JP3632283B2 - ビススクアリル系化合物 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は新規なビススクアリル系化合物に関するものであり、詳しくは、染料、高分子の着色材料、液晶用二色性色素、感熱転写用色素等の分野、更には電子写真プリンターの電子写真感光材料、光ディスク用記録材料、非線形光学材料、近赤外線カットフィルター用材料等の半導体レーザー利用分野で有用な新規なビススクアリル系化合物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
これまで、ビススクアリル系化合物としては、対称型のものが知られている。また最近本発明者らが非対称型の化合物として、2つのスクアリル環の3位及び3′位に2つの複素縮合環を有する化合物を提案したが、本発明のように一方のスクアリル環の3位に芳香性環を有する非対称型のスクアリル系化合物は知られていない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、新規な着色・記録素材として有用な新規なビススクアリル系化合物を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明は、下記一般式〔I〕で示されるビススクアリル系化合物を要旨とする。
【0005】
【化2】
【0006】
(式中置換基R1 、R2 は、各々独立に置換基を有していてもよいアルキル基を示し、環Aは置換基を有していてもよい5員又は6員の芳香族性環を示し、環Bは窒素原子を含む複素環を示す。)
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明を更に詳しく説明する。
本発明の一般式〔I〕における環Aで示される5員又は6員の芳香族性環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、チオフェン環、チアゾール環等が挙げられ、
【0008】
【化3】
【0009】
等が挙げられる。
置換基R1 、R2 としては、置換基を有していてもよいアルキル基が挙げられ、具体的にはメチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基等のC1−8 の非置換のアルキル基;メトキシエチル基、エトキシエチル基、メトキシプロピル基、メトキシエトキシエトキシエチル基等のエーテル基を1〜4個有するアルキル基;フェニルエチル基、フェニルプロピル基等の置換していてもよいフェニル基等のアリール基で置換されたアルキル基;フェノキシエチル基、フェノキシプロピル基等の置換していてもよいフェノキシ基等のアリールオキシ基で置換されたアルキル基;フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換されたアルキル基;その他、置換基としてエステル基、シアノ基、ニトロ基、チオエーテル基、カルボニル基、スルホニル基、アミノ基、置換アミノ基、アミド基、チオアミド基、ヒドロキシル基、チオール基、カルボン酸エステル基またはスルホン酸基、フリル基、テトラヒドロフリル基等を有するアルキル基を挙げることができる。
【0010】
また、R1 、R2 の置換していてもよいアルキル基が互いに結合して、含窒素5員ないし7員環を形成するか、又は、環Aと結合して、含窒素5員ないし7員環を形成し、環Aと縮合環を形成してもよい。
また前記R3 、R4 は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、アシルアミノ基、ハロゲン原子等が挙げられ、置換基を有していてもよいアルキルとしては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基等の炭素数が1〜8の非置換のアルキル基;メトキシエチル基、エトキシエチル基、メトキシプロピル基、メトキシエトキシエトキシエチル基等のエーテル基を1〜4個有するアルキル基が挙げられる。置換基を有していてもよいアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロピルオキシ基、n−ブチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−オクチルオキシ基等の炭素数が1〜8の非置換のアルコキシ基;メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、メトキシプロピルオキシ基、メトキシエトキシエトキシエトキシ基等のエーテル基を1〜4個有するアルコキシ基が挙げられ、アシルアミノ基としてはアセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基等のアルキルカルボニルアミノ基等が挙げられ、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。
環Bとしては、通常置換基を有していてもよい窒素原子を含む5員又は6員環であって、窒素原子のほかにイオウ原子等をヘテロ原子として有していてもよい。
環Bの具体例としては、下記一般式〔IIA〕、〔IIB〕、〔IIC〕
【0011】
【化4】
【0012】
等の含窒素縮合環が挙げられる。
環C、D、Eとしては、置換基を有していてもよいベンゼン環またはナフタリン環が挙げられ、好ましい置換基としては、例えばメチル基、エチル基の様な低級アルキル基、メトキシ基、エトキシ基の様な低級アルコキシ基、フッ素、塩素、臭素の様なハロゲン原子、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基の様なパーフルオロアルキル基等のハロゲン置換アルキル基等が挙げられる。これらの置換基は2個以上結合していてもよい。
【0013】
置換基R5 は前記R1 、R2 と同様な置換していてもよいアルキル基が挙げられ、置換基R6 およびR7 としては、水素原子又はアルキル基を示し、中でもアルキル基が好ましく互いに連結して環を形成してもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が挙げられ、環としては、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン等の脂肪族炭化水素環、ノルボルナン、アダマンタン、ビシクロ[3.3.1]ノナン等の橋かけ構造を有していてもよい炭化水素環等が挙げられる。
本発明の一般式〔I〕で表わされるビススクアリル系化合物の具体例としては、以下の表−1のものを挙げることが出来る。
【0014】
【表1】
【0015】
【表2】
【0016】
【表3】
【0017】
【表4】
【0018】
本発明の一般式〔I〕の化合物は、例えば以下のようにして合成することができる。
すなわち、下記一般式〔III 〕
【0019】
【化5】
【0020】
(式中、環A、置換基R1 、R2 は、前記一般式〔I〕におけると同義を表わす。)
の化合物と3,4−ジクロロ−3−シクロブテン−1,2−ジオンを塩化メチレン、クロロホルム等の溶媒中、20℃前後の温度でピリジン、トリエチルアミン等の脱酸剤の存在下で反応させ、下記一般式〔IV〕
【0021】
【化6】
【0022】
(式中、環A、置換基R1 、R2 は、前記一般式〔I〕におけると同義を表わす。)を得る。
次いで、一般式〔IV〕の化合物と、3−イソプロポキシ−4−(トリ−n−ブチルスタニル)−3−シクロブテン−1,2−ジオンとアセトニトリル、アセトン等の溶媒中50〜100℃程度の温度でヨウ化第1銅とベンジルビス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム(II)クロライド等のパラジウム触媒の存在下、窒素気流中で反応させることにより、下記一般式〔V〕
【0023】
【化7】
【0024】
(式中、環A、置換基R1 、R2 は、前記一般式〔I〕におけると同義を表わす。)を得る。
更に、一般式〔V〕の化合物と、下記一般式〔VI〕
【0025】
【化8】
【0026】
(式中、環B′は一般式〔I〕の環Bの前駆体となる窒素原子を含む複素環を表わし、前記一般式〔I〕の環Bの置換基と同じ置換基を有する。R5 は、前記一般式〔IIA〕、〔IIB〕、〔IIC〕におけるR5 と同義を表わし、X− は陰イオンを表わす。)とを、塩化メチレン、クロロホルム等の溶媒中0〜50℃程度の温度でトリエチルアミン、ピリジン等の脱酸剤の存在下で反応させることにより目的の一般式〔I〕の化合物を得る。なお、X− で表わされる陰イオンとしては、Cl− 、Br− 又はI− 等のハロゲンイオン、
【0027】
【化9】
【0028】
等を挙げることが出来る。
【0029】
【実施例】
次に本発明を実施例により更に具体的に説明するが本発明は、下記の実施例に限定されるものではない。
〔実施例1〕
前記表−1、No.2の化合物
【0030】
【化10】
【0031】
の合成
a)3−クロロ−4−(N,N−ジブチルアミノフェニル)−3−シクロブテン−1,2−ジオン(一般式〔IV〕において
【0032】
【化11】
【0033】
R1 、R2 =−C4 H9 (n)の合成
3,4−ジクロロ−3−シクロブテン−1,2−ジオン1.51g(10mmol)を塩化メチレン20mlに溶解させ、撹拌させながら、ピリジン0.79g(10mmol)を滴下し、更に、氷冷下でN,N−ジブチルアニリン1.50g(10mmol)を含む塩化メチレン溶液10mlを滴下する。次いで室温(20℃)で3時間撹拌させた。反応終了後、生成するピリジニウム塩を濾別し、濾液をカラムクロマトグラフィー(シリカゲル:塩化メチレン)で精製し、溶媒留去、真空乾燥により、3−クロロ−4−(N,N−ジブチルアミノフェニル)−3−シクロブテン−1,2−ジオン2.39gの黄色固体を得た。
【0034】
収率:75%, 1HNMR(CDCl3 )δ 8.12(d,J=9.2Hz,2H),6.71(d,J=9.2Hz,2H),3.40(q,J=7.3Hz,4H),1.65(d,J=7.3Hz,4H),1.38(sextuplet,J=7.3Hz,4H),0.99(t,J=7.3,6H)
IR(KBr)γ=1795cm−1,1759cm−1(C=O)
b)3−(N,N−ジブチルアミノフェニル)−3′−イソプロポキシ−4,4′−ビ(3−シクロブテン−1,2−ジオン){一般式〔V〕において、
【0035】
【化12】
【0036】
R1 、R2 =C4 H9 (n)}の合成
上記a)で合成した3−クロロ−4−(N,N−ジブチルアミノフェニル)−3−シクロブテン−1,2−ジオン0.829g(2.6mmol)、3−イソプロポキシ−4−(トリ−n−ブチルスタニル)−3−シクロブテン−1,2−ジオン1.114g(2.6mmol)、ベンジルビス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム(II)クロライド0.0712g(0.094mmol)、CuI 0.017g(0.094mmol)をアセトニトリル中で、N2 気流下、加熱還流下で6時間撹拌させた。反応終了後、ヘキサンでn−BuSnClを抽出し、減圧下にて溶媒を留去した。残渣を塩化メチレンに溶かし活性炭を加え加熱還流させた。セライトを用いて濾過し、溶媒留去の後、塩化メチレン/ヘキサンで再結晶すると、0.88g(crude)の赤紫色の固体が得られた。
収率:80%(crude),MS(m/z) 423(M+ ,11.11%),367(M+ −C4 H8 ,8.50%),324(M+ −C4 H8 −C3 H7 14.87%)
【0037】
c)前記表−1、No.2の化合物の合成
1−n−ブチル−2−メチルベンゾチアゾニウムアイオダイド0.117g(0.35mmol)を塩化メチレン3ml中に分散させ、トリエチルアミン1滴を加える。次に、上記(b)で合成した3−(N,N−ジブチルアミノフェニル)−3′−イソプロポキシ−4,4′−ビ(3−シクロブテン−1,2−ジオン)0.150g(0.35mmol)を塩化メチレン8mlに溶解させたものを滴下して室温(20℃)で2時間撹拌させる。反応終了後、カラムクロマトグラフィー(シリカゲル:クロロホルム/酢酸エチル=4/1)で精製し、溶媒留去、再結晶(塩化メチレン/ヘキサン)、そして真空乾燥により、目的の前記表−1、No.2の化合物0.0660g(0.12mmol)の青色固体を得た。
【0038】
収率:33%, 1HNMR(CDCl3 )δ 8.45(d,J=9.2Hz,2H),7.68(d,J=7.3Hz,1H),7.49(t,J=7.9Hz,1H),7.37−7.26(m,3H),6.75(d,J=9.2Hz,2H),4.31(t,J=7.9Hz,2H),3.40(t,J=7.9Hz,4H),1.91(quint,J=7.9Hz,2H),1.67−1.25(m,10H),1.06−0.86(m,9H,CH3 )
IR(KBr)γ=1726cm−1,1710cm−1(C=O)
Vis(CHCl3 ):λmax/nm(ε/mol−1dm3 cm−1):642(5.02×104 ),604(4.72×104 ),399(3.17×104 )
〔実施例2〕
前記表−1のNo.8の化合物
【0039】
【化13】
【0040】
の合成
1−n−ブチル−2−メチルキノリニウムアイオダイド0.12g(0.35mmol)を塩化メチレン3mlに分散させ、トリエチルアミン1滴を加えた。次に、実施例1のb)で合成した3−(N,N−ジブチルアミノフェニル)−3′−イソプロポキシ−4,4′−ビ(3−シクロブテン−1,2−ジオン)0.150g(0.35mmol)を塩化メチレン8mlに溶解させたものを滴下して室温で2時間撹拌させた。反応終了後、カラムクロマトグラフィー(シリカゲル:クロロホルム/酢酸エチル=8/1)で精製し、溶媒留去、再結晶(塩化メチレン/ヘキサン)、そして真空乾燥により、目的の前記表−1のNo.8の化合物0.0592g(0.12mmol)の青色固体を得た。
【0041】
収率:30%, 1HNMR(CDCl3 )δ 8.91(d,J=9.2Hz,1H),8.39(d,J=9.8Hz,2H),7.82(d,J=9.8Hz,1H),7.74−7.61(m,3H),6.75(t,J=7.3Hz,1H),7.09(s,1H),6.75(d,J=9.2Hz,2H),4.47(t,J=7.3Hz,2H),3.36(t,J=7.9,4H),1.76−1.21(m,12H,CH2 ),1.11(t,J=7.3,3H,CH3 ),0.98(t,J=7.3,3H,CH3 )
IR(KBr)γ=1733cm−1,1714cm−1(C=O)
Vis(CHCl3 )λmax/nm(ε/mol−1dm3 cm−1):649(5.52×104 ),620s (5.23×104 ),407(2.46×104 ),361(2.12×104 )
【0042】
【発明の効果】
本発明は新規なビススクアリル系化合物に関するものであり、詳しくは、染料、高分子の着色材料、液晶用二色性色素、感熱転写用色素等の分野、更には電子写真プリンターの電子写真感光材料、光ディスク用記録材料、非線形光学材料、近赤外線カットフィルター用材料等の半導体レーザー利用分野で有用である。
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