JP3662326B2 - レベル変換回路 - Google Patents
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- H03K3/356113—Bistable circuits using complementary field-effect transistors using additional transistors in the input circuit
Description
【発明の属する技術分野】
この発明はレベル変換回路に関し、さらに詳しくは、フラッシュメモリ用のレベル変換回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
フラッシュメモリでは、さまざまなレベルの電圧をメモリセルに印加しなければならない。たとえばDINOR型フラッシュメモリの場合は、各動作モードにおいて次の表1に示される電圧をビット線、ワード線およびソース線にそれぞれ印加しなければならない。表1において、スラッシュ(/)の左側の電圧は選択状態で印加され、/の右側の電圧は非選択状態で印加される。
【0003】
【表1】
【0004】
表1を参照して、プログラム動作モードにおいては、選択メモリセルのために、6Vの電圧がビット線に与えられ、−9Vの電圧がワード線に与えられ、かつソース線はフローティング状態にされる。他方、非選択メモリセルのためには、0Vの電圧がビット線に与えられ、0Vの電圧がワード線に与えられ、かつソース線がフローティング状態にされる。
イレーズ動作モードにおいては、選択メモリセルのためには、ビット線がフローティング状態にされ、10Vの電圧がワード線に与えられ、かつ−9Vの電圧がソース線に与えられる。他方、非選択メモリセルのためには、ビット線がフローティング状態にされ、0Vの電圧がワード線に与えられ、−9Vの電圧がソース線に与えられる。
【0005】
リード動作モードにおいては、選択メモリセルのためには、1Vの電圧がビット線に与えられ、3.3Vの電圧がワード線に与えられ、0Vの電圧がソース線に与えられる。他方、非選択メモリセルのためには、1Vの電圧がビット線に与えられ、0Vの電圧がワード線に与えられ、かつ0Vの電圧がソース線に与えられる。
このようなさまざまな電圧を供給するにはレベル変換回路必要である。従来のレベル変換回路の一例が図16に示される。
【0006】
図16を参照して、このレベル変換回路501は、クロスカップルされたPチャネルMOSトランジスタ507および508と、電圧切換信号Vinに応答して互いに相補的にオン/オフになるNチャネルMOSトランジスタ509および510とを備える。
H(論理ハイ)レベルの電圧切換信号Vinが与えられると、NチャネルMOSトランジスタ510がオンになる。この電圧切換信号Vinはインバータ511を介してNチャネルMOSトランジスタ509のゲートに与えられるので、NチャネルMOSトランジスタ509はオフになる。したがって、ノード506の電圧は接地電圧(0V)GNDまで引下げられ、それによりPチャネルMOSトランジスタ507がオンになる。そのため、電圧入力端子102の電圧VPPがPチャネルMOSトランジスタ507を介して出力電圧Voutとして出力される。
【0007】
他方、L(論理ロー)レベルの電圧切換信号Vinが与えられると、NチャネルMOSトランジスタ510がオフになり、NチャネルMOSトランジスタ509はオンになる。したがって、ノード505の電圧が接地電圧GNDまで引下げられ、それによりPチャネルMOSトランジスタ508がオンになる。このとき、電圧VPPがPチャネルMOSトランジスタ508を介してPチャネルMOSトランジスタ507のゲートに与えられるので、PチャネルMOSトランジスタ507はオフになる。そのため、接地電圧GNDがNチャネルMOSトランジスタ509を介して出力電圧Voutとして出力される。
【0008】
このように、レベル変換回路501はHレベルの電圧切換信号Vinに応答してVPPレベルの出力電圧Voutを出力したり、あるいはLレベルの電圧切換信号Vinに応答して接地レベルの出力電圧Voutを出力したりすることができる。図16のようなクロスカップルされたトランジスタ507および508を切換えて電圧レベルを変換する回路をカスケード電圧切換論理(CVSL;Cascade Voltage Switch Logic)回路という。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
このCVSL回路を用いるとVPPレベルと接地レベルとの間で振幅する正の電圧だけを発生するレベル変換回路を実現することができるが、このレベル変換回路は表1に示されるような正および負の電圧を選択的に生成することはできない。
したがって、この発明の目的は、正および負の電圧を選択的に出力することができるレベル変換回路を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
この発明の1つの局面に従うと、レベル変換回路は、第1および第2のカスケード電圧切換論理回路を備える。第1のカスケード電圧切換論理回路は、第1の電圧と第1の電圧と異なる第2の電圧とを受け、かつ電圧切換信号に応答して第1および第2の電圧を選択的に出力する。第2のカスケード電圧切換論理回路は、第1および第2の電圧と異なる第3の電圧と第1の電圧とを受け、かつ第1のカスケード電圧切換論理回路から出力された電圧に応答して第1および第3の電圧を選択的に出力する。
【0011】
好ましくは、第1のカスケード電圧切換論理回路は、第1のノード、第2のノード、第1のMOSトランジスタ、第2のMOSトランジスタ、第3のMOSトランジスタ、および第4のMOSトランジスタを含む。第1のMOSトランジスタは、第1の電圧を受けるソースと、第1のノードに接続されたドレインと、第2のノードに接続されたゲートとを有する。第2のMOSトランジスタは、第1の電圧を受けるソースと、第2のノードに接続されたドレインと、第1のノードに接続されたゲートとを有する。第3のMOSトランジスタは、第2の電圧を受けるソースと、第1のノードに接続されたドレインとを有し、かつ電圧切換信号に応答してオン/オフになる。第4のMOSトランジスタは、第2の電圧を受けるソースと、第2のノードに接続されたドレインとを有し、かつ第3のMOSトランジスタと相補的にオン/オフになる。また、第2のカスケード電圧切換論理回路は、第3のノード、第4のノード、第5のMOSトランジスタ、第6のMOSトランジスタ、第7のMOSトランジスタ、および第8のMOSトランジスタを含む。第5のMOSトランジスタは、第3の電圧を受けるソースと、第3のノードに接続されたドレインと、第4のノードに接続されたゲートとを有する。第6のMOSトランジスタは、第3の電圧を受けるソースと、第4のノードに接続されたドレインと、第3のノードに接続されたゲートとを有する。第7のMOSトランジスタは、第1の電圧を受けるソースと、第3のノードに接続されたドレインと、第1のノードに接続されたゲートとを有する。第8のMOSトランジスタは、第1の電圧を受けるソースと、第4のノードに接続されたドレインと、第2のノードに接続されたゲートとを有する。
【0012】
さらに好ましくは、上記レベル変換回路はさらに第1の電圧緩和手段を備える。第1の電圧緩和手段は、第1および第2のMOSトランジスタのソースおよびドレイン間の電圧を緩和する。
また、上記レベル変換回路はさらに第2の電圧緩和手段を備える。第2の電圧緩和手段は、第3および第4のMOSトランジスタのソースおよびドレイン間の電圧を緩和する。
また、上記レベル変換回路はさらに第3の電圧緩和手段を備える。第3の電圧緩和手段は、第5および第6のMOSトランジスタのソースおよびドレイン間の電圧を緩和する。
【0013】
また、上記レベル変換回路はさらに第4の電圧緩和手段をさらに備える。第4の電圧緩和手段は、第7および第8のMOSトランジスタのソースおよびドレイン間の電圧を緩和する。
この発明のもう1つの局面に従うと、レベル変換回路は、第1のノード、第2のノード、第1のMOSトランジスタ、第2のMOSトランジスタ、第3のMOSトランジスタ、第4のMOSトランジスタ、切換手段、第3のノード、第4のノード、第5のMOSトランジスタ、第6のMOSトランジスタ、第7のMOSトランジスタ、および第8のMOSトランジスタを備える。第1のMOSトランジスタは、第1の電圧を受けるソースと、第1のノードに接続されたドレインと、第2のノードに接続されたゲートとを有する。第2のMOSトランジスタは、第1の電圧を受けるソースと、第2のノードに接続されたドレインと、第1のノードに接続されたゲートとを有する。第3のMOSトランジスタは、第2の電圧を受けるソースを有し、かつ電圧切換信号に応答してオン/オフになる。第4のMOSトランジスタは、第2の電圧を受けるソースを有し、かつ第3のMOSトランジスタと相補的にオン/オフになる。切換手段は、第3のMOSトランジスタのドレインが第1のノードに接続されかつ第4のMOSトランジスタのドレインが第2のノードに接続された第1の状態と第3のMOSトランジスタのドレインが第2のノードに接続されかつ第4のMOSトランジスタのドレインが第1のノードに接続された第2の状態とを論理切換信号に応答して切換える。第5のMOSトランジスタは、第3の電圧を受けるソースと、第3のノードに接続されたドレインと、第4のノードに接続されたゲートとを有する。第6のMOSトランジスタは、第3の電圧を受けるソースと、第4のノードに接続されたドレインと、第3のノードに接続されたゲートとを有する。第7のMOSトランジスタは、第1の電圧を受けるソースと、第3のノードに接続されたドレインと、第1のノードに接続されたゲートとを有する。第8のMOSトランジスタは、第1の電圧を受けるソースと、第4のノードに接続されたドレインと、第2のノードに接続されたゲートとを有する。
【0014】
好ましくは、切換手段は、第9のMOSトランジスタ、第10のMOSトランジスタ、第11のMOSトランジスタ、および第12のMOSトランジスタを含む。第9のMOSトランジスタは、第1のノードと第3のMOSトランジスタのドレインとの間に接続され、論理切換信号に応答してオン/オフになる。第10のMOSトランジスタは、第2のノードと第4のMOSトランジスタのドレインとの間に接続され、第9のMOSトランジスタがオンになるときオンになり、第9のMOSトランジスタがオフになるときオフになる。第11のMOSトランジスタは、第2のノードと第3のMOSトランジスタのドレインとの間に接続され、第9のMOSトランジスタがオンになるときオフになり、第9のMOSトランジスタがオフになるときオンになる。第12のMOSトランジスタは、第1のノードと第4のMOSトランジスタのドレインとの間に接続され、第11のMOSトランジスタがオンになるときオンになり、第11のMOSトランジスタがオフになるときオフになる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
[実施の形態1]
図1は、この発明の実施の形態1によるレベル変換回路の構成を示す回路図である。図1を参照して、レベル変換回路100は、入力電圧VNNを受ける電圧入力端子101と、入力電圧VPPを受ける電圧入力端子102とを有する。レベル変換回路100はさらに、入力電圧VNNと電源電圧VCCとを受け、かつ電圧切換信号Vinに応答して入力電圧VNNと電源電圧VCCとを選択的に出力するカスケード電圧切換論理(CVSL)回路103と、入力電圧VPPと入力電圧VNNとを受け、かつCVSL回路103から出力された電圧VNNまたはVCCに応答して入力電圧VNNおよびVPPを選択的に出力するCVSL回路104とを備える。
【0016】
CVSL回路103は、互いにクロスカップルされたNチャネルMOSトランジスタ107および108と、NチャネルMOSトランジスタ107のドレイン電圧を電源電圧VCCに引上げるPチャネルMOSトランジスタ109と、NチャネルMOSトランジスタ108のドレイン電圧を電源電圧VCCに引上げるPチャネルMOSトランジスタ110と、電圧切換信号Vinの論理レベルを反転し、電圧切換信号Vinと相補的な電圧切換信号/Vinを出力するインバータ111とを含む。NチャネルMOSトランジスタ107は、電圧入力端子101に接続されたソースと、ノード105に接続されたドレインと、ノード106に接続されたゲートと、そのソースに接続されたバックゲートとを有する。NチャネルMOSトランジスタ108は、電圧入力端子101に接続されたソースと、ノード106に接続されたドレインと、ノード105に接続されたゲートと、そのソースに接続されたバックゲートとを有する。PチャネルMOSトランジスタ109は、電源電圧VCCを受けるソースと、ノード105に接続されたドレインと、電圧切換信号/Vinを受けるゲートとを有する。PチャネルMOSトランジスタ110は、電源電圧VCCを受けるソースと、ノード106に接続されたドレインと、電圧切換信号Vinを受けるゲートとを有する。
【0017】
CVSL回路104は、互いにクロスカップルされたPチャネルMOSトランジスタ114および115と、PチャネルMOSトランジスタ114のドレイン電圧を入力電圧VNNに引下げるNチャネルMOSトランジスタ116と、PチャネルMOSトランジスタ115のドレイン電圧を入力電圧VNNに引下げるNチャネルMOSトランジスタ117とを含む。PチャネルMOSトランジスタは、電圧入力端子102に接続されたソースと、ノード112に接続されたドレインと、ノード113に接続されたゲートと、そのソースに接続されたバックゲートとを有する。PチャネルMOSトランジスタ115は、電圧入力端子102に接続されたソースと、ノード113に接続されたドレインと、ノード112に接続されたゲートと、そのソースに接続されたバックゲートとを有する。NチャネルMOSトランジスタ116は、電圧入力端子101に接続されたソースと、ノード112に接続されたドレインと、ノード105に接続されたゲートと、そのソースに接続されたバックゲートとを有する。NチャネルMOSトランジスタ117は、電圧入力端子101に接続されたソースと、ノード113に接続されたドレインと、ノード106に接続されたゲートと、そのソースに接続されたバックゲートとを有する。
【0018】
図2は、図1に示されたレベル変換回路100を含むブロック図である。図2に示されるように、VNN発生回路201からの電圧VNNが電圧入力端子101に与えられ、VPP発生回路202からの電圧VPPが電圧入力端子102に与えられる。VNN発生回路201は、0Vまたは−9Vの電圧VNNを発生する。VPP発生回路202は、0V、3.3Vまたは10Vの電圧VPPを発生する。
このレベル変換回路100は、たとえばフラッシュメモリのワード線に出力電圧Voutを供給する。次の表2は、フラッシュメモリの各動作モードにおける入力電圧VPP,VNN、電圧切換信号Vin,/Vin、トランジスタ107〜110,116,117のオン/オフ状態、ならびにノード105,106,112,113の電圧V(105),V(106),V(112),V(113)をそれぞれ示す。なお、ここでは3.3Vの電圧が電源電圧VCCとして与えられる。
【0019】
【表2】
【0020】
表2に示されるように、プログラム動作モードでは、0Vの入力電圧VPPが与えられ、−9Vの入力電圧VNNが与えられる。イレーズ動作モードでは、10Vの入力電圧VPPが与えられ、0Vの入力電圧VNNが与えられる。リード動作モードでは、3.3Vの入力電圧VPPが与えられ、0Vの入力電圧VNNが与えられる。
電圧切換信号Vinが3.3V(Hレベル)になると、そのHレベルの電圧切換信号Vinに応答してPチャネルMOSトランジスタ110がオフになり、電圧切換信号Vinと相補的なLレベルの電圧切換信号/Vinに応答してPチャネルMOSトランジスタ109がオンになる。これによりノード105の電圧がVCCレベルに引上げられるのでNチャネルMOSトランジスタ108がオンになる。NチャネルMOSトランジスタ108がオンになるとノード106の電圧がVNNレベルに引下げられるので、NチャネルMOSトランジスタ107はオフになる。
【0021】
ノード105の電圧がVCCレベルになるのでNチャネルMOSトランジスタ116はオンになり、ノード106の電圧はVNNレベルになるのでNチャネルMOSトランジスタ117はオフになる。これによりノード112の電圧がVNNレベルに引下げられるので、PチャネルMOSトランジスタ115がオンになる。PチャネルMOSトランジスタ115がオンになると、ノード113の電圧がVPPレベルに引上げられるので、PチャネルMOSトランジスタ114はオフになる。したがって、出力電圧VoutはVNNレベルになる。
【0022】
他方、電圧切換信号Vinが0V(Lレベル)になると、そのLレベルの電圧切換信号Vinに応答してPチャネルMOSトランジスタ110がオンになり、その電圧切換信号Vinと相補的なHレベルの電圧切換信号/Vinに応答してPチャネルMOSトランジスタ109がオフになる。これによりノード106の電圧がVCCレベルに引上げられるので、NチャネルMOSトランジスタ107がオンになる。NチャネルMOSトランジスタ107がオンになると、ノード105の電圧がVNNレベルに引下げられるので、NチャネルMOSトランジスタ108はオフになる。
【0023】
ノード105の電圧がVNNレベルになるのでNチャネルMOSトランジスタ116はオフになり、ノード106の電圧がVCCレベルになるのでNチャネルMOSトランジスタ117はオンになる。これによりノード113の電圧はVNNレベルに引下げられるので、PチャネルMOSトランジスタ114はオンになる。PチャネルMOSトランジスタ114がオンになると、ノード112の電圧がVPPレベルに引上げられるので、PチャネルMOSトランジスタ115がオフになる。したがって、出力電圧VoutはVPPレベルになる。
【0024】
プログラム動作モードでは、0Vの入力電圧VPPが与えられ、かつ−9Vの入力電圧VNNが与えられるので、選択メモリセルのためのワード線には−9Vの出力電圧Voutが与えられ、他方、非選択メモリセルのためのワード線には0Vの出力電圧Voutが与えられる。
イレーズ動作モードでは、10Vの入力電圧VPPが与えられかつ0Vの入力電圧VNNが与えられるので、選択メモリセルのためのワード線には10Vの出力電圧Voutが与えられ、他方、非選択メモリセルのためのワード線には0Vの出力電圧Voutが与えられる。
【0025】
リード動作モードでは、3.3Vの入力電圧VPPが与えられかつ0Vの入力電圧VNNが与えられるので、選択メモリセルのためのワード線には3.3Vの出力電圧Voutが与えられ、他方、非選択メモリセルのためのワード線には0Vの出力電圧Voutが与えられる。
このように、CVSL回路103はVCCレベルとVNNレベルとの間で振幅する電圧を出力し、CVSL回路104はVPPレベルとVNNレベルとの間で振幅する電圧を出力する。したがって、このレベル変換回路100は正のVPPレベルと負のVNNレベルとの間で振幅する出力電圧Voutを供給することができる。
【0026】
ただし、電圧切換信号Vinおよび入力電圧VNN,VPPには以下のような制限条件がある。
電圧切換信号Vinは、PチャネルMOSトランジスタ109および110のオン/オフを制御するのに十分な値を持たなければならない。具体的には、Hレベルの電圧切換信号Vinは(VCC−Vthp)よりも大きい値を持たなければならない。また、Lレベルの電圧切換信号Vinは(VCC−Vthp)よりも小さい値を持たなければならない。ここで、VthpはPチャネルMOSトランジスタ109および110のしきい値電圧である。したがって、電源電圧VCCが3.3Vであり、しきい値電圧Vthpが0.8Vであるならば、Hレベルの電圧切換信号Vinは2.5Vよりも大きくなければならず、Lレベルの電圧切換信号Vinは2.5Vよりも小さくなければならない。
【0027】
また、入力電圧VNNは、ノード105および106の電圧に対してNチャネルMOSトランジスタ107、108、116および117のオン/オフを制御するのに十分な値を持たなければならない。具体的には、ノード105および106はHレベルとしてVCCレベルを取るので、入力電圧VNNは(VCC−Vthn)よりも小さい値を持たなければならない。ここで、VthnはNチャネルMOSトランジスタ107,108,116,117のしきい値電圧である。したがって、電源電圧VCCが3.3Vであり、しきい値電圧Vthnが0.8Vであるならば、入力電圧VNNは2.5Vよりも小さくなければならない。
【0028】
さらに、入力電圧VPPは、ノード112および113の電圧に対してPチャネルMOSトランジスタ114および115のオン/オフを制御するのに十分な値を持たなければならない。具体的には、ノード112および113はLレベルとしてVNNレベルを取るので、入力電圧VNNは(VPP−Vthp1)よりも小さい値を持たなければならない。ここで、Vthp1はPチャネルMOSトランジスタ114および115のしきい値電圧である。通常、PチャネルMOSトランジスタのしきい値電圧は同一回路内で等しいので、以下Vthp1をVthpとして表記する。したがって、入力電圧VNNが0Vであり、しきい値電圧Vthpが0.8Vであるならば、入力電圧VPPは0.8Vよりも大きくなければならない。
【0029】
以上のように、この実施の形態1によるレベル変換回路100は、10V、3.3V、0Vおよび−9Vの出力電圧Voutを供給することができる。すなわち、このレベル変換回路100は正の高いレベルと負の高いレベルとの間で振幅するさまざまな電圧を供給することができる。
[実施の形態2]
図1に示された実施の形態1によるレベル変換回路100には、動作モードによって高い電圧が与えられるトランジスタがある。
【0030】
選択メモリセルのためのプログラム動作モードでは、PチャネルMOSトランジスタ110のソース電圧は3.3Vになり、PチャネルMOSトランジスタのドレイン電圧、つまりノード106の電圧V(106)は−9Vになる。したがって、PチャネルMOSトランジスタ110のソースおよびドレイン間には12.3Vの電圧が与えられる。
また、非選択メモリセルのためのプログラム動作モードでは、PチャネルMOSトランジスタ109のソース電圧は3.3Vになり、PチャネルMOSトランジスタのドレイン電圧、つまりノード105の電圧V(105)は−9Vになる。したがって、PチャネルMOSトランジスタ109のソースおよびドレイン間には12.3Vの電圧が与えられる。
【0031】
この実施の形態2の目的は、PチャネルMOSトランジスタ109および110のソースおよびドレイン間の電圧を緩和することである。図3は、この発明の実施の形態2によるレベル変換回路の構成を示す回路図である。図3を参照して、このレベル変換回路300は、PチャネルMOSトランジスタ302および303をさらに含むCVSL回路301を備える。すなわち実施の形態2では、PチャネルMOSトランジスタ302がPチャネルMOSトランジスタ109とNチャネルMOSトランジスタ107との間に接続され、かつPチャネルMOSトランジスタ303がPチャネルMOSトランジスタ110とNチャネルMOSトランジスタ108との間に接続される。PチャネルMOSトランジスタ302および303のゲートにはともに接地電圧GNDが与えられる。
【0032】
次の表3は、表2と同様に入力電圧VPP,VNN、電圧切換信号Vin,/Vin、トランジスタ107〜110、およびノード105,106,304,305の電圧をそれぞれ示す。
【0033】
【表3】
【0034】
このレベル変換回路300では、ノード105の電圧が−9Vになると、PチャネルMOSトランジスタ302がオフになる。また、ノード106の電圧が−9Vになると、PチャネルMOSトランジスタ303がオフになる。したがって、PチャネルMOSトランジスタ109および110のソースおよびドレイン間には高くても2.5V(=VCC−Vthp=3.3−0.8)の電圧しか与えられない。すなわち、PチャネルMOSトランジスタ302および303がPチャネルMOSトランジスタ109および110のソースおよびドレイン間の電圧をそれぞれ緩和している。
【0035】
また、選択メモリセルのためのプログラム動作モードでは、PチャネルMOSトランジスタ303のソース電圧、つまりノード305の電圧V(305)が0.8Vになり、PチャネルMOSトランジスタ303のドレイン、つまりノード106の電圧V(106)が−9Vになるので、PチャネルMOSトランジスタ303のソースおよびドレイン間には9.8Vの電圧が与えられる。
また、非選択メモリセルのためのプログラム動作モードでは、PチャネルMOSトランジスタ302のソース電圧、つまりノード304の電圧V(304)は0.8Vになり、PチャネルMOSトランジスタ302のドレイン、つまりノード105の電圧V(105)は−9Vになるので、PチャネルMOSトランジスタ302のソースおよびドレイン間には9.8Vの電圧が与えられる。
【0036】
したがって、CVSL回路301内のすべてのPチャネルMOSトランジスタ109,110,302,303のソースおよびドレイン間には10Vよりも大きい電圧は与えられない。
以上のように、この実施の形態2によるレベル変換回路300は、PチャネルMOSトランジスタ302および303を含むので、PチャネルMOSトランジスタ109および110のソースおよびドレイン間の電圧が緩和される。
[実施の形態3]
図3に示された実施の形態2によるレベル変換回路300ではNチャネルMOSトランジスタ107のソース電圧は−9Vになり、NチャネルMOSトランジスタ107のドレイン電圧、つまりノード105の電圧V(105)が3.3Vになるので、NチャネルMOSトランジスタ107のソースおよびドレイン間に12.3Vの電圧が与えられる。また、NチャネルMOSトランジスタのソース電圧は−9Vになり、NチャネルMOSトランジスタ108のドレイン電圧、つまりノード106の電圧V(106)は3.3Vになるので、NチャネルMOSトランジスタ108のソースおよびドレイン間に12.3Vの電圧が与えられる。
【0037】
この実施の形態3の目的は、NチャネルMOSトランジスタ107および108のソースおよびドレイン間の電圧をそれぞれ緩和することである。図4は、この発明の実施の形態3によるレベル変換回路の構成を示す回路図である。図4を参照して、このレベル変換回路400は、NチャネルMOSトランジスタ402および403をさらに含むCVSL回路401を備える。NチャネルMOSトランジスタ402はPチャネルMOSトランジスタ302とNチャネルMOSトランジスタ107との間に接続され、NチャネルMOSトランジスタ403はPチャネルMOSトランジスタ303とNチャネルMOSトランジスタ108との間に接続される。NチャネルMOSトランジスタ402のゲートには入力電圧VPPが与えられ、NチャネルMOSトランジスタのバックゲートには入力電圧VNNが与えられる。NチャネルMOSトランジスタ403のゲートには入力電圧VPPが与えられ、NチャネルMOSトランジスタ403のバックゲートには入力電圧VNNが与えられる。
【0038】
次の表4は、表2および表3と同様にフラッシュメモリの各動作モードにおける入力電圧VPP,VNN、電圧切換信号Vin、トランジスタ107,108302,303,402,403のオン/オフ状態、およびノード105,106,304,305,404,405の電圧をそれぞれ示す。
【0039】
【表4】
【0040】
このレベル変換回路400では、ノード105および106の電圧は(VPP−Vth)よりも高くならない。したがって、選択メモリセルのためのプログラム動作モードでは、PチャネルMOSトランジスタ303のソース電圧、つまりノード305の電圧V(305)は0.8Vになり、PチャネルMOSトランジスタ303のドレイン電圧、つまりノード405の電圧V(405)は−9Vになるので、PチャネルMOSトランジスタ303のソースおよびドレイン間には9.8Vの電圧が与えられる。また、NチャネルMOSトランジスタ107のソース電圧は−9Vになり、NチャネルMOSトランジスタ107のドレイン電圧、つまりノード105の電圧V(105)は−0.8Vになるので、NチャネルMOSトランジスタ107のソースおよびドレイン間には8.2Vの電圧が与えられる。
【0041】
他方、非選択メモリセルのためのプログラム動作モードでは、PチャネルMOSトランジスタ302のソース電圧、つまりノード304の電圧V(304)は0.8Vになり、PチャネルMOSトランジスタ302のドレイン電圧、つまりノード404の電圧V(404)は−9Vになるので、PチャネルMOSトランジスタ302のソースおよびドレイン間には9.8Vの電圧が与えられる。また、NチャネルMOSトランジスタ108のソース電圧は−9Vになり、NチャネルMOSトランジスタ108のドレイン電圧、つまりノード106の電圧V(106)は−0.8Vになるので、NチャネルMOSトランジスタ108のソースおよびドレイン間には8.2Vの電圧が与えられる。そのため、CVSL回路401内のすべてのトランジスタ107〜110,302,303,402,403のソースおよびドレイン間には10Vよりも大きい電圧は与えられない。
【0042】
以上のように、この実施の形態3によるレベル変換回路400は、NチャネルMOSトランジスタ402および403を含むので、NチャネルMOSトランジスタ107および108のソースおよびドレイン間の電圧が緩和される。
なお、PチャネルMOSトランジスタ302および303は省略されてもよい。
[実施の形態4]
図5は、この発明の実施の形態4によるレベル変換回路の構成を示す回路図である。図5を参照して、このレベル変換回路500は図1に示されたレベル変換回路100の極性が反転されたものである。したがって、図5中のCVSL回路501は図1中のCVSL回路103に対応し、図5中のCVSL回路502は図1中のCVSL回路104に対応する。CVSL回路501中のPチャネルMOSトランジスタ507はCVSL回路103中のNチャネルMOSトランジスタ107に対応し、PチャネルMOSトランジスタ508はNチャネルMOSトランジスタ108に対応し、NチャネルMOSトランジスタ509はPチャネルMOSトランジスタ109に対応し、NチャネルMOSトランジスタ510はPチャネルMOSトランジスタ110に対応する。また、CVSL回路502中のNチャネルMOSトランジスタ514はCVSL回路104中のPチャネルMOSトランジスタ110に対応し、NチャネルMOSトランジスタ515はPチャネルMOSトランジスタ115に対応し、PチャネルMOSトランジスタ516はNチャネルMOSトランジスタ116に対応し、NチャネルMOSトランジスタ517はNチャネルMOSトランジスタ117に対応する。
【0043】
したがって、CVSL回路501は電圧切換信号Vinに応答して入力電圧VPPおよび接地電圧GNDを選択的に出力する。CVSL回路502は、CVSL回路501から出力された電圧VPPまたはGNDに応答して入力電圧VPPおよびVNNを選択的に出力する。そのため、この実施の形態4によるレベル変換回路500は正のVPPレベルと負のVNNレベルとの間で振幅する出力電圧Voutを供給することができる。
[実施の形態5]
図6は、この発明の実施の形態5によるレベル変換回路の構成を示す回路図である。図6を参照して、このレベル変換回路600は図3に示されたレベル変換回路300の極性が反転されたものである。したがって、このレベル変化回路600中のCVSL回路601は、図5中のCVSL501の構成に加えて、NチャネルMOSトランジスタ602および603を含む。NチャネルMOSトランジスタ602および603のゲートにはともに電源電圧VCCが与えられる。
【0044】
したがって、このレベル変換回路600ではNチャネルMOSトランジスタ602および603がNチャネルMOSトランジスタ509および510のソースおよびドレイン間の電圧を緩和する。
[実施の形態6]
図7は、この発明の実施の形態6によるレベル変換回路の構成を示す回路図である。図7を参照して、このレベル変換回路700は図4に示されたレベル変換回路400の極性が反転されたものである。したがって、このレベル変化回路700中のCVSL回路701は、図6中のCVSL回路601の構成に加えて、PチャネルMOSトランジスタ702および703をさらに含む。PチャネルMOSトランジスタ702のゲートには入力電圧VNNが与えられ、PチャネルMOSトランジスタ702のバックゲートには入力電圧VPPが与えられる。PチャネルMOSトランジスタ703のゲートには入力電圧VNNが与えられ、PチャネルMOSトランジスタ703のバックゲートには入力電圧VPPが与えられる。
【0045】
したがって、このレベル変換回路700ではPチャネルMOSトランジスタ702および703がPチャネルMOSトランジスタ507および508のソースおよびドレイン間の電圧を緩和する。なお、NチャネルMOSトランジスタ602および603は省略されてもよい。
[実施の形態7]
図8は、この発明の実施の形態7によるレベル変換回路の構成を示す回路図である。図8を参照して、このレベル変換回路800では図4に示されたレベル変換回路400の構成に加えて、CVSL回路801がさらにPチャネルMOSトランジスタ802および803を含む。PチャネルMOSトランジスタ802はPチャネルMOSトランジスタ114とNチャネルMOSトランジスタ116との間に接続され、PチャネルMOSトランジスタ803はPチャネルMOSトランジスタ115とNチャネルMOSトランジスタ117との間に接続される。PチャネルMOSトランジスタ802および803のゲートにはともに入力電圧VNNが与えられる。
【0046】
したがって、このレベル変換回路800ではPチャネルMOSトランジスタ802および803がPチャネルMOSトランジスタ114および115のソースおよびドレイン間の電圧を緩和する。
[実施の形態8]
図9は、この発明の実施の形態8によるレベル変換回路の構成を示す回路図である。図9を参照して、このレベル変換回路900では、図8に示されたレベル変換回路800の構成に加えて、CVSL回路901がNチャネルMOSトランジスタ902および903をさらに含む。NチャネルMOSトランジスタ902はPチャネルMOSトランジスタ802とNチャネルMOSトランジスタ116との間に接続され、NチャネルMOSトランジスタ903はPチャネルMOSトランジスタ803とNチャネルMOSトランジスタ117との間に接続される。NチャネルMOSトランジスタ902および903のゲートにはともに入力電圧VPPが与えられる。
【0047】
したがって、このレベル変化回路900ではNチャネルMOSトランジスタ902および903がNチャネルMOSトランジスタ116および117のソースおよびドレイン間に電圧を緩和する。
なお、この実施の形態8ではPチャネルMOSトランジスタ802および803が省略されてもよい。また、NチャネルMOSトランジスタ402および405が省略されてもよい。さらに、PチャネルMOSトランジスタ302および303が省略されてもよい。
【0048】
[実施の形態9]
表2〜表4に示されるように、プログラム動作モードの場合だけ選択時の電圧切換信号VinがHレベル(3.3V)であり、非選択時の電圧切換信号VinがL(0V)である。すなわち、上述したレベル変換回路がプログラム動作モードでは正論理で動作している。他方、イレーズおよびリード動作モードの場合は、選択時の電圧切換信号VinがLレベル(0V)であり、非選択時の電圧切換信号VinがHレベル(3.3V)である。すなわち、上述したレベル変換回路はイレーズおよびリード動作モードにおいては負論理で動作している。しかしながら、動作モードによって正論理と負論理とが入れ替わるようなレベル変換回路を制御することは煩雑である。したがって、この実施の形態9の目的はレベル変換回路の制御を容易にすることである。
【0049】
図10は、この発明の実施の形態9によるレベル変換回路の構成を示す回路図である。図10を参照して、このレベル変換回路1000は、図1に示されたレベル変換回路100の構成に加えて、CVSL回路1001がさらに切換回路1002を含む。この切換回路1002は、PチャネルMOSトランジスタ109のドレインがノード105に接続されかつPチャネルMOSトランジスタ110のドレインがノード106に接続された第1の状態と、PチャネルMOSトランジスタのドレインがノード106に接続されかつPチャネルMOSトランジスタ110のドレインがノード105に接続された第2の状態とを論理切換信号XORに応答して切換える。
【0050】
この切換回路1002はより具体的には、PチャネルMOSトランジスタ1003および1004と、PチャネルMOSトランジスタ1005および1006と論理切換信号XORの論理を反転するインバータ1007とを含む。PチャネルMOSトランジスタ1003は、ノード105とPチャネルMOSトランジスタのドレインとの間に接続され、論理切換信号XORに応答してオン/オフになる。PチャネルMOSトランジスタ1004は、ノード106とPチャネルMOSトランジスタ110のドレインとの間に接続され、論理切換信号XORに応答してオン/オフになる。PチャネルMOSトランジスタ1005は、ノード106とPチャネルMOSトランジスタ109のドレインとの間に接続され、論理切換信号XORと相補的な信号に応答してオン/オフになる。PチャネルMOSトランジスタ1006は、ノード105とPチャネルMOSトランジスタ110のドレインとの間に接続され、論理切換信号XORと相補的な信号に応答してオン/オフになる。
【0051】
したがって、プログラム動作モードでは論理切換信号XORがHレベルになるので、PチャネルMOSトランジスタ1003および1004がオフになり、PチャネルMOSトランジスタ1005および1006がオンになる。これによりPチャネルMOSトランジスタ109のドレインはノード106に接続され、PチャネルMOSトランジスタ110のドレインはノード105に接続される。したがって、このような状態におけるレベル変換回路1000の論理は図1に示されたレベル変換回路100の論理と反対になる。
【0052】
他方、プログラム動作モード以外のイレーズおよびリード動作モードでは論理切換信号XORがLレベルになるので、PチャネルMOSトランジスタ1003および1004がオンになり、PチャネルMOSトランジスタ1005および1006がオフになる。これによりPチャネルMOSトランジスタ109のドレインはノード105に接続され、PチャネルMOSトランジスタ110のドレインはノード106に接続される。したがって、このような状態におけるレベル変換回路1000の論理は図1に示されたレベル変換回路100の論理と同じになる。
【0053】
また、プログラム動作モードではPチャネルMOSトランジスタ1005および1006は上記論理切換機能に加えて、PチャネルMOSトランジスタ109および110のソースおよびドレイン間に電圧を緩和する機能を有する。他方、プログラム動作モード以外のイレーズおよびリード動作モードではPチャネルMOSトランジスタ1003および1004が上記論理切換機能に加えて、PチャネルMOSトランジスタ109および110のソースおよびドレイン間の電圧を緩和する機能を有する。
【0054】
以上のように、この実施の形態9によるレベル変換回路1000は動作モードによって論理を切換える切換回路1002を含むので、このレベル変換回路1000を制御することは容易である。
[実施の形態10]
図11は、この発明の実施の形態10によるレベル変換回路の構成を示す回路図である。図11を参照して、このレベル変換回路1100では図10に示されたレベル変換回路1000の構成に加えて、CVSL回路1101がPチャネルMOSトランジスタ302および303を含む。換言すれば、このレベル変換回路1100は図3に示されたレベル変換回路300の構成に加えて、CVSL回路1100が切換回路1002を含む。
【0055】
したがって、この実施の形態10によるレベル変換回路1100はPチャネルMOSトランジスタ302および303を含むので、PチャネルMOSトランジスタ109および110のソースおよびドレイン間の電圧が緩和される。また、このレベル変換回路1100は切換回路1002を含むので、動作モードによって正論理と負論理とが切換えられる。
[実施の形態11]
図12は、この発明の実施の形態11によるレベル変換回路の構成を示す回路図である。図12を参照して、このレベル変換回路1200は、図11に示されたレベル変換回路1100の構成に加えてCVSL回路1201がNチャネルMOSトランジスタ402および403を含む。換言すれば、このレベル変換回路1200では図4に示されたレベル変換回路400の構成に加えて、CVSL回路1201が切換回路1002を含む。
【0056】
この実施の形態11によるレベル変換回路1200はNチャネルMOSトランジスタ402および403を含むので、NチャネルMOSトランジスタ107および108のソースおよびドレイン間の電圧が緩和される。また、このレベル変換回路1200は切換回路1002を含むので、動作モードによって正論理と負論理とが切換えられる。
なお、PチャネルMOSトランジスタ1003および1004あるいはPチャネルMOSトランジスタ1005および1006がPチャネルMOSトランジスタ109および110のソースおよびドレイン間の電圧を緩和するので、PチャネルMOSトランジスタ302および303は省略されてもよい。
【0057】
[実施の形態12]
図13は、この発明の実施の形態12によるレベル変換回路の構成を示す回路図である。図13を参照して、このレベル変換回路1300は、図12に示されたレベル変換回路1000の極性が反転されたものである。すなわち、レベル変換回路1300では図5に示されたレベル変換回路500の構成に加えて、CVSL回路1301が切換回路1302を含む。
この切換回路1302は、NチャネルMOSトランジスタ509のドレインがノード505に接続されかつNチャネルMOSトランジスタ510のドレインがノード506に接続された第1の状態と、NチャネルMOSトランジスタ509のドレインがノード506に接続されかつNチャネルMOSトランジスタ510のドレインがノード505に接続された第2の状態とを論理切換信号XORに応答して切換える。
【0058】
この切換回路1302はより具体的には、NチャネルMOSトランジスタ1303〜1306と、インバータ1307とを含む。NチャネルMOSトランジスタはノード505とNチャネルMOSトランジスタ509のドレインとの間に接続され、論理切換信号XORと相補的な信号に応答してオン/オフになる。NチャネルMOSトランジスタ1304はノード506とNチャネルMOSトランジスタ510のドレインとの間に接続され、論理切換信号XORと相補的な信号に応答してオン/オフになる。NチャネルMOSトランジスタ1305はノード506とNチャネルMOSトランジスタ509のドレインとの間に接続され、論理切換信号XORに応答してオン/オフになる。NチャネルMOSトランジスタ1306はノード505とNチャネルMOSトランジスタ510のドレインとの間に接続され、論理切換信号XORに応答してオン/オフになる。
【0059】
この実施の形態12によるレベル変換回路1300は切換回路1302を含むので、動作モードによって正論理と負論理とが切換えられる。
また、このレベル変換回路1300はNチャネルMOSトランジスタ1303〜1306を含むので、NチャネルMOSトランジスタ509および510のソースおよびドレイン間の電圧が緩和される。
[実施の形態13]
図14は、この発明の実施の形態13によるレベル変換回路の構成を示す回路図である。図14を参照して、このレベル変換回路1400は、図13に示されたレベル変換回路1300の構成に加えて、CVSL回路1401がNチャネルMOSトランジスタ602および603を含む。換言すると、このレベル変換回路1400は図6に示されたレベル変換回路600の構成に加えて、切換回路1302を含む。
【0060】
この実施の形態13によるレベル変換回路1400は切換回路1302を含むので、動作モードによって正論理と負論理とが切換えられる。
また、このレベル変換回路1400はNチャネルMOSトランジスタ602および603を含むので、NチャネルMOSトランジスタ509および510のソースおよびドレイン間の電圧がより緩和される。
[実施の形態14]
図15は、この発明の実施の形態14によるレベル変換回路の構成を示す回路図である。図15を参照して、このレベル変換回路1500では、図14に示されたレベル変換回路1400の構成に加えて、CVSL回路1501がPチャネルMOSトランジスタ702および703を含む。換言すると、このレベル変換回路1500は図7に示されたレベル変換回路700の構成に加えて、CVSL回路1501が切換回路1302を含む。
【0061】
この実施の形態14によるレベル変換回路1500は切換回路1302を含むので、動作モードによって正論理と負論理とが切換えられる。
また、このレベル変換回路1500はPチャネルMOSトランジスタ702および703を含むので、PチャネルMOSトランジスタ507および508のソースおよびドレイン間の電圧が緩和される。
なお、NチャネルMOSトランジスタ1303〜1306がNチャネルMOSトランジスタ509および510のソースおよびドレイン間の電圧を緩和するので、NチャネルMOSトランジスタ602および603は省略されてもよい。
【0062】
以上、この発明の実施の形態を詳述したが、この発明の範囲は上述した実施の形態によって限定されるものではなく、この発明はその趣旨を逸脱しない範囲内で当業者の知識に基づき種々の改良、修正、変形などを加えて形態で実施し得るものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1によるレベル変換回路の構成を示す回路図である。
【図2】 図1に示されたレベル変換回路を含むブロック図である。
【図3】 この発明の実施の形態2によるレベル変換回路の構成を示す回路図である。
【図4】 この発明の実施の形態3によるレベル変換回路の構成を示す回路図である。
【図5】 この発明の実施の形態4によるレベル変換回路の構成を示す回路図である。
【図6】 この発明の実施の形態5によるレベル変換回路の構成を示す回路図である。
【図7】 この発明の実施の形態6によるレベル変換回路の構成を示す回路図である。
【図8】 この発明の実施の形態7によるレベル変換回路の構成を示す回路図である。
【図9】 この発明の実施の形態8によるレベル変換回路の構成を示す回路図である。
【図10】 この発明の実施の形態9によるレベル変換回路の構成を示す回路図である。
【図11】 この発明の実施の形態10によるレベル変換回路の構成を示す回路図である。
【図12】 この発明の実施の形態11によるレベル変換回路の構成を示す回路図である。
【図13】 この発明の実施の形態12によるレベル変換回路の構成を示す回路図である。
【図14】 この発明の実施の形態13によるレベル変換回路の構成を示す回路図である。
【図15】 この発明の実施の形態14によるレベル変換回路の構成を示す回路図である。
【図16】 従来のレベル変換回路の構成の一例を示す回路図である。
【符号の説明】
100,300,400,500,600,700,800,900,1000,1100,1200,1300,1400,1500 レベル変換回路、103,104,301,401,501,502,601,701,801,901,1001,1101,1201,1301,1401,1501 CVSL回路、105,106,112,113,505,506,512,513ノード、1002,1302 切換回路。
Claims (7)
- 第1の電圧と前記第1の電圧と異なる第2の電圧とを受け、かつ電圧切換信号に応答して前記第1および第2の電圧を選択的に出力する第1のカスケード電圧切換論理回路、および
前記第1および第2の電圧と異なる第3の電圧と前記第1の電圧とを受け、かつ前記第1のカスケード電圧切換論理回路から出力された電圧に応答して前記第1および第3の電圧を選択的に出力する第2のカスケード電圧切換論理回路を備え、
前記第1のカスケード電圧切換論理回路は、
第1のノード、
第2のノード、
前記第1の電圧を受けるソースと、前記第1のノードに接続されたドレインと、前記第2のノードに接続されたゲートとを有する第1のMOSトランジスタ、
前記第1の電圧を受けるソースと、前記第2のノードに接続されたドレインと、前記第1のノードに接続されたゲートとを有する第2のMOSトランジスタ、
前記第2の電圧を受けるソースと、前記第1のノードに接続されたドレインとを有し、かつ前記電圧切換信号に応答してオン/オフになる第3のMOSトランジスタ、および
前記第2の電圧を受けるソースと、前記第2のノードに接続されたドレインとを有し、かつ前記第3のMOSトランジスタと相補的にオン/オフになる第4のMOSトランジスタを含み、
前記第2のカスケード電圧切換論理回路は、
第3のノード、
第4のノード、
前記第3の電圧を受けるソースと、前記第3のノードに接続されたドレインと、前記第4のノードに接続されたゲートとを有する第5のMOSトランジスタ、
前記第3の電圧を受けるソースと、前記第4のノードに接続されたドレインと、前記第3のノードに接続されたゲートとを有する第6のMOSトランジスタ、
前記第1の電圧を受けるソースと、前記第3のノードに接続されたドレインと 、前記第1のノードに接続されたゲートとを有する第7のMOSトランジスタ、および
前記第1の電圧を受けるソースと、前記第4のノードに接続されたドレインと、前記第2のノードに接続されたゲートとを有する第8のMOSトランジスタを含む、レベル変換回路。 - 前記第3および第4のMOSトランジスタのソースおよびドレイン間の電圧を緩和する第1の電圧緩和手段をさらに備える、請求項1に記載のレベル変換回路。
- 前記第1および第2のMOSトランジスタのソースおよびドレイン間の電圧を緩和する第2の電圧緩和手段をさらに備える、請求項1に記載のレベル変換回路。
- 前記第7および第8のMOSトランジスタのソースおよびドレイン間の電圧を緩和する第3の電圧緩和手段をさらに備える、請求項1に記載のレベル変換回路。
- 前記第5および第6のMOSトランジスタのソースおよびドレイン間の電圧を緩和する第4の電圧緩和手段をさらに備える、請求項1に記載のレベル変換回路。
- 第1のノード、
第2のノード、
第1の電圧を受けるソースと、前記第1のノードに接続されたドレインと、前記第2のノードに接続されたゲートとを有する第1のMOSトランジスタ、
前記第1の電圧を受けるソースと、前記第2のノードに接続されたドレインと、前記第1のノードに接続されたゲートとを有する第2のMOSトランジスタ、
第2の電圧を受けるソースを有し、かつ電圧切換信号に応答してオン/オフになる第3のMOSトランジスタ、
前記第2の電圧を受けるソースを有し、かつ前記第3のMOSトランジスタと相補的にオン/オフになる第4のMOSトランジスタ、
前記第3のMOSトランジスタのドレインが前記第1のノードに接続されかつ前記第4のMOSトランジスタのドレインが前記第2のノードに接続された第1の状態と前記第3のMOSトランジスタのドレインが前記第2のノードに接続されかつ前記第4のMOSトランジスタのドレインが前記第1のノードに接続された第2の状態とを論理切換信号に応答して切換える切換手段、
第3のノード、
第4のノード、
第3の電圧を受けるソースと、前記第3のノードに接続されたドレインと、前記第4のノードに接続されたゲートとを有する第5のMOSトランジスタ、
前記第3の電圧を受けるソースと、前記第4のノードに接続されたドレインと、前記第3のノードに接続されたゲートとを有する第6のMOSトランジスタ、
前記第1の電圧を受けるソースと、前記第3のノードに接続されたドレインと、前記第1のノードに接続されたゲートとを有する第7のMOSトランジスタ、および
前記第1の電圧を受けるソースと、前記第4のノードに接続されたドレインと、前記第2のノードに接続されたゲートとを有する第8のMOSトランジスタを備える、レベル変換回路。 - 前記切換手段は、
前記第1のノードと前記第3のMOSトランジスタのドレインとの間に接続され、前記論理切換信号に応答してオン/オフになる第9のMOSトランジスタ、
前記第2のノードと、前記第4のMOSトランジスタのドレインとの間に接続され、前記第9のMOSトランジスタがオンになるときオンになり、前記第9のMOSトランジスタがオフになるときオフになる第10のMOSトランジスタ、
前記第2のノードと、前記第3のMOSトランジスタのドレインとの間に接続され、前記第9のMOSトランジスタがオンになるときオフになり、前記第9のMOSトランジスタがオフになるときオンになる第11のMOSトランジスタ、および
前記第1のノードと、前記第4のMOSトランジスタのドレインとの間に接続され、前記第11のMOSトランジスタがオンになるときオンになり、前記第11のMOSトランジスタがオフになるときオフになる第12のMOSトランジスタを含む、請求項6に記載のレベル変換回路。
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