JP3662767B2 - コンデンサーの下部電極の製造方法 - Google Patents

コンデンサーの下部電極の製造方法 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、集積回路の製造方法、特にDRAMのコンデンサーの下部電極を製造する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
近年、集積回路(IC)の小型化の要請に対処するために一定の表面積を有する基板上においてコンデンサーの表面積を増加させる方法が開発されている。その方法として、コンデンサーの表面積を増やすために基板表面上に半球状粒子構造(HSG)構造を形成するものがある。DRAMを例にとると、データが増幅器により読み出される時、DRAMのコンデンサー内の電荷が多いほどノイズに起因する干渉が小さくなる。また、蓄積電荷をリフレッシュする頻度も顕著に少なくなる。通常、IC製造プロセスにおける半球状粒子の製造方法は、ウエハのアモルファスシリコン表面上に選択的にHSG層を形成するステップを含む。半球状粒子は選択的に形成されるので、それは選択性半球状粒子とも呼ばれる。
【0003】
図1は、HSG層を有するコンデンサーの従来の下部電極の断面図である。この図に示すように、酸化物層110が化学気相成長法(CVD)によって予め形成された電界効果型トランジスタ104を備えた基板100上に形成される。ノードコンタクトホール112は、酸化物層110を貫通するように形成され、それにより電界効果型トランジスタ104のソース/ドレイン領域108の一部が露出される。ドーピングされたアモルファスシリコン層(図示せず)がノードコンタクトホール112を満たすように基板100上に形成される。ドーピングされたアモルファスシリコン層をパターンニングすることによりコンデンサーの下部電極としてのドーピングされたアモルファスシリコン層114が得られる。下部電極の表面積を増やすために選択性HSG層116がこのドーピングされたアモルファスシリコン層114上に形成される。
【0004】
酸化物層110がCVDにより形成される場合、酸化物層110は多くの不純物、例えば炭化水素結合を含有する不純物を含んでいる。これらの不純物はその後の高温での製造ステップ中に揮発しやすい。不純物が酸化物層110の内部から揮発すると脱ガスが発生する。
【0005】
一般に、HSG層116の形成工程においては高真空を維持する必要がある。HSG層の形成工程において脱ガスが発生すると、炉内あるいは反応室内の真空度が低下する。したがって、半球状粒子を形成するための核生成を実施することが困難になり、またドーピングされたアモルファスシリコン層114のシリコン原子の移動が起こりにくくなる。その結果、半球状粒子の数は減少し、その寸法も小さくなり、下部電極の表面積増加という目的が十分に達成できなくなる。
【0006】
さらに、HSG層116が形成された後、HSG層116及びアモルファスシリコン層114上に不可避的に生じる酸化物層(図示せず)がフッ化水素酸により除去される。その後、誘電体層(図示せず)を形成し、上部電極を形成する工程が行われる。この不可避的に生じる酸化物層を完全に除去するために、過度エッチング工程(オーバーエッチングプロセス)が実施される。しかしながら、フッ化水素酸は酸化物層110をもエッチングするのでそのオーバーエッチングプロセスにおいて酸化物層110に凹み118が発生しやすい。その結果、デバイスの信頼性が低下する。さらに、酸化物層110に沿った電荷移動を防ぐための抑制層が酸化物層110上にないので、ゲート酸化物層(図示せず)は電荷を捕獲しやすくなり、その結果ゲート酸化物層は減衰する。
【0007】
【課題を解決するための手段】
したがって、本発明の目的は脱ガスを避けるとともに下部電極上に形成される半球状粒子の品質を改善することが可能なコンデンサーの下部電極の製造方法を提供することである。また、本発明によってオーバーエッチングプロセスに起因する誘電体層の凹みの発生を避けることができる。さらに、ゲート電極を減衰から保護できる。
【0008】
本発明の目的に基づいて上記およびその他の効果を達成するためにここに具体的かつ包括的に述べるように、本発明はコンデンサーの下部電極の製造方法を提供するものである。すなわち、基板上に第1誘電体層を形成し、第1誘電体層上にキャップ層を形成し、キャップ層上に第2誘電体層を形成する。第2誘電体層、キャップ層および第1誘電体層を貫通するノードコンタクトホールを形成し、前記基板上にコンフォーマル層を形成し、前記コンフォーマル層の一部を除去して前記ノードコンタクトホールの側壁上にライナー層を形成するとともに、前記コンフォーマル層の一部を除去するためのエッチングガスを第2誘電体層の表面と反応させて抑制層を形成する。抑制層の一部の上にパターン形成された導体層を形成してノードコンタクトホールを埋める。パターン形成された導体層上に選択性半球状粒子層を形成する。キャップ層が第1誘電体層上に形成されるので、オーバーエッチングに起因する第1誘電体層の凹みは発生しない。さらに、キャップ層は第1誘電体層に沿った電荷移動および電荷貫通を抑制することができ、その結果デバイスのゲート電極の減衰を防ぐことができる。さらに、キャップ層、ライナー層、抑制層の材料は、パターン形成された導体層および選択性半球状粒子層が形成される際に第1誘電体層及び第2誘電体層で発生する脱ガスを抑制できるので、選択性半球状粒子の品質が良好である。
【0009】
本発明に関する上記の記載内容および以下に記載される本発明の詳細な説明はともに例示的なものであり、本発明はこれらに限定されるものではなく、請求項に基づいて解釈されるべきである。
【0010】
【実施例】
添付の図面を使用して本発明の実施例を以下に詳細に説明する。尚、図面およびその説明においては同等あるいは類似の部材に対して可能な限り同じ参照番号を使用する。
【0011】
図2(a)〜2(e)は、本発明の実施例におけるコンデンサーの下部電極の製造方法を示す断面図である。
【0012】
図2(a)に示すように、分離領域202を基板200上に形成して基板200内にデバイスの活性領域を規定する。電界効果型トランジスタ204を活性領域に形成する。電界効果型トランジスタ204の各々はゲート電極206およびソース/ドレイン領域208を有する。次に、誘電体層210を基板200上に形成する。誘電体層210は、例えば気相化学成長法(CVD)によりシリコン酸化物あるいはホウ酸添加燐酸珪酸ガラス(BPSG)から形成できる。誘電体層201の形成後、誘電体層210を平面化するための化学的機械的研磨(CMP)のような平面化処理を実施することが好ましい。
【0013】
図2(b)に示すように、キャップ層212を誘電体層210上に形成する。次に、誘電体層214をキャップ層212上に形成する。キャップ層212の材料は、その後のプロセスにおいて生じる脱ガスに耐えることができる。さらに、キャップ層212の誘電体層210に対するエッチング選択性比およびキャップ層212の誘電体層214に対するエッチング選択性比は比較的良好である。キャップ層212は、化学気相成長法(CVD)によりシリコン窒化物あるいはシリコン酸窒化物から形成することが好ましい。キャップ層212の厚さは、およそ50Å〜200Åであることが好ましい。また、誘電体層214は化学気相成長法(CVD)によりシリコン酸化物あるいはホウ酸添加燐酸珪酸ガラス(BPSG)から形成することが好ましい。
【0014】
図2(c)に示すように、誘電体層214、キャップ層212および誘電体層210をパターンニングしてノードコンタクトホール216を形成する。ノードコンタクトホール216は、誘電体層214、キャップ層212および誘電体層210を貫通し、ソース/ドレイン領域208の一部を露出させる。コンフォーマル層218を誘電体層214上、ノードコンタクトホール216の側壁上およびノードコンタクトホール216内のソース/ドレイン領域208の露出領域上に形成する。
【0015】
図2(d)に示すように、コンフォーマル層218の一部を除去して誘電体層214の表面およびノードコンタクトホール216内のソース/ドレイン領域208の領域を露出させる。ノードコンタクトホール216内の側壁上に残されたコンフォーマル層218はライナー層220を意味する。コンフォーマル層218、すなわちライナー層220の材料は、その後のプロセスで生じる脱ガスを防ぐことができる。コンフォーマル層218は、化学気相成長法(CVD)によりシリコン窒化物あるいはシリコン酸窒化物から形成することが好ましい。コンフォーマル層218の形成温度はおよそ600〜800℃であることが好ましく、コンフォーマル層218の厚さはおよそ30Å〜200Åとすることが好ましい。コンフォーマル層218の一部を除去する方法は、CHF3あるいはNF3のようなエッチングガスを使用したドライエッチングを含む。
【0016】
コンフォーマル層218が高温で形成される際に誘電体層214の表面が緻密化されるので、誘電体層214の表面の純度を改善できる。さらに、コンフォーマル層218の一部が除去される際にエッチングガスが誘電体層214の表面と反応し誘電体層214上に抑制層222を形成する。抑制層222は誘電体層214からの脱ガスを抑制する。急速サーマルプロセス(RTP)をアンモニアで満たされた雰囲気で実施して抑制層222の質を強固にする。急速サーマルプロセスは800〜900℃の温度で30〜120秒間実施することが好ましい。
【0017】
図2(e)に示すように、パターン形成された導体層224を抑制層222上にノードコンタクトホール216を埋めるように形成する。パターン形成された導体層224はコンデンサー(図示せず)の下部電極として使用される。パターン形成された導体層224の材料は、アモルファスシリコンあるいはドーピングされたアモルファスシリコンとすることが好ましい。ドーピングされたアモルファスシリコン中のドーパントとして砒素イオンを使用できる。本実施例では、パターン形成された導体層224の形成方法は、アモルファスシリコン層がノードコンタクトホール216を埋めるようにCVDにより抑制層222上にアモルファスシリコン層(図示せず)を蒸着する工程を含む。アモルファスシリコン層をパターンニングすることによりパターン形成された導体層224が得られるとともに抑制層222の一部が露出される。その後、選択性HSG層226を下部電極の表面積を増やすために形成する。選択性HSG層226を形成する方法は、パターン形成された導体層224の表面上に核生成サイトを形成する工程を含むことが好ましい。この工程においては、ソースガスとしてシランが炉内あるいは反応室内に供給され、パターン形成された導体層224およびシラン中のシリコンが核生成サイトとして使用される。核の密度が所定レベルに達した後、炉内あるいは反応室内へのソースガスの供給を停止してアニール処理を実施する。アニール処理を実施することでパターン形成された導体層224のシリコンは移動可能となり選択性HSG層226が形成される。核生成サイトを形成する工程およびアニール処理は、炉内あるいは反応室内において550℃〜570℃の温度で実施されることが好ましい。
【0018】
次に、選択性HSG層226上あるいはパターン形成された導体層224上に不可避的に生成された酸化物層(図示せず)をフッ化水素酸により除去する。誘電体層(図示せず)および導体層(図示せず)を基板200上に形成してコンデンサの製造プロセスを終了する。
本発明においては、キャップ層212が誘電体層210及び214の間に形成される。キャップ層のエッチング速度は誘電体層210及び214のそれとは異なるので、選択性HSG層216及びパターン形成された導体層224上に不可避的に生成された酸化物層がエッチングプロセスにより除去される際にキャップ層212はフッ化水素酸によるエッチングから誘電体層210を保護する。これにより、オーバーエッチングによる誘電体層210の凹みは発生しない。さらに、キャップ層212は誘電体層210に沿った電荷移動及び電荷貫通を抑制することができ、その結果ゲート電極206のゲート酸化物層は電荷を捕獲しない、したがって、ゲート電極206の減衰を防ぐことができる。
【0019】
さらに、キャップ層212、ライナー層220および抑制層222が誘電体層210及び214の表面を覆うように形成される。キャップ層212、ライナー層220および抑制層222の材料は、パターン形成された導体層224及び選択性HSG層が形成される際に誘電体層210及び214からの脱ガスを抑制することができるので、炉内あるいば反応室内の真空度が損なわれることはない。結果的に、HSG層224の半球状粒子は小さく、互いから実質的に分離して緻密に分布する。以上のように、本発明を実施することによりコンデンサーの下部電極の静電容量は倍増する。
【0020】
要約すると、本発明には以下の利点がある。
1.本発明は誘電体層からの脱ガスを防ぐことができる。
2.本発明を採用することにより、HSG層の半球状粒子は小さく、互いから実質的に分離して緻密に分布する。
3.コンデンサーの下部電極の静電容量は、本発明の実施により倍増される。
4.本発明は、不可避的に生成された酸化物層のオーバーエッチングによる誘電体層の凹みの発生を防ぐことができる。
5.本発明においては、キャップ層は電荷貫通および誘電体層に沿った電荷移動を抑制することができ、その結果ゲート電極のゲート酸化物層は電荷を捕獲しない。したがって、ゲート電極の減衰を防ぐことができる。
6.本発明は、高集積化DRAMの実現のために利用可能である。
7.本発明は、従来の製造技術との互換性に優れ、現在の利用されている製造プロセスにおける使用にも最適である。
【0021】
本発明を実施例に基づいて説明したが、本発明はこれらの実施例によって限定されない。むしろ、本発明の技術思想から逸脱しないかぎりにおいて種々の変更および改良を加えることが可能であるだろう。したがって、本発明の請求項はそのような変更および改良等を含むように広く解釈されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】HSG層を有するコンデンサーの従来の下部電極の概略断面図である。
【図2】 (a)〜(e)は、本発明の実施例に基づくコンデンサーの下部電極の製造方法を示す概略断面図である。
【符号の説明】
200 基板
202 分離領域
204 電界効果型トランジスタ
206 ゲート電極
208 ソース/ドレイン領域
210 誘電体層
212 キャップ層
214 誘電体層
216 ノードコンタクトホール
218 コンフォーマル層
220 ライナー層
222 抑制層
224 パターン形成された導体層
226 選択性HSG層

Claims (21)

  1. 以下のステップに特徴があるコンデンサーの下部電極の製造方法:
    基板上に第1誘電体層を形成し、
    前記第1誘電体層上にキャップ層を形成し、
    前記キャップ層上に第2誘電体層を形成し、
    前記第2誘電体層、キャップ層および第1誘電体層を貫通するノードコンタクトホールを形成し、
    化学気相成長法により前記基板上にコンフォーマル層を形成し、
    前記コンフォーマル層の一部を除去して前記ノードコンタクトホールの側壁上にライナー層を形成するとともに、前記コンフォーマル層の一部を除去するためのエッチングガスを第2誘電体層の表面と反応させて抑制層を形成し、
    前記抑制層の一部の上にパターン形成された導体層を形成して前記ノードコンタクトホールを満たし、
    前記パターン形成された導体層上に選択性半球状粒子層を形成する。
  2. 前記キャップ層は化学気相成長法によりシリコン窒化物から形成されることを特徴とする請求項1の製造方法。
  3. 前記キャップ層は化学気相成長法によりシリコン酸窒化物から形成されることを特徴とする請求項1の製造方法。
  4. 前記パターン形成された導体層の材料は、アモルファスシリコンを含むことを特徴とする請求項1の製造方法。
  5. 前記コンフォーマル層の材料はシリコン窒化物およびシリコン酸窒化物から選択されることを特徴とする請求項の製造方法。
  6. 以下のステップに特徴があるコンデンサーの下部電極の製造方法:
    基板上に第1誘電体層を形成し、
    前記第1誘電体層上にキャップ層を形成し、
    前記キャップ層上に第2誘電体層を形成し、
    前記第2誘電体層、キャップ層および第1誘電体層を貫通するノードコンタクトホールを形成し、
    化学気相成長法により基板上にコンフォーマル層を形成し、
    前記コンフォーマル層の一部を除去して前記ノードコンタクトホールの側壁上にライナー層を形成するとともに、前記コンフォーマル層の一部を除去するためのエッチングガスを第2誘電体層の表面と反応させて抑制層を形成し、
    アンモニアで満たされた雰囲気下で急速サーマルプロセスを実施して前記抑制層の質を強固にし、
    前記抑制層の一部の上にパターン形成された導体層を形成して前記ノードコンタクトホールを満たし、
    前記パターン形成された導体層上に選択性半球状粒子層を形成する
  7. 前記コンフォーマル層の材料はシリコン窒化物およびシリコン酸窒化物から選択されることを特徴とする請求項6の製造方法。
  8. 前記急速サーマルプロセスを800〜900℃の温度で実施することを特徴とする請求項6の製造方法。
  9. 前記パターン形成された導体層の材料はアモルファスシリコンを含むことを特徴とする請求項の製造方法。
  10. 以下のステップに特徴があるコンデンサーの下部電極の製造方法:
    基板上に第1誘電体層を形成し、
    前記第1誘電体層上にキャップ層を形成し、
    前記キャップ層上に第2誘電体層を形成し、
    前記第2誘電体層、キャップ層および第1誘電体層を貫通するノードコンタクトホールを形成し、
    前記基板上にコンフォーマル層を形成し、
    前記コンフォーマル層の一部を除去して前記ノードコンタクトホールの側壁上にライナー層を形成するとともに、前記コンフォーマル層の一部を除去するためのエッチングガスを第2誘電体層の表面と反応させて抑制層を形成し、
    前記抑制層の一部の上にパターン形成された導体層を形成して前記ノードコンタクトホールを満たし、
    前記パターン形成された導体層上に選択性半球状粒子層を形成する。
  11. 前記キャップ層は化学気相成長法によりシリコン窒化物から形成されることを特徴とする請求項10の製造方法。
  12. 前記キャップ層は化学気相成長法によりシリコン酸窒化物から形成されることを特徴とする請求項10の製造方法。
  13. 前記コンフォーマル層の材料はシリコン窒化物およびシリコン酸窒化物から選択されることを特徴とする請求項10の製造方法。
  14. 前記パターン形成された導体層の材料はアモルファスシリコンを含むことを特徴とする請求項10の製造方法。
  15. 以下のステップに特徴があるコンデンサーの下部電極の製造方法:
    基板上に第1誘電体層を形成し、
    前記第1誘電体層上にキャップ層を形成し、
    前記キャップ層上に第2誘電体層を形成し、
    前記第2誘電体層、キャップ層および第1誘電体層を貫通するノードコンタクトホールを形成し、
    前記基板上にコンフォーマル層を形成し、
    前記コンフォーマル層の一部を除去して前記ノードコンタクトホールの側壁上にライナー層を形成するとともに、前記コンフォーマル層の一部を除去するためのエッチングガスを第2誘電体層の表面と反応させて抑制層を形成し、
    アンモニアで満たされた雰囲気下で急速サーマルプロセスを実施して前記抑制層の質を強固にし、
    前記抑制層の一部の上にパターン形成された導体層を形成して前記ノードコンタクトホールを満たし、
    前記パターン形成された導体層上に選択性半球状粒子層を形成する。
  16. 前記キャップ層は化学気相成長法によりシリコン窒化物から形成されることを特徴とする請求項15の製造方法。
  17. 前記キャップ層は化学気相成長法によりシリコン酸窒化物から形成されることを特徴とする請求項15の製造方法。
  18. 前記コンフォーマル層の材料はシリコン窒化物およびシリコン酸窒化物から選択されることを特徴とする請求項15の製造方法。
  19. 前記急速サーマルプロセスを800〜900℃の温度で実施することを特徴とする請求項15の製造方法。
  20. 前記パターン形成された導体層の材料はアモルファスシリコンを含むことを特徴とする請求項15の製造方法。
  21. 以下のステップに特徴があるコンデンサーの下部電極の製造方法:
    基板上に第1誘電体層を形成し、
    前記第1誘電体層上に化学気相成長法によりシリコン窒化物およびシリコン酸窒化物から選択されるキャップ層を形成し、
    前記キャップ層上に第2誘電体層を形成し、
    前記第2誘電体層、キャップ層および第1誘電体層を貫通するノードコンタクトホールを形成し、
    前記基板上にシリコン窒化物およびシリコン酸窒化物から選択されるコンフォーマル層を形成し、
    前記コンフォーマル層の一部を除去して前記ノードコンタクトホールの側壁上にライナー層を形成するとともに、前記コンフォーマル層の一部を除去するためのエッチングガスを第2誘電体層の表面と反応させて抑制層を形成し、
    前記抑制層の一部の上にパターン形成された導体層を形成して前記ノードコンタクトホールを満たし、
    前記パターン形成された導体層上に選択性半球状粒子層を形成する。
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