JPH07166241A - 超高磁束密度一方向性電磁鋼板の製造方法 - Google Patents
超高磁束密度一方向性電磁鋼板の製造方法Info
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- JPH07166241A JPH07166241A JP5309501A JP30950193A JPH07166241A JP H07166241 A JPH07166241 A JP H07166241A JP 5309501 A JP5309501 A JP 5309501A JP 30950193 A JP30950193 A JP 30950193A JP H07166241 A JPH07166241 A JP H07166241A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 変圧器等に用いられる高磁束密度一方向性電
磁鋼板の磁束密度を極限まで高め、極低鉄損の製品を得
る。 【構成】 ＡｌＮ，ＭｎＳおよびＢｉを主インヒビター
とする一方向性電磁鋼板製造にあたり、熱延終了後の巻
取温度を５００℃以下の従来法よりも低温度で行う。 【効果】 鋼板素材中にＢｉを添加含有させた一方向性
電磁鋼板の製造にあたり、広い熱延板焼鈍温度範囲で安
定して極めて高い磁束密度の製品が得られる。
磁鋼板の磁束密度を極限まで高め、極低鉄損の製品を得
る。 【構成】 ＡｌＮ，ＭｎＳおよびＢｉを主インヒビター
とする一方向性電磁鋼板製造にあたり、熱延終了後の巻
取温度を５００℃以下の従来法よりも低温度で行う。 【効果】 鋼板素材中にＢｉを添加含有させた一方向性
電磁鋼板の製造にあたり、広い熱延板焼鈍温度範囲で安
定して極めて高い磁束密度の製品が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はトランス等の鉄心に用い
られる、｛１１０｝〈００１〉方位すなわちゴス方位を
高度に発達させた高磁束密度一方向性電磁鋼板に関する
ものである。
られる、｛１１０｝〈００１〉方位すなわちゴス方位を
高度に発達させた高磁束密度一方向性電磁鋼板に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】一方向性電磁鋼板は、軟磁性材料として
主にトランスその他の電気機器の鉄心材料に使用されて
いるもので、磁気特性としては、励磁特性と鉄損特性が
良好でなくてはならない。この励磁特性を表す指標とし
て、通常磁束密度Ｂ8 （磁場の強さ８００Ａ／ｍにおけ
る磁束密度）が用いられ、鉄損特性を表す指標として、
Ｗ17/50 （５０Hzで１．７Ｔまで磁化させたときの単位
重量あたりの鉄損）が用いられている。一方向性電磁鋼
板は、製造工程の最終段階の９００℃以上の温度での仕
上げ焼鈍工程で２次再結晶を起こさせ、鋼板面に｛１１
０｝面、圧延方向に〈００１〉軸を持ったいわゆるＧｏ
ｓｓ組織を発達させることによって得られている。その
なかでも、磁束密度Ｂ8 が１．８８Ｔ以上の優れた励磁
特性を持つものは高磁束密度一方向性電磁鋼板と呼ばれ
ている。
主にトランスその他の電気機器の鉄心材料に使用されて
いるもので、磁気特性としては、励磁特性と鉄損特性が
良好でなくてはならない。この励磁特性を表す指標とし
て、通常磁束密度Ｂ8 （磁場の強さ８００Ａ／ｍにおけ
る磁束密度）が用いられ、鉄損特性を表す指標として、
Ｗ17/50 （５０Hzで１．７Ｔまで磁化させたときの単位
重量あたりの鉄損）が用いられている。一方向性電磁鋼
板は、製造工程の最終段階の９００℃以上の温度での仕
上げ焼鈍工程で２次再結晶を起こさせ、鋼板面に｛１１
０｝面、圧延方向に〈００１〉軸を持ったいわゆるＧｏ
ｓｓ組織を発達させることによって得られている。その
なかでも、磁束密度Ｂ8 が１．８８Ｔ以上の優れた励磁
特性を持つものは高磁束密度一方向性電磁鋼板と呼ばれ
ている。
【０００３】高磁束密度一方向性電磁鋼板の代表的製造
方法としては、特公昭４０−１５６４４号公報、特公昭
５１−１３４６９号公報等があげられる。現在世界的規
模で生産されている高磁束密度一方向性電磁鋼板は、上
記２特許を基本として生産されているといえる。然るに
上記特許に基づく製品の磁束密度Ｂ8 は１．８８乃至高
々１．９５Ｔ程度であり、３％Ｓｉ鋼の飽和磁束密度
２．０３Ｔの９５％程度の値を示しているに過ぎない。
然るに近年省エネルギー、省資源への社会的要求は益々
厳しくなり、一方向性電磁鋼板の鉄損低減、磁化特性改
善への要求も熾烈になってきている。
方法としては、特公昭４０−１５６４４号公報、特公昭
５１−１３４６９号公報等があげられる。現在世界的規
模で生産されている高磁束密度一方向性電磁鋼板は、上
記２特許を基本として生産されているといえる。然るに
上記特許に基づく製品の磁束密度Ｂ8 は１．８８乃至高
々１．９５Ｔ程度であり、３％Ｓｉ鋼の飽和磁束密度
２．０３Ｔの９５％程度の値を示しているに過ぎない。
然るに近年省エネルギー、省資源への社会的要求は益々
厳しくなり、一方向性電磁鋼板の鉄損低減、磁化特性改
善への要求も熾烈になってきている。
【０００４】一方、技術的には鉄損低減化の手法として
レーザー照射等の磁区制御技術が特公昭５８−５９６８
号公報、特公昭５７−２２５２号公報等により確立さ
れ、この方法では、素材に対し更なる高磁束密度化の要
求が鉄損低減への条件として強くなっている。すなわ
ち、従来の高磁束密度一方向性電磁鋼板の磁束密度Ｂ8
を更に理想方位に近付ける手段の出現が待たれているの
が現状である。
レーザー照射等の磁区制御技術が特公昭５８−５９６８
号公報、特公昭５７−２２５２号公報等により確立さ
れ、この方法では、素材に対し更なる高磁束密度化の要
求が鉄損低減への条件として強くなっている。すなわ
ち、従来の高磁束密度一方向性電磁鋼板の磁束密度Ｂ8
を更に理想方位に近付ける手段の出現が待たれているの
が現状である。
【０００５】この目標達成のための手段として、本発明
者らは特公昭５７−１５６５号公報で、従来のＡｌ入り
高磁束密度一方向性電磁鋼板の溶鋼に炭酸塩含有物を添
加する方法を提案した。しかしこの方法は実験室的には
実現性があるが、工業規模では実施されていないのが実
情である。更に本出願人は特公昭５８−５０２９５号公
報で温度勾配焼鈍法を提案した。この方法で、初めて安
定して磁束密度Ｂ8 が１．９５Ｔ以上の製品が得られる
ようになった。しかし、この方法は工場サイズのコイル
フォームで実施する場合、コイル一端から加熱し、反対
端部は温度勾配をつけるため冷却するという、非常に熱
エネルギー的損失を伴うため工業生産としては大きな問
題点をはらんでいた。
者らは特公昭５７−１５６５号公報で、従来のＡｌ入り
高磁束密度一方向性電磁鋼板の溶鋼に炭酸塩含有物を添
加する方法を提案した。しかしこの方法は実験室的には
実現性があるが、工業規模では実施されていないのが実
情である。更に本出願人は特公昭５８−５０２９５号公
報で温度勾配焼鈍法を提案した。この方法で、初めて安
定して磁束密度Ｂ8 が１．９５Ｔ以上の製品が得られる
ようになった。しかし、この方法は工場サイズのコイル
フォームで実施する場合、コイル一端から加熱し、反対
端部は温度勾配をつけるため冷却するという、非常に熱
エネルギー的損失を伴うため工業生産としては大きな問
題点をはらんでいた。
【０００６】そこで本発明者らは工業的手段で磁束密度
を極めて高く、従来の高磁束密度一方向性電磁鋼板レベ
ルから超高磁束密度一方向性電磁鋼板レベルまでに高め
る方法を特願平４−２４０７０２号公報、特願平４−２
４０７０１号公報等で提案した。この方法により初めて
超高磁束密度一方向性電磁鋼板が比較的安定に得られる
ようになったが、その後本発明者らが製造条件を精査し
たところ、場合によっては問題点があることが判明し
た。例えば熱延板焼鈍温度を厳密に制御しないと２次再
結晶不良が発生することがあることが判明した。そこで
この超高磁束密度一方向性電磁鋼板を極めて安定に製造
する方法の確立が求められていた。
を極めて高く、従来の高磁束密度一方向性電磁鋼板レベ
ルから超高磁束密度一方向性電磁鋼板レベルまでに高め
る方法を特願平４−２４０７０２号公報、特願平４−２
４０７０１号公報等で提案した。この方法により初めて
超高磁束密度一方向性電磁鋼板が比較的安定に得られる
ようになったが、その後本発明者らが製造条件を精査し
たところ、場合によっては問題点があることが判明し
た。例えば熱延板焼鈍温度を厳密に制御しないと２次再
結晶不良が発生することがあることが判明した。そこで
この超高磁束密度一方向性電磁鋼板を極めて安定に製造
する方法の確立が求められていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる問題
点を回避し、極めて磁束密度の高い超高磁束密度一方向
性電磁鋼板を極めて安定に製造することを可能にするこ
とを目的とする。
点を回避し、極めて磁束密度の高い超高磁束密度一方向
性電磁鋼板を極めて安定に製造することを可能にするこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴とするとこ
ろは、次の通りである。 １）重量で、Ｃ：０．０３〜０．１５％、Ｓｉ：２．５
〜４．０％、Ｍｎ：０．０２〜０．３０％、Ｓ：０．０
０５〜０．０４０％、酸可溶性Ａｌ：０．０１０〜０．
０６５％、Ｎ：０．００３０〜０．０１５０％、Ｂｉ：
０．０００５〜０．０５％を基本成分とし、不可避不純
物を含み残部は実質的にＦｅからなる溶鋼を鋳造する工
程、熱延する工程、最終の冷間圧延前に高温の焼鈍をす
る工程、圧下率６５〜９５％の最終強冷延を含む１回あ
るいは中間焼鈍を介挿する２回以上の冷間圧延を行う工
程、次いで脱炭焼鈍、焼鈍分離剤を塗布する工程、更に
２次再結晶仕上げ焼鈍を行う工程からなる一方向性電磁
鋼板を製造する方法において、上記熱延工程において熱
延終了後の巻取温度を５００℃以下とすることを特徴と
する超高磁束密度一方向性電磁鋼板の製造方法。 ２）Ｓｎ：０．０５〜０．５０％を含有せしめることを
特徴とする１）記載の超高磁束密度一方向性電磁鋼板の
製造方法。 ３）Ｃｕ：０．０１〜０．１０％を含有せしめることを
特徴とする２）記載の超高磁束密度一方向性電磁鋼板の
製造方法。
ろは、次の通りである。 １）重量で、Ｃ：０．０３〜０．１５％、Ｓｉ：２．５
〜４．０％、Ｍｎ：０．０２〜０．３０％、Ｓ：０．０
０５〜０．０４０％、酸可溶性Ａｌ：０．０１０〜０．
０６５％、Ｎ：０．００３０〜０．０１５０％、Ｂｉ：
０．０００５〜０．０５％を基本成分とし、不可避不純
物を含み残部は実質的にＦｅからなる溶鋼を鋳造する工
程、熱延する工程、最終の冷間圧延前に高温の焼鈍をす
る工程、圧下率６５〜９５％の最終強冷延を含む１回あ
るいは中間焼鈍を介挿する２回以上の冷間圧延を行う工
程、次いで脱炭焼鈍、焼鈍分離剤を塗布する工程、更に
２次再結晶仕上げ焼鈍を行う工程からなる一方向性電磁
鋼板を製造する方法において、上記熱延工程において熱
延終了後の巻取温度を５００℃以下とすることを特徴と
する超高磁束密度一方向性電磁鋼板の製造方法。 ２）Ｓｎ：０．０５〜０．５０％を含有せしめることを
特徴とする１）記載の超高磁束密度一方向性電磁鋼板の
製造方法。 ３）Ｃｕ：０．０１〜０．１０％を含有せしめることを
特徴とする２）記載の超高磁束密度一方向性電磁鋼板の
製造方法。
【０００９】以下本発明の詳細について説明する。本発
明者は、鋼板の磁束密度Ｂ8 が１．９５Ｔ以上のいわゆ
る超高磁束密度一方向性電磁鋼板を安定に製造すべく種
々の研究を重ねているが、窒化アルミニウムを主インヒ
ビターとする一方向性電磁鋼板用の素材に、Ｂｉを添加
含有せしめることにより、現在市販されている高磁束密
度一方向性電磁鋼板の磁束密度Ｂ8＝１．９３Ｔ程度を
はるかに超える１．９５Ｔ以上、２Ｔにもおよぶ超高磁
束密度一方向性電磁鋼板を得、且つ、通常の高磁束密度
一方向性電磁鋼板の製造において実施されている熱延終
了後の鋼板巻取温度５５０〜６５０℃を５００℃以下に
制御することにより、より安定して超高磁束密度一方向
性電磁鋼板を得ることに成功した。
明者は、鋼板の磁束密度Ｂ8 が１．９５Ｔ以上のいわゆ
る超高磁束密度一方向性電磁鋼板を安定に製造すべく種
々の研究を重ねているが、窒化アルミニウムを主インヒ
ビターとする一方向性電磁鋼板用の素材に、Ｂｉを添加
含有せしめることにより、現在市販されている高磁束密
度一方向性電磁鋼板の磁束密度Ｂ8＝１．９３Ｔ程度を
はるかに超える１．９５Ｔ以上、２Ｔにもおよぶ超高磁
束密度一方向性電磁鋼板を得、且つ、通常の高磁束密度
一方向性電磁鋼板の製造において実施されている熱延終
了後の鋼板巻取温度５５０〜６５０℃を５００℃以下に
制御することにより、より安定して超高磁束密度一方向
性電磁鋼板を得ることに成功した。
【００１０】本発明の成分組成の限定理由を説明する。
Ｃは、０．０３％未満では熱延に先立つスラブ再加熱時
に異常粒成長し、成品において線状細粒と呼ばれる２次
再結晶不良を起こすので好ましくない。一方０．１５％
超では脱炭焼鈍工程での脱炭が不完全になりやすく、成
品での磁気時効を引き起こすので好ましくない。Ｓｉ
は、２．５％未満では成品の渦電流損が増大し、また
４．０％超では常温での冷延が困難になり、いずれも好
ましくない。Ｍｎ，Ｓは、硫化マンガン形成により補助
的インヒビターとして作用させるためには上記範囲が必
要である。
Ｃは、０．０３％未満では熱延に先立つスラブ再加熱時
に異常粒成長し、成品において線状細粒と呼ばれる２次
再結晶不良を起こすので好ましくない。一方０．１５％
超では脱炭焼鈍工程での脱炭が不完全になりやすく、成
品での磁気時効を引き起こすので好ましくない。Ｓｉ
は、２．５％未満では成品の渦電流損が増大し、また
４．０％超では常温での冷延が困難になり、いずれも好
ましくない。Ｍｎ，Ｓは、硫化マンガン形成により補助
的インヒビターとして作用させるためには上記範囲が必
要である。
【００１１】酸可溶性Ａｌは、高磁束密度一方向性電磁
鋼板製造のための主要インヒビター構成元素であり、
０．０１０％未満では量的に不足し、インヒビター強度
が不足する。一方０．０６５％超では析出窒化アルミニ
ウムが粗大化し、結果としてインヒビター強度を低下さ
せるので好ましくない。Ｎも、酸可溶性Ａｌ同様に主イ
ンヒビター構成元素であり、上記範囲を逸脱するとイン
ヒビターの最適状態を壊すので好ましくない。Ｂｉは、
超高磁束密度一方向性電磁鋼板製造のための必須元素で
あり、添加含有量は、０．０００５〜０．０５％の範囲
が有効である。０．０００５％未満では磁束密度の向上
がわずかであり、また０．０５％超では磁束密度向上の
効果が飽和するとともに熱延板の端部に割れが発生する
ので上限を０．０５％に限定する。
鋼板製造のための主要インヒビター構成元素であり、
０．０１０％未満では量的に不足し、インヒビター強度
が不足する。一方０．０６５％超では析出窒化アルミニ
ウムが粗大化し、結果としてインヒビター強度を低下さ
せるので好ましくない。Ｎも、酸可溶性Ａｌ同様に主イ
ンヒビター構成元素であり、上記範囲を逸脱するとイン
ヒビターの最適状態を壊すので好ましくない。Ｂｉは、
超高磁束密度一方向性電磁鋼板製造のための必須元素で
あり、添加含有量は、０．０００５〜０．０５％の範囲
が有効である。０．０００５％未満では磁束密度の向上
がわずかであり、また０．０５％超では磁束密度向上の
効果が飽和するとともに熱延板の端部に割れが発生する
ので上限を０．０５％に限定する。
【００１２】更に、Ｓｎについては薄手成品の２次再結
晶を安定化させる元素として、また２次再結晶粒径を小
さくする作用もあり、０．０５％以上の添加が必要であ
り、添加することができる。その場合、０．５０％を超
えてもその作用効果が飽和するのでコストアップの点か
ら０．５０％以下に限定する。Ｃｕは、Ｓｎ添加材の被
膜向上元素として有効であり、０．０１％未満では効果
が薄く、０．１０％を超えると成品の磁束密度が低下す
るので０．０１〜０．１０％の範囲で添加することがで
きる。
晶を安定化させる元素として、また２次再結晶粒径を小
さくする作用もあり、０．０５％以上の添加が必要であ
り、添加することができる。その場合、０．５０％を超
えてもその作用効果が飽和するのでコストアップの点か
ら０．５０％以下に限定する。Ｃｕは、Ｓｎ添加材の被
膜向上元素として有効であり、０．０１％未満では効果
が薄く、０．１０％を超えると成品の磁束密度が低下す
るので０．０１〜０．１０％の範囲で添加することがで
きる。
【００１３】次に製造プロセス条件について説明する。
上記の如く成分を調整した超高磁束密度一方向性電磁鋼
板用素材は通常の如何なる溶解法、鋳造法を用いた場合
でも本願発明の素材とすることができる。
上記の如く成分を調整した超高磁束密度一方向性電磁鋼
板用素材は通常の如何なる溶解法、鋳造法を用いた場合
でも本願発明の素材とすることができる。
【００１４】次いでこの電磁鋼板用素材は通常の熱間圧
延により熱延コイルに圧延される。この熱延工程に本発
明の特徴がある。通常の既に公知のインヒビターであ
る、ＡｌＮやＭｎＳを主インヒビターとして用いる高磁
束密度一方向性電磁鋼板製造法では主にＡｌＮの析出抑
制のため熱延終了後の巻取温度は析出温度域以下の５５
０〜６５０℃程度が選択されているのが実態であった。
延により熱延コイルに圧延される。この熱延工程に本発
明の特徴がある。通常の既に公知のインヒビターであ
る、ＡｌＮやＭｎＳを主インヒビターとして用いる高磁
束密度一方向性電磁鋼板製造法では主にＡｌＮの析出抑
制のため熱延終了後の巻取温度は析出温度域以下の５５
０〜６５０℃程度が選択されているのが実態であった。
【００１５】然るに本発明の主インヒビターであるＡｌ
Ｎ，ＭｎＳおよびＢｉを含有する場合は、Ｂｉ添加によ
るＡｌＮ，ＭｎＳ等の微細析出促進作用があり、従来の
巻取温度域では既に熱延板の状態でかなりの微細析出物
が存在し、引き続く熱延板焼鈍におけるインヒビター制
御処理が完全に行われないことがあることが判明した。
そこで熱延板における最適熱延条件を検討した結果、熱
延終了後の巻取温度を５００℃以下に制御することで、
上記熱延板焼鈍条件による不具合が完全に緩和されるこ
とを発明した。
Ｎ，ＭｎＳおよびＢｉを含有する場合は、Ｂｉ添加によ
るＡｌＮ，ＭｎＳ等の微細析出促進作用があり、従来の
巻取温度域では既に熱延板の状態でかなりの微細析出物
が存在し、引き続く熱延板焼鈍におけるインヒビター制
御処理が完全に行われないことがあることが判明した。
そこで熱延板における最適熱延条件を検討した結果、熱
延終了後の巻取温度を５００℃以下に制御することで、
上記熱延板焼鈍条件による不具合が完全に緩和されるこ
とを発明した。
【００１６】本発明の熱延終了後の巻取温度を５００℃
以下の低温度にすれば熱延板焼鈍条件による不具合が解
決できたメカニズムは必ずしも明確ではないが、本発明
者は次のように推察している。１つは上記したようなＢ
ｉのＡｌＮ等の既存インヒビターの析出促進を低温度で
巻き取ることにより防止すること。１つはＢｉそのもの
の析出に影響しているものと考えられる。更にＢｉ添加
材は熱延過程での再結晶が抑制されているため、結晶組
織が繊維状組織になりやすく、この状態は巻取温度が高
いほど加工組織の回復が進行し、結果として熱延板焼鈍
してもこの繊維状組織が維持され２次再結晶不良につな
がるものと考えられる。
以下の低温度にすれば熱延板焼鈍条件による不具合が解
決できたメカニズムは必ずしも明確ではないが、本発明
者は次のように推察している。１つは上記したようなＢ
ｉのＡｌＮ等の既存インヒビターの析出促進を低温度で
巻き取ることにより防止すること。１つはＢｉそのもの
の析出に影響しているものと考えられる。更にＢｉ添加
材は熱延過程での再結晶が抑制されているため、結晶組
織が繊維状組織になりやすく、この状態は巻取温度が高
いほど加工組織の回復が進行し、結果として熱延板焼鈍
してもこの繊維状組織が維持され２次再結晶不良につな
がるものと考えられる。
【００１７】引き続いて１ステージの冷間圧延または中
間焼鈍を含む複数ステージの冷間圧延によって最終板厚
とするが、高磁束密度一方向性電磁鋼板を得ることから
最終冷延の圧延率（１ステージの冷間圧延の場合はその
圧延率）は６５〜９５％の強圧下が必要である。最終圧
延以外のステージの圧延率は特に規定しなくてもよい。
間焼鈍を含む複数ステージの冷間圧延によって最終板厚
とするが、高磁束密度一方向性電磁鋼板を得ることから
最終冷延の圧延率（１ステージの冷間圧延の場合はその
圧延率）は６５〜９５％の強圧下が必要である。最終圧
延以外のステージの圧延率は特に規定しなくてもよい。
【００１８】最終冷延前に粒成長抑止のためのインヒビ
ター制御のために焼鈍を行う。最終成品板厚に圧延した
冷延板を、続いて通常の方法で脱炭焼鈍を行う。脱炭焼
鈍の条件は特に規定しないが、好ましくは７００〜９０
０℃の温度範囲で、３０秒〜３０分間湿潤な水素または
水素、窒素の混合雰囲気で行うのがよい。
ター制御のために焼鈍を行う。最終成品板厚に圧延した
冷延板を、続いて通常の方法で脱炭焼鈍を行う。脱炭焼
鈍の条件は特に規定しないが、好ましくは７００〜９０
０℃の温度範囲で、３０秒〜３０分間湿潤な水素または
水素、窒素の混合雰囲気で行うのがよい。
【００１９】脱炭焼鈍後の鋼板表面には、２次再結晶焼
鈍における焼き付き防止およびグラス被膜生成のため、
通常の方法で通常の組成の焼鈍分離剤を塗布する。２次
再結晶焼鈍は、１０００℃以上の温度で５時間以上、水
素または窒素またはそれらの混合雰囲気で行う。引き続
き余分の焼鈍分離剤を除去後、コイル巻ぐせを矯正する
ための連続焼鈍を行い、同時に絶縁被膜を塗布、焼き付
けする。更に、必要に応じてレーザー照射等の磁区細分
化処理を施す。磁区細分化の方法は特に限定する必要は
ない。
鈍における焼き付き防止およびグラス被膜生成のため、
通常の方法で通常の組成の焼鈍分離剤を塗布する。２次
再結晶焼鈍は、１０００℃以上の温度で５時間以上、水
素または窒素またはそれらの混合雰囲気で行う。引き続
き余分の焼鈍分離剤を除去後、コイル巻ぐせを矯正する
ための連続焼鈍を行い、同時に絶縁被膜を塗布、焼き付
けする。更に、必要に応じてレーザー照射等の磁区細分
化処理を施す。磁区細分化の方法は特に限定する必要は
ない。
【００２０】
（実施例１）Ｃ：０．０９％、Ｓｉ：３．０５％、Ｍ
ｎ：０．０７％、Ｓ：０．０２３％、酸可溶性Ａｌ：
０．０２６％、Ｎ：０．００８％、Ｂｉ：０．００７％
を含有する珪素鋼を溶製した。鋼片に鋳造後、１３５０
℃に加熱し、抽出後直ちに２．３mm板厚まで熱延し、熱
延後巻取温度を３５０℃，４５０℃，５５０℃の３水準
に変化させた。熱延板を１０５０℃，１１５０℃の２水
準の温度で焼鈍し、直ちに１００℃の水中に急冷した。
次いで酸洗後０．３０mmまで途中で２５０℃での時効処
理を５回はさんで冷却した。引き続き８５０℃で脱炭焼
鈍を行い、ＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗布後１
２００℃の２次再結晶仕上げ焼鈍を行った。２次再結晶
状況および得られた製品の磁気測定結果を表１に示す。
ｎ：０．０７％、Ｓ：０．０２３％、酸可溶性Ａｌ：
０．０２６％、Ｎ：０．００８％、Ｂｉ：０．００７％
を含有する珪素鋼を溶製した。鋼片に鋳造後、１３５０
℃に加熱し、抽出後直ちに２．３mm板厚まで熱延し、熱
延後巻取温度を３５０℃，４５０℃，５５０℃の３水準
に変化させた。熱延板を１０５０℃，１１５０℃の２水
準の温度で焼鈍し、直ちに１００℃の水中に急冷した。
次いで酸洗後０．３０mmまで途中で２５０℃での時効処
理を５回はさんで冷却した。引き続き８５０℃で脱炭焼
鈍を行い、ＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗布後１
２００℃の２次再結晶仕上げ焼鈍を行った。２次再結晶
状況および得られた製品の磁気測定結果を表１に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１より明らかなように比較例の５５０℃
熱延巻取では熱延板焼鈍温度１１５０℃の処理条件では
２次再結晶率が３０％と低く、磁束密度Ｂ8 も１．６７
Ｔと極めて低いのに対して、巻取温度が４５０℃以下の
熱延板では熱延板焼鈍温度が１０５０℃はもとより１１
５０℃の高温処理でも２次再結晶率は１００％で、得ら
れた製品の磁束密度Ｂ8 も１．９８〜２．０１Ｔと極め
て高いものである。
熱延巻取では熱延板焼鈍温度１１５０℃の処理条件では
２次再結晶率が３０％と低く、磁束密度Ｂ8 も１．６７
Ｔと極めて低いのに対して、巻取温度が４５０℃以下の
熱延板では熱延板焼鈍温度が１０５０℃はもとより１１
５０℃の高温処理でも２次再結晶率は１００％で、得ら
れた製品の磁束密度Ｂ8 も１．９８〜２．０１Ｔと極め
て高いものである。
【００２３】（実施例２）Ｃ：０．０９％、Ｓｉ：３．
２５％、Ｍｎ：０．０７％、Ｓ：０．０２５％、酸可溶
性Ａｌ：０．０２６％、Ｎ：０．００８％、Ｂｉ：０．
００７％、Ｓｎ：０．１２％を含有する珪素鋼を溶製し
た。鋼片に鋳造後、１３５０℃に加熱し、抽出後直ちに
２．３mm板厚まで熱延し、熱延後巻取温度を３５０℃，
４５０℃，５５０℃の３水準に変化させた。熱延板を１
０５０℃，１１５０℃の２水準の温度で焼鈍し、直ちに
１００℃の水中に急冷した。次いで酸洗後０．２３mmま
で途中で２５０℃での時効処理を５回はさんで冷却し
た。引き続き８５０℃で脱炭焼鈍を行い、ＭｇＯを主成
分とする焼鈍分離剤を塗布後１２００℃の２次再結晶仕
上げ焼鈍を行った。２次再結晶状況および得られた製品
の磁気測定結果を表２に示す。
２５％、Ｍｎ：０．０７％、Ｓ：０．０２５％、酸可溶
性Ａｌ：０．０２６％、Ｎ：０．００８％、Ｂｉ：０．
００７％、Ｓｎ：０．１２％を含有する珪素鋼を溶製し
た。鋼片に鋳造後、１３５０℃に加熱し、抽出後直ちに
２．３mm板厚まで熱延し、熱延後巻取温度を３５０℃，
４５０℃，５５０℃の３水準に変化させた。熱延板を１
０５０℃，１１５０℃の２水準の温度で焼鈍し、直ちに
１００℃の水中に急冷した。次いで酸洗後０．２３mmま
で途中で２５０℃での時効処理を５回はさんで冷却し
た。引き続き８５０℃で脱炭焼鈍を行い、ＭｇＯを主成
分とする焼鈍分離剤を塗布後１２００℃の２次再結晶仕
上げ焼鈍を行った。２次再結晶状況および得られた製品
の磁気測定結果を表２に示す。
【００２４】
【表２】
【００２５】表２より明らかなように比較例の５５０℃
熱延巻取では熱延板焼鈍温度１１５０℃の処理条件では
２次再結晶率が２０％と低く、磁束密度Ｂ8 も１．５８
Ｔと極めて低いのに対して、巻取温度が４５０℃以下の
熱延板では熱延板焼鈍温度が１０５０℃はもとより１１
５０℃の高温処理でも２次再結晶率は１００％で、得ら
れた製品の磁束密度Ｂ8 も１．９８〜２．００Ｔと極め
て高いものである。
熱延巻取では熱延板焼鈍温度１１５０℃の処理条件では
２次再結晶率が２０％と低く、磁束密度Ｂ8 も１．５８
Ｔと極めて低いのに対して、巻取温度が４５０℃以下の
熱延板では熱延板焼鈍温度が１０５０℃はもとより１１
５０℃の高温処理でも２次再結晶率は１００％で、得ら
れた製品の磁束密度Ｂ8 も１．９８〜２．００Ｔと極め
て高いものである。
【００２６】（実施例３）Ｃ：０．０８％、Ｓｉ：３．
３０％、Ｍｎ：０．０８％、Ｓ：０．０２６％、酸可溶
性Ａｌ：０．０２６％、Ｎ：０．００８％、Ｂｉ：０．
０１０％、Ｓｎ：０．１２％、Ｃｕ：０．０５％を含有
する珪素鋼を溶製した。鋼片に鋳造後、１３５０℃に加
熱し、抽出後直ちに２．０mm板厚まで熱延し、熱延後巻
取温度を３５０℃，４５０℃，５５０℃の３水準に変化
させた。熱延板を１０５０℃，１１５０℃の２水準の温
度で焼鈍し、直ちに１００℃の水中に急冷した。次いで
酸洗後０．２３mmまで途中で２５０℃での時効処理を５
回はさんで冷却した。引き続き８５０℃で脱炭焼鈍を行
い、ＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗布後１２００
℃の２次再結晶仕上げ焼鈍を行った。２次再結晶状況お
よび得られた製品の磁気測定結果を表３に示す。
３０％、Ｍｎ：０．０８％、Ｓ：０．０２６％、酸可溶
性Ａｌ：０．０２６％、Ｎ：０．００８％、Ｂｉ：０．
０１０％、Ｓｎ：０．１２％、Ｃｕ：０．０５％を含有
する珪素鋼を溶製した。鋼片に鋳造後、１３５０℃に加
熱し、抽出後直ちに２．０mm板厚まで熱延し、熱延後巻
取温度を３５０℃，４５０℃，５５０℃の３水準に変化
させた。熱延板を１０５０℃，１１５０℃の２水準の温
度で焼鈍し、直ちに１００℃の水中に急冷した。次いで
酸洗後０．２３mmまで途中で２５０℃での時効処理を５
回はさんで冷却した。引き続き８５０℃で脱炭焼鈍を行
い、ＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗布後１２００
℃の２次再結晶仕上げ焼鈍を行った。２次再結晶状況お
よび得られた製品の磁気測定結果を表３に示す。
【００２７】
【表３】
【００２８】表３より明らかなように比較例の５５０℃
熱延巻取では熱延板焼鈍温度１１５０℃の処理条件では
２次再結晶率が３０％と低く、磁束密度Ｂ8 も１．６３
Ｔと極めて低いのに対して、巻取温度が４５０℃以下の
熱延板では熱延板焼鈍温度が１０５０℃はもとより１１
５０℃の高温処理でも２次再結晶率は１００％で、得ら
れた製品の磁束密度Ｂ8 も１．９８〜２．０１Ｔと極め
て高いものである。
熱延巻取では熱延板焼鈍温度１１５０℃の処理条件では
２次再結晶率が３０％と低く、磁束密度Ｂ8 も１．６３
Ｔと極めて低いのに対して、巻取温度が４５０℃以下の
熱延板では熱延板焼鈍温度が１０５０℃はもとより１１
５０℃の高温処理でも２次再結晶率は１００％で、得ら
れた製品の磁束密度Ｂ8 も１．９８〜２．０１Ｔと極め
て高いものである。
【００２９】
【発明の効果】本発明による熱延巻取温度を低温度に制
御する本発明の方法は、熱延板焼鈍温度を広くとっても
極めて磁束密度の高い製品が安定して得られ、工業的に
非常に価値の高い有益なものといえる。
御する本発明の方法は、熱延板焼鈍温度を広くとっても
極めて磁束密度の高い製品が安定して得られ、工業的に
非常に価値の高い有益なものといえる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２２Ｃ 38/16
Claims (3)
- 【請求項１】 重量で、 Ｃ ：０．０３〜０．１５％、 Ｓｉ：２．５〜４．０％、 Ｍｎ：０．０２〜０．３０％、 Ｓ ：０．００５〜０．０４０％、 酸可溶性Ａｌ：０．０１０〜０．０６５％、 Ｎ ：０．００３０〜０．０１５０％、 Ｂｉ：０．０００５〜０．０５％ を基本成分とし、不可避不純物を含み残部は実質的にＦ
ｅからなる溶鋼を鋳造する工程、熱延する工程、最終の
冷間圧延前に高温の焼鈍をする工程、圧下率６５〜９５
％の最終強冷延を含む１回あるいは中間焼鈍を介挿する
２回以上の冷間圧延を行う工程、次いで脱炭焼鈍、焼鈍
分離剤を塗布する工程、更に２次再結晶仕上げ焼鈍を行
う工程からなる一方向性電磁鋼板を製造する方法におい
て、上記熱延工程において熱延終了後の巻取温度を５０
０℃以下とすることを特徴とする超高磁束密度一方向性
電磁鋼板の製造方法。 - 【請求項２】 Ｓｎ：０．０５〜０．５０％を含有せし
めることを特徴とする請求項１記載の超高磁束密度一方
向性電磁鋼板の製造方法。 - 【請求項３】 Ｃｕ：０．０１〜０．１０％を含有せし
めることを特徴とする請求項２記載の超高磁束密度一方
向性電磁鋼板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5309501A JPH07166241A (ja) | 1993-12-09 | 1993-12-09 | 超高磁束密度一方向性電磁鋼板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5309501A JPH07166241A (ja) | 1993-12-09 | 1993-12-09 | 超高磁束密度一方向性電磁鋼板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07166241A true JPH07166241A (ja) | 1995-06-27 |
Family
ID=17993758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5309501A Pending JPH07166241A (ja) | 1993-12-09 | 1993-12-09 | 超高磁束密度一方向性電磁鋼板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07166241A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113921261A (zh) * | 2021-08-12 | 2022-01-11 | 泮敏翔 | 一种高性能高电阻率复合磁体的制备方法 |
-
1993
- 1993-12-09 JP JP5309501A patent/JPH07166241A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113921261A (zh) * | 2021-08-12 | 2022-01-11 | 泮敏翔 | 一种高性能高电阻率复合磁体的制备方法 |
| CN113921261B (zh) * | 2021-08-12 | 2023-10-20 | 中国计量大学 | 一种高性能高电阻率复合磁体的制备方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040224 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040622 |