネル層１００、ドレイン領域１０１、ソース領域１０２が形成されたＧａＡｓ半導体基板１０３に、例えば、チタンタングステン（Ｔｉ／Ｗ）１０４を３０００オングストロームの膜厚でスパッタリングにより成膜する。その後、図９（ｂ）において、レジスト１０５でレジストパターニングを行い（ＳＴ１１２）、図９（ｃ）において、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりチタンタングステン（Ｔｉ／Ｗ）１０４をエッチングする（ＳＴ１１３）。その後、レジストを除去することにより（ＳＴ１１４）、ゲート電極１０６を形成する。（図９（ｄ））。
【００１１】
ドレイン電極およびソース電極形成工程（ＳＴ１２０）は、次のように行われる。図１０と図１１は、ドレイン電極およびソース電極形成工程（ＳＴ１２０）の各工程でのＧａＡｓ半導体基板の断面図である。
【００１２】
無機系絶縁層堆積工程（ＳＴ１２１）は、図１０（ａ）において、図９（ｄ）で示したチャネル層１００、ドレイン領域１０１、ソース領域１０２が形成され、ゲート電極１０６が形成されたＧａＡｓ半導体基板１０３の上にプラズマＣＶＤにより、３６００オングストロームの膜厚のＳｉＯ2膜１０７を無機系絶縁層として成膜する。
【００１３】
ドレイン電極およびソース電極窓開け工程（ＳＴ１２２）は、まず、図１０（ｂ）において、ＧａＡｓ半導体基板１０３上に堆積した無機系絶縁層であるＳｉＯ2膜１０７の上にレジスト１０８をスピンコータなどにより、均一に塗布する。次に、ドレイン電極およびソース電極を形成する部分が光を通すようになっているマスクをＧａＡｓ半導体基板１０３上の無機系絶縁層であるＳｉＯ2膜１０７上のレジスト１０８に密着させ、レジスト１０８が反応する波長の光により露光し、その後、現像液に浸けることによりレジストの露光された部分が溶け、開口１０９，１１０を形成する（ＳＴ１２３）。そして、リンス液により現像液を洗浄する。
【００１４】
その後、レジスト１０８中に存在する現像液あるいはリンス液を除き、レジスト１０８と無機系絶縁層であるＳｉＯ2膜１０７との接着性を増すため、ポストベークを行う。
【００１５】
次に、図１０（ｃ）において、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、レジスト１０８の開口部１０９，１１０のＳｉＯ2を除去する（ＳＴ１２４）。そして、図１０（ｄ）において、レジストを除去する（ＳＴ１２５）。
【００１６】
その後、図１１（ａ）において、レジスト１１１を塗布し、イメージリバースパターニングを行ってレジストパターンを形成する（ＳＴ１２６）。ドレインメタルおよびソースメタルは、図１１（ｂ）において、例えば、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ膜１１２を３６００オングストロームの膜厚に蒸着して成膜する（ＳＴ１２７）。その後、リフトオフすることにより（ＳＴ１２８）、ドレイン電極１１３およびソース電極１１４を形成する。（図１１（ｃ））。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の半導体装置の製造方法においては、各工程の最後に有機系溶剤によるレジスト剥離の工程を伴い、ＧａＡｓウエハ表面にダメージを与えていた。また、リフトオフを伴う場合、蒸着時のレジストへのダメージのためレジスト残査が生じる危険性を伴う。よって剥離条件を、ＧａＡｓウエハに対してダメージを促進する方向で行う必要が生じる。その条件はＧａＡｓ表面を数百オングストロームエッチングする程で、チャネル層自体を失う結果となる。また、剥離しきれないレジスト残査をドライエッチングにより除去する必要があるため、プラズマによるチャネル層へのダメージが生じる。当然反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）工程においても、ＧａＡｓ表面にプラズマダメージが生じる。そのダメージにより、完成した半導体装置のトランジスタ特性が安定しない、すなわち、ウエハ上でばらつきを伴うという問題点が生じていた。
【００１８】
上記問題点を解決する半導体装置の製造方法が、特開平５−１７５２４３号公報により開示されている。その方法によると、半絶縁性半導体基板の一主面にイオン注入法によって選択的に形成された能動層上にソース電極とドレイン電極を形成し、次にＣＶＤ法によって第１の絶縁膜例えばＳｉＯ2膜を堆積し、その上に第２の絶縁膜例えばＳｉＮｘ膜をプラズマＣＶＤ法によって積層して形成する。次に、フォトレジスト層を被着し、ゲート電極形成予定域に開口を形成する。開口が形成されたフォトレジスト層をマスクとして反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法により第２の絶縁膜をエッチングして開孔を形成する。次に、第２の絶縁膜をマスクとして開孔を通してふっ化アンモニウム液を用いて能動層の上にある第１の絶縁膜をエッチングする。このとき第２の絶縁膜はほとんどエッチングされない。これによると、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）工程は第１の絶縁膜（ＳｉＯ2）上の第２の絶縁膜（ＳｉＮｘ）に対してのみ行われるため、イオンによって直接能動層が叩かれることなく、従って能動層にダメージが生じない。
【００１９】
しかしながら、上記製造方法においては、絶縁膜（無機系絶縁層）として、２種類の絶縁膜を積層する必要があり、すなわち、第１の絶縁膜としてのＳｉＯ2膜はＣＶＤ法によって堆積し、第２の絶縁膜としてのＳｉＮｘ膜はプラズマＣＶＤ法により堆積する必要があり、絶縁膜を形成するための工程に２種類の装置が必要であり工程数が増えてしまうという問題点がある。
【００２０】
本発明の目的は、上記問題を解決するため、ＧａＡｓ半導体プロセスにおいて、ＧａＡｓウエハ表面を有機性薬品およびプラズマによるダメージから防ぐことができ、かつ工程が少ない半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段および作用】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記の目的を達成するために、次のように構成される。
【００２２】
第１の半導体装置の製造方法（請求項１に対応）は、ＧａＡｓ半導体基板に複数回のイオン注入工程と少なくとも１回のアニール工程によって形成された、ドレイン電極と接合するドレイン領域を構成する高不純物濃度活性層と、ソース電極と接合するソース領域を構成する高不純物濃度活性層と、ドレイン領域を構成する高不純物濃度活性層とソース領域を構成する高不純物濃度活性層に介在してゲート電極と接合するチャネル層を備えた半導体装置の製造方法において、ドレイン領域を構成する高不純物濃度活性層とソース領域を構成する高不純物濃度活性層およびチャネル層の上に無機系絶縁層を層間膜として備えた半導体装置のゲート電極を形成する工程と、ドレイン電極とソース電極を形成する工程を含んでおり、ゲート電極を形成する工程が、無機系絶縁層上にゲート電極を形成する箇所に第１の開口を有する第１のレジストパターンを形成する工程と、第１の開口により露出する無機系絶縁層を所定の膜厚になるまでドライエッチングによりエッチングする工程と、第１のレジストパターンを除去する工程と、イメージリバースパターニングで第１のレジストパターンの第１の開口の位置と同一の箇所に第１の開口より開口幅の広い第２の開口を有する第２のレジストパターンを形成する工程と、第１の開口により露出していた所定の膜厚の無機系絶縁層を取り除くまでウェットエッチングによりエッチングする工程と、ゲート電極を構成する金属を成膜する工程と、リフトオフでゲート電極を構成する金属以外の金属を除去する工程とを順に行い、ドレイン電極とソース電極を形成する工程が、無機系絶縁層上にドレイン電極とソース電極を形成する箇所に第３の開口を有する第３のレジストパターンを形成する工程と、第３の開口により露出する無機系絶縁層を所定の膜厚になるまでドライエッチングによりエッチングする工程と、第３のレジストパターンを除去する工程と、イメージリバースパターニングで第３のレジストパターンの第３の開口の位置と同一の箇所に第３の開口より開口幅の広い第４の開口を有する第４のレジストパターンを形成する工程と、第３の開口により露出していた所定の膜厚の無機系絶縁層を取り除くまでウェットエッチングによりエッチングする工程と、ドレイン電極とソース電極を構成する金属を成膜する工程と、リフトオフでドレイン電極とソース電極を構成する金属以外の金属を除去する工程とを順に行うことで特徴づけられる。
【００２３】
第１の半導体装置の製造方法によれば、ドレイン領域を構成する高不純物濃度活性層とソース領域を構成する高不純物濃度活性層およびチャネル層の上に無機系絶縁層を層間膜として備えた半導体装置のゲート電極を形成する工程と、ドレイン電極とソース電極を形成する工程を含んでおり、ゲート電極を形成する工程が、無機系絶縁層上にゲート電極を形成する箇所に第１の開口を有する第１のレジストパターンを形成する工程と、第１の開口により露出する無機系絶縁層を所定の膜厚になるまでドライエッチングによりエッチングする工程と、第１のレジストパターンを除去する工程と、イメージリバースパターニングで第１のレジストパターンの第１の開口の位置と同一の箇所に第１の開口より開口幅の広い第２の開口を有する第２のレジストパターンを形成する工程と、第１の開口により露出していた所定の膜厚の無機系絶縁層を取り除くまでウェットエッチングによりエッチングする工程と、ゲート電極を構成する金属を成膜する工程と、リフトオフでゲート電極を構成する金属以外の金属を除去する工程とを順に行い、ドレイン電極とソース電極を形成する工程が、無機系絶縁層上にドレイン電極とソース電極を形成する箇所に第３の開口を有する第３のレジストパターンを形成する工程と、第３の開口により露出する無機系絶縁層を所定の膜厚になるまでドライエッチングによりエッチングする工程と、第３のレジストパターンを除去する工程と、イメージリバースパターニングで第３のレジストパターンの第３の開口の位置と同一の箇所に第３の開口より開口幅の広い第４の開口を有する第４のレジストパターンを形成する工程と、第３の開口により露出していた所定の膜厚の無機系絶縁層を取り除くまでウェットエッチングによりエッチングする工程と、ドレイン電極とソース電極を構成する金属を成膜する工程と、リフトオフでドレイン電極とソース電極を構成する金属以外の金属を除去する工程とを順に行うため、有機性薬品およびプラズマによるチャネル層、ドレイン領域およびソース領域へのダメージを生じない。また、電極がＴ型に形成されるため、電極からの薬液のしみ込みを防ぐことができる。それにより、ダメージによる半導体装置のトランジスタ特性にばらつきがなく安定である。また、無機系絶縁層が一種類であるため、無機系絶縁層堆積のための工程数を少なくすることができる。
【００２４】
第２の半導体装置の製造方法（請求項２に対応）は、上記の方法において、好ましくは所定の膜厚が３００オングストローム以上７００オングストローム以下であることで特徴づけられる。
【００２５】
第３の半導体装置の製造方法（請求項３に対応）は、上記の方法において、好ましくはドライエッチングが、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）であることで特徴づけられる。
【００２６】
第３の半導体装置の製造方法によれば、ドライエッチングが反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）であるため、異方性に優れた微細パターンの加工が可能である。
【００２７】
第４の半導体装置の製造方法（請求項４に対応）は、上記の方法において、好ましくはウェットエッチングのエッチャントは、バッファードふっ酸（ＢＨＦ）であることで特徴づけられる。
【００２８】
第４の半導体装置の製造方法によれば、ウェットエッチングのエッチャントにバッファードふっ酸（ＢＨＦ）を用いるため、レジストをマスクにする場合、レジストとＳｉＯ2界面へのしみ込みを押さえることができ良好なエッチングを行うことができる。
【００２９】
第５の半導体装置の製造方法（請求項５に対応）は、上記の方法において、好ましくは無機系絶縁層は、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜であることで特徴づけられる。
【００３０】
第５の半導体装置の製造方法によれば、無機系絶縁層がシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜であるため、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、スパッタ法により容易に形成することができる。また、基板との熱的安定性、緻密性、密着性、耐クラック性、基板構成物質の無機系絶縁層中への拡散がない。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態を添付図面に基づいて説明する。
【００３２】
実施形態で説明される構成、形状、大きさおよび配置関係については本発明が理解・実施できる程度に概略的に示したものにすぎず、また数値および各構成の組成（材質）については例示にすぎない。従って本発明は、以下に説明される実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に示される技術的思想の範囲を逸脱しない限り様々な形態に変更することができる。
【００３３】
図１と図２は、本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法によりＧａＡｓ電界効果トランジスタ（ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ）を製造する工程を示すフローチャートである。ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴの製造工程は、ドレイン領域、ソース領域およびチャネル層形成工程（ＳＴ１０）とゲート電極形成工程（ＳＴ２０）とドレイン電極およびソース電極形成工程（ＳＴ３０）から成っている。
【００３４】
ゲート電極形成工程（ＳＴ２０）は、無機系絶縁層堆積工程（ＳＴ２１）と第１のレジストパターニング工程（ＳＴ２２）とドライエッチングによりゲート電極を形成する部分の第１の開口により露出する無機系絶縁層を所定の膜厚までエッチングする工程（ＳＴ２３）と第１のレジスト剥離工程（ＳＴ２４）とイメージリバースパターニングにより、第１のレジストパターンの第１の開口の位置と同一の箇所に第１の開口より開口幅の広い第２の開口を有する第２のレジストパターニング工程（ＳＴ２５）とアッシング工程（ＳＴ２６）とウェットエッチングにより第１の開口により露出していた所定の膜厚の無機系絶縁層を取り除くまでエッチングする工程（ＳＴ２７）とゲート電極用メタル堆積工程（ＳＴ２８）とリフトオフ工程（ＳＴ２９）から成っている。
【００３５】
ドレイン電極およびソース電極形成工程（ＳＴ３０）は、第３のレジストパターニング工程（ＳＴ３１）とドライエッチングによりドレイン電極およびソース電極を形成する部分の第３の開口により露出する無機系絶縁層を所定の膜厚までエッチングする工程（ＳＴ３２）と第３のレジスト剥離工程（ＳＴ３３）とイメージリバースパターニングにより第３のレジストパターンの第３の開口の位置と同一の箇所に第３の開口より開口幅の広い第４の開口を有する第４のレジストパターニング工程（ＳＴ３４）とアッシング工程（ＳＴ３５）とウェットエッチングにより第３の開口により露出していた所定の膜厚の残りの無機系絶縁層をエッチングする工程（ＳＴ３６）とドレインメタルおよびソースメタル堆積工程（ＳＴ３７）とリフトオフ工程（ＳＴ３８）から成っている。
【００３６】
ドレイン領域、ソース領域およびチャネル層形成工程（ＳＴ１０）は、従来の技術と同様に、まず、アライメントマークが形成されたＧａＡｓ半導体基板にドレイン領域とソース領域を構成する高不純物濃度活性層を形成するために、表面に数百オングストロームの酸化膜を形成し、適当なマスクを通して、１６０ｋｅＶ，２．０×１０13／ｃｍ2の高ドーズのＳｉ+イオン注入を行う。次に、そのＧａＡｓ半導体基板にチャネル層を形成するために、適当なマスクを通して、Ｓｉ+を１２０ｋｅＶ，２．０×１０12／ｃｍ2でイオン注入する。その後、ＳｉＯ2膜をＧａＡｓ半導体基板上に堆積し、そのＧａＡｓ半導体基板をアニール炉の中に入れ、水素（Ｈ2）雰囲気中で、８５０℃で約１５分間加熱し、キャップアニールを行う。それにより、Ｓｉイオンが活性化され、チャネル層、ドレイン領域、ソース領域が形成される。
【００３７】
ゲート電極形成工程（ＳＴ２０）は、次のように行われる。図３と図４は、ゲート電極形成工程（ＳＴ２０）の各工程でのＧａＡｓ半導体基板の断面図である。
【００３８】
無機系絶縁層堆積工程（ＳＴ２１）は、図３（ａ）において、チャネル層１０、ドレイン領域１１、ソース領域１２が形成されたＧａＡｓ半導体基板１３にプラズマＣＶＤにより、３０００オングストロームの膜厚のＳｉＯ2膜１４を無機系絶縁層として成膜する。
【００３９】
第１のレジストパターニング工程（ＳＴ２２）は、まず、図３（ｂ）において、ＧａＡｓ半導体基板１３上に堆積した無機系絶縁層であるＳｉＯ2膜１４の上に第１のレジスト１５をスピンコータなどにより、均一に塗布する。次に、ゲート電極を形成する部分が光を通すようになっているマスクをＧａＡｓ半導体基板１３上の無機系絶縁層であるＳｉＯ2膜１４上のレジスト１５に密着させ、レジスト１５が反応する波長の光により露光し、その後、現像液に浸けることによりレジストの露光された部分が溶け、第１の開口１６を形成する（ＳＴ２２）。そして、リンス液により現像液を洗浄する。
【００４０】
その後、第１のレジスト１５中に存在する現像液あるいはリンス液を除き、第１のレジスト１５と無機系絶縁層であるＳｉＯ2膜１４との接着性を増すため、ポストベークを行う。
【００４１】
次に、図３（ｃ）において、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、レジスト１５の第１の開口部１６のＳｉＯ2を所定の膜厚、例えば５００オングストロームの膜厚のＳｉＯ2膜１７を残すようにエッチングする（ＳＴ２３）。
【００４２】
その後、図３（ｄ）において、第１のレジスト１５を剥離し（ＳＴ２４）、図４（ａ）においてイメージリバースパターニングにより、第１のレジストパターンの第１の開口１６の位置と同一の箇所に第１の開口１６より開口幅の広い第２の開口１８を有する第２のレジストパターン１９を形成する（ＳＴ２５）。
【００４３】
この第２のレジストパターン１９を形成する工程では、まず、ポジ型レジストをウエハ全面に塗布する。次に、紫外線によりゲート電極を形成する第１の開口１６上に第１の開口１６より広い領域が遮光されたマスクを用いて第１の露光をする。次に、イメージリバース処理として、１１０℃のベークを行い、その後、ウエハ全面に紫外線により第２の露光を行い現像を行ってレジスト膜の第１の露光時の未感光部を除去する。これにより、第１の開口１６上に開口幅が広くかつリフトオフが可能であるようにアンダーカット形状を有する第２の開口１８が形成される。
【００４４】
次に、現像残査を除去するために、プラズマアッシング装置により酸素（Ｏ2）プラズマを発生させて、アッシングを行う。その後、図４（ｂ）において残りの５００オングストロームの厚さのＳｉＯ2膜１７をバッファードふっ酸（ＢＨＦ）によるウェットエッチングによって除去する（ＳＴ２７）。そのとき、第２の開口１８により露出した部分のＳｉＯ2膜も上部がエッチングされる。
【００４５】
このように、第１の開口１６により露出する無機系絶縁層を所定の膜厚になるまでドライエッチングによりエッチングする工程（ＳＴ２３）と、第１の開口１６上に第１の開口幅よりも広い第２の開口１８を形成した後に、第１の開口１６により露出していた所定の膜厚の無機系絶縁層をすべて取り除くまでウェットエッチングによりエッチングする工程（ＳＴ２７）によりエッチングするため、プラズマによるチャネル層１０へのダメージを生じない。それにより、ダメージによる半導体装置のトランジスタ特性にばらつきがなくなり安定になる。また、無機系絶縁層がＳｉＯ2膜１４の一種類であるため、無機系絶縁層堆積のための工程数を少なくすることができる。
【００４６】
ゲート電極用メタル堆積工程（ＳＴ２８）では、ゲートメタルは、図４（ｃ）において、例えば、チタン金チタン（Ｔｉ／Ａｕ／Ｔｉ）２０を３０００オングストロームの膜厚で蒸着法により成膜する。その後、図４（ｄ）においてリフトオフにより、ゲート電極２１を形成する。これにより、ゲート電極２１がＴ型となるため、電極の端からの薬液のしみ込みを防ぐことができる。また、平坦度も向上する。
【００４７】
ドレイン電極およびソース電極形成工程（ＳＴ３０）は、次のように行われる。図５と図６は、ドレイン電極およびソース電極形成工程（ＳＴ３０）の各工程でのＧａＡｓ半導体基板の断面図である。
【００４８】
まず、図５（ａ）において、ＧａＡｓ半導体基板１３上に堆積した無機系絶縁層であるＳｉＯ2膜１４の上に第３のレジスト２２をスピンコータなどにより、均一に塗布する。次に、図５（ｂ）において、ドレイン電極およびソース電極を形成する部分が光を通すようになっているマスクをＧａＡｓ半導体基板１３上の無機系絶縁層であるＳｉＯ2膜１４上のレジスト２２に密着させ、レジスト２２が反応する波長の光により露光し、その後、現像液に浸けることによりレジストの露光された部分が溶け、第３の開口２３，２４を形成する（ＳＴ３１）。そして、リンス液により現像液を洗浄する。
【００４９】
その後、レジスト２２中に存在する現像液あるいはリンス液を除き、レジスト２２と無機系絶縁層であるＳｉＯ2膜１４との接着性を増すため、ポストベークを行う。
【００５０】
次に、図５（ｃ）において、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、レジスト２２の第３の開口部２３，２４のＳｉＯ2を所定の膜厚、例えば５００オングストロームの膜厚のＳｉＯ2膜２５，２６を残すようにエッチングする（ＳＴ３２）。
【００５１】
その後、図５（ｄ）において、第３のレジストを剥離し（ＳＴ３３）、６（ａ）においてイメージリバースパターニングにより、第３のレジストパターンの第３の開口２３，２４の位置と同一の箇所に第３の開口より開口幅の広い第４の開口２７，２８を有する第４のレジストパターン２９を形成する（ＳＴ３４）。
【００５２】
この第４のレジストパターン２９を形成する工程では、まず、ポジ型レジストをウエハ全面に塗布する。次に、紫外線によりオーミック電極を形成する第３の開口２３，２４上に第３の開口より広い領域が遮光されたマスクを用いて第３の露光をする。次に、イメージリバース処理として、１１０℃のベークを行い、その後、ウエハ全面に紫外線による第２の露光を行い現像を行ってレジスト膜の第１の露光時の未感光部を除去する。これにより、第３の開口上に開口幅が広くかつリフトオフが可能であるようにアンダーカット形状を有する第４の開口２７，２８が形成される。
【００５３】
次に、現像残査を除去するために、プラズマアッシング装置により酸素（Ｏ2）プラズマを発生させて、アッシングを行う。その後、図６（ｂ）において、残りの５００オングストロームの厚さのＳｉＯ2膜２５，２６をバッファードふっ酸（ＢＨＦ）によるウェットエッチングによって除去する（ＳＴ３６）。そのとき、第４の開口２７，２８により露出した部分のＳｉＯ2膜も上部がエッチングされる。
【００５４】
このように、第３の開口２３，２４により露出する無機系絶縁層であるＳｉＯ2を所定の膜厚になるまでドライエッチングによりエッチングする工程（ＳＴ３２）と、第３の開口上に第３の開口幅よりも広い第４の開口２７，２８を形成した後に、第３の開口により露出していた所定の膜厚の無機系絶縁層を取り除くまでウェットエッチングによりエッチングする工程（ＳＴ３６）によりエッチングするため、プラズマによるドレイン領域およびソース領域へのダメージを生じない。それにより、ダメージによる半導体装置のトランジスタ特性にばらつきがなくなり安定となる。また、無機系絶縁層がＳｉＯ2膜の一種類であるため、無機系絶縁層堆積のための工程数を少なくすることができる。
【００５５】
次に、図６（ｃ）において、ドレインメタルおよびソースメタルとして、例えば、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ膜３０を３０００オングストロームの膜厚で蒸着により成膜する（ＳＴ３７）。その後、リフトオフ技術により（ＳＴ３８）、ドレイン領域およびソース領域以外のメタルを剥離することにより、ドレインメタル電極３１およびソースメタル電極３２を形成する（図６（ｄ））。これにより、ゲート電極がＴ型となるため、電極の端からの薬液のしみ込みを防ぐことができる。また、平坦度も向上する。
【００５６】
なお、本実施形態においては、無機系絶縁層として、ＳｉＯ2膜を用いて説明したが、無機系絶縁層としてＳｉＮｘを用いて行うこともできる。また、本実施形態においては、レジストの第１の開口部のＳｉＯ2の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によるエッチングを所定の膜厚として５００オングストローム残すようにして行ったが、パターンが広がってしまうようなサイドエッチングの影響とドライエッチングの精度を考慮して、所定の膜厚として３００オングストローム以上７００オングストローム以下の範囲内であれば、５００オングストローム以外の膜厚でも可能である。
【００５７】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように本発明によれば、次の効果を奏する。
【００５８】
ＧａＡｓ半導体プロセスにおいて、チャネル層全体へのプラズマ、有機系薬品によるダメージを防ぐとともに、さらに電極をＴ型にすることにより、電極の端からの薬液のしみ込みを防ぐ効果がある。また、チャネル層へのダメージも少なく、電極との接合状態も良好であるため、完成した半導体装置のトランジスタ特性も安定させることができる。また、一種類の無機系絶縁層を用いるため、工程数を少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法によりＧａＡｓ電界効果トランジスタ（ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ）を製造する工程を示すフローチャートである。
【図２】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法によりＧａＡｓ電界効果トランジスタ（ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ）を製造する工程を示すフローチャートである。
【図３】ゲート電極形成工程の各工程でのＧａＡｓ半導体基板の断面図である。
【図４】ゲート電極形成工程の各工程でのＧａＡｓ半導体基板の断面図である。
【図５】ドレイン電極およびソース電極形成工程の各工程でのＧａＡｓ半導体基板の断面図である。
【図６】ドレイン電極およびソース電極形成工程の各工程でのＧａＡｓ半導体基板の断面図である。
【図７】従来のＧａＡｓ電界効果トランジスタ（ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ）の製造工程を示すフローチャートである。
【図８】従来のＧａＡｓ電界効果トランジスタ（ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ）の製造工程を示すフローチャートである。
【図９】従来のゲート電極形成工程の各工程でのＧａＡｓ半導体基板の断面図である。
【図１０】従来のドレイン電極およびソース電極形成工程の各工程でのＧａＡｓ半導体基板の断面図である。
【図１１】従来のドレイン電極およびソース電極形成工程の各工程でのＧａＡｓ半導体基板の断面図である。
【符号の説明】
１０ チャネル層
１１ ドレイン領域
１２ ソース領域
１３ ＧａＡｓ半導体基板
１４ ＳｉＯ2膜
１５ レジスト
１６ 第１の開口
１７ ＳｉＯ2膜
１８ 第２の開口
ＳＴ１０ ドレイン領域、ソース領域およびチャネル層形成工程
ＳＴ２０ ゲート電極形成工程
ＳＴ２１ 無機系絶縁層堆積工程
ＳＴ２２ 第１のレジストパターニング工程
ＳＴ２３ ドライエッチングにより第１の開口で露出した部分の無機系絶縁層を所定の膜厚までエッチングする工程
ＳＴ２４ 第１のレジスト剥離工程
ＳＴ２５ イメージリバースパターニングによる第２のレジストパターニング工程
ＳＴ２６ アッシング
ＳＴ２７ ウェットエッチングにより第１の開口で露出していた部分の所定の膜厚の残りの絶縁層をエッチングする工程
ＳＴ２８ ゲート電極用メタル堆積工程
ＳＴ２９ リフトオフ
ＳＴ３０ ドレイン電極およびソース電極形成工程
Claims (5)
- ＧａＡｓ半導体基板に複数回のイオン注入工程と少なくとも１回のアニール工程によって形成された、ドレイン電極と接合するドレイン領域を構成する高不純物濃度活性層と、ソース電極と接合するソース領域を構成する高不純物濃度活性層と、前記ドレイン領域を構成する前記高不純物濃度活性層と前記ソース領域を構成する前記高不純物濃度活性層に介在してゲート電極と接合するチャネル層を備えた半導体装置の製造方法において、
前記ドレイン領域を構成する前記高不純物濃度活性層と前記ソース領域を構成する前記高不純物濃度活性層および前記チャネル層の上に無機系絶縁層を層間膜として備えた半導体装置の前記ゲート電極を形成する工程と、
前記ドレイン電極と前記ソース電極を形成する工程を含んでおり、
前記ゲート電極を形成する工程が、前記無機系絶縁層上に前記ゲート電極を形成する箇所に第１の開口を有する第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１の開口により露出する前記無機系絶縁層を所定の膜厚になるまでドライエッチングによりエッチングする工程と、
前記第１のレジストパターンを除去する工程と、
イメージリバースパターニングで第１のレジストパターンの第１の開口の位置と同一の箇所に前記第１の開口より開口幅の広い第２の開口を有する第２のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１の開口により露出していた前記所定の膜厚の前記無機系絶縁層を取り除くまでウェットエッチングによりエッチングする工程と、
前記ゲート電極を構成する金属を成膜する工程と、
リフトオフで前記ゲート電極を構成する金属以外の金属を除去する工程と
を順に行い、
前記ドレイン電極と前記ソース電極を形成する工程が、前記無機系絶縁層上に前記ドレイン電極と前記ソース電極を形成する箇所に第３の開口を有する第３のレジストパターンを形成する工程と、
前記第３の開口により露出する前記無機系絶縁層を所定の膜厚になるまでドライエッチングによりエッチングする工程と、
前記第３のレジストパターンを除去する工程と、
イメージリバースパターニングで第３のレジストパターンの第３の開口の位置と同一の箇所に前記第３の開口より開口幅の広い第４の開口を有する第４のレジストパターンを形成する工程と、
前記第３の開口により露出していた前記所定の膜厚の前記無機系絶縁層を取り除くまでウェットエッチングによりエッチングする工程と、
前記ドレイン電極と前記ソース電極を構成する金属を成膜する工程と、
リフトオフで前記ドレイン電極と前記ソース電極を構成する金属以外の金属を除去する工程とを順に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記所定の膜厚は、３００オングストローム以上７００オングストローム以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ドライエッチングは、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ウェットエッチングのエッチャントは、バッファードふっ酸（ＢＨＦ）であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
- 前記無機系絶縁層は、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
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