JP3621712B2 - 超高磁束密度一方向性電磁鋼板の製造方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明はトランス等の鉄心に用いられる、{110}〈001〉方位すなわちゴス方位を高度に発達させた超高磁束密度一方向性電磁鋼板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一方向性電磁鋼板は、軟磁性材料として主にトランスその他の電気機器の鉄心材料に使用されているもので、磁気特性としては、励磁特性と鉄損特性が良好でなくてはならない。この励磁特性を表す指標として、通常磁束密度B8 (磁場の強さ800A/mにおける磁束密度)が用いられ、鉄損特性を表す指標として、W17/50 (50Hzで1.7Tまで磁化させたときの単位重量あたりの鉄損)が用いられている。
一方向性電磁鋼板は、製造工程の最終段階の900℃以上の温度での仕上げ焼鈍工程で2次再結晶を起こさせ、鋼板面に{110}面、圧延方向に〈001〉軸を持ったいわゆるGoss組織を発達させることによって得られている。そのなかでも、磁束密度B8 が1.88T以上の優れた励磁特性を持つものは高磁束密度一方向性電磁鋼板と呼ばれている。
【0003】
高磁束密度一方向性電磁鋼板の代表的製造方法としては、特公昭40−15644号公報、特公昭51−13469号公報等があげられる。現在世界的規模で生産されている高磁束密度一方向性電磁鋼板は、上記2特許を基本として生産されているといえる。然るに上記特許に基づく製品の磁束密度B8 は1.88T乃至高々1.95T程度であり、3%Si鋼の飽和磁束密度2.03Tの95%程度の値を示しているに過ぎない。然るに近年省エネルギー、省資源への社会的要求は益々厳しくなり、一方向性電磁鋼板の鉄損低減、磁化特性改善への要求も熾烈になってきている。
【0004】
一方、技術的には鉄損低減化の手法としてレーザー照射等の磁区制御技術が特公昭58−5968号公報、特公昭57−2252号公報等により確立され、この方法では、素材に対し更なる高磁束密度化の要求が鉄損低減への条件として強くなっている。すなわち、従来の高磁束密度一方向性電磁鋼板の磁束密度B8 を更に理想方位に近付ける手段の出現が待たれているのが現状である。
【0005】
この目標達成のための手段として、本発明者らは特公昭57−1565号公報で、従来のAl入り高磁束密度一方向性電磁鋼板の溶鋼に炭酸塩含有物を添加する方法を提案した。しかしこの方法は実験室的には実現性があるが、工業規模では実施されていないのが実情である。更に本出願人は特公昭58−50295号公報で温度勾配焼鈍法を提案した。この方法で、初めて安定して磁束密度B8 が1.95T以上の製品が得られるようになった。しかし、この方法は工場サイズのコイルフォームで実施する場合、コイル一端から加熱し、反対端部は温度勾配をつけるため冷却するという、非常に熱エネルギー的損失を伴うため工業生産としては大きな問題点をはらんでいた。
【0006】
そこで本発明者らは工業的手段で磁束密度を極めて高く、従来の高磁束密度一方向性電磁鋼板レベルから超高磁束密度一方向性電磁鋼板レベルまでに高める方法を特願平4−240702号公報、特願平4−240701号公報等で提案した。この方法により初めて超高磁束密度一方向性電磁鋼板が比較的安定に得られるようになったが、その後本発明者らが製造条件を精査したところ、場合によっては問題点があることが判明した。例えば熱延板焼鈍温度を厳密に制御しないと2次再結晶不良が発生することがあることが判明した。
そこでこの超高磁束密度一方向性電磁鋼板を極めて安定に製造する方法の確立が求められていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、かかる問題点を回避し、極めて磁束密度の高い超高磁束密度一方向性電磁鋼板を極めて安定に製造することを可能にすることを目的とする。
なお、ここで極めて磁束密度の高いとは、B 8 が1.95T以上であることを意味するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の特徴とするところは、次の通りである。
1)質量で、
C :0.03〜0.15%、 Si:2.5〜4.0%、
Mn:0.02〜0.30%、 S :0.005〜0.040%、
酸可溶性Al:0.010〜0.065%、N :0.0030〜0.0150%、
Bi:0.0005〜0.05%
を基本成分とし、残部はFe及び不可避不純物からなる溶鋼を鋳造する工程、熱延する工程、最終の冷間圧延前に高温の焼鈍をする工程、圧下率65〜95%の最終強冷延を含む1回あるいは中間焼鈍を介挿する2回以上の冷間圧延を行う工程、次いで脱炭焼鈍、焼鈍分離剤を塗布する工程、更に2次再結晶仕上げ焼鈍を行う工程からなる一方向性電磁鋼板を製造する方法において、上記熱延工程において熱延終了後の鋼板の冷却速度を70℃の水冷よりも遅くすることを特徴とするB8 :1.95T以上の超高磁束密度一方向性電磁鋼板の製造方法。
2)質量でさらに、Sn:0.05〜0.50%を含有せしめることを特徴とする1)記載のB8 :1.95T以上の超高磁束密度一方向性電磁鋼板の製造方法。
3)質量でさらに、Cu:0.01〜0.10%を含有せしめることを特徴とする2)記載のB8 :1.95T以上の超高磁束密度一方向性電磁鋼板の製造方法。
【0009】
以下本発明の詳細について説明する。
本発明者は、鋼板の磁束密度B8 が1.95T以上のいわゆる超高磁束密度一方向性電磁鋼板を安定に製造すべく種々の研究を重ねているが、窒化アルミニウムを主インヒビターとする一方向性電磁鋼板用の素材に、Biを添加含有せしめることにより、現在市販されている高磁束密度一方向性電磁鋼板の磁束密度B8 =1.93T程度をはるかに超える1.95T以上、2Tにもおよぶ超高磁束密度一方向性電磁鋼板を得、且つ、通常の高磁束密度一方向性電磁鋼板の製造において実施されている熱延終了後の鋼板巻取温度550〜650℃を500℃以下に冷却する冷却速度を制御することにより、より安定して超高磁束密度一方向性電磁鋼板を得ることに成功した。
【0010】
本発明の成分組成の限定理由を説明する。
Cは、0.03%未満では熱延に先立つスラブ再加熱時に異常粒成長し、成品において線状細粒と呼ばれる2次再結晶不良を起こすので好ましくない。一方0.15%超では脱炭焼鈍工程での脱炭が不完全になりやすく、成品での磁気時効を引き起こすので好ましくない。
Siは、2.5%未満では成品の渦電流損が増大し、また4.0%超では常温での冷延が困難になり、いずれも好ましくない。
Mn,Sは、硫化マンガン形成により補助的インヒビターとして作用させるためには上記範囲が必要である。
【0011】
酸可溶性Alは、高磁束密度一方向性電磁鋼板製造のための主要インヒビター構成元素であり、0.010%未満では量的に不足し、インヒビター強度が不足する。一方0.065%超では析出窒化アルミニウムが粗大化し、結果としてインヒビター強度を低下させるので好ましくない。
Nも、酸可溶性Al同様に主インヒビター構成元素であり、上記範囲を逸脱するとインヒビターの最適状態を壊すので好ましくない。
Biは、超高磁束密度一方向性電磁鋼板製造のための必須元素であり、添加含有量は、0.0005〜0.05%の範囲が有効である。0.0005%未満では磁束密度の向上がわずかであり、また0.05%超では磁束密度向上の効果が飽和するとともに熱延板の端部に割れが発生するので上限を0.05%に限定する。
【0012】
更に、Snについては薄手成品の2次再結晶を安定化させる元素として、また2次再結晶粒径を小さくする作用もあり、0.05%以上の添加が必要であり、添加することができる。その場合、0.50%を超えてもその作用効果が飽和するのでコストアップの点から0.50%以下に限定する。
Cuは、Sn添加材の被膜向上元素として有効であり、0.01%未満では効果が薄く、0.10%を超えると成品の磁束密度が低下するので0.01〜0.10%の範囲で添加することができる。
【0013】
次に製造プロセス条件について説明する。
上記の如く成分を調整した超高磁束密度一方向性電磁鋼板用素材は通常の如何なる溶解法、鋳造法を用いた場合でも本願発明の素材とすることができる。
【0014】
次いでこの電磁鋼板用素材は通常の熱間圧延により熱延コイルに圧延される。この熱延工程に本発明の特徴がある。通常の既に公知のインヒビターであるAlNやMnSを主インヒビターとして用いる高磁束密度一方向性電磁鋼板製造法では主にAlNの析出抑制のため熱延終了後の冷却はできるだけ速くするのが一般的で特公昭51−2290号公報では実施例に熱延終了後直ちに水中に急冷する処理が記載されている。
【0015】
然るに本発明のインヒビターとしてBiを含有する場合には、このような急冷を行った熱延板を後工程処理を施した場合に、条件によっては2次再結晶不良が生じることがあることが判明した。そこで熱延板における最適熱延条件を検討した結果、熱延終了後の冷却速度を70℃水冷よりも遅い速度で行うことで、上記熱延板焼鈍条件による不具合が完全に緩和されることを発明した。
【0016】
本発明の熱延終了後の冷却速度を70℃水冷よりも遅くすると熱延板焼鈍条件による不具合が解決できたメカニズムは必ずしも明確ではないが、本発明者は次のように推察している。1つはBiは1200℃以下のような温度ではほんの僅かしか溶解度を持たないためその分散状態は熱延板焼鈍では制御できず、既知のインヒビターであるAlNやMnSの分散状態制御のための熱延板焼鈍条件が必ずしもとれないためと考えられる。1つはBiを含有する場合BiがAlNやMnSの析出にも影響を及ぼし、熱延終了後の急冷処理では引き続く熱延板焼鈍でインヒビターの最適状態が維持できないためではないかと考えている。
【0017】
引き続いて1ステージの冷間圧延または中間焼鈍を含む複数ステージの冷間圧延によって最終板厚とするが、高磁束密度一方向性電磁鋼板を得ることから最終冷延の圧延率(1ステージの冷間圧延の場合はその圧延率)は65〜95%の強圧下が必要である。最終圧延以外のステージの圧延率は特に規定しなくてもよい。
【0018】
最終冷延前に粒成長抑止のためのインヒビター制御のために焼鈍を行う。
最終成品板厚に圧延した冷延板を、続いて通常の方法で脱炭焼鈍を行う。脱炭焼鈍の条件は特に規定しないが、好ましくは700〜900℃の温度範囲で、30秒〜30分間湿潤な水素または水素、窒素の混合雰囲気で行うのがよい。
【0019】
脱炭焼鈍後の鋼板表面には、2次再結晶焼鈍における焼き付き防止およびグラス被膜生成のため、通常の方法で通常の組成の焼鈍分離剤を塗布する。
2次再結晶焼鈍は、1000℃以上の温度で5時間以上、水素または窒素またはそれらの混合雰囲気で行う。
引き続き余分の焼鈍分離剤を除去後、コイル巻ぐせを矯正するための連続焼鈍を行い、同時に絶縁被膜を塗布、焼き付けする。
更に、必要に応じてレーザー照射等の磁区細分化処理を施す。磁区細分化の方法は特に限定する必要はない。
【0020】
【実施例】
(実施例1)
C:0.09%、Si:3.05%、Mn:0.07%、S:0.023%、酸可溶性Al:0.026%、N:0.008%、Bi:0.007%を含有する珪素鋼を溶製した。鋼片に鋳造後、1350℃に加熱し、抽出後直ちに2.3mm板厚まで熱延し、熱延後冷却条件を20℃水冷、100℃水冷、空気中放冷の3水準に変化させた。熱延板を1050℃,1150℃の2水準の温度で焼鈍し、直ちに100℃の水中に急冷した。次いで酸洗後0.30mmまで途中で250℃での時効処理を5回はさんで冷却した。引き続き850℃で脱炭焼鈍を行い、MgOを主成分とする焼鈍分離剤を塗布後1200℃の2次再結晶仕上げ焼鈍を行った。2次再結晶状況および得られた製品の磁気測定結果を表1に示す。
【0021】
【表1】
【0022】
表1より明らかなように比較例の20℃水冷では熱延板焼鈍温度1150℃の処理条件では2次再結晶率が30%と低く、磁束密度B8 も1.67Tと極めて低いのに対して、冷却速度が100℃水冷のように緩冷却の場合では熱延板焼鈍温度が1050℃はもとより1150℃の高温処理でも2次再結晶率は100%で、得られた製品の磁束密度B8 も1.98〜2.01Tと極めて高いものである。
【0023】
(実施例2)
C:0.09%、Si:3.25%、Mn:0.07%、S:0.025%、酸可溶性Al:0.026%、N:0.008%、Bi:0.007%、Sn:0.12%を含有する珪素鋼を溶製した。鋼片に鋳造後、1350℃に加熱し、抽出後直ちに2.3mm板厚まで熱延し、熱延後冷却条件を20℃水冷、100℃水冷、空気中放冷の3水準に変化させた。熱延板を1050℃,1150℃の2水準の温度で焼鈍し、直ちに100℃の水中に急冷した。次いで酸洗後0.23mmまで途中で250℃での時効処理を5回はさんで冷却した。引き続き850℃で脱炭焼鈍を行い、MgOを主成分とする焼鈍分離剤を塗布後1200℃の2次再結晶仕上げ焼鈍を行った。2次再結晶状況および得られた製品の磁気測定結果を表2に示す。
【0024】
【表2】
【0025】
表2より明らかなように比較例の20℃水冷では熱延板焼鈍温度1150℃の処理条件では2次再結晶率が20%と低く、磁束密度B8 も1.58Tと極めて低いのに対して、冷却速度が100℃水冷のように緩冷却の場合では熱延板焼鈍温度が1050℃はもとより1150℃の高温処理でも2次再結晶率は100%で、得られた製品の磁束密度B8 も1.98〜2.00Tと極めて高いものである。
【0026】
(実施例3)
C:0.08%、Si:3.30%、Mn:0.08%、S:0.026%、酸可溶性Al:0.026%、N:0.008%、Bi:0.010%、Sn:0.12%、Cu:0.05%を含有する珪素鋼を溶製した。鋼片に鋳造後、1350℃に加熱し、抽出後直ちに2.0mm板厚まで熱延し、熱延後冷却条件を20℃水冷、100℃水冷、空気中放冷の3水準に変化させた。熱延板を1050℃,1150℃の2水準の温度で焼鈍し、直ちに100℃の水中に急冷した。次いで酸洗後0.23mmまで途中で250℃での時効処理を5回はさんで冷却した。引き続き850℃で脱炭焼鈍を行い、MgOを主成分とする焼鈍分離剤を塗布後1200℃の2次再結晶仕上げ焼鈍を行った。2次再結晶状況および得られた製品の磁気測定結果を表3に示す。
【0027】
【表3】
【0028】
表3より明らかなように比較例の20℃水冷では熱延板焼鈍温度1150℃の処理条件では2次再結晶率が30%と低く、磁束密度B8 も1.63Tと極めて低いのに対して、冷却速度が100℃水冷のように緩冷却の場合では熱延板焼鈍温度が1050℃はもとより1150℃の高温処理でも2次再結晶率は100%で、得られた製品の磁束密度B8 も1.98〜2.01Tと極めて高いものである。
【0029】
【発明の効果】
本発明による熱延冷却速度を従来法よりも緩冷却する方法は、熱延板焼鈍温度を広くとっても極めて磁束密度の高い製品が安定して得られ、工業的に非常に価値の高い有益なものといえる。
Claims (3)
- 質量で、
C :0.03〜0.15%、
Si:2.5〜4.0%、
Mn:0.02〜0.30%、
S :0.005〜0.040%、
酸可溶性Al:0.010〜0.065%、
N :0.0030〜0.0150%、
Bi:0.0005〜0.05%
を基本成分とし、残部はFe及び不可避不純物からなる溶鋼を鋳造する工程、熱延する工程、最終の冷間圧延前に高温の焼鈍をする工程、圧下率65〜95%の最終強冷延を含む1回あるいは中間焼鈍を介挿する2回以上の冷間圧延を行う工程、次いで脱炭焼鈍、焼鈍分離剤を塗布する工程、更に2次再結晶仕上げ焼鈍を行う工程からなる一方向性電磁鋼板を製造する方法において、上記熱延工程において熱延終了後の鋼板の冷却速度を70℃の水冷よりも遅くすることを特徴とするB8 :1.95T以上の超高磁束密度一方向性電磁鋼板の製造方法。 - 質量でさらに、Sn:0.05〜0.50%を含有せしめることを特徴とする請求項1記載のB8 :1.95T以上の超高磁束密度一方向性電磁鋼板の製造方法。
- 質量でさらに、Cu:0.01〜0.10%を含有せしめることを特徴とする請求項2記載のB8 :1.95T以上の超高磁束密度一方向性電磁鋼板の製造方法。
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