JP2003087003A

JP2003087003A - 移相器

Info

Publication number: JP2003087003A
Application number: JP2001271085A
Authority: JP
Inventors: Takashi Tamura; 尚田村; Toshikazu Urata; 敏和浦田; Hiroyuki Arai; 宏之新井; Hajime Izumi; 源泉
Original assignee: FDK Corp
Current assignee: FDK Corp
Priority date: 2001-09-06
Filing date: 2001-09-06
Publication date: 2003-03-20
Anticipated expiration: 2021-09-06
Also published as: JP3641226B2

Abstract

(57)【要約】【課題】簡単な構成で高周波回路における移相量を所
望の値に設定することができる移相器を提供すること【解決手段】回路基板１０上に所定のギャップをおい
て形成された一対のストリップライン１１ａ，１１ｂの
先端部（幅広のパッチ部１２ａ，１２ｂ）の上方に、誘
電体基板からなる寄生素子１５を配置して構成する。寄
生素子の上面の一部には、帯状の導体膜１６を設ける。
その導体膜の両端は、それぞれ一対のパッチ部と重なる
とともに、その導体膜の幅は、パッチ部の幅よりも狭く
した。しかも、長さの異なる複数の導体膜を生成する。
係る構成を採ると、パッチ部に重なる導体膜の本数を変
えることにより、移相量を可変できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波やミリ
波帯の回路における移相器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】マイクロ波／ミリ波を用いた装置では、
通常、マイクロストリップラインを用いて回路を構成さ
れることが多い。良く知られているように、マイクロス
トリップラインは、波長との半径でその寸法形状を適宜
に設定することにより、各種の回路素子を構成すること
ができる。ところで、このマイクロストリップライン上
で意図的に移相をコントロールする場合、線路長を長く
構成するためにメアンダラインを用いる必要が出てく
る。

【０００３】ここで言う線路長は、物理的な長さと同時
に電気長も意味し、線路長を長くする手段には、図１に
示すように基板１の上に形成する線路を蛇行させて、メ
アンダライン２を構成し長さをかせぐ方法がある。さら
には、このメアンダライン２の上に高誘電率の基板を設
け、物理的な長さをさらに短縮する方法もある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の移相器では、以下に示す問題を有している。す
なわち、メアンダライン２は、図示するように直線パー
タン要素２ａと曲線パータン要素２ｂが交互に連続した
構成となり、直線パータン要素２ａは、複数本が平行に
配置される。そして、係るパータン要素は、フォトリソ
グラフィ技術により形成される。従って、曲線パータン
要素２ｂの部分での曲率や幅などが設計通りに形成でき
なかったりすると、伝播特性が劣化する。

【０００５】また、メアンダライン２は、蛇行している
ため、隣接する直線パータン要素２ａを流れる信号の方
向は逆向きとなる。その結果、隣接する直線パータン要
素２ａの長さや間隔によって信号が相殺されてしまうこ
とがあり、その点でも伝播特性が悪化してしまう。

【０００６】また、係る構成からなる移相器を、アレー
アンテナの後段に設けたとすると、移相器とアレーアン
テナはＤＣ的に接続されているので、サージ等の異常電
流がかかった場合に、その異常電流が回路内に流れ込
み、回路を破損させてしまうおそれもある。

【０００７】更に、移相器における移相量は、パータン
の寸法形状により一義的に決まってしまい、容易に変更
することはできない。また、移相量を変えるためには、
メアンダライン２、つまり移相器全体の寸法形状も変わ
ってしまい、ひいては、その移相器を組み込む回路全体
の大きさも変動を余儀なくされる。

【０００８】本発明は、上記した背景に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、上記した問題を解決
し、マイクロ波／ミリ波等の高周波用の回路において、
移相量が変わっても全体の寸法形状に影響を与えること
がなく、ＤＣ成分をカットすることができ、製造も容易
に行うことのできる移相器を提供することにある。さに
らは、移相量を変更させることが可能な移相器を提供す
ることを他の目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、本発明に係る移相器は、マイクロ波或いはミリ波
帯の回路に用いられる移相器である。そして、回路基板
上に所定のギャップをおいて形成された一対の主線路
（実施の形態では、「ストリップライン１１ａ，１１
ｂ」に対応）の先端部の上方に、誘電体基板からなる寄
生素子を配置して構成され、前記寄生素子の上面の一部
に導体部（実施の形態では、「導体膜１６」に対応）を
設け、前記導体部の両端は、それぞれ前記一対の主線路
の先端部と重なるとともに、その導体部の幅は、前記主
線路の先端部の幅よりも狭くするように構成した。

【００１０】主線路と寄生素子（導体部）が電磁的に結
合することにより、高周波信号が伝播される。本発明で
は、寄生素子を用いることにより、結合が強くなり、通
過帯域も広帯域になるので、多少の隙間間隔の変動があ
っても安定した伝送状態を確保できる。

【００１１】更に、実施の形態における実験結果からも
明らかなように、大きな移相量を取ることが可能とな
る。そして、導体部が１本の線路から構成した場合、そ
の線路の長さを適宜に設定することにより、所望の移相
量を得ることができる。

【００１２】また、導体部の形状は任意であるが、実施
の形態でも示すように帯状の線路としてもよいので、曲
線部を設ける必要がない（設けるのは妨げないが）の
で、製造が容易となる。

【００１３】好ましくは、前記寄生素子は、交換可能と
することである。このようにすると、寄生素子に形成す
る導体部の長さが異なるものを複数容易し、適宜交換す
ることにより、移相量の調整を行うことができる。もち
ろん、係る交換可能は、本発明の必須の条件ではない。

【００１４】一方、前記寄生素子には、前記導体部は、
長さの異なる複数の線路を備え、前記各線路の両端が、
それぞれ前記一対の主線路の先端部と重なるようにして
もよい。係る構成を採ると、主線路に重なる線路の本数
に応じて移相量が変わる。

【００１５】好ましくは、前記寄生素子は、スライド可
能となり、前記一対の主線路に重なる前記導体部の数を
変更可能とすることである。係る構成にすると、スライ
ドさせることにより、主線路の上に位置する線路の本数
が変わるので、移相量を調整することができる。

【００１６】また、前記寄生素子の幅は、前記主線路の
先端部の幅と同等か、それ以上とすると好ましい。更
に、前記主線路の先端部は、幅広のパッチ部とするとよ
い。そして、係るパッチ部の寸法形状を波長との関係で
適宜に設定することにより、前記パッチ部に共振器が構
成されるようにすることができる。また、前記寄生素子
は、前記回路基板上に支持部材を介して支持され、前記
支持部材は、低誘電率材料で構成されるとよい。

【００１７】特に、支持部材を設けることにより、寄生
素子と主線路との間に所望の間隔が形成され、両者間で
キャパシタが構成されることになる。よって、回路上に
静電気，サージ等の異常電位が伝搬されて来ても、本発
明の接続構造の部分で遮断され、それよりも後段へ伝播
することはない。

【００１８】更に、支持部材の誘電率は高いものでも良
いが、低誘電率材料で構成するとよい。ここで低誘電率
材料は、まず、誘電体基板の誘電率よりも低いことを意
味する。さらに、一般的に低誘電率材料と称されるもの
も含み、誘電率が１より大きく３以下程度のものが良
い。低誘電率材料にすることにより、その支持部材にお
ける損失を減少することができる。

【００１９】また、低誘電率材料としては、ガラスその
他各種の材料があるが、例えば発泡材（実施の形態では
「発泡ウレタン」）とすると好ましい。発泡材は、弾力
性があるので、緩衝材としての機能も発揮する。つま
り、寄生素子と高周波回路要素の熱膨張係数が異なって
いたとしても、温度変化にともなう熱膨張，収縮の相違
が支持部材で吸収され、相手側に伝達されない。その結
果、温度変化に基づく接続部分での応力も発生せず、伝
送線路が剥離することを可及的に抑制できる。

【００２０】前記寄生素子としては、樹脂その他の各種
の材料を用いることができるが、セラミック基板から構
成すると好ましい。すなわち、セラミックとすると、寸
法形状のばらつきがほとんど無く、伝送状態が安定し、
各製品間での伝送状態のばらつきも抑制できる。さら
に、誘電体基板は、通常アルミナ系で構成されることが
多いので、セラミック基板（例えば、アルミナ）とする
ことにより、寄生素子と回路基板の熱膨張係数をほぼ等
しくすることができるという効果も期待できる。

【００２１】

【発明の実施の形態】図１〜図４は本発明に係る移相器
の第１の実施の形態を示している。同図に示すように、
アルミナ等の誘電体材料で構成された回路基板１０の表
面に、導体膜で構成される伝送線路、つまり、所定の回
路パータンからなるストリップライン１１ａ，１１ｂが
形成される。図では、接続部分のみを示している。この
２本のストリップライン１１ａ，１１ｂは、その先端に
接続部となるパッチ部１２ａ，１２ｂが形成されてい
る。このパッチ部１２ａ，１２ｂは、矩形状からなり、
その幅Ｗは、使用周波数（λg）の４／９とし、長さＬ
ｒは、使用周波数（λg）の約１／２に設定することに
より、共振器を構成している。なお、λgは、回路基板
１０を構成する誘電体材料の誘電率を考慮した実効波長
である。

【００２２】さらに、パッチ部１２ａ，１２ｂの先端
は、所定の距離（ギャップ）をおいて離れており、ＤＣ
的に遮断されている。そして、両パッチ部１２ａ，１２
ｂは同一直線上に配置される。また、回路基板１０の裏
面側は、全面に導体膜１３が成膜されている。

【００２３】ここで本発明では、上記した２つのパッチ
部１２ａ，１２ｂを跨ぐようにして、その上方に寄生素
子１５を配置している。この寄生素子１５は、誘電体基
板から構成され、その上面には矩形状の導体膜１６が形
成されている。これにより、パッチ部１２ａ，１２ｂ
（共振器）と寄生素子１５が、電磁的結合した構造がと
られる。

【００２４】寄生素子１５の幅とパッチ部の幅Ｗは、ほ
ぼ一定にしている。また、導体膜１６の幅Ｗ１は、寄生
素子１５の幅よりも小さくしている。さらに、導体膜１
６の長さＬは、少なくとも両パッチ部１２ａ，１２ｂの
間隔よりも長くしている。これにより、図２に示すよう
に、導体膜１６の両端は、それぞれパッチ部１２ａ，１
２ｂの上方に位置する。

【００２５】また、図３では、寄生素子１５は、パッチ
部１２ａ，１２ｂの上に直接接触するように配置してい
る。この場合でも、導電体であるパッチ部１２ａ，１２
ｂは絶縁体である誘電体基板からなる寄生素子１５が接
触するだけであるので、電気的に絶縁され、少なくとも
ＤＣ成分は両パッチ部１２ａ，１２ｂ間で遮断される。

【００２６】また、例えば寄生素子１５を支持部材１８
によって支持することにより、パッチ部１２ａ，１２ｂ
との間に空間を形成し、絶縁を図るようにすることもで
きる（図５参照）。図示の例では、一方のパッチ部１２
ａの上面の一部に接触するように配置されるとともに、
寄生素子１５の一端側に下面に接触し、片持ち支持する
ようにしている。なお、パッチ部１２ａの全面に接触す
るように形成しても良い。さらに、全面に接触する場合
に、支持部材１８をパッチ部１２ａと同一形状としても
良いし、パッチ部１２ａよりも大きい寸法形状にしても
良い。

【００２７】支持部材１８と寄生素子１５の材料につい
て説明する。支持部材１８は、発泡ウレタン等の発泡材
（εr＝１．０４から１．１）から構成する。発泡材は
低誘電率材料でもあり、そこでの損失も少なく、パッチ
部１２ａ，１２ｂと寄生素子１５間での電磁的な結合が
強くなる。

【００２８】また、寄生素子１５は、セラミック基板、
より具体的にはアルミナで形成している。これにより、
回路基板１０を構成する誘電体基板もアルミナで形成し
ているので、同一部材となり、当然のことながら両者の
誘電率も等しくなる。また、アルミナに替えて、テフロ
ン（登録商標）その他の材質を用いても良い。

【００２９】上記のように構成すると、パッチ部（共振
器）１２ａ，１２ｂと寄生素子１３が電磁的に結合する
ことにより、高周波信号が伝播され、非接触型の電磁結
合型コネクタが形成される。換言すると、例えば一方の
ストリップライン１１ａ側から信号が伝播された場合
は、パッチ部１２ａがアンテナとして機能して高周波信
号（マイクロ波／ミリ波）が放射される。この放射され
た高周波が寄生素子１５に伝播され、さらにパッチ部１
２ｂが受信アンテナとして機能するため受信することに
より信号の伝送が行われるとも言える。

【００３０】本発明によれば、この伝播の際に移相が変
わる。すなわち、図６は、本実施の形態の移相器の周波
数に対する移相（図中実線で示す）と、移相器を設けな
い場合の周波数に対する位相（図中破線で示す）を示し
ている。同図から明らかなように、同一周波数における
位相が異なっており、５ＧＨｚ帯では、２０度以上も相
違する。従って、本実施の形態の構造によると、移相器
として十分機能することが確認できた。

【００３１】次に、寄生素子１５に設けた導体膜１６の
長さに対する移相量の関係を調べた。まず、図４に示す
ように、パッチ部１２ａ，１２ｂは、長さＬｒを１６ｍ
ｍで幅Ｗｒを１６ｍｍにし、パッチ部１２ａ，１２ｂ間
のギャップは５．６ｍｍとした。また、寄生素子１５の
長さＬｐを１６ｍｍにした。さらに、寄生素子１５と回
路基板１０の板厚ｈは、共に０．８ｍｍとし、寄生素子
１５に設ける導体膜１６の長さＬを変えたものを複数用
意し、それぞれの移相量を求めた。その結果、図８に示
すような結果が得られた。なお、測定周波数は５ＧＨｚ
とした。

【００３２】同図から明らかなように、導体の長さが変
わると移相量も変化することが確認できた。従って、予
め複数の長さの異なる寄生素子１５を用意しておき、使
用に併せて適宜のものを選択し、実装することにより、
目的の移相量を得ることができる。また、交換すること
により、移相量を変更・調整することができる。

【００３３】更に、図９はパッチ部１２ａ，１２ｂと寄
生素子１５の間に所定の隙間（空気）が存在している場
合電気的特性を示す。同様に、図１０は、パッチ部１２
ａ，１２ｂと寄生素子１５の間に低誘電率からなる部材
（上記した支持部材１８等）が介在している場合の電気
特性を示している。いずれの場合も、Ｓ11，Ｓ21特性が
良好な曲線を描いており、信号の伝搬が正しく行われる
ことが確認できる。

【００３４】つまり、通過損失Ｓ２１が０ｄＢとなる伝
送可能な周波数帯域が広帯域となる。また、通過損失Ｓ
２１が０ｄＢのときのリターンロスもほとんどの領域で
−２０ｄＢ以上となる。よって、中心周波数が変動して
も回路の伝送状態の変動は小さくなる。

【００３５】本実施の形態によれば、従来のミアンダラ
インを用いる構成に比べて、線路（ストリップライン）
上にコーナがないことから作りやすく、電気的特性も安
定する。さらに、これらをフェーズドアレーアンテナに
用いた場合、２つのパッチ部１２ａ，１２ｂ間にギャッ
プが形成されているので、ＤＣ成分を遮断することがで
き、サージ等の異常電位がアンテナ後段に設けている送
受信回路に入り込むのを抑えることができる。

【００３６】また、この移相器は、２つのパッチ部１２
ａ，１２ｂと１つの寄生素子１５から構成されるので、
緩やかなフィルタ特性も有する。その結果、アンテナの
後段に設けられる送受信用フィルタの帯域外減衰特性を
良好にすることも可能となるという副次的効果も奏す
る。

【００３７】図１０，図１１は、本発明に係る移相器の
第２の実施の形態を示している。図示するように基本的
な構成は第１の実施の形態と同様であるが、本実施の形
態では、寄生素子１５に形成する導体膜１６のパータン
を変えている。すなわち、長さの異なる１３種類の導体
膜１６を縞状（平行）に配置し、寄生素子１５をスライ
ド可能にした。可変方法は、寄生素子１５を±ｙ方向、
つまり、主線路であるストリップライン１１ａ，１１ｂ
による信号の伝送方向（ｘ方向）と直交する方向にスラ
イドさせるようにしている。

【００３８】さらに、各導体膜１６の寸法形状は、一方
から他方に行くに従って徐々に長くなり、両サイドに位
置する導体膜１６の幅は、中間に位置する残りの導体膜
１６の幅よりも広くし、係る残りの導体膜１６の幅は、
全て等しくしている。もちろん、全ての導体膜１６の幅
を等しくしても良いし、適宜異ならせても良いが、本実
施の形態のように構成すると、電気特性が良好になるこ
とが確認できた。

【００３９】また、いずれの導体膜１６も、その両端が
それぞれパッチ部１２ａ，１２ｂの上方に位置すること
を可能にしているため、導体膜１６の長さＬｐは、少な
くともパッチ部１２ａ，１２ｂ間のギャップよりも長く
する必要がある。

【００４０】そして、移相量を変更する場合には、上記
したごとく寄生素子１５をスライドさせることである
が、具体的には、図１０に示す状態から寄生素子１５を
図中下側（−ｙ方向）に移動させ、一番短い導体膜
（１）のみがピッチ部１２ａ，１２ｂの上方に位置する
状態から、寄生素子１５を図１０中上側（＋ｙ方向）に
徐々にずらして行き、一番長い導体膜（１３）が、ピッ
チ部１２ａ，１２ｂの上方に位置するまで移動できる。
つまり、図１０は、１つ手前の状態を示している。

【００４１】次に、本実施の形態の効果（寄生素子１５
のスライドに伴い移相量が変化すること）を実証すべ
く、実際に寄生素子１５をずらしながら、移相量を測定
した。すると、図１２に示すような実験結果（測定周波
数５ＧＨｚ）が得られた。

【００４２】ここで、実験に用いた移相器の寸法形状で
あるが、ピッチ部１２ａ，１２ｂの寸法は第１の実施の
形態の実験に使用したものと同様である。そして、寄生
素子１５に形成する導体膜１６（縞状導体）であるが、
中間に位置する２番目から１２番目までの導体膜の幅は
０．８ｍｍとし、隣接する導体膜の間隔は、０．７８ｍ
ｍとした。また、各導体膜の長さは、０．８ｍｍずつ増
加させ、最も長い導体膜（１３）の長さは１６ｍｍとし
た。

【００４３】また、図１２中のスライド回数「１」とい
うのは、導体膜（１）のみがパッチ部の端部に配置され
ている状態を示し、スライド回数「１３」というのは、
図１０の状態を示している。図から明らかなように、ピ
ッチ部１２ａ，１２ｂの上に存在する導体膜１６の数が
増えるほど、移相量も大きくなることが確認できた。ま
た、移相量も、２０度から９０度以上という広い範囲で
制御できる。なお、その他の構成並びに作用効果は、上
記した第１の実施の形態と同様であるので、その詳細な
説明を省略する。

【００４４】図１３は、第２の実施の形態の別の構成を
示している。この例では、寄生素子１５に形成する導体
膜１６（縞状導体）の数を１８本に増やしている。そし
て、具体的な寸法形状であるが、ピッチ部の幅Ｗｒ（ｙ
方向）は１７．１ｍｍ，長さＬｒ（ｘ方向）は１６ｍｍ
とし、ギャップは５．６ｍｍとした。また、導体膜
（１）の長さは６．４ｍｍで、各導体膜は順に０．８ｍ
ｍずつ増加させ、最も長い導体膜（１８）の長さを２０
ｍｍとした。また、導体膜の間隔は０．７８ｍｍとし、
中間の導体膜の幅は０．８ｍｍとした。そして、両サイ
ドの導体膜（１），（１８）の幅は、（１）が３．５ｍ
ｍで（１８）が２．３ｍｍとした。さらに、寄生素子１
５の寸法形状は、パッチ部１２ａ，１２ｂよりも十分に
大きくしている。

【００４５】そして、導体膜（１）のみがピッチ部１２
ａ，１２ｂの上に位置する状態から寄生素子１５を＋ｙ
方向に順次移動させていき、そのときの移相量を測定し
たところ、図１５に示すような実験結果（測定周波数５
ＧＨｚ）が得られた。この結果からも、移相量を可変で
きることが確認できる。

【００４６】さらに、図１４に示す構造の移相器を用
い、パッチ部１２ａ，１２ｂと寄生素子１５の間に所定
の隙間（空気）が存在している場合の電気的特性を求め
たところ、図１６に示すような結果が得られた。また、
同様に、パッチ部１２ａ，１２ｂと寄生素子１５の間に
低誘電率からなる部材（上記した支持部材１８等）を介
在させた状態で電気特性を求めたところ、図１７に示す
ような結果が得られた。いずれの場合も、Ｓ11，Ｓ21特
性が良好な曲線を描いており、信号の伝搬が正しく行わ
れることが確認できる。

【００４７】

【発明の効果】以上のように、本発明に係る移相器で
は、寄生素子に設けた導体部の寸法形状を異ならせるだ
けで移相量を変えることができるので、回路基板全体の
寸法形状を変えなくて済む。また、ＤＣ成分をカットす
ることができ、製造も容易に行うことができる。さにら
は、寄生素子に設ける導体部の長さや、主線路に重なる
導体部の本数を変えるだけで、簡単に移相量を変更させ
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来例を示す図である。

【図２】本発明に係る移相器の第１の実施の形態を示す
図である。

【図３】本発明に係る移相器の第１の実施の形態を示す
図である。

【図４】本発明に係る移相器の第１の実施の形態を示す
図である。

【図５】本発明に係る移相器の第１の実施の形態の変形
例を示す図である。

【図６】周波数に対する位相（移相量）の関係を示す図
である。

【図７】寄生素子の長さの伝送特性への影響を示す図で
ある。

【図８】周波数に対する電気特性を示す図である。

【図９】周波数に対する電気特性を示す図である。

【図１０】本発明に係る移相器の第２の実施の形態を示
す図である。

【図１１】本発明に係る移相器の第２の実施の形態を示
す図である。

【図１２】寄生素子のスライド量に対する移相量などの
影響を示す図である。

【図１３】本発明に係る移相器の第２の実施の形態の変
形例を示す図である。

【図１４】本発明に係る移相器の第２の実施の形態の変
形例を示す図である。

【図１５】寄生素子のスライド量に対する移相量などの
影響を示す図である。

【図１６】周波数に対する電気特性を示す図である。

【図１７】周波数に対する電気特性を示す図である。

【符号の説明】

１０回路基板１１ａ，１１ｂストリップライン（主線路）１２ａ，１２ｂパッチ部１３導体膜１５寄生素子１６導体膜１８支持部材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者浦田敏和東京都港区新橋５丁目36番11号エフ・ディー・ケイ株式会社内 (72)発明者新井宏之神奈川県横浜市旭区今宿東町615−11 (72)発明者泉源千葉県木更津市東太田１−９−33東陽ハイツＡ−201 Ｆターム(参考） 5J012 GA11 GA14

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マイクロ波或いはミリ波帯の回路に用い
られる移相器であって、回路基板上に所定のギャップを
おいて形成された一対の主線路の先端部の上方に、誘電
体基板からなる寄生素子を配置して構成され、前記寄生
素子の上面の一部に導体部を設け、前記導体部の両端
は、それぞれ前記一対の主線路の先端部と重なるととも
に、その導体部の幅は、前記主線路の先端部の幅よりも
狭くしたことを特徴とする移相器。
【請求項２】前記寄生素子は、交換可能としたことを
特徴とする請求項１に記載の移相器。
【請求項３】前記寄生素子には、前記導体部は、長さ
の異なる複数の線路を備え、前記各線路の両端が、それ
ぞれ前記一対の主線路の先端部と重なるようにしたこと
を特徴とする請求項１に記載の移相器。
【請求項４】前記寄生素子は、スライド可能となり、
前記一対の主線路に重なる前記導体部の数を変更可能と
したことを特徴とする請求項３に記載の移相器。
【請求項５】前記寄生素子の幅は、前記主線路の先端
部の幅と同等か、それ以上としたことを特徴とする請求
項１から４のいずれか１項に記載の移相器。
【請求項６】前記主線路の先端部は、幅広のパッチ部
としたことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項
に記載の移相器。
【請求項７】前記パッチ部に共振器が構成されている
ことを特徴とする請求項６に記載の移相器。
【請求項８】前記寄生素子は、前記回路基板上に支持
部材を介して支持され、前記支持部材は、低誘電率材料
で構成されることを特徴とする請求項１から７のいずれ
か１項に記載の移相器。
【請求項９】前記低誘電率材料は、発泡材であること
を特徴とする請求項８に記載の移相器。
【請求項１０】前記寄生素子は、セラミック基板から
構成されたことを特徴とする請求項１から９のいずれか
１項に記載の移相器。