JP3641226B2 - 移相器 - Google Patents
移相器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3641226B2 JP3641226B2 JP2001271085A JP2001271085A JP3641226B2 JP 3641226 B2 JP3641226 B2 JP 3641226B2 JP 2001271085 A JP2001271085 A JP 2001271085A JP 2001271085 A JP2001271085 A JP 2001271085A JP 3641226 B2 JP3641226 B2 JP 3641226B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- parasitic element
- phase shifter
- conductor
- patch
- lines
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ波やミリ波帯の回路における移相器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
マイクロ波/ミリ波を用いた装置では、通常、マイクロストリップラインを用いて回路を構成されることが多い。良く知られているように、マイクロストリップラインは、波長との関係でその寸法形状を適宜に設定することにより、各種の回路素子を構成することができる。ところで、このマイクロストリップライン上で意図的に移相をコントロールする場合、線路長を長く構成するためにメアンダラインを用いる必要が出てくる。
【0003】
ここで言う線路長は、物理的な長さと同時に電気長も意味し、線路長を長くする手段には、図1に示すように基板1の上に形成する線路を蛇行させて、メアンダライン2を構成し長さをかせぐ方法がある。さらには、このメアンダライン2の上に高誘電率の基板を設け、物理的な長さをさらに短縮する方法もある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来の移相器では、以下に示す問題を有している。すなわち、メアンダライン2は、図示するように直線パータン要素2aと曲線パータン要素2bが交互に連続した構成となり、直線パータン要素2aは、複数本が平行に配置される。そして、係るパータン要素は、フォトリソグラフィ技術により形成される。従って、曲線パータン要素2bの部分での曲率や幅などが設計通りに形成できなかったりすると、伝播特性が劣化する。
【0005】
また、メアンダライン2は、蛇行しているため、隣接する直線パータン要素2aを流れる信号の方向は逆向きとなる。その結果、隣接する直線パータン要素2aの長さや間隔によって信号が相殺されてしまうことがあり、その点でも伝播特性が悪化してしまう。
【0006】
また、係る構成からなる移相器を、アレーアンテナの後段に設けたとすると、移相器とアレーアンテナはDC的に接続されているので、サージ等の異常電流がかかった場合に、その異常電流が回路内に流れ込み、回路を破損させてしまうおそれもある。
【0007】
更に、移相器における移相量は、パータンの寸法形状により一義的に決まってしまい、容易に変更することはできない。また、移相量を変えるためには、メアンダライン2、つまり移相器全体の寸法形状も変わってしまい、ひいては、その移相器を組み込む回路全体の大きさも変動を余儀なくされる。
【0008】
本発明は、上記した背景に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、上記した問題を解決し、マイクロ波/ミリ波等の高周波用の回路において、移相量が変わっても全体の寸法形状に影響を与えることがなく、DC成分をカットすることができ、製造も容易に行うことのできる移相器を提供することにある。さにらは、移相量を変更させることが可能な移相器を提供することを他の目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記した目的を達成するため、本発明に係る移相器は、マイクロ波或いはミリ波帯の回路に用いられる移相器である。そして、回路基板上に所定のギャップをおいて形成された一対の主線路(実施の形態では、「ストリップライン11a,11b」に対応)の先端部の上方に、誘電体基板からなる寄生素子を配置して構成され、前記寄生素子の上面の一部に導体部(実施の形態では、「導体膜16」に対応)を設け、前記導体部の両端は、それぞれ前記一対の主線路の先端部と重なるとともに、その導体部の幅は、前記主線路の先端部の幅よりも狭くするようにし、前記寄生素子には、前記導体部は、長さの異なる複数の線路を備え、前記各線路の両端が、それぞれ前記一対の主線路の先端部と重なるようにした。
【0010】
主線路と寄生素子(導体部)が電磁的に結合することにより、高周波信号が伝播される。本発明では、寄生素子を用いることにより、通過帯域も広帯域になるので、多少の隙間間隔の変動があっても安定した伝送状態を確保できる。そして、長さの異なる複数の線路を備え、前記各線路の両端が、それぞれ前記一対の主線路の先端部と重なるようにしたため、主線路に重なる線路の本数に応じて移相量が変わる。
【0012】
また、導体部の形状は任意であるが、実施の形態でも示すように帯状の線路としてもよいので、曲線部を設ける必要がない(設けるのは妨げないが)ので、製造が容易となる。
【0015】
好ましくは、前記寄生素子は、スライド可能にし、前記一対の主線路に重なる前記導体部の数を変更可能とすることである。係る構成にすると、スライドさせることにより、主線路の上に位置する線路の本数が変わるので、移相量を調整することができる。
【0016】
また、前記寄生素子は、前記回路基板上に支持部材を介して支持され、前記支持部材は、低誘電率材料で構成されるとよい。
【0017】
特に、支持部材を設けることにより、寄生素子と主線路との間に所望の間隔が形成され、両者間でキャパシタが構成されることになる。よって、回路上に静電気,サージ等の異常電位が伝搬されて来ても、本発明の接続構造の部分で遮断され、それよりも後段へ伝播することはない。
【0018】
更に、支持部材の誘電率は高いものでも良いが、低誘電率材料で構成するとよい。ここで低誘電率材料は、まず、誘電体基板の誘電率よりも低いことを意味する。さらに、一般的に低誘電率材料と称されるものも含み、誘電率が1より大きく3以下程度のものが良い。低誘電率材料にすることにより、その支持部材における損失を減少することができる。
【0019】
また、低誘電率材料としては、ガラスその他各種の材料があるが、例えば発泡材(実施の形態では「発泡ウレタン」)とすると好ましい。発泡材は、弾力性があるので、緩衝材としての機能も発揮する。つまり、寄生素子と高周波回路要素の熱膨張係数が異なっていたとしても、温度変化にともなう熱膨張,収縮の相違が支持部材で吸収され、相手側に伝達されない。その結果、温度変化に基づく接続部分での応力も発生せず、伝送線路が剥離することを可及的に抑制できる。
【0020】
前記寄生素子としては、樹脂その他の各種の材料を用いることができるが、セラミック基板から構成すると好ましい。すなわち、セラミックとすると、寸法形状のばらつきがほとんど無く、伝送状態が安定し、各製品間での伝送状態のばらつきも抑制できる。さらに、誘電体基板は、通常アルミナ系で構成されることが多いので、セラミック基板(例えば、アルミナ)とすることにより、寄生素子と回路基板の熱膨張係数をほぼ等しくすることができるという効果も期待できる。
【0021】
【発明の実施の形態】
図2〜図5は本発明の前提となる移相器の一例を示している。同図に示すように、アルミナ等の誘電体材料で構成された回路基板10の表面に、導体膜で構成される伝送線路、つまり、所定の回路パータンからなるストリップライン11a,11bが形成される。図では、接続部分のみを示している。この2本のストリップライン11a,11bは、その先端に接続部となるパッチ部12a,12bが形成されている。このパッチ部12a,12bは、矩形状からなり、その幅Wは、使用周波数(λg)の4/9とし、長さLrは、使用周波数(λg)の約1/2に設定することにより、共振器を構成している。なお、λgは、回路基板10を構成する誘電体材料の誘電率を考慮した実効波長である。
【0022】
さらに、パッチ部12a,12bの先端は、所定の距離(ギャップ)をおいて離れており、DC的に遮断されている。そして、両パッチ部12a,12bは同一直線上に配置される。また、回路基板10の裏面側は、全面に導体膜13が成膜されている。
【0023】
上記した2つのパッチ部12a,12bを跨ぐようにして、その上方に寄生素子15を配置している。この寄生素子15は、誘電体基板から構成され、その上面には矩形状の導体膜16が形成されている。これにより、パッチ部12a,12b(共振器)と寄生素子15が、電磁的結合した構造がとられる。
【0024】
寄生素子15の幅とパッチ部の幅Wは、ほぼ一定にしている。また、導体膜16の幅W1は、寄生素子15の幅よりも小さくしている。さらに、導体膜16の長さLは、少なくとも両パッチ部12a,12bの間隔よりも長くしている。これにより、図2に示すように、導体膜16の両端は、それぞれパッチ部12a,12bの上方に位置する。
【0025】
また、図3では、寄生素子15は、パッチ部12a,12bの上に直接接触するように配置している。この場合でも、導電体であるパッチ部12a,12bは絶縁体である誘電体基板からなる寄生素子15が接触するだけであるので、電気的に絶縁され、少なくともDC成分は両パッチ部12a,12b間で遮断される。
【0026】
また、例えば寄生素子15を支持部材18によって支持することにより、パッチ部12a,12bとの間に空間を形成することもできる(図5参照)。図示の例では、一方のパッチ部12aの上面の一部に接触するように配置されるとともに、寄生素子15の一端側に下面に接触し、片持ち支持するようにしている。なお、パッチ部12aの全面に接触するように形成しても良い。さらに、全面に接触する場合に、支持部材18をパッチ部12aと同一形状としても良いし、パッチ部12aよりも大きい寸法形状にしても良い。
【0027】
支持部材18と寄生素子15の材料について説明する。支持部材18は、発泡ウレタン等の発泡材(εr=1.04から1.1)から構成する。発泡材は低誘電率材料でもあり、そこでの損失も少なく、パッチ部12a,12bと寄生素子15間での電磁的な結合が強くなる。
【0028】
また、寄生素子15は、セラミック基板、より具体的にはアルミナで形成している。これにより、回路基板10を構成する誘電体基板もアルミナで形成しているので、同一部材となり、当然のことながら両者の誘電率も等しくなる。また、アルミナに替えて、テフロン(登録商標)その他の材質を用いても良い。
【0029】
上記のように構成すると、パッチ部(共振器)12a,12bと寄生素子13が電磁的に結合することにより、高周波信号が伝播され、非接触型の電磁結合型コネクタが形成される。換言すると、例えば一方のストリップライン11a側から信号が伝播された場合は、パッチ部12aがアンテナとして機能して高周波信号(マイクロ波/ミリ波)が放射される。この放射された高周波が寄生素子15に伝播され、さらにパッチ部12bが受信アンテナとして機能するため受信することにより信号の伝送が行われるとも言える。
【0030】
本例によれば、この伝播の際に移相が変わる。すなわち、図6は、本例の移相器の周波数に対する移相(図中実線で示す)と、移相器を設けない場合の周波数に対する位相(図中破線で示す)を示している。同図から明らかなように、同一周波数における位相が異なっており、5GHz帯では、20度以上も相違する。従って、本例の構造によると、移相器として十分機能することが確認できた。
【0031】
次に、寄生素子15に設けた導体膜16の長さに対する移相量の関係を調べた。まず、図4に示すように、パッチ部12a,12bは、長さLrを16mmで幅Wrを16mmにし、パッチ部12a,12b間のギャップは5.6mmとした。また、寄生素子15の長さLpを16mmにした。さらに、寄生素子15と回路基板10の板厚hは、共に0.8mmとし、寄生素子15に設ける導体膜16の長さLを変えたものを複数用意し、それぞれの移相量を求めた。その結果、図7に示すような結果が得られた。なお、測定周波数は5GHzとした。
【0032】
同図から明らかなように、導体の長さが変わると移相量も変化することが確認できた。従って、予め複数の長さの異なる寄生素子15を用意しておき、使用に併せて適宜のものを選択し、実装することにより、目的の移相量を得ることができる。また、交換することにより、移相量を変更・調整することができる。
【0033】
更に、図8はパッチ部12a,12bと寄生素子15の間に所定の隙間(空気)が存在している場合電気的特性を示す。同様に、図9は、パッチ部12a,12bと寄生素子15の間に低誘電率からなる部材(上記した支持部材18等)が介在している場合の電気特性を示している。いずれの場合も、S11,S21特性が良好な曲線を描いており、信号の伝搬が正しく行われることが確認できる。
【0035】
本例によれば、従来のミアンダラインを用いる構成に比べて、線路(ストリップライン)上にコーナがないことから作りやすく、電気的特性も安定する。さらに、これらをフェーズドアレーアンテナに用いた場合、2つのパッチ部12a,12b間にギャップが形成されているので、DC成分を遮断することができ、サージ等の異常電位がアンテナ後段に設けている送受信回路に入り込むのを抑えることができる。
【0036】
また、この移相器は、2つのパッチ部12a,12bと1つの寄生素子15から構成されるので、緩やかなフィルタ特性も有する。その結果、アンテナの後段に設けられる送受信用フィルタの帯域外減衰特性を良好にすることも可能となるという副次的効果も奏する。
【0037】
図10,図11は、本発明に係る移相器の第1の実施の形態を示している。図示するように基本的な構成は上述した前提となる移相器のものと同様であるが、本実施の形態では、寄生素子15に形成する導体膜16のパータンを変えている。すなわち、長さの異なる13種類の導体膜16を縞状(平行)に配置し、寄生素子15をスライド可能にした。可変方法は、寄生素子15を±y方向、つまり、主線路であるストリップライン11a,11bによる信号の伝送方向(x方向)と直交する方向にスライドさせるようにしている。
【0038】
さらに、各導体膜16の寸法形状は、一方から他方に行くに従って徐々に長くなり、両サイドに位置する導体膜16の幅は、中間に位置する残りの導体膜16の幅よりも広くし、係る残りの導体膜16の幅は、全て等しくしている。もちろん、全ての導体膜16の幅を等しくしても良いし、適宜異ならせても良いが、本実施の形態のように構成すると、電気特性が良好になることが確認できた。
【0039】
また、いずれの導体膜16も、その両端がそれぞれパッチ部12a,12bの上方に位置することを可能にしているため、導体膜16の長さLpは、少なくともパッチ部12a,12b間のギャップよりも長くする必要がある。
【0040】
そして、移相量を変更する場合には、上記したごとく寄生素子15をスライドさせることであるが、具体的には、図10に示す状態から寄生素子15を図中下側(−y方向)に移動させ、一番短い導体膜(1)のみがピッチ部12a,12bの上方に位置する状態から、寄生素子15を図10中上側(+y方向)に徐々にずらして行き、一番長い導体膜(13)が、ピッチ部12a,12bの上方に位置するまで移動できる。つまり、図10は、1つ手前の状態を示している。
【0041】
次に、本実施の形態の効果(寄生素子15のスライドに伴い移相量が変化すること)を実証すべく、実際に寄生素子15をずらしながら、移相量を測定した。すると、図12に示すような実験結果(測定周波数5GHz)が得られた。
【0042】
ここで、実験に用いた移相器の寸法形状であるが、ピッチ部12a,12bの寸法は上述した前提となる移相器についての実験に使用したものと同様である。そして、寄生素子15に形成する導体膜16(縞状導体)であるが、中間に位置する2番目から12番目までの導体膜の幅は0.8mmとし、隣接する導体膜の間隔は、0.78mmとした。また、各導体膜の長さは、0.8mmずつ増加させ、最も長い導体膜(13)の長さは16mmとした。
【0043】
また、図12中のスライド回数「1」というのは、導体膜(1)のみがパッチ部の端部に配置されている状態を示し、スライド回数「13」というのは、図10の状態を示している。図から明らかなように、ピッチ部12a,12bの上に存在する導体膜16の数が増えるほど、移相量も大きくなることが確認できた。また、移相量も、20度から90度以上という広い範囲で制御できる。なお、その他の構成並びに作用効果は、上述した前提となる移相器と同様であるので、その詳細な説明を省略する。
【0044】
図13は、第1の実施の形態の別の構成を示している。この例では、寄生素子15に形成する導体膜16(縞状導体)の数を18本に増やしている。そして、具体的な寸法形状であるが、ピッチ部の幅Wr(y方向)は17.1mm,長さLr(x方向)は16mmとし、ギャップは5.6mmとした。また、導体膜(1)の長さは6.4mmで、各導体膜は順に0.8mmずつ増加させ、最も長い導体膜(18)の長さを20mmとした。また、導体膜の間隔は0.78mmとし、中間の導体膜の幅は0.8mmとした。そして、両サイドの導体膜(1),(18)の幅は、(1)が3.5mmで(18)が2.3mmとした。さらに、寄生素子15の寸法形状は、パッチ部12a,12bよりも十分に大きくしている。
【0045】
そして、導体膜(1)のみがピッチ部12a,12bの上に位置する状態から寄生素子15を+y方向に順次移動させていき、そのときの移相量を測定したところ、図15に示すような実験結果(測定周波数5GHz)が得られた。この結果からも、移相量を可変できることが確認できる。
【0046】
さらに、図14に示す構造の移相器を用い、パッチ部12a,12bと寄生素子15の間に所定の隙間(空気)が存在している場合の電気的特性を求めたところ、図16に示すような結果が得られた。また、同様に、パッチ部12a,12bと寄生素子15の間に低誘電率からなる部材(上記した支持部材18等)を介在させた状態で電気特性を求めたところ、図17に示すような結果が得られた。いずれの場合も、S11,S21特性が良好な曲線を描いており、信号の伝搬が正しく行われることが確認できる。
【0047】
【発明の効果】
以上のように、本発明に係る移相器では、寄生素子に設ける導体部の長さや、主線路に重なる導体部の本数を変えるだけで、簡単に移相量を変更させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来例を示す図である。
【図2】 本発明の前提となる移相器の一例を示す図である。
【図3】 本発明の前提となる移相器の一例を示す図である。
【図4】 本発明の前提となる移相器の一例を示す図である。
【図5】 本発明の前提となる移相器の一例をの変形例を示す図である。
【図6】 周波数に対する位相(移相量)の関係を示す図である。
【図7】 寄生素子の長さの伝送特性への影響を示す図である。
【図8】 周波数に対する電気特性を示す図である。
【図9】 周波数に対する電気特性を示す図である。
【図10】 本発明に係る移相器の第1の実施の形態を示す図である。
【図11】 本発明に係る移相器の第1の実施の形態を示す図である。
【図12】 寄生素子のスライド量に対する移相量などの影響を示す図である。
【図13】 本発明に係る移相器の第1の実施の形態の変形例を示す図である。
【図14】 本発明に係る移相器の第1の実施の形態の変形例を示す図である。
【図15】 寄生素子のスライド量に対する移相量などの影響を示す図である。
【図16】 周波数に対する電気特性を示す図である。
【図17】 周波数に対する電気特性を示す図である。
【符号の説明】
10 回路基板
11a,11b ストリップライン(主線路)
12a,12b パッチ部
13 導体膜
15 寄生素子
16 導体膜
18 支持部材
Claims (7)
- マイクロ波或いはミリ波帯の回路に用いられる移相器であって、
回路基板上に所定のギャップをおいて形成された一対の主線路の先端部の上方に、誘電体基板からなる寄生素子を配置して構成され、
前記寄生素子の上面の一部に導体部を設け、
前記導体部の両端は、それぞれ前記一対の主線路の先端部と重なるとともに、その導体部の幅は、前記主線路の先端部の幅よりも狭くし、
前記寄生素子には、前記導体部は、長さの異なる複数の線路を備え、
前記各線路の両端が、それぞれ前記一対の主線路の先端部と重なるようにしたことを特徴とする移相器。 - 前記寄生素子は、スライド可能にし、前記一対の主線路に重なる前記導体部の数を変更可能としたことを特徴とする請求項1に記載の移相器。
- 前記主線路の先端部は、幅広のパッチ部としたことを特徴とする請求項1または2に記載の移相器。
- 前記パッチ部に共振器が構成されていることを特徴とする請求項3に記載の移相器。
- 前記寄生素子は、前記回路基板上に支持部材を介して支持され、
前記支持部材は、低誘電率材料で構成されることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の移相器。 - 前記低誘電率材料は、発泡材であることを特徴とする請求項5に記載の移相器。
- 前記寄生素子は、セラミック基板から構成されたことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の移相器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001271085A JP3641226B2 (ja) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | 移相器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001271085A JP3641226B2 (ja) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | 移相器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003087003A JP2003087003A (ja) | 2003-03-20 |
JP3641226B2 true JP3641226B2 (ja) | 2005-04-20 |
Family
ID=19096637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001271085A Expired - Fee Related JP3641226B2 (ja) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | 移相器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3641226B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220007503A1 (en) * | 2019-03-20 | 2022-01-06 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Phase Shifter, Antenna, and Base Station |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7555276B2 (en) * | 2005-12-19 | 2009-06-30 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | Devices, methods, and computer program products for controlling power transfer to an antenna in a wireless mobile terminal |
CN115149226B (zh) * | 2021-03-31 | 2023-08-25 | 北京京东方技术开发有限公司 | 移相器及其制备方法、天线 |
-
2001
- 2001-09-06 JP JP2001271085A patent/JP3641226B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220007503A1 (en) * | 2019-03-20 | 2022-01-06 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Phase Shifter, Antenna, and Base Station |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003087003A (ja) | 2003-03-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4740257B2 (ja) | バンドパスフィルタ | |
US7336142B2 (en) | High frequency component | |
EP1919024B1 (en) | Device for the propagation of electromagnetic waves with modulated dielectric constant | |
US11742558B2 (en) | Filter | |
US6542048B1 (en) | Suspended transmission line with embedded signal channeling device | |
JPH0337761B2 (ja) | ||
JP2012227632A (ja) | 高周波伝送線路およびアンテナ装置 | |
EP0437115B1 (en) | Broadband stripline coupler | |
US6952147B2 (en) | Microstrip coupler | |
US7403080B2 (en) | Transmission line apparatus having conductive strips coupled by at least one additional capacitance element | |
JP3641226B2 (ja) | 移相器 | |
JP3513081B2 (ja) | 接続構造及びその接続構造における周波数調整方法 | |
WO2022042318A1 (zh) | 一种人工表面等离激元传输线结构、电路板及电子设备 | |
US6194981B1 (en) | Slot line band reject filter | |
JP2000216603A (ja) | ミリ波帯に好適なグランデッド・コプレナウェ―ブガイド | |
Suntives et al. | Design and characterization of periodically-loaded substrate integrated waveguide phase shifters | |
US6023206A (en) | Slot line band pass filter | |
US5905415A (en) | Distributed constant line coupling with a gap domain | |
JP4526713B2 (ja) | 高周波回路 | |
JP3383542B2 (ja) | 誘電体導波管線路の結合構造 | |
JP4105017B2 (ja) | 導波管型誘電体フィルタ | |
KR20200022738A (ko) | 결합기 | |
JP2010074255A (ja) | 高周波フィルタ装置 | |
JP3895197B2 (ja) | マイクロ波/ミリ波伝送回路 | |
JP5880675B2 (ja) | 高周波伝送線路およびアンテナ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041012 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050118 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050120 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080128 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090128 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090128 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100128 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |