JP3649231B2

JP3649231B2 - 反射型液晶表示装置

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Publication number: JP3649231B2
Application number: JP2003345634A
Authority: JP
Inventors: 雄三大土井
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2003-10-03
Filing date: 2003-10-03
Publication date: 2005-05-18
Anticipated expiration: 2016-02-05
Also published as: JP2004013176A

Description

本発明は直視型液晶ディスプレイまたは投写型液晶プロジェクタ等に用いられる反射型液晶表示装置に関するものである。

直視型液晶ディスプレイまたは投写型液晶プロジェクタ等において、高画質を得るために、アクティブマトリックス方式の液晶表示装置が、近年多く使用されるようになった。このアクティブマトリックス方式とは、画素毎にアモルファスＳｉ（以下ａ−Ｓｉ）または多結晶Ｓｉ（以下Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）からなる薄膜トランジスタ（以後ＴＦＴ）を設け、このスイッチング動作により画素電極に電圧を印加し、液晶を駆動するものである。

アクティブマトリックス方式の液晶表示装置は、一般にはバックライトを必要とする透過型とバックライトの不要な反射型とに大別される。この中で、バックライトの不要な反射型液晶表示装置は、近年情報携帯端末用途等の分野で省電力化の要求に伴って、開発が試みられている。また、高精細化の進む投写型液晶プロジェクタでは、小型の画面サイズに多数の画素を形成する必要があり、トランジスタ上にも画素電極が形成でき、画素数によらず高開口率が実現可能な装置として、反射型液晶表示装置が期待されている。

図１９は、例えば特開６３−３１３１３２号公報、特開平２ー２３０１２６号公報に示されている従来の反射型液晶表示装置の一部平面図で、１画素分を示している。また、図２０は、従来の反射型液晶表示装置の一部断面図で、図１９中Ａ−Ａ’の断面を示したものである。

図において、１０１はガラス、石英等からなる絶縁性の基板、１０２はゲート配線、１０３はゲート絶縁膜、１０４はａ−Si、Ｐｏｌｙ−Si等からなる半導体層、１０５はソ−
ス配線、１０６はドレイン電極、１０７は絶縁膜、１０８はAl、Ag等の反射率の高い膜か
らなる画素電極、１０９はＴＮ、ＳＴＮ、高分子分散、ゲストホスト、強誘電体、反強誘電体等からなる液晶、１１０はＩＴＯ等の透明導体からなる対向電極、１１１はガラス、石英等の透明基板からなる対向基板である。ここで、ゲート配線１０２、ソース配線１０５及びドレイン電極１０６はAl、Cr、Ta、Mo、Ti、Ｗ等の低抵抗の金属および合金からな
る。また、ゲート絶縁膜１０３及び絶縁膜１０７はSi₃Ｎ₃、SiＯ₂等から構成される。上
記のように、１つの画素１００に画素電極を駆動するＴＦＴが構成される。また、本従来例では、ゲート配線、ソース配線は隣合う画素電極間に配置されて、画素電極との寄生容量を低減している。

次に、動作について説明する。対向基板１１１側から入射された光は、ＴＦＴが駆動していれば、液晶１０９を通過し、画素電極１０８の表面で反射し、再び液晶１０９を通過した反射光が画像となる。即ち、ＴＦＴの駆動により入射光の画素電極１０８表面での反射を液晶１０９で制御し、画像を表示している。

従来の反射型液晶表示装置においては、上記のような構造であったので、次のような問題が生じていた。例えば、図２１には、反射型液晶表示装置と高分子分散液晶を組み合わせた投写型液晶プロジェクタのスクリーン表示において、背景が黒表示で中心に白窓表示をする場合の画像を示している。図中(a)は複数の画素がマトリックス状に配置した全体
表示装置の平面図、(b)は背景が黒色表示で中心に白窓表示の入力画像、(c)は実際に得ら
れたスクリーン画像を示している。図において、画素１００はマトリックス状に配置され、１２１は表示領域内の背景の黒色部、１２２は表示である白窓部、１２３はソース配線が表示装置周辺部１２５の駆動回路に接続される部分の像、１２４は表示領域内の背景の黒色部１２１のうち白の混入した部分である。

図に示すように、中心に白窓表示をした場合、白窓部１２２の上下の部分の表示が完全な黒にならず白が混入する１２４部が表れる現象が観察された。ここで白とは明るいことを意味する。結果として、この部分での白黒コントラストが低下した。また、画素電極のない画面外の周辺部１２５で、画面の外のソース配線の形状が白く見える１２３部が表れる現象が観察された。なお、この現象はパターンによらず、白表示を含むスクリーン表示において表れた。

この原因の一つとして、次のことが考えれる。従来、反射電極は高反射率、プロセス加工性の点からＡｌを、ソース配線は低抵抗、プロセス加工性の点から同じＡｌを使用していた。画面の上下を走るソース配線には、常時どこか選択されたゲート配線のＴＦＴがＯＮしており、選択された画素電極に対応した信号電圧がソース配線に印加されている。例えば、前記の場合、白窓表示のゲート配線数が全ライン数の約１／３とすると、１画面書き換え周期の約１／３は白窓表示の信号電圧がソース配線に印加されている。このソース配線に流れる白表示の電圧信号の印加時間の間は、ソース配線から絶縁膜を介して液晶への漏れ電界としてソース配線上に位置する液晶を駆動させてしまう。このようすを図２２に示す。図２２は図２０と同一の従来の反射型液晶表示装置の一部断面図で、図１９中Ａ−Ａ’の断面を示したものである。図２２のＢ部において、絶縁膜１０７を介してソース配線１０５からの漏れ電界が液晶１０９を駆動させてしまうのである。そして、ソース配線１０５は画素電極１０８と同じＡｌからなるため、液晶１０９が駆動すれば、入射光の一部がソース配線１０５で反射される。これにより、図２１のように、不要な反射光としてスクリーンに表示されてしまう。このように、ソース配線が反射電極としても作用するため、前記のような白の混入として観察されたものと考えられる。

本発明は、上記問題点に鑑み、ソース配線から液晶への電界漏れにより、液晶が駆動してソース配線が反射電極と作用し、白黒コントラストを低下させることを抑制できる反射型液晶表示装置を提供することを目的とする。

本発明に係わる反射型液晶表示装置では、漏れ電界で液晶が駆動しても、ソース配線が反射電極として作用しないように、ソース配線での反射率を低下、ないし画面表示方向へは反射が起こらないようにするものである。さらに、ソース配線からの液晶への電界漏れ自体を低減するものである。

本発明の請求項１に係る反射型液晶表示装置は、絶縁層を介して基板上に薄膜を積層して薄膜トランジスタと該薄膜トランジスタにより駆動される画素電極とを形成し、前記画素電極と対応電極との間に液晶を備えた画素が複数個配置された液晶表示装置であって、入射した光を前記液晶を介して前記画素電極で反射させ、該反射光を用いて画像を表示する反射型液晶表示装置において、少なくとも隣合う画素電極間に配設ソース配線と液晶との間に配設された絶縁膜の厚さを、前記画素電極下層の絶縁膜の厚さより大きくして、ソース配線から液晶方向への漏れ電界を抑制したことを規定するものである。

実施の形態１．
以下、本発明の一実施の形態を図について説明する。図１は本発明に係わる反射型液晶表示装置の一部平面図で、１画素分を示している。また、図２は、従来の反射型液晶表示装置の一部断面図で、図１中Ｘ−Ｘ’の断面を示したものである。図において、１はガラス、石英等からなる絶縁性の基板、２はゲート配線、３はゲート絶縁膜、４はａ−Si、Ｐ
ｏｌｙ−Si等からなる半導体層、５はソ−ス配線、６はドレイン電極、７は絶縁膜、８は
Al、Ag等の反射率の高い膜からなる画素電極、９はＴＮ、ＳＴＮ、高分子分散、ゲストホ
スト、強誘電体、反強誘電体等からなる液晶、１０はＩＴＯ等の透明導体からなる対向電極、１１はガラス、石英等の透明基板からなる対向基板である。ここで、ゲート配線２、ソース配線５及びドレイン電極６はAl、Cr、Ta、Mo、Ti、Ｗ等の低抵抗の金属および合金
からなる。また、ゲート絶縁膜３及び絶縁膜７はSi₃Ｎ₄、SiＯ₂等から構成される。なお
、ソース配線５及びドレイン電極６上にはそれぞれ画素電極９より反射率が小さな膜５１、６１が形成されている。これら、ソース配線５及びドレイン電極６とその上に形成される反射率の小さな膜は、工程を簡略化するため、通常同一の膜で構成される。このようにして、１つの画素９９に画素電極を駆動するＴＦＴが構成される。

上記のように、ソース配線５上方、すなわち光が液晶９を介して入射する側に反射率の小さな膜を形成しておくと、ソース配線５からの電界漏れにより液晶が駆動されて、入射光がソース配線５の表面に到達しても、十分反射することなく誤画像を表示することがなくなる。従って、白色表示の必要のない場所に、従来鮮明に表示されていた白色の画像が表示されなくなる。なお、この反射率の小さな膜の厚さは数１０ｎｍ程度で十分に作用する。

ソース配線からの反射は、黒表示へ白の混入として、白黒コントラストに影響を与える。従来例で示した誤画像としての白の混入具合は、ソース配線からの電界漏れ強度とその時間、電界漏れの結果としての液晶の駆動具合、（反射電極として作用する画素電極の隙間に位置し電界漏れにより駆動する液晶の作用で反射を促す）ソース配線の画素に占める割合及びソース配線の反射率等によって決まる。一方、白黒コントラストは最低１０以上は必要である。そのため、ソース配線上からの反射による影響が見えなくなるには、例えばソース配線上の液晶が漏れ電界により画素電極上のものと同程度に駆動してしまうと仮定すると、１画素に占めるソース配線の割合を１／５程度とすれば、ソース配線上の反射率は画素電極の反射率の１／２以下にする必要があることになる。図１において、ソース配線５の占める割合が１／５程度の場合、ソース配線５上の膜５１の反射率は画素電極の反射率の１／２以下にする必要がある。

上記の条件において、Al、Ag等からなる画素電極の場合、これらの材料の反射率の１／
２以下の材料としては、例えば、CrＯ、TiＮ、TiＷ、ＷSi、Ｃ、Si、Cu、Mo、MoSi等があ
る。

また、画素電極としては、Al、Ag以外の材料として他の反射率の高い材料、例えばAu、
Pt等を選択してもよく、その場合も選択した材料の反射率の１／２以下の材料をソース配
線上の膜として選択すればよい。

さらに、上記実施の形態においてはソース配線及びドレイン電極の両者の上に反射率の小さな膜を形成したが、少なくともソース配線上に形成されればよいことはいうまでもない。また、上記実施の形態においてはソース配線の上に反射率の小さな膜を形成したが、ソース配線の膜全部に反射率が低い材料を使用することも可能であり、その場合、信号遅延を起こさない程度に抵抗が十分低い材料であることが必要である。

上記のように、本実施の形態において、少なくともソース配線上に反射率の小さな膜を形成したので、画像表示中、すなわちいくつかのソース配線に電圧が印加される場合の漏れ電界によりソース配線上の液晶を誤駆動させても、光の反射は十分小さく画像として、誤表示として認識されることが少なくなった。これにより、コントラストが改善され、画面表示品質が向上し、精細な画像表示が可能となった。

実施の形態２．
以下、本発明の他の実施の形態を図について説明する。図３は本発明による他の反射型液晶表示装置を示す断面図である。図において、５２、６２はそれぞれソース配線５及びドレイン電極６の上に形成される多層干渉膜からなる反射防止層で、ＩＴＯ、Si₃Ｎ₄、Ta
₂Ｏ₅、TiＯ₂等の高屈折率膜とSiＯ、SiＯ₂、Al₂Ｏ₃、MgＦ₂等の低屈折率膜の多層干渉膜
からなる反射防止層である。この反射防止層５２によりソース配線５からの反射が低減される。これら、ソース配線５及びドレイン電極６とその上に形成される反射率の小さな膜は、工程を簡略化するため、通常同一の膜で構成される。このようにして、１つの画素に画素電極を駆動するＴＦＴが構成される。

上記のように、ソース配線５上方、すなわち光が液晶９を介して入射する側に反射防止層を形成しておくと、ソース配線５からの電界漏れにより液晶が駆動されて、入射光がソース配線５の表面に到達しても、十分反射することなく誤画像を表示することがなくなる。従って、白色表示の必要のない場所に、従来鮮明に表示されていた白色の画像が表示されなくなる。

なお、上記実施の形態においてはソース配線及びドレイン電極の両者の上に反射防止層を形成したが、少なくともソース配線上に形成されればよいことはいうまでもない。

上記のように、本実施の形態において、少なくともソース配線上に反射防止層を形成したので、画像表示中、すなわちいくつかのソース配線に電圧が印加される場合の漏れ電界によりソース配線上の液晶を誤駆動させても、光の反射は十分小さく画像として、誤表示として認識されることが少なくなった。これにより精細な画像表示が可能となった。

実施の形態３．
以下、本発明の他の実施の形態を図について説明する。図４は本発明による他の反射型液晶表示装置を示す断面図である。図において、５３、６３はＩＴＯ等からなる導電性透明膜である。本発明の実施の形態においては、ソース配線を導電性透明膜で構成した。そのため、ソース配線での反射は非常に少ない。ただし、ソース配線を透過した入射光が、他の部材で反射してこないように、例えば、空気−基板界面で反射してこないように基板裏面に反射防止または光吸収層１２を設けるとさらに反射が抑制される。

なお、上記実施の形態においてはソース配線及びドレイン電極の両者を導電性透明膜で形成したが、少なくともソース配線が導電性透明膜で形成されればよいことはいうまでもない。

上記のように、本実施の形態において、少なくともソース配線を導電性透明膜で形成したので、画像表示中、すなわちいくつかのソース配線に電圧が印加される場合の漏れ電界によりソース配線上の液晶を誤駆動させても、光の反射は十分小さく画像として、誤表示として認識されることが少なくなった。これにより精細な画像表示が可能となった。また、基板裏面に反射防止または光吸収層１２を設けるとさらに反射が抑制されより精細な画像表示が可能となる。

実施の形態４．
以下、本発明の他の実施の形態を図について説明する。図５は本発明による他の反射型液晶表示装置を示す断面図である。図において、５４はソース配線で、その表面を粗化して光を散乱させるように作用させる。例えば高分子液晶の場合、電界漏れが生じて入射光が液晶を透過しても、ソース配線上で入射光は散乱されるので、反射光が画素表示方向に特定されず白表示が低減される。

表面形状を粗化して、光散乱性に形成する方法の一例として、次のような方法がある。ソース配線にAlを使用した場合、Alスパッタ成膜時にＯ₂、Ｈ₂Ｏ等の不純物ガスをスパッ
タ用のArガスに添加する。これにより、Al表面を粗化させることができる。また、成膜後
に２００℃以上の加熱処理によってヒロックを発生させてAl表面を粗化させることができ
る。

また、例えば、ソース配線のAlにSi、Cu、Ｗ、Mo等のエッチング速度が異なるものを添
加した合金を使用してAl合金として成膜する。その後、ソース配線の表面をライトエッチ
ングすれば、エッチング速度の差で粒界の凹凸が発生し、ソース配線の表面を粗化させることができる。

さらに、精密に制御できれば機械的に粗化させる等他の方法を用いてもよい。

上記のように、本実施の形態において、少なくともソース配線の表面を粗化させたので、画像表示中、すなわちいくつかのソース配線に電圧が印加される場合の漏れ電界によりソース配線上の液晶を誤駆動させても、光はソース配線の表面で散乱され特定方向の反射が小さくなり、画像として、誤表示として認識されることが少なくなった。これにより精細な画像表示が可能となった。

実施の形態５．
以下、本発明の他の実施の形態を図について説明する。図６、７は本発明による他の反射型液晶表示装置を示す断面図である。図において、５５はソース配線で、その表面は特定の方向に光が反射しないように、凹形状をしている。また、表面形状は図７で示すように凸形状でも良い。さらに、Ｕ型のような形状でもよい。高分子分散液晶の場合、電界漏れで液晶が駆動しても、ソース配線上の反射光の方向は、画素電極上での反射光の方向に特定されず、画像として、誤表示として認識されることが少なくなった。これにより精細な画像表示が可能となった。

また、これらの光は例えば、投写型液晶プロジェクタであればこれに使用されるシュリーレン光学系の絞り（アパーチャ）によって除去されるので白の混入が低減される。

実施の形態６．
以下、本発明の他の実施の形態を図について説明する。図８は本発明による他の反射型液晶表示装置を示す断面図である。図において、７１は絶縁膜で、Si₃Ｎ₄、Ta₂Ｏ₅、TiＯ
₂等の高屈折率膜とSiＯ、SiＯ₂、Al₂Ｏ₃、MgＦ₂等の低屈折率膜との多層干渉膜からなる
反射防止層を構成する。入射した光は液晶を通過した後、絶縁膜で反射が抑制され、高分子分散液晶の場合、電界漏れで液晶が駆動しても、画像として、誤表示として認識されることが少なくなった。これにより精細な画像表示が可能となった。

図９は反射型液晶表示素子を示す断面図で絶縁膜７の少なくとも一部が絶縁性のSi₃Ｎ₄
、Ta₂Ｏ₅、TiＯ₂等の高屈折率膜とSiＯ、SiＯ₂、Al₂Ｏ₃、MgＦ₂等の低屈折率膜との多層
干渉膜からなる反射防止層を構成した例である。このように、少なくとソース配線の上方の絶縁膜の一部が反射防止層であればよい。上述と同様の効果を奏することは言うまでもない。

実施の形態７．
以下、本発明の他の実施の形態を図について説明する。図１０は本発明による他の反射型液晶表示装置を示す断面図である。図において、７２はソース配線上の絶縁膜で、その表面を粗化して光を散乱させるように作用させる。例えば高分子液晶の場合、電界漏れが生じて入射光が液晶を透過しても、ソース配線上の絶縁膜と液晶界面で入射光は散乱されるので白の混入が低減される。なお、本実施例では、絶縁膜と液晶界面で反射が大きいほうがよく、絶縁膜は液晶と屈折率の差が大きいSi₃Ｎ₄、Al₂Ｏ₃等が望ましい。

なお、表面粗化の方法としては、例えば写真製版、エッチングを組み合わせて凹凸形成のためのランダムなパターンを所定部分にのみ形成する方法がある。それ以外の方法として、実施の形態４で述べたような方法、スパッタガスに不純物を添加する、絶縁性を低下させない程度に膜材料に不純物を添加して成膜後、エッチング速度の差を利用する、熱処理、機械的処理等を用いても良い。

上記のように、本実施の実施の形態において、少なくともソース配線上の絶縁膜の表面を粗化させたので、画像表示中、すなわちいくつかのソース配線に電圧が印加される場合の漏れ電界によりソース配線上の液晶を誤駆動させても、光はソース配線上の絶縁膜の表面で散乱され特定方向の反射が小さくなり、画像として、誤表示として認識されることが少なくなった。これにより精細な画像表示が可能となった。

実施の形態８．
以下、本発明の他の実施の形態を図について説明する。図１１、１２は本発明による他の反射型液晶表示装置を示す断面図である。図において、７３はソース配線上の絶縁膜で、その表面は特定の方向に光が反射しないように、Ｖ型の凹形状をしている。また、表面形状は図１２に示されるように凸形状でも良い。さらに、Ｕ型のような形状でもよい。高分子分散液晶の場合、電界漏れで液晶が駆動しても、ソース配線上の絶縁膜と液晶界面で反射光は回折して画素電極上での反射光の方向と異なり、画像として、誤表示として認識されることが少なくなった。これにより精細な画像表示が可能となった。

実施の形態９．
以下、本発明の他の実施の形態を図について説明する。図１３、１４は本発明による他の反射型液晶表示装置を示す断面図である。図１３において、７４はソース配線上の絶縁膜で、膜厚が画素電極部のそれよりも厚く構成したものである。本実施の形態では、絶縁膜を画素電極形成部を部分的にエッチングして、ソース配線上の絶縁膜の膜厚が相対的に厚くなっている。ソース配線上の絶縁膜が厚いのでソース配線からの電界漏れが画素電極からの電界に比較して十分小さくできる。よって、ソース配線からの電界漏れ自身を抑制するので、ソース配線上の液晶は駆動せず、ソース配線上の反射率に依らず、誤画像の表示がなくなる。

また、上記実施の形態では厚く形成した絶縁膜のうち画素電極形成部を部分的にエッチングして画素電極を形成した場合を示したが、図１４に示すように通常の絶縁膜、画素電極形成後に、別途ソース配線上に絶縁膜７５を形成しても良い。

実施の形態１０．
以下、本発明の他の実施の形態を図について説明する。図１５は本発明による他の反射型液晶表示装置を示す断面図である。図において、１３はソース配線上に形成された光吸収性の黒色絶縁体である。光吸収体が形成されているので、ソース配線上からの反射が大幅に低減できる。また、絶縁性を有するのでソース配線からの漏れ電界自身も抑制する。黒色絶縁体としては、ＴＦＴ遮光膜として開発された樹脂ＢＭ（ブラック・マトリクス）材である黒色顔料等があげられる。この場合、膜厚は約１μｍであればよい。

図１６は本発明によるその他の反射型液晶表示素子を示す断面図で、図１５とは黒色絶縁体の形成される位置が異なる。図１６のようにソース配線上あるいは絶縁膜中のいずれかに形成されれば、同様の効果を奏する。

上記のように、本実施の形態において、ソース配線上に光吸収性の黒色絶縁体を形成したたので、画像表示中、すなわちいくつかのソース配線に電圧が印加される場合の漏れ電界自身を抑制し、また漏れ電界によりソース配線上の液晶を誤駆動させても、光はこの黒色絶縁体で吸収され画像として、誤表示として認識されることが少なくなった。これにより精細な画像表示が可能となった。

実施の形態１１．
以下、本発明の他の実施の形態を図について説明する。図１７は本発明による他の反射型液晶表示装置を示す断面図である。図において、８１はソース配線５の上部に絶縁層を介して、ソース配線５とは独立した電位にある導体パターンである。この場合、不要な反射はソース配線５ではなく、主にこの導体パターン８１からの反射で起こることになる。ソース配線５から液晶９への漏れ電界は、この独立した導体パターンがシールドとして働き、導体パターンの電位が支配的になる。よって、導体パターンの電位（Ｖ１）を一定にすれば、画素電極間の隙間に位置する液晶の駆動具合は、ソース配線で信号電圧によらず一定にできる。この導体パターンの電位として、対向電極の電位（Ｖ２）と同一にすれば（Ｖ１＝Ｖ２）、導体パターン上の液晶には電圧が印加されないことになり、液晶９は駆動しない。例えば、無電圧の時に黒表示の液晶モードを使用すれば、白の混入は起こらないことになる。従って、導体パターンの反射率には依存せず、反射率の大きな画素電極と同一部材でもよく、同時形成すれば工程の増加をなくすことができる。

上記のように、本実施の形態において、ソース配線上に電圧を制御できる導体パターンを形成したので、ソース配線から液晶への漏れ電界のシールドとして作用し、画像表示中、すなわちいくつかのソース配線に電圧が印加される場合の漏れ電界自身を抑制し、これにより精細な画像表示が可能となった。

実施の形態１２．
以下、本発明の他の実施の形態を図について説明する。図１８は本発明による画素が複数個２次元状に配列した反射型液晶表示装置を示す平面図である。図において、８２は画素９９の周辺部にあるソース配線の上部に絶縁膜を介してソース配線とは独立した電位にある導体パターンである。例えば、前記実施の形態１１で示したの導体パターン８１と同時に（同工程で）形成し、対向電極と電気的接続をして同一電位とすれば、画素部の外にあるソース配線からの漏れ電界が防止できる。

なお、上記実施の形態１〜１１ではソース配線全体に本発明が施された場合を説明したが、ソース配線が画素電極の隙間から見える部分（隣合う画素電極間に配設されたソース配線上）だけの実施でよい。

また、上記実施の形態１〜１２ではスイッチング素子としてＴＦＴを用いた場合を説明したが、Ｓｉ基板を用いて単結晶ＳｉからなるＭＯＳトランジスタや、２端子ダイオード素子のＭＩＭ等の場合に本発明が適用でき、同様の効果を奏することができることは言うまでもない。

本発明の実施の形態１による反射型液晶表示装置を示す一部平面図である。本発明の実施の形態１による反射型液晶表示装置を示す一部断面図で、図１中Ｘ−Ｘ’の断面を示したものである。本発明の実施の形態２による反射型液晶表示装置を示す一部断面図である。本発明の実施の形態３による反射型液晶表示装置を示す一部断面図である。本発明の実施の形態４による反射型液晶表示装置を示す一部断面図である。本発明の実施の形態５による反射型液晶表示装置を示す一部断面図である。本発明の実施の形態５による別の反射型液晶表示装置を示す一部断面図である。本発明の実施の形態６による反射型液晶表示装置を示す一部断面図である。本発明の実施の形態６による別の反射型液晶表示装置を示す一部断面図である。本発明の実施の形態７による反射型液晶表示装置を示す一部断面図である。本発明の実施の形態８による反射型液晶表示装置を示す一部断面図である。本発明の実施の形態８による別の反射型液晶表示装置を示す一部断面図である。本発明の実施の形態９による反射型液晶表示装置を示す一部断面図である。本発明の実施の形態９による別の反射型液晶表示装置を示す一部断面図である。本発明の実施の形態１０による反射型液晶表示装置を示す一部断面図である。本発明の実施の形態１０による別の反射型液晶表示装置を示す一部断面図である。本発明の実施の形態１１による反射型液晶表示装置を示す一部断面図である。本発明の実施の形態１２による反射型液晶表示装置を示す平面図で、画素が２次元状に複数配列した状態を示す図である。従来の反射型液晶表示装置を示す一部平面図である。従来の反射型液晶表示装置を示す一部断面図で、図１９中Ａ−Ａ’の断面を示したものである。従来の反射型液晶表示装置の画面表示の問題点を説明する図で、図中（ａ）は複数の画素がマトリックス状に配置した装置全体の平面図、（ｂ）背景が黒色表示で中心に白窓表示の入力画像、（ｃ）は実際に得られた画像である。従来の反射型液晶表示装置を示す一部断面図で、図１９中Ａ−Ａ’の断面を示したものである。

符号の説明

１絶縁性の基板、２ゲート配線、３ゲート絶縁膜、
４半導体層、５ソース配線、６ドレイン電極、７絶縁膜、
８画素電極、９液晶、１０対向電極、１１対向基板、
１２反射防止層または光吸収層、１３黒色絶縁体、
５１、６１反射率の小さな膜、５２、６２反射防止層、
５３、６３導電性透明膜、５４、５５ソース配線、
７１、７２、７３、７４、７５絶縁膜、８１、８２導体パターン、
９９画素

Claims

絶縁層を介して基板上に薄膜を積層して薄膜トランジスタと該薄膜トランジスタにより駆動される画素電極とを形成し、前記画素電極と対応電極との間に液晶を備えた画素が複数個配置された液晶表示装置であって、入射した光を前記液晶を介して前記画素電極で反射させ、該反射光を用いて画像を表示する反射型液晶表示装置において、少なくとも隣合う画素電極間に配設されたソース配線と液晶との間に配設された絶縁膜の厚さを、前記画素電極下層の絶縁膜の厚さより大きくして、ソース配線から液晶方向への漏れ電界を抑制したことを特徴とする反射型液晶表示装置。