KR950002895B1 - 초고규소 방향성 전자강판 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

초고규소 방향성 전자강판 및 그 제조방법

일방향성 전자강판은 강판면이{110}면이고 압연방향으로 ＜1＞을 가지는 소위 고스방위(밀러지수로{110}＜1＞ 방위로 표시)를 갖고 있는 결정립으로 구성되어있고 연자성 재료로서 변압기, 발전기등 대형 회전기의 철심으로 사용된다. 이 강판은 자기특성으로서 자화특성과 철손특성이 양호화하지 않으면 안된다. 자화특성의 양호여부는 걸려진 일정한 자력하에서 철심내에 유기되는 자속밀도의 높이에 의해 결정된다. 연자성 재료(일방향성 전자강판)의 자석밀도를 높이하는 것은, 강판 결정립의 방위를{110}＜1＞ 방위로 고도로 배향시킴으로써 달성할 수 있다.

철손은 철심에 소정의 교류자장을 부여했을 때에 열에너지로서 소비되는 전력손실이다. 일방향성 전자강판의 철손특성의 양호여부에는 자속밀도, 판두께, 불순물량, 비저항, 결정립의 크기등이 영향을 미친다. 자속밀도(통상 B₈값으로 표시)가 높은 일방향성 전자강판은, 전기기기를 소형화는 것을 가능하게함과 동시에, 철손치도 낮은(양호한) 것으로 되기 때문에, 당해 기술분야에 있어서는 일방향성 전자강판의 자속밀도를 높이는 것에 노력이 경주되어 왔다.

그런데, 일방향성 전자강판은 열간압연과 냉간압연과 소둔의 적절한 조합에 의해 최종판두께로 된 강판을 마무리 고온소둔함으로써, {110}＜1＞ 방위를 갖고있는 일차 재결정립이 선택성장하는, 소위 이차 재결정에 의해 얻어진다. 이차 재결정은 a) 이차 재결정전의 강판중에 미세한 석출물, 예컨대 MnS, AN, MnSe 등이 존재할 것, 또는 Sn, Sb, P등의 입계존재형의 원소가 존재할 것(인히비터라 불리움), b) 적절한 일차 재결정 조직, 예컨대 결정립이 균일한 것 또는, {110}＜1＞ 방위립이 성장하기 쉬운 집합조직일 것, 라고 하는 조건이 만족될 때에 달성된다.

이와 같은 일방향성 전자강판의 제조방법중에서 특히 높은 자속밀도를 가지는 제품을 얻을 수 있는 제조기술로서, 다구찌, 이다구라에 의해 특공소 40-15644호 공보에 개시된, α→γ 변태성분계중에서 조절된 AN을 인히비터로서 활용하고 또한 강냉간압연후의 일차 재결정 조직과의 병용을 특징으로 하는 기술이 있다. 이 기술을 개량한 것에 특공소 54-13846호 공보에 개시된 냉간압연에 있어서의 패스사이에서 강판을 50∼350℃의 온도영역에서 유지하는 과정을 포함한 제조기술이 있다.

특공소 40-15644호 공보에 개시된 기술에 있어서의 문제점은, 제품의 철손을 낮게하기 위해 Si의 함유량을 증대시키면 특공소 61-60896호 공보에 기재되어 있는 바와 같이, 제품의 선형상의 이차 재결정 불량부가 발생하고 높은 자속밀도를 갖고있는 제품을 얻을 수 없다. 또, 특개소 48-51852호 공보에 개시되어 있는 바와같이, 상기 특공소 40-15644호 공보에 개시된 기술에 있어서는, 열간압연중에 α→γ 변태가 생기는것이 필연적이기 때문에 Si의 함유량을 많게할 수록 C 함유량을 많게할 필요가 있고, 또한 고온에서 열간압연도 필요하기 때문에, Si의 함유량을 많게하는 것에 한계가 있다. 이와 같은 과제를 해결하는 기술로서 특공소 61-60896호 공보, 특공소 62-45285호 공보에 개시된 기술이 있다.

한편, 특개소 56-13433호 공보에는 규소강판의 냉간압연성을 향상시키기 위해 강중 C를 0.02% 이하로 하는 것이 개시되어 있다. 이 공보에 있어서는, 냉각압연성 향상의 관점에서 C는 가급적으로 적게할 필요가 있다고 되고 0.004% 이하로 하는 것이 권장되어 있다. 상술의 일방향성 전자강판의 제조기술에 있어서는 어느 것도 강중 Si량이 고작 4.8%이다.

일반적으로 널리 알려져 있는 바와 같이, Si량이 약 6.5%로 되면 제품의 투자율이 극히 높아지고 뛰어난 자기특성을 표시하게 된다. 6.5% Si 함유 일방향성 전자강판은 차세대 재료로서 기대되어 있음에도 불구하고, 그 제조기술에 관한 개시는 극히 적다.

(발명의 개시)

본 발명은 종래, 이차 재결정이 곤란하다고 생각되었던 고(5∼7.1%) Si 함유강에 대하여, 높은 배향도로 이차 재결정시키는 기술과, 극히 취약하기 때문에 냉간압연하는 것이 극히 곤란하였던 고(5∼7.1%) Si 함유강을 냉간 압연하는 기술을 양립시켜서, 5∼7.1% Si 함유 일방향성 전자강판 및 그 제조방법을 제공하는것을 목적으로 한다.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해 강성분과 냉간압연의 압연온도를 특정함으로써 냉간압연성을 대폭적으로 향상함과 동시에 탈탄소둔으로부터 마무리 소둔에 있어서의 이차 재결정 개시까지에서 질화처리를 시행하여 이차 재결정을 충분히 석출시킨 것이고, 이것에 의해 6.5% Si라고 하는 높은 Si 함유량의 뛰어난 자기특성을 갖고있는 궁극의 일방향성 전자강판을 얻을 수가 있었던 것이다.

즉, 본 발명의 요지로 하는 것은 중량으로 Si : 5∼7.1%를 함유하고, 잔부가 실질적으로 Fe로 이루어지고 압연에 의해 최종판두께로 되고, 또한 방위배향도(R)(B₈/Bs)가 0.87 이상인 이차 재결정 조직을 갖고 있는, 50Hz에서의 여자시의 자속밀도(B₈)가 1.57 이상인 초고규소 방향성 전자강판에 있다.

또한 본 발명의 다른 요지는 중량으로 C : 0.005∼0.023%, Si : 5∼7.1%, S0.014%, 산가용성 A: 0.013∼0.055%, 전체 N0.0095%, 잔부 Fe 및 불가피한 불순물로 이루어지는 초고규소강판을 필요에 의해 800∼1100℃의 온도영역에서 소둔하고 120∼380℃의 온도영역으로 냉간압연하고 탈탄소둔하고 소둔분리제를 도포하고 권취하여 스트립 코일로 한후, 이차 재결정을 목적으로하는 마무리 고온소둔을 시행함과 동시에, 상기 탈탄소둔으로부터 마무리 고온소둔공정에 있어서의 이차 재결정 개시까지의 어느 과정에서 강판에 질화처리를 시행하여 질소를 증가시키는 초고규소 방향성 전자강판의 제조방법에 있다.

(발명을 실시하기 위한 최량의 형태)

다음에, 본 발명을 실시하기 위한 최량의 형태를 도면에 의거하여 설명한다.

통상 강중의 Si 함유량을 증가시키면 철손이 낮아진다. 특히, Si : 6.5% 부근에서는 자기왜곡(磁歪)이 최소로 되기 때문에, 변압기의 철심에 사용하면 소음이 작고 극히 형편이 좋아지는 것이 무방향성 전자강판등에서 명백하게 되어 있다(J.Appl.Phys., vol. 64, No. 10(1988) 5376).

본 발명자들은 이러한 재료에 대하여 방향성 전자강판의 제조의 가능성을 검토하여 본 바, 상기 고 Si 함유강에 대하여 이차 재결정에 의한 집합조직 제어를 행하고, 결정립의 방위집적도를 높임으로써, 압연방향으로 자화했을 때의 철손을 양호하게 할 수 있는 것을 발견했다.

본 발명의 초고규소 일방향성 전자강판은 결정립의 방위집적도가 높고, 동일판두께의 종래의 전자강판보다 양호한 철손특성을 갖고있다.

제1도는 Si 함유량이 6.5%인 방향성 전자강판의 철손치 W₁₀/₅₀과 자속밀도 B₈(T)의 관계를 도시하지만, 이 도면과 같이 본 발명은 0.32mm 두께의 제품에 있어서, 자속밀도(B₈값)가 B₈＞1.57T 즉, B₈/Bs＞0.87(Bs : 포화자속밀도)라는 높은 방위 배향도를 가지고 있고, 이때의 철손치는 W₁₀/₅₀: 0.33w/kg라고 낮은 값이고, 본 발명의 5∼7.1%의 Si를 함유하고 이차 재결정조직을 갖고있는 일방향성 전자강판이 전혀 새로운 연자성 재료인 것을 알 수 있다.

이와 관련하여 0.30mm 두께의 3% Si 일방향성 전자강판의 W₁₀/₅₀값은 0.35w/kg이고 (도면중(C) 점), 0.30mm 두께의 6.5% Si 무방향성 전자강판의 W₁₀/₅₀값은, 0.50w/kg이고 (도면중(A) 점), 본 발명의 5∼7.1%의 Si를 함유하고 이차 재결정조직을 갖고있는 일방향성 전자강판이 지금까지 없던 높은 방위배향도를 갖고 있는 것을 알 수 있다. 또, 도면중(B) 점은 0.40mm 두께의 3% Si 일방향성 전자강판의 W₁₀/₅₀값, 도면중 (D) 점은 0.25mm 두께의 3% Si 일방향성 전자강판의 W₁₀/₅₀값을 나타낸다.

이와 같이 뛰어난 방위배향조직을 갖고있는 5∼7.1% Si 일방향성 전자강판을 제조하는 기술적 수단에 대하여, 이하에 상세하게 설명한다.

본 발명의 5∼7.1% Si 일방향성 전자강판은 압연 프로세스의 도중에서 강판을 삼규(參珪)처리하는 일없이, 온간압연에 의해 최종 판두께로 되기 때문에 제품형상(평탄함)이 양호하고, 제품을 적층하여 변압기 철심등으로 가공할 때, 점적율을 높게 할 수가 있고 변압기 등의 빌딩팩터를 작게 할 수 있다.

본 발명의 특징으로 하는 기본구성요건은 이차 재결정에 필요한 인히비터의 형성방법으로서, 최종냉간압연후의 일차 재결정 소둔공정 또는 그후의 추가소둔 공정 또는 이차 재결정과 강의 순화를 목적으로 하는 마무리 고온소둔공정에 있어서의 이차 재결정 발현전의 승온과정중 어느 공정에 있어서 강판에 질화처리를 시행하는 것을 기반으로 하고, 강판의 냉간압연을 가능하게 하는 냉간압연온도와 재료의 C 함유량 및 높은 자속밀도를 갖고있는 제품을 얻을 수 있는 재료와 C 함유량과 냉간압연온도의 2개의 조건영역의 조합에 있다.

본 발명자들은 재료의 C 함유량과 냉간압연온도와의 관계를 구명하기 위해 다음과 같은 실험을 행하였다.

우선, Si : 6.58%, S : 0.003%, 전체 N : 0.0065%를 함유하는 용강을, 분리하여 주입하고 C를 각각 0.001%, 0.005%, 0.009%, 0.020%, 0.026%, 0.037%, 0.056%로 조정하고, 7개의 슬랩을 주조하였다. 이 슬랩을 1200℃로 가열한후, 열간 압연하여 2.0mm 두께의 열연판으로 하고, 이어서 1000℃×2분간의 소둔을 시행한후 냉간압연에 의해 0.2mm 두께의 강판으로 하였다. 냉간압연을 시행할 때에, 1패스당의 압하율을 10∼20%의 범위로 하고 압연온도를 실온(23℃)∼400℃의 범위로 제2도에 도시한 바와 같이 바꾸었다.

얻어진 냉연판을 습수소분위기중에서 탈탄소둔하고, 암모니아 가스를 포함한 분위기중에서 약 30ppm의 N 증가처리를 시행하고 이어서 MgO를 주성분으로 하는 소둔분리제를 도포한후 이차 재결정과 강의 순화를 목적으로 하는 1200℃×10hrs의 마무리 고온소둔을 시행하였다.

이들 조건에서의 강판의 냉간압연시의 재료의 "균열"발생상황과 제품의 자속밀도(B₈값)을 제2도(상단숫자)에 도시하였다. 종래, 일반적으로 알려져 있는 3% 전후의 Si를 함유하는 전자강의 포화자속 밀도는 2.03T인데 대하여 6.5% Si 강이 낮은 값처럼 보이지만, 포화자속밀도에 대하여 어느 정도로 높은 레벨인가를 명확하기 위하여 위하여, 제2도에 있어서는 B₈값의 하단에 포화자속밀도에 대한 %표시를 행하였다.또, 현행의 JIS 규격으로 고자속밀도 일방향성 전자강판으로 상용되는 것은 B₈값이 1.92T 전후이고 포화자속밀도의 94.6%에 상당하고, 범용의 일방향성 전자강판의 B₈값은 1.85T이고, 포화자속밀도의 91.1%에 상당한다. 따라서, 포화자속밀도의 91.1∼94.6%의 B₈값을 가지는 일방향성 전자강판이 목표로 된다.

제2도에서 6.5% Si 강을 냉간압연할 때의 "균열"의 문제는 압연온도를 높게함으로써 감소하고 또한 "균열"발생한계온도는 강중 C량이 많을수록 높아지게 되는 것을 알 수 있다. 그러나, 냉간압연선의 관점에서 압연온도는 너무 높게하면 또, 강중 C량을 너무 낮게하면, 제2도에서 명백한 바와 같이, 높은 자속밀도를 갖고있는 제품을 얻을 수 없다.

본 발명은 제2도의 점선으로 둘러싸인 구역을 본 발명의 범위내로 하지만, 포화자속밀도가 90% 이상의 B₈값을 가지고, 또한 냉간압연성이 양호하고, 더욱이 자기왜곡이 최저인 뛰어난 방향성 전자강판을 얻을수가 있다.

이하에, 본 발명의 상세한 것을 그 구성요건에 의거하여 설명한다.

본 발명에 있어서 사용하는 용강은 그 용제방법은 한정되지 않는다. 성분함유량이 다음의 범위내인 것이 필요하다.

Si는 본 발명의 목표가 자기왜곡이 최소로 되는 대략 6.5% Si 철을 공업적으로 제조할 수 있는 프로세스의 확립에 있는 것에 감안하여, 6.5%를 중심으로서 약간의 폭을 가지는 범위이면 좋다. Si 함유량의 하한은 종래, 시판되어 있지 않는 범위에서 5%로 하고, 가급적 6.5%에 가까운 값인 것이 본 발명의 목적에 맞는다. Si 함유량은 상한은 7.1%이다. Si는 7.1%를 초과하여 함유시키면 냉간압연성이 극도로 열화함에도 불구하고, 얻어지는 제품의 자기특성은 오히려 좋지 않다.

본 발명에 있어서 가장 자속밀도(B₈값)가 높아지는 C 함유량은, 0.012% 전후이고, 0.005%에 자속밀도(B₈값) 향상효과가 나타나고 C 함유량이 많아지면 냉간압연성이 열화함과 동시에, 자속밀도(B₈값)도 나빠지는 경향이 있다. 본 발명에 있어서는, 상술한 냉간압연성도 고려하여 C 함유량 범위를 0.005∼0.023%로 한다. 이 C 함유량 범위는, 본 발명에 있어서의 Si 함유량의 경우 α-γ 변태를 전혀 발생시키지 않는 성분영역에 있다.

S 함유량이 0.014%를 초과하면 압연방향으로 나열되는 선상 이차 재결정 불량부가 발생한다.

산가용성 A은 이차 재결정 발현에 필수의 인히비터를 형성하기 때문에, 그 함유량을 0.013∼0.055%로 한정하였다.

전체 N은 이것이 많아지면 강판표면에 블리스터라 불리우는 부푼형상의 결함이 발생하기 쉽고 0.0095%를 초과하면 그 발생빈도가 현저하게 높아져서 제품으로 되지 않는다.

상술의 성분범위에 있는 슬랩을 열간압연하여 열연판으로 한다. 그 때, 슬랩가열온도가 너무 높아지면, 제품의 자속밀도(B₈값)가 열화되기 시작할 뿐만 아니라 가열에너지가 다량 소비되고, 가열로의 보수빈도가 높아지므로 관리원가를 상승시킴과 동시에 설비가동율을 저하시키는 것에 기인하여 작업원가의 상승이 초래된다. 슬랩가열온도가 1270℃ 이하이면, 가열시의 슬랩의 휨이나 찌꺼기(滓)의 발생도 없고, 작업코스트를 상승시키는 일도 없다. 또, 본 발명에 있어서는 용강을 2.3mm의 전후의 박대로 주조함으로써 열간압연을 생략하는 제조 프로세스를 채용할 수도 있다.

열연판 또는 주조박대를 800∼1100℃의 온도영역에서 소둔함으로써, 높은 자속밀도(B₈값)을 갖고있는 제품을 얻을 수 있다. 이 소둔은 저온도의 경우에는 시간을 길게, 고온도의 경우에는 단시간으로 한다. 이 소둔에 의해 제품의 자속밀도를 높게 할 수가 있지만 제조원자를 상승시키기 때문에, 필요로 하는 제품자기특성에 의해 채용여부를 결정하면 좋다.

이어서, 재료에 냉간압연을 시행한다. 그때의 압연온도가 낮은 재료에 "균열"이 발생하기 쉽고, 역으로 압연온도 너무 높으면 제품의 자속밀도(B₈값)를 열화시키기 때문에, 본 발명에 있어서는, 이들 양 조건을 만족하는 120∼380℃의 범위내의 압연온도로 한다.

냉간압연에 있어서의 압하율을 80∼94%의 범위로 함으로써 높은 자속밀도를 갖고있는 제품으로 할 수가 있고, 90%전후의 압하율일 때에 최고의 자속 밀도로 된다.

얻어진 냉연판에 일차 재결정과 강중의 C를 감소시키는 것을 목적으로 하여, 습수소분위기중에서 탈탄소둔을 시행한다. 탈탄소둔후 재료에 소둔분리제를 도포한다.

그렇게한 후, 이차 재결정과 강의 순화를 목적으로 하는 마무리 소둔을 재료에 시행한다.

본 발명에 있어서는 탈탄소둔후의 강산(스트립)을 질화능이 있는 분위기중에서 단시간 소둔하는 방법 또는 마무리 고온 소둔공정의 승온과정에 있어서의 이차 재결정 개시까지의 사이에 강판을 질화처리하는 방법중 어느 한쪽 또는 쌍방을 조합시킴으로써, 이차 재결정에 필요한 질화물(인히버터)을 형성하는 것을 필수로 한다. 또, 후자의 방법에 의해 질화물(인히비터)을 형성하는 경우, 마무리 고온 소둔이 스트립 코일의 형태로 이루어지는 경우가 많고, 따라서 마무리 고온 소둔공정에 있어서의 소둔분위기에서의 질화는 균일성등의 점에서 문게가 있어 실시가 곤란하기 때문에, 소둔분리제에 질화능이 화합물을 첨가하는 것이 균일한 질화를 위해 유효하다.

본 발명은 고규소를 함유하는 일방향성 전자강판 및 그 제조방법에 관한 것이며, 특히, Si를 5∼7.1% 함유하는 종래에 없는 획기적인 자기특성을 갖고 있는 연자성 재료 및 그 제조방법에 관한 것이다.

제1도는, Si 함유량이 6.5%인 방향성 전자강판의 철손치 W₁₀/₅₀와 자속밀도 B₈(T)의 관계를 도시한 도면이다.

제2도는 냉간압연 균열상황과 자속밀도 B₈(T)에 미치는 냉간압연온도와 강중 C와의 영향을 도시한 도면이다.

실시예 1

Si : 6.53%, S : 0.006%, 산가용성 A: 0.023%, 전체 N : 0.0065%를 함유하는 용강을 분리하여 주조하고, C를 각각 0.002%, 0.010%, 0.047%로 조정하고, 3개의 슬랩으로 하였다. 이것을 1230℃로 가열후 2.0mm 두께의 열간압연판으로 하고, 1000℃×2분의 소둔을 행하고, 냉간압연에 의해 0.2mm 두께의 판으로 하였다. 이 냉간압연의 판온을 80℃, 220℃, 400℃로 하고, 약 12회의 패스회수로 행하였다. 이것을 습수소분위기중에서 탈탄소둔하고, 암모니아 분위기중에서 약 300ppm의 N 증가처리를 행하고, 소둔분리제로서 MgO를 도포하고, 이차 재결정과 강의 순화를 목적으로한 1200℃×10시간의 마무리 고온소둔을 행하였다. 이때의 냉간압연시의 균열상황과 얻어진 완성품의 자속밀도의 제1표에 표시하였다.

제1표

강중 C가 0.002%인 것은, 어느 압연온도라도 압연은 가능하였지만 B₈이 저하 되었다. 강중 C가 0.047%의 것은 80℃와 220℃의 압연온도는 압연불능였지만, 400℃에서는 압연이 양호하였다. 단, B₈은 불량이었다. 이들에 대하여 본 발명 범위의 강중 C가 0.010%가 압연온도가 220℃인 것은 균열이 없고, B₈도 양호하였다.

실시예 2

Si : 6.55%, C : 0.012%, S : 0.005%, 전체 N : 0.0065%를 함유하는 용강을 분리하여 주조하고, 산가용성 A을 각각 0.005%, 0.026%, 0.059%로 조정하고, 3개의 슬랩으로 하였다. 이것을 1230℃로 가열후, 2.0mm 두께의 열간압연판으로 하고, 1000℃×2분의 소둔을 행하고, 판온 80℃, 220℃, 400℃로 냉간압연에 의해 0.2mm 두께의 판으로 하였다. 이것을 습수소분위기중에서 탈탄소둔하고, 암모니아 분위기중에서 약 300ppm의 N 증가처리를 행하고, 소둔분리제로서 MgO를 도포하고, 이차 재결정과 강의 순화를 목적으로 한 1200℃×10시간의 마무리 고온소둔을 행하였다. 얻어진 완성품의 자속밀도를 제2표에 표시한다.

제2표

*R : 포화자속도밀도에 대한 B₈의 비율(%)

강중 A이 본 발명의 0.005%, 0.059%인 것은 이차 재결정되지 않았다. 본 발명 범위내의 강중 A0.026%이고, 압연온도가 220℃인 것은 균열이 없고 B₈도 양호하였다.

실시예 3

실시예 2에서 사용한 탈탄소둔판에 대하여 하나는 그대로, 하나는 암모니아 분위기중에서 약 300ppm의 N 증가처리를 행하였다. 이 2종류의 판에 대하여 소둔분리제로서 (A)MgO, (B)MgO+5% 질화페로망간을 도포하고, 이차 재결정과 강의 순화를 목적으로한 1200℃×10시간의 마무리 소둔을 행하였다. 얻어진 완성품의 자속밀도와, 이차 재결정 발생상황을 제3표에 표시하였다.

제3표

탈탄소둔판에 암모니아 분위기중에서 질화처리한 경우, 소둔분리제중에 질화능이 있는 질화페로망간을 첨가한 경우, 또는 양자를 조합한 경우, 어는 것에 대하여도 고 B₈의 이차 재결정이 얻어졌다.

실시예 4

C : 0.014%, S : 0.007%, 산가용성 A: 0.029%, 전체 N : 0.0075%를 함유하는 용강을 분리하여 주조하고 Si를 각각 5.20%, 6.53%, 7.56%로 조정하고 3개의 슬랩으로 하였다. 이것을 1150℃로 가열후, 2.0mm 두께의 열간압연판으로 하였다. 이들 열간압연판에 대하여, 하나는 그대로, 하나는 1000℃×2분의 소둔을 행하고, 냉간압연에 의해 0.2mm 두께의 판으로 하였다. 이 냉간압연의 판온을 270℃로 하고, 약 14회 패스회수로 행하였다. 이것을 습수분위기중에서 탈탄소둔하고, 암모니아 분위기중에서 약 100ppm의 N 증가처리를 행하고(5% 질화페로망간+MgO)을 도포하고, 이차 재결정과 강의 순화를 목적으로 한 1200℃×10시간의 마무리 고온소둔을 행하였다. 냉간압연의 균열상황과 얻어진 완성품의 자속밀도는 제4표에 표시하였다.

제4표

7.56% Si 함유재는 이차 재결정에 의한 배향도가 5.20% Si 함유재와 6.53% Si 함유재에 비해 약간 열악했다.

본 발명에 의하면, 자기특성 그중에서도 특히 철손이 극히 낮고, 또한 자기 왜곡이 없고, 투자율이 높은 6.5% Si 전후의 초고 Si 함유 일방향성 전자강판을 제조할 수가 있고, 에너지 손실이 적고 소음이 작은 변압기 등을 공급할 수 있는 효과가 있다.

Claims (5)

1. 중량으로 Si : 5∼7,1%를 함유하고, 잔부가 실질적으로 Fe로 이루어지고, 또한 방위배향도 R(B₈/Bs)가 0.87 이상인 이차 재결정조직을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 50Hz에서의 여자시의 자속밀도 B₈이 1.57 이상인 낮은 자기왜곡 및 철손특성을 가지는 초고규소 방향성 전자강판.

   단, Bs : 포화자속밀도.
2. 제1항에 있어서, 최종 판두께의 상기 강판이 압연가공판인 것을 특징으로 하는 방향성 전자강판.
3. 중량으로 C : 0.005∼0.023%, Si : 5∼7.1%, S0.014%, 산가용성 A: 0.013∼0.055%, 전체 N0.0095%, 잔부 Fe 및 불가피한 불순물로 이루어진 초고규소강판을 800∼1100℃의 온도에서 소둔한 후120∼380℃의 온도영역에서 냉간압연하고, 습수소분위기에서 탈탄소둔하고, 소둔분리제를 도포하고, 권취하여 스트립 코일로 한후, 이차 재결정을 목적으로 하는 마무리 고온소둔을 시행함과 동시에, 상기 탈탄소둔으로부터 마무리 고온소둔공정에 있어서의 이차 재결정 개시까지의 어느 과정에서 강판에 질화 처리를 시행하여 질소를 증가시키는 것을 특징으로 하는 초고규소 방향성 전자강판의 제조방법.
4. 제3항에 있어서, 냉간압연전의 초고규소강판이 열간압연판인 것을 특징으로 하는 제조방법.
5. 제3항에 있어서, 냉간압연전의 초고규소강판이 연속주조주편인 것을 특징으로 하는 제조방법.