JP3666263B2 - パワー半導体モジュール - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パワー半導体モジュールに関し、特に、制御信号が入力され、その制御信号に応じて電力変換を行うパワー半導体モジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、エアコンディショナなどでは、商用電源である100Vの単相交流を3相交流に変換してモータに供給することにより、冷媒を循環させるためのコンプレッサを回転させる構成とされている。
【0003】
このようなエアコンディショナにおいては、例えば、スムーズな温度調節を行うためには、モータの回転数は自由に調節可能であることが望ましい。
そこで、そのような要求に応じるために、設定温度等に応じた制御信号(例えば、PWM(Pulse Width Modulation)信号)を入力し、その信号に応じて直流電力(商用電源を整流して得た電力)を3相交流に変換する、いわゆる、インテリジェントパワーモジュールが提供されている。
【0004】
図10は、従来のインテリジェントパワーモジュールおよびその付随回路の構成例を示す回路図である。
この図において、破線によって囲繞されている部分がインテリジェントパワーモジュールであり、その他の部分は、このインテリジェントパワーモジュールに対して制御信号を供給するための付随回路である。
【0005】
端子1−1〜1−12には、前述の制御信号が入力される。フォトカプラ2−1〜2−6は、入力された信号を後段に伝達するとともに、制御信号を生成する図示せぬ装置と、インテリジェントパワーモジュールとを絶縁する。
【0006】
抵抗4−1〜4−6は、フォトカプラ2−1〜2−6に流れる電流を制限する。直流電源5−1〜5−4は、フォトカプラ2−1〜2−6およびプリドライバ6−1〜6−6に対して電力を供給する。
【0007】
インテリジェントパワーモジュール30は、同一パッケージに封入されており、回路各部に接続されている端子(図中白丸で示す)が、例えば、パッケージの側面に設けられている。
【0008】
なお、インテリジェントパワーモジュール30では、前述の付随回路から入力される制御信号に応じて、P端子とN端子に印加されている直流を3相交流に電力変換して、端子U,V,Wから負荷側へ出力する。
【0009】
インテリジェントパワーモジュールのプリドライバ6−1〜6−6は、フォトカプラ2−1〜2−6から供給された制御信号に応じて、後段の回路を制御する。
【0010】
出力トランジスタ7−1〜7−6は、プリドライバ6−1〜6−6の制御に応じて、スイッチング動作を行い、入力された電流を断続する。
ダイオード8−1〜8−6は、負荷が誘導性である場合において、スイッチングの際の回生エネルギーを環流させる。
【0011】
過電流保護回路11は、電流検出用抵抗13の両端の電圧を検出し、出力トランジスタ7−1〜7−6に流入する電流が所定のレベルを超過した場合には、出力トランジスタ7−1〜7−6を保護するために、プリドライバ6−4〜6−6の動作を停止させるとともに、フォトカプラ10を介して外部に警告信号を出力する。
【0012】
加熱保護回路12は、温度検出用抵抗14の両端の電圧を検出し、インテリジェントパワーモジュール30の温度が所定のレベルを超過した場合には、出力トランジスタ7−1〜7−6を保護するために、プリドライバ6−4〜6−6の動作を停止させるとともに、フォトカプラ10を介して外部に警告信号を出力する。
【0013】
以上のようなインテリジェントパワーモジュール30を用いれば、制御信号に応じて、負荷側に出力される電力を制御し、異常時には自己保護することができる。
【0014】
図11は、従来のインテリジェントパワーモジュールおよびその付随回路の他の構成例を示す回路図である。
この図において、図10の場合と対応する部分には、対応する符号を付してあるので、その説明は省略する。
【0015】
この例では、出力トランジスタ−1〜−6に電流検出用抵抗20−1〜20−6が接続されており、出力電流を検出する。また、プリドライバ6−1〜6−6が、電流検出用抵抗20−1〜20−6によって検出された電圧が所定のレベルを超過した場合には、出力トランジスタ7−1〜7−6を保護するために、その動作を停止するとともに、フォトカプラ10を介して外部に警告信号を出力する。
【0016】
また、加熱保護回路12は、温度検出用抵抗14の両端の電圧を検出し、インテリジェントパワーモジュール30の温度が所定のレベルを超過した場合には、出力トランジスタ7−1〜7−6を保護するために、プリドライバ6−4〜6−6の動作を停止させるとともに、フォトカプラ10を介して外部に警告信号を出力する。
【0017】
なお、その他の構成は、図10の場合と同様である。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、以上のような従来例においては、電流検出用抵抗13は、インテリジェントパワーモジュール30の内部に封入されているため、過電流保護回路11が動作する電流レベルを変更することができないという問題点があった。
【0019】
また、インテリジェントパワーモジュール30に内蔵されている過電流保護回路11以外の過電流保護回路を設けようとすると、電流を検出するための抵抗を外部に新たに追加する必要が生じ、その結果、追加された新たな抵抗において電力の損失が生ずるという問題点があった。
【0020】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、保護回路が動作する電流レベルを自由に変更可能なパワー半導体モジュールを提供することを目的とする。
【0021】
また、本発明は、電力の損失を増加させることなく、新たな過電流保護回路を追加可能なパワー半導体モジュールを提供することを目的とする。
【0022】
【課題を解決するための手段】
本発明では上記課題を解決するために、制御信号が入力され、その制御信号に応じて電力変換を行うパワー半導体モジュールにおいて、電力変換を行う電力変換部と、前記制御信号に応じて前記電力変換部を制御する制御部と、前記電力変換部に具備された電流検出用の抵抗の両端に発生する電圧を検出し、前記電力変換部に過大な電流が流れた場合には、前記制御部を制御して前記電力変換部を保護する過電流保護部と、が同一のパッケージに封入され、前記電流検出用の抵抗の両端電圧が前記制御部に入力されかつ前記電流検出用の抵抗の両端がパッケージの外部へ直接導出されていることを特徴とするパワー半導体モジュールが提供される。
【0023】
ここで、電力変換部は、電力変換を行い、制御部は、制御信号に応じて電力変換部を制御し、過電流保護部は、電力変換部に具備された電流検出用の抵抗の両端に発生する電圧を検出し、電力変換部に過大な電流が流れた場合には、制御部を制御して電力変換部を保護する。そして、これらの機能部は、同一のパッケージに封入されており、電流検出用の抵抗の両端がパッケージの外部に設けられている端子に接続されている。
【0024】
また、制御信号が入力され、その制御信号に応じて電力変換を行うパワー半導体モジュールにおいて、電力変換を行う電力変換部と、前記制御信号に応じて前記電力変換部を制御する制御部と、前記電力変換部に過大な電流が流れた場合には、前記制御部を制御して前記電力変換部を保護する過電流保護部と、が同一のパッケージに封入され、前記過電流保護部は、前記電力変換部に流れる電流を前記パッケージの外部へ直接導出する端子を有し、前記端子に接続された電流検出用の抵抗の両端に発生する電圧を監視することにより、前記電力変換部に流れる過大な電流を検出することを特徴とするパワー半導体モジュールが提供される。
【0025】
ここで、電力変換部は電力変換を行う。制御部は、制御信号に応じて電力変換部を制御する。過電流保護部は、電力変換部に過大な電流が流れた場合には、制御部を制御して電力変換部を保護する。そして、これらの機能は同一のパッケージに封入され、過電流保護部は、パッケージの外部に接続された電流検出用の抵抗の両端に発生する電圧を監視することにより、電力変換部に流れる過大な電流を検出する。
【0026】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図1は、本発明の原理を説明する原理図である。
【0027】
この図において、パワー半導体モジュールは、1パッケージのモジュールとして構成されており、入力された直流を、制御信号に応じて3相交流に電力変換して出力する。
【0028】
電力変換部30bは、端子t2,t3を介して入力された直流電流を、制御部30aの制御に応じて、3相交流に変換して端子t4,t5,t6から出力する。
【0029】
制御部30aは、端子t1を介して入力された、例えば、PWM信号などに応じて、電力変換部30bを制御する。
過電流保護部30dは、電力変換部30bの所定の位置に具備されている電流検出用抵抗30cの両端の電圧を検出し、電力変換部30bを流れる電流が、あるレベルを超過した場合には、制御部30aに信号を送る。その結果、制御部30aは、電力変換部30bを制御し、電力変換部30bに過大な電流が流れることを防止する。
【0030】
端子t7,t8は、電流検出用抵抗30cの両端に接続されており、抵抗の両端に生じている電圧を外部に取り出すことができる。
このような構成によれば、電流検出用抵抗30cに接続されている端子t7,t8に新たな抵抗を接続することにより、過電流保護部30dの動作する電流のレベルを適宜変更することが可能となる。
【0031】
また、電流検出用抵抗30cには、電力変換部30bから出力される電流に略比例した電圧が加わっているので、この電圧に基づいて動作する新たな過電流保護回路を外部に設けたり、また、この電圧に応じて、制御部30aが出力する制御信号を適宜変更することにより、更に正確な電力を負荷に供給することが可能となる。
【0032】
図2は、本発明の実施の形態の構成例を示す図である。
この図において、入力部40は、例えば、エアコンディショナ等のコントロールパネルなどから入力された設定値(例えば、設定温度)などを入力して、対応する制御信号を出力する。制御信号発生部41は、入力部40からの入力信号と、負荷部43からの検出信号(または、図示せぬ検出部からの検出信号(例えば、現在の室温等))とに応じて、インテリジェントパワーモジュール30を制御する。
【0033】
整流部42は、商用電源(交流)を入力してこれを整流することにより、直流電圧を生成し、インテリジェントパワーモジュール30に供給する。
インテリジェントパワーモジュール30は、図1に示すパワー半導体モジュールに対応しており、制御信号発生部41から供給された制御信号に応じて、整流部42から供給される直流を電力変換することにより、3相交流を発生して、負荷部43に供給する。
【0034】
負荷部43は、例えば、コンプレッサ等を駆動するための3相交流モータなどである。
図3は、図2に示すインテリジェントパワーモジュール30の第1の構成例を示す回路図である。
【0035】
この図において、破線によって囲繞されている部分がインテリジェントパワーモジュール30であり、その他の部分は、このインテリジェントパワーモジュールに対して制御信号を供給するための付随回路である。
【0036】
端子1−1〜1−12には、前述の制御信号が入力される。フォトカプラ2−1〜2−6は、入力された信号を後段に伝達するとともに、制御信号発生部41と、インテリジェントパワーモジュール30とを電気的に絶縁する。
【0037】
抵抗4−1〜4−6は、フォトカプラ2−1〜2−6に流れる電流を制限する。直流電源5−1〜5−4は、フォトカプラ2−1〜2−6およびプリドライバ6−1〜6−6に対して電力を供給する。
【0038】
なお、インテリジェントパワーモジュール30は、1つのパッケージに封入されており、回路各部に接続されている端子(図中白丸で示す)が、例えば、パッケージの側面に設けられている。
【0039】
このインテリジェントパワーモジュール30は、前述の付随回路から入力される制御信号に応じて、P端子とN端子に印加されている直流を3相交流に電力変換して、端子U,V,Wから負荷部43へ出力する。
【0040】
インテリジェントパワーモジュール30のプリドライバ6−1〜6−6は、フォトカプラ2−1〜2−6から出力される制御信号に応じて、後段の回路を制御する。
【0041】
出力トランジスタ7−1〜7−6は、例えば、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor )などによって構成されており、プリドライバ6−1〜6−6の制御に応じて、スイッチング動作を行い、入力された電流を断続する。
【0042】
ダイオード8−1〜8−6は、負荷が誘導性である場合において、出力トランジスタ7−1〜7−6がスイッチングする際に、自己誘導(または、相互誘導)によって生ずる回生エネルギーを環流させる。
【0043】
過電流保護回路11は、電流検出用抵抗13の両端の電圧を検出し、出力トランジスタ7−1〜7−6に流入する電流が所定のレベルを超過した場合には、出力トランジスタ7−1〜7−6を保護するために、プリドライバ6−4〜6−6の動作を停止させるとともに、フォトカプラ10を介して外部に警告信号を出力する。
【0044】
電流検出用抵抗13の両端は、端子Nおよび端子Sに接続されているので、インテリジェントパワーモジュール30の外部から、電流検出用抵抗13に生ずる電圧を検出することが可能となる。
【0045】
加熱保護回路12は、温度検出用抵抗14の両端の電圧を検出し、インテリジェントパワーモジュール30の温度が所定のレベルを超過した場合には、出力トランジスタ7−1〜7−6を保護するために、プリドライバ6−4〜6−6の動作を停止させるとともに、フォトカプラ10を介して外部に警告信号を出力する。
【0046】
次に、以上の実施の形態の動作を簡単に説明する。
端子1−1〜1−12から入力された制御信号は、フォトカプラ2−1〜2−6を介して、プリドライバ6−1〜6−6に入力する。
【0047】
プリドライバ6−1〜6−6は、制御信号に応じて出力トランジスタ7−1〜7−6を制御する。出力トランジスタ7−1〜7−6は、端子Pと端子Nとに供給されている直流を適宜スイッチングすることにより、3相交流を生成して、端子U,V,Wから出力する。
【0048】
即ち、出力トランジスタ7−1〜7−3からなるグループと、出力トランジスタ7−4〜7−6からなるグループのそれぞれから、1対の出力トランジスタが選択されて、それらが共にONの状態とされることにより、端子U,V,Wのうちの2組の端子の間で所定の方向に電流が流れることになる。このような動作が繰り返されることにより、直流が3相交流に変換される。
【0049】
このとき、電流検出用抵抗13には、直流電源から流入する電流に応じた起電力が生じており、過電流保護回路11は、その起電力が所定のレベルを超過した場合に、プリドライバ6−4〜6−6の動作を停止させるので、出力トランジスタ7−1〜7−6が破損することを防止することができる。
【0050】
本実施の形態では、電流検出用抵抗13の両端が端子S,Nに接続されているので、この端子S,Nに対して新たな抵抗を接続することにより、過電流保護回路11が動作する電流のレベルを適宜変更することが可能となる。
【0051】
例えば、いま、過電流保護回路11の動作電圧をV0 とし、電流検出用抵抗13の抵抗値をR、過電流保護回路11が動作する電流値をI0とすると、これらの間には、以下の関係が成り立つ。
【0052】
I0 =V0/R ・・・(1)
いま、端子S,Nに対して、抵抗値がrの抵抗を新たに接続すると、過電流保護回路11が動作する電流値I1は、以下のようになる。
【0053】
I1 =V0 /(R・r/(R+r)) ・・・(2)
ここで、R・r/(R+r)<Rであるので、I1 >I0 となる。従って、過電流保護回路11が動作する電流のレベルを高く設定することが可能となる。
【0054】
なお、電流検出用抵抗13の抵抗値をやや大きめに設定しておき、外部に接続される抵抗によって、過電流保護回路11が動作する電流値を用途に応じて、適宜設定するようにしてもよい。
【0055】
次に、図4を参照して、図2に示すインテリジェントパワーモジュールの第2の構成例について説明する。
図4は、図2に示すインテリジェントパワーモジュールの第2の構成例を示す回路図である。この図において、図3に示す場合と対応する部分には、同一の符号を付してあるので、その説明は適宜省略する。
【0056】
この実施の形態においては、出力トランジスタ7−1〜7−6の電流センス部に接続されている電流検出用抵抗20−1〜20−6の出力トランジスタ側が、端子S1〜S6に接続されている。また、過電流保護回路11が除外され、その代わりに、プリドライバ6−1〜6−6が、電流検出用抵抗20−1〜20−6の両端の電圧を検出して、出力トランジスタから過大な電流が出力された場合には、その駆動動作を停止する構成とされている。なお、それ以外は、図3に示す場合と同様の構成とされている。
【0057】
この構成例では、出力トランジスタ7−1〜7−3から出力される電流は、端子S1とU、端子S2とV、端子S3とW、の間に出力される電圧をそれぞれ参照することにより検出することができる。また、出力トランジスタ7−4〜7−6から出力される電流は、端子S4,S5,S6と端子Nとの間に出力される電圧をそれぞれ参照することにより検出することができる。
【0058】
このような実施の形態によれば、各出力トランジスタから出力される電流を直接監視することができるので、図3に示す実施の形態に比較して、より細かな制御を行うことが可能となる。
【0059】
なお、以上の実施の形態においては、全ての出力トランジスタ7−1〜7−6に接続されている電流検出用抵抗20−1〜20−6を接続端子S1〜S6にそれぞれ接続するようにしたが、一部のみを接続するようにしてもよい。
【0060】
ところで、図3および図4に示す実施の形態に具備された電流検出用抵抗には、出力トランジスタから出力される電流に応じた電圧が発生することになるので、この電圧を検出して動作する過電流保護回路をパッケージの外部に新たに設けることも可能である。
【0061】
即ち、図3および図4に示すインテリジェントパワーモジュール30の電流検出用抵抗13または電流検出用抵抗20−1〜20−6の両端の電圧が出力される端子SとN、または、端子S1とU、端子S2とV、端子S3とW、端子S4とN、端子S5とN、端子S6とN、に対して、図5に示す電流検出回路を接続する。そして、この回路から出力される信号を、図2に示す制御信号発生部41に供給し、その出力が“H”の状態である場合には、制御信号の出力を停止するように構成することにより、出力トランジスタに過大な電流が流入して破損することを防止することができる。
【0062】
なお、図5に示す電流検出回路は、入力抵抗52、基準電源53、および、コンパレータ54から構成されており、端子50,51間に入力される電圧が所定のレベル(基準電源53の電圧レベル)を超過した場合には、その出力が“H”の状態となるように構成されている。
【0063】
なお、入力電圧が基準レベルとほぼ等しい場合に、チャタリングが発生することを防止するために、コンパレータ54の入出力特性がヒステリシスを有するように構成することも可能である。
【0064】
以上のような構成とすることにより、インテリジェントパワーモジュール30の内部の過電流保護回路11だけでなく、外部の過電流保護回路によっても、出力トランジスタに対して過大な電流が流入することを監視することができるので、例えば、環境温度などに応じて、過電流保護回路が動作する電流値を外部の過電流保護回路によって適宜変更することも可能となる。
【0065】
図6は、本発明の他の実施の形態の構成例を示すブロック図である。この図において、図2の場合と対応する部分には、同一の符号を付してあるのでその説明は省略する。
【0066】
この実施の形態においては、増幅部70が追加されている。その他の構成は、図2に示す場合と同様である。
増幅部70は、インテリジェントパワーモジュール30の電流検出用抵抗に接続されている端子からの出力電圧(検出信号)を増幅して出力する。
【0067】
次に、以上の実施の形態の動作について簡単に説明する。
入力部40に対して所定の設定値が入力されると、入力部40は、その設定値に対応する入力信号を出力する。
【0068】
制御信号発生部41は、入力部40から供給される入力信号と、増幅部70から出力される増幅信号(検出信号が増幅された信号)とを参照し、対応する制御信号を発生して、インテリジェントパワーモジュール30に対して供給する。
整流部42は、商用電源の交流を整流して直流に変換し、インテリジェントパワーモジュール30に対して供給する。
【0069】
インテリジェントパワーモジュール30は、制御信号発生部41から供給された制御信号に応じて、整流部42から供給される直流を3相交流に電力変換して出力する。
【0070】
負荷部43は、インテリジェントパワーモジュール30から供給される3相交流に応じて、コンプレッサなどを駆動する。
増幅部70は、インテリジェントパワーモジュール30の電流検出用抵抗に接続されている端子に出力されている電圧を増幅して、制御信号発生部41に供給する。
【0071】
ここで、インテリジェントパワーモジュール30の電流検出用抵抗の両端に発生する電圧は、出力電流に略比例することから、この電圧に応じた制御信号を発生して、インテリジェントパワーモジュール30に供給するようにすれば、負荷部43に供給される電流を正確に制御することが可能となる。
【0072】
以上の実施の形態によれば、インテリジェントパワーモジュール30の内部の電流検出用抵抗に接続されている端子から出力される電圧に応じて、制御信号発生部41が発生する信号を変化させるようにしたので、負荷部43に供給される電力を正確に制御することが可能となる。
【0073】
次に、図7を参照して、本発明の他の原理図について説明する。なお、図7において、図1の場合と対応する部分には同一の符号を付してあるのでその説明は省略する。
【0074】
図7に示す原理図では、図1の場合と比較して、電流検出用抵抗30cがパワー半導体モジュール内から除外され、パッケージの外部に設けられた端子t7,t8に接続されている。その他の構成は、図1の場合と同様である。
【0075】
図1の構成では、抵抗値は、電流検出用抵抗30cの抵抗値と端子t7,t8に接続される抵抗の抵抗値とから計算により求める必要があるが、図7の例では、端子t7,t8に接続される電流検出用抵抗30cの抵抗値がそのまま求めるべき抵抗値となるので、設計を簡便化することが可能となる。
【0076】
また、図1の場合に比較して、抵抗値を広範囲に設定することが可能となるので、ユーザの用途に応じて最適な設定を行うことが可能となる。
図8は、図2に示すインテリジェントパワーモジュールの第3の構成例を示す回路図である。なお、この図において、図3の場合と対応する部分には同一の符号を付してあるので、その説明は省略する。
【0077】
図8に示す実施の形態では、図3の場合と比較して、電流検出用抵抗13がインテリジェントパワーモジュール30のパッケージの外部に設けられた端子S,Nに接続されている。その他の構成は、図3の場合と同様である。
【0078】
このような構成によれば、図7に示す原理図を参照して説明したように、設計を簡便化することが可能となるとともに、ユーザの用途に応じて最適な設定を行うことが可能となる。
【0079】
図9は、図2に示すインテリジェントパワーモジュールの第4の構成例を示す回路図である。なお、この図において、図4の場合と対応する部分には同一の符号を付してあるので、その説明は省略する。
【0080】
図9に示す実施の形態では、図4の場合と比較して、電流検出用抵抗20−1〜20−6がインテリジェントパワーモジュール30のパッケージの外部に設けられた端子S1,U、端子S2,V、端子S3,W、端子S4,N、端子S5,N、および、端子S6,Nにそれぞれ接続されている。その他の構成は、図4の場合と同様である。
【0081】
このような構成によれば、前述の場合と同様に、設計を簡便化することが可能となるとともに、ユーザの用途に応じて最適な設定を行うことが可能となる。
なお、図8および図9に示すインテリジェントパワーモジュールを、図5および図6に示す実施の形態とそれぞれ組み合わせて用いることも可能であることはいうまでもない。
【0082】
【発明の効果】
以上説明したように本発明では、電力変換を行う電力変換部と、制御信号に応じて電力変換部を制御する制御部と、電力変換部に具備された電流検出用の抵抗の両端に発生する電圧を検出し、電力変換部に過大な電流が流れた場合には、制御部を制御して電力変換部を保護する過電流保護部と、が同一のパッケージに封入されたパワー半導体モジュールにおいて、前述の電流検出用の抵抗の両端をパッケージの外部に設けられている端子に接続するようにしたので、過電流保護部が動作する電流のレベルを、外部の抵抗によって容易に変更することが可能となる。
【0083】
また、本発明では、電力変換を行う電力変換部と、制御信号に応じて電力変換部を制御する制御部と、電力変換部に過大な電流が流れた場合には、制御部を制御して電力変換部を保護する過電流保護部と、が同一のパッケージに封入されたパワー半導体モジュールにおいて、過電流保護部が、パッケージの外部に接続された電流検出用の抵抗の両端に発生する電圧を監視することにより、電力変換部に流れる過大な電流を検出するようにしたので、過電流保護部が動作する電流のレベルを、外部の抵抗によって容易に変更することが可能となる。また、回路設計を簡便化するとともに、設計の自由度を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理を示す原理図である。
【図2】本発明の実施の形態の構成例を示すブロック図である。
【図3】図2に示すインテリジェントパワーモジュールの第1の構成例を示す回路図である。
【図4】図2に示すインテリジェントパワーモジュールの第2の構成例を示す回路図である。
【図5】電流検出回路の構成例を示す回路図である。
【図6】本発明の他の実施の形態の構成例を示すブロック図である。
【図7】本発明の他の原理を示す原理図である。
【図8】図2に示すインテリジェントパワーモジュールの第3の構成例を示す回路図である。
【図9】図2に示すインテリジェントパワーモジュールの第4の構成例を示す回路図である。
【図10】従来のインテリジェントパワーモジュールの構成例を示す回路図である。
【図11】従来のインテリジェントパワーモジュールの他の構成例を示す回路図である。
【符号の説明】
30 インテリジェントパワーモジュール
30a 制御部
30b 電力変換部
30c 電流検出用抵抗
30d 過電流保護部
t7,t8 端子

Claims (4)

  1. 制御信号が入力され、その制御信号に応じて電力変換を行うパワー半導体モジュールにおいて、
    電力変換を行う電力変換部と、
    前記制御信号に応じて前記電力変換部を制御する制御部と、
    前記電力変換部に具備された電流検出用の抵抗の両端に発生する電圧を検出し、前記電力変換部に過大な電流が流れた場合には、前記制御部を制御して前記電力変換部を保護する過電流保護部と、が同一のパッケージに封入され、
    前記電流検出用の抵抗の両端電圧が前記制御部に入力されかつ前記電流検出用の抵抗の両端がパッケージの外部へ直接導出されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。
  2. 制御信号が入力され、その制御信号に応じて電力変換を行うパワー半導体モジュールにおいて、
    電力変換を行う電力変換部と、
    前記制御信号に応じて前記電力変換部を制御する制御部と、
    前記電力変換部に過大な電流が流れた場合には、前記制御部を制御して前記電力変換部を保護する過電流保護部と、が同一のパッケージに封入され、
    前記過電流保護部は、前記電力変換部に流れる電流を前記パッケージの外部へ直接導出する端子を有し、前記端子に接続された電流検出用の抵抗の両端に発生する電圧を監視することにより、前記電力変換部に流れる過大な電流を検出することを特徴とするパワー半導体モジュール。
  3. 前記電流検出用の抵抗の両端に発生する電圧を検出し、前記電力変換部に過大な電流が流れることを防止する第2の過電流保護部を、前記パッケージの外側に更に有することを特徴とする請求項1または請求項2記載のパワー半導体モジュール。
  4. 前記電流検出用の抵抗の両端に発生する電圧を検出し、前記電力変換部からの出力電流を制御する第2の制御部を、前記パッケージの外側に更に有することを特徴とする請求項1または請求項2記載のパワー半導体モジュール。
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