JP3614588B2 - 高感度応力検出装置 - Google Patents
高感度応力検出装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3614588B2 JP3614588B2 JP32636096A JP32636096A JP3614588B2 JP 3614588 B2 JP3614588 B2 JP 3614588B2 JP 32636096 A JP32636096 A JP 32636096A JP 32636096 A JP32636096 A JP 32636096A JP 3614588 B2 JP3614588 B2 JP 3614588B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stress
- amorphous
- stress detection
- sensitivity
- magnetostrictive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Micromachines (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、応力を検出する高感度のマイクロセンサや応力で動作する計測、制御用の高感度応力検出素子(高感度応力検出装置)に関する。
【0002】
詳しくは、工業用ロボットの触覚センサをはじめ、工業計測用、家電用、科学計測用、オートメーション用などの張力センサ、圧力センサ、トルクセンサ、歪みゲージ、ノックセンサ、タッチセンサ、霜センサ、地震センサ、重力センサ、音響センサ、流量センサ、風速センサ、ロードセルなどの広範囲のマイクロ応力センサやマイクロ応力スイッチに関するものである。
【0003】
【従来の技術】
工業用ロボットや自動車・交通システム、メカトロニクス、パワーエレクトロニクス、工場自動化システム、家電機器、コンピュータ・情報・オフィスオートメーション機器、医療福祉機器、防災・環境計測システムなど、社会のあらゆる分野における情報化・知能化・自動化システムをさらに高度化するためには、種々の高性能のマイクロ力学量センサやマイクロ力学量スイッチデバイスが必要である。
【0004】
力学量は、変位・距離、回転角、速度、加速度、振動などの物体の移動に伴う量や、張力、圧縮力・圧力、回転力(トルク)、衝撃力などの応力に伴う量であり、磁性体、半導体、誘電体などの材料を用いた種々の力学量センサが使用されている。
【0005】
この中で、コイルや磁性体を用いた力学量センサは、磁力線(磁界)を媒介とした非接触センシングや放射線、比較的高温の環境下でも安定に動作する高信頼性などの特徴を有するため、ロータリエンコーダ、自動車の速度センサ、加速度センサ、方位センサ、差動変圧器形変位センサ、ソレノイド形変位センサ・圧力センサ、磁気スケール、リードスイッチなどの耐環境性に優れたメカトロニクス用や工業計測制御用のセンサやスイッチとして広範に使用されている。また、磁気式トルクセンサも種々開発されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、これらの従来の磁気式力学量センサやスイッチなどは、一般に磁芯と多数回巻きコイルを有すること、およびコイル励磁では磁芯内の反磁界のため、半導体や誘電体を用いたセンサに比してマイクロ寸法化が困難であった。
【0007】
本願発明者は、既に磁気−インピーダンス効果素子(MI素子)を提案している(例えば、特開平7−181239号公報参照)。
【0008】
このMI効果は、アモルファスワイヤなどの高透磁率磁性体に高周波電流やパルス電流を通電して表皮効果を生じさせた状態で、外部磁界により磁性体のインピーダンスを敏感に変化させるようにしたものである。
【0009】
このMI効果では、磁性体内部に反磁界がほとんど発生しないので、フラックスゲートセンサと異なり、磁性体の長さを1mm以下に短縮しても、磁界検出感度が劣化せず、マイクロ寸法の高感度・高速応答の磁界センサが構成できる。
【0010】
本発明は、MI効果では磁性体ヘッドのインピーダンスの大きさが励磁角周波数ωと通電電流と直角方向の透磁率μとの積の平方根√ωμに比例し、透磁率μが外部磁界によって変化することを見い出した。
【0011】
この原理をさらに展開し、磁性体として磁歪材を用いて応力−磁気効果により透磁率μを応力σによって変化させれば、高感度のマイクロ応力センサが構成できることを直感した。
【0012】
そこで、強靱弾性体であるアモルファス磁歪ワイヤを用いて実験を行い、予測通りのゲージ率が200〜1300に達する優れた結果を得たものである。この場合、アモルファスワイヤに比較的強い応力を印加してアニールを施し、異方性エネルギーを高めれば、地磁気程度の外乱磁界によって透磁率μが変化することなく、応力のみをインピーダンスの変化として検出するロバスト性が実現される。
【0013】
また、既に、特開平8−128904号公報において、同様にアモルファスワイヤによって応力の検出ができることが実施例に示されているが、そのゲージ率は63程度であり、従来の半導体ストレンゲージのゲージ率約200より低く、1/3程度であり、高感度応力測定法とは言い難い。
【0014】
本発明は、従来の磁性体センサと異なる新原理によって、力学量センサヘッドのマイクロ化および高感度・高速応答化を実現することができる高感度応力検出装置を提供することを目的とする。
【0015】
本発明は、上記問題点を除去し、力学量センサヘッドのマイクロ化および高感度・高速応答化を実現することができる、つまり、ゲージ率が高く、応力に対して敏感に反応することができる高感度応力検出装置を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔1〕高感度応力検出装置であって、長さ方向に応力を印加した状態で加熱後、冷却処理を施した負磁歪のCo 72.5 Si 12.5 B 15 アモルファス磁性体に交流電流を通電した状態で応力に対して前記磁性体のインピーダンスを変化させ、ゲージ率を300以上としたものである。
【0017】
〔2〕上記〔1〕記載の高感度応力検出装置において、前記交流電流として、高周波電流またはパルス電流を用いるようにしたものである。
【0018】
〔3〕上記〔1〕記載の高感度応力検出装置において、前記応力は張力や圧縮力、トルクまたは衝撃力である。
【0019】
〔4〕上記〔1〕記載の高感度応力検出装置において、前記アモルファス磁性体として、アモルファス磁歪リボン、アモルファススパッタ磁歪厚膜、又はアモルファスメッキ磁歪膜を用いるようにしたものである。
【0020】
〔5〕上記〔1〕記載の高感度応力検出装置において、前記アモルファス磁性体として、アモルファスワイヤを用いるようにしたものである。
【0021】
〔6〕上記〔5〕記載の高感度応力検出装置において、前記アモルファスワイヤは直径が100μm以下である。
【0022】
〔7〕上記〔1〕記載の高感度応力検出装置において、前記交流電流として、半導体発振回路の電流を用いるようにしたものである。
【0023】
〔8〕上記〔7〕記載の高感度応力検出装置において、前記半導体発振回路として、CMOSマルチバイブレータ回路を用いるようにしたものである。
【0024】
上記のように構成したので、本発明によれば、種々の高感度・高速応答のマイクロ寸法応力センサが構成され、従来検出が困難であった微小な張力、圧縮力、圧力、トルク、衝撃力、気体や液体の流速、流量、衝撃波、地震波、重力分布、機械振動などを容易に検出することができる。
【0025】
特に、アモルファス磁歪リボンやアモルファススパッタ磁歪厚膜、アモルファスメッキ磁歪膜などでも、表皮効果を生じさせることにより、顕著に応力検出を行うことができる。
【0026】
また、このSI素子をCMOSマルチバイブレータなどの半導体回路と組み合わせ、ハイブリッド集積回路(HIC)技術などでチップ化し、人やロボットの腕、手、指関節などに固定することにより、バーチャルリアリティ(VR)や義手の高性能化、自立ロボットの構成などの多くの先端メカニカル技術が飛躍的に発展すると考えられる。
【0027】
更に、アモルファス磁歪ワイヤで人工触覚センサなどのマイクロ応力センサを構成して、マイクロマシンに結合させることにより、これまでの自立性のなかったマイクロマシンの知能化を実現し、人工昆虫などの新技術に貢献することができる。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
【0029】
〔実施例1〕
図1は本発明の第1実施例を示す高感度応力検出装置とその回路図、図2はその高感度応力検出装置の応力による電圧振幅変化の周波数特性図(その1)である。
【0030】
図1において、1は負磁歪のCo72.5Si12.5B15アモルファスワイヤ(直径30μm、長さ20mm、回転水中超急冷法で作製した直径130μmのアモルファスワイヤを線引きした後、4kg/mm2 の張力を与えた状態で、475℃、2分の加熱後、室温へ急冷させたアモルファスワイヤ、磁歪=−3×10-6)であり、このアモルファスワイヤ1に正弦波交流電源2を接続する。なお、3は交流電流の振幅を一定に保つ内部抵抗である。
【0031】
図2は、そのアモルファスワイヤ1に張力を印加し、正弦波交流電源2より、周波数f、振幅15mAの正弦波交流電流を通電させた時のワイヤ両端間の電圧の振幅Emの測定結果である。
【0032】
この図から明らかなように、アモルファスワイヤ1に約6kg/mm2 〔60MPa(メガパスカル)〕の張力Fを印加すると、周波数fが50kHzから1MHzの周波数範囲でアモルファスワイヤ1の両端間電圧の振幅Emは上昇し、1MHzから約20MHzの範囲では減少した。50kHz以上ではアモルファスワイヤ1両端間電圧の振幅Emは周波数fの増加とともに増加しており、アモルファスワイヤ1に表皮効果が現れていることが分かる。
【0033】
図3は本発明の第1実施例で示す高感度応力検出装置のf=400kHzおよび20MHzにおける応力による電圧振幅変化(その2)を示す図である。
【0034】
この実施例では、図2で用いたCoSiBアモルファスワイヤ及び正磁歪をもつ〔(Fe0.5 Co0.5 )72.5Si12.5B15、直径30μm、長さ20mm、磁歪=5×10-6〕アモルファスワイヤに400kHz及び20MHz、振幅20mAの正弦波電流を通電し、引っ張り荷重Wを印加した場合のワイヤ両端間電圧の振幅Emの変化率を測定した結果である。
【0035】
f=20MHzの場合、CoSiBワイヤでは、1gの荷重(13MPaの張力)で、上記ワイヤ両端間電圧の振幅Emが20%減少している。CoSiBアモルファスワイヤは最大抗張力306MPa,最大歪み(伸び率)3.4%であるので、その歪みゲージ率(電磁気量の変化率/伸び率)は1286となる。これは従来の最高感度をもつ半導体歪みゲージのゲージ率約200の約6.5倍の極めて高い値である。FeCoSiBワイヤでも、ゲージ率は約400であり、張力アニールを施した細いアモルファスワイヤは、著しく高いゲージ率を示すことが分かる。
【0036】
図4は図3で用いたアモルファスワイヤの電圧がワイヤ長さ方向の外乱直流磁界で受ける影響を調べた結果を示す図であり、図4(a)はFeCoSiBワイヤ、図4(b)はCoSiBワイヤの場合である。
【0037】
図4(a)に示すように、FeCoSiBワイヤは±2エルステッド(Oe)の磁界に対しては、その影響は略零である。
【0038】
また、図4(b)に示すように、CoSiBワイヤは、張力零で微小な磁界でも影響を受けるが、10MPaのバイアス張力を与えれば、±1Oeの磁界では、ほとんど影響を受けない。したがって、地磁気(約0.3Oe)程度の磁界の影響は受けないことが分かった。
【0039】
〔実施例2〕
図5は本発明の第2実施例を示すパルス通電におけるCoSiBアモルファスワイヤ電圧の張力特性図である。
【0040】
ここで、パルス電流は、パルス発生電源を用い、高さ40mA、幅7.2ナノ秒(ns)、繰り返し周波数100kHzを与えた。アモルファスワイヤ両端間の誘起パルス電圧の高さEは、1gの荷重で10%の減少を示した。この範囲は、ゲージ率は図3の場合より小さいが、約640であり、半導体ストレインゲージのゲージ率の3倍強である。
【0041】
この実施例から明らかなように、鋭いパルス電流を印加することにより、高周波正弦波電流を通電した場合と同様に表皮効果が生じて、応力−インピーダンス効果(SI効果)が敏感に発生することが分かった。パルス電流は多くの高調波を含むが、正弦波に対応させる場合はパルスの立ち上がり(または立ち下がり)時間の逆数の周波数が考慮される。パルス電流の立ち上がり時間が約4ナノ秒であるので、その逆数は250MHzであり、十分高周波であるので、図2から、ワイヤ電圧は張力によって減少することになる。
【0042】
〔実施例3〕
図6は本発明の第3実施例を示す図5の実験結果を基に、CMOSICチップ10の中の2個のインバータQ1 ,Q2 にR,Cを接続してマルチバイブレータを構成し、CMOSインバータのスイッチング時に発生する電源ラインの鋭いパルス電流をアモルファスワイヤ11に通電する方式の高感度応力検出装置の構成図であり、図7にその高感度応力検出装置(応力センサ)の応力検出の結果を示している。
【0043】
アモルファスワイヤ11の誘起パルス電圧は、ショットキーバリアダイオードSBD13をバッファとして、RCピークホールド回路14で直流電圧Eoutに出力電圧として変換している。因みに、ICチップ10は74AC04、Rは20KΩ、Cは100pF、RL は10Ω、CH は1000pF、RH は510kΩである。
【0044】
発振周波数14.35MHz、パルス幅14ナノ秒、パルス電流高さ30mAとした場合、荷重1gで出力電圧Eoutは15%減少しており、この応力センサのゲージ率は約960であり、半導体ストレインゲージのゲージ率200の約5倍近い値である。FeCoSiBワイヤをヘッドとした場合は、ゲージ率は約170程度であるが、応力検出特性は高い線形性を示し、ダイナミックレンジは6g(82MPa)と広くなっている。
【0045】
〔実施例4〕
図8は本発明の第4実施例を示す直径30μmのCoSiBアモルファスワイヤ22を厚さ0.2mmの石英ガラスダイアフラム21上にスパイラル形状にアラルダイトで接着させた応力センサの構成図、図9はその応力センサの応力検出特性図である。
【0046】
厚さ0.2mmの石英ガラスダイアフラム21上のアモルファスワイヤ22の検波電圧は差動アンプ23に入力し、零点補償を行っている。50MPaまでの空気圧力を、図9に示すように、ほぼ線形に検出している。なお、24はアモルファスワイヤ22に接続される交流電源、25は交流電流24の振幅を一定にするための内部抵抗RO であり、アモルファスワイヤ22の検波電圧は、ショットキーバリアダイオードSBD26をバッファとして、RCピークホールド回路27で直流電圧として変換している。
【0047】
〔実施例5〕
図10は本発明の第5実施例を示す石英ガラスダイアフラム31に、スパッタ装置を用いてFe68Co12B20のアモルファス磁歪膜を厚さ2.5μm厚さに形成し、ウェットエッチングにより幅1mmのジグザクコイル形状のアモルファス薄膜パターン(SI素子)32を作製した高感度応力検出装置(応力センサ)の構成図、図11は本発明の第5実施例を示す高感度応力検出装置(応力センサ)の応力検出の結果を示す図である。
【0048】
このSI素子は直流100mAを通電した状態で、250℃、1時間のアニールを大気中で行い、パターン幅方向に磁気異方性を誘導させた。
【0049】
石英ガラスダイヤフラム31の縁を外径30mmの円管に接着して圧力を印加すると、縁近傍領域Aと中央部領域Bの半径方向の応力は互いに逆になる。すなわち、SIヘッドの裏面から正の圧力が印加されると、縁近傍領域Aでは圧縮力、中央部領域Bでは張力が発生し、負圧力ではその逆の応力が発生する。
【0050】
この関係に着目し、縁近傍領域Aおよび中央部領域BのそれぞれのSIパターンに半値幅約5ナノ秒のパルス電流を印加して、表皮効果を生じさせ、縁近傍領域A、中央部領域Bの誘起パルス電圧をそれぞれショットキーバリアダイオードSBD33,34と、Rp ,Cp のピークホールド回路35,36で直流電圧に変換し、差動アンプ37に入力させる。
【0051】
この差動アンプ37の出力電圧Vは、圧力Pが零の時、零になるよう可変抵抗器VR38で調整する。圧力Pが印加されると、縁近傍領域A、中央部領域Bのインピーダンスは互いに逆方向に変化するので、圧力Pに比例した出力電圧Vが得られる。
【0052】
SIに印加するパルス電流は、CMOSインバータQ1 ,Q2 と、R、Cによるマルチバイブレータ出力電圧の微分パルス電圧を印加することによって与えられる。
【0053】
第3実施例(図7)と同様に、水圧を検出した結果、感度はアモルファスワイヤの場合の約5分の1であるが、安定な検出ができることが分かった。アモルファスワイヤの場合に比べて、接着の問題がない点有利である。
【0054】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【0055】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、以下のような効果を奏することができる。
【0056】
(1)力学量センサヘッドのマイクロ化および高感度・高速応答化を実現することができる、つまり、ゲージ率が高く、応力に対して敏感に反応する高感度応力検出装置を提供することができる。
【0057】
すなわち、種々の高感度・高速応答のマイクロ寸法応力センサが構成され、従来検出が困難であった微小な張力、圧縮力、圧力、トルク、衝撃力、気体や液体の流速、流量、衝撃波、地震波、重力分布、機械振動などを容易に検出することができる。
【0058】
特に、アモルファス磁歪リボンやアモルファススパッタ磁歪厚膜、アモルファスメッキ磁歪膜などでも、表皮効果を生じさせることにより、顕著に応力検出を行うことができる。
【0059】
(2)SI素子をCMOSマルチバイブレータなどの半導体回路と組み合わせ、ハイブリッド集積回路(HIC)技術などでチップ化し、人やロボットの腕、手、指関節などに固定することにより、バーチャルリアリティ(VR)や義手の高性能化、自立ロボットの構成などの多くの先端メカニカル技術を飛躍的に発展させることができる。
【0060】
(3)アモルファス磁歪ワイヤで人工触覚センサなどのマイクロ応力センサを構成して、マイクロマシンに結合させることにより、これまでの自立性のなかったマイクロマシンの知能化を実現し、人工昆虫などの新技術に貢献することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例を示す高感度応力検出装置とその回路図である。
【図2】本発明の第1実施例を示す高感度応力検出装置の応力による電圧振幅変化の周波数特性図(その1)である。
【図3】本発明の第1実施例を示す高感度応力検出装置の応力による電圧振幅変化の周波数特性図(その2)である。
【図4】図3で用いたアモルファスワイヤの電圧がワイヤ長さ方向の外乱直流磁界で受ける影響を調べた結果を示す図である。
【図5】本発明の第2実施例を示すパルス通電におけるCoSiBアモルファスワイヤ電圧の張力特性図である。
【図6】本発明の第3実施例を示すCMOSICチップの中の2個のインバータにR,Cを接続してマルチバイブレータを構成し、CMOSインバータのスイッチング時に発生する電源ラインの鋭いパルス電流をアモルファスワイヤに通電する方式を示す高感度応力検出装置の構成図である。
【図7】本発明の第3実施例を示す高感度応力検出装置(応力センサ)の応力検出の結果を示す図である。
【図8】本発明の第4実施例を示す直径30μmのCoSiBアモルファスワイヤを厚さ0.2mmの石英ガラスダイアフラム上にスパイラル形状にアラルダイトで接着させた高感度応力検出装置(応力センサ)の構成図である。
【図9】本発明の第4実施例を示す高感度応力検出装置(応力センサ)の応力検出の結果を示す図である。
【図10】本発明の第5実施例を示す石英ガラスダイアフラムに、スパッタ装置を用いてFe68Co12B20のアモルファス磁歪膜を厚さ2.5μm厚さに形成し、ウェットエッチングにより幅1mmのジグザクコイル形状のアモルファス薄膜パターン(SI素子)を作製した高感度応力検出装置(応力センサ)の構成図である。
【図11】本発明の第5実施例を示す高感度応力検出装置(応力センサ)の応力検出の結果を示す図である。
【符号の説明】
1,11,22 アモルファスワイヤ
2 正弦波交流電源
3,25 内部抵抗
10 CMOSICチップ
13,26,33,34 ショッキキーバリアダイオードSBD
14,27,35,36 RCピークホールド回路
21,31 石英ガラスダイアフラム
23,37 差動アンプ
24 交流電源
32 アモルファス薄膜パターン
38 可変抵抗器VR
Claims (8)
- 長さ方向に応力を印加した状態で加熱後、冷却処理を施した負磁歪のCo 72.5 Si 12.5 B 15 アモルファス磁性体に交流電流を通電した状態で応力に対して前記磁性体のインピーダンスを変化させ、ゲージ率を300以上としたことを特徴とする高感度応力検出装置。
- 請求項1記載の高感度応力検出装置において、前記交流電流は高周波電流またはパルス電流である高感度応力検出装置。
- 請求項1記載の高感度応力検出装置において、前記応力は張力や圧縮力、トルクまたは衝撃力である高感度応力検出装置。
- 請求項1記載の高感度応力検出装置において、前記アモルファス磁性体として、アモルファス磁歪リボン、アモルファススパッタ磁歪厚膜、又はアモルファスメッキ磁歪膜を用いることを特徴とする高感度応力検出装置。
- 請求項1記載の高感度応力検出装置において、前記アモルファス磁性体として、アモルファスワイヤを用いることを特徴とする高感度応力検出装置。
- 請求項5記載の高感度応力検出装置において、前記アモルファスワイヤは、直径が100μm以下であることを特徴とする高感度応力検出装置。
- 請求項1記載の高感度応力検出装置において、前記交流電流として、半導体発振回路の電流を用いることを特徴とする高感度応力検出装置。
- 請求項7記載の高感度応力検出装置において、前記半導体発振回路として、CMOSマルチバイブレータ回路を用いることを特徴とする高感度応力検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32636096A JP3614588B2 (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | 高感度応力検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32636096A JP3614588B2 (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | 高感度応力検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10170355A JPH10170355A (ja) | 1998-06-26 |
JP3614588B2 true JP3614588B2 (ja) | 2005-01-26 |
Family
ID=18186934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32636096A Expired - Fee Related JP3614588B2 (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | 高感度応力検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3614588B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021032875A (ja) * | 2019-08-15 | 2021-03-01 | ナノコイル株式会社 | 応力インピーダンスセンサ素子および応力インピーダンスセンサ |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ES2146165B1 (es) * | 1998-05-05 | 2001-03-01 | Univ Madrid Complutense | Bascula de precision basada en hilo amorfo magnetostrictivo. |
JP3936470B2 (ja) * | 1998-05-13 | 2007-06-27 | 内橋エステック株式会社 | 非接触式振動センサ |
JP2002221513A (ja) * | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Seiji Motojima | マイクロセンサ及びその用途 |
JP2003294548A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-15 | Japan Science & Technology Corp | 応力インピーダンス効果素子の製造方法及びその素子 |
JP3908583B2 (ja) | 2002-04-10 | 2007-04-25 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 眠気度検出装置及びそれと連動した覚醒装置 |
JP3908688B2 (ja) * | 2003-04-22 | 2007-04-25 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ヨーレートセンサ |
US7523671B2 (en) * | 2007-03-05 | 2009-04-28 | Delphi Technologies, Inc. | Apparatus, system and method for measuring stress |
JP2009036733A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Fdk Corp | 歪センサ |
CN103107282B (zh) * | 2013-02-05 | 2016-06-01 | 兰州大学 | 一种提高材料巨磁阻抗效应的方法 |
CN114061436A (zh) * | 2021-11-15 | 2022-02-18 | 无锡纤发新材料科技有限公司 | 一种磁性纤维传感器及其挠曲方向可识别的曲率监测方法 |
CN114061434A (zh) * | 2021-11-15 | 2022-02-18 | 浙江大学 | 一种面向磁性纤维复合材料的结构健康监测系统及其方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2617498B2 (ja) * | 1987-12-21 | 1997-06-04 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気センサ |
JPH01259228A (ja) * | 1988-04-11 | 1989-10-16 | Fuji Rubber Co Ltd | 圧力センサー |
JP3197925B2 (ja) * | 1991-11-25 | 2001-08-13 | 本田技研工業株式会社 | Frp部材の疲労破壊事前検出方法 |
JP3272397B2 (ja) * | 1992-04-30 | 2002-04-08 | 科学技術振興事業団 | 磁気インダクタンス素子 |
JP3272423B2 (ja) * | 1992-12-01 | 2002-04-08 | 科学技術振興事業団 | 磁気インダクタンス素子の製造方法、磁気インダクタンス素子、磁界センサ、および磁気スイッチハイブリッドicデバイス |
JPH06347489A (ja) * | 1993-06-10 | 1994-12-22 | Mitsumi Electric Co Ltd | 電流センサ |
JP3197414B2 (ja) * | 1993-12-22 | 2001-08-13 | 科学技術振興事業団 | 磁気インピーダンス効果素子 |
JP3052047B2 (ja) * | 1994-09-07 | 2000-06-12 | 本田技研工業株式会社 | 強磁性金属体の応力測定方法、シート状センサにおける応力分布測定方法および応力分布測定用シート状センサ |
JPH0875835A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-22 | Mitsumi Electric Co Ltd | 磁気インピーダンス素子および磁気検出回路 |
JPH08179020A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 磁気補正回路及びそれを用いた画像表示装置 |
-
1996
- 1996-12-06 JP JP32636096A patent/JP3614588B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021032875A (ja) * | 2019-08-15 | 2021-03-01 | ナノコイル株式会社 | 応力インピーダンスセンサ素子および応力インピーダンスセンサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10170355A (ja) | 1998-06-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Mohri et al. | Amorphous wire and CMOS IC based sensitive micro-magnetic sensors utilizing magneto-impedance (MI) and stress-impedance (SI) effects and applications | |
Kawasetsu et al. | Flexible tri-axis tactile sensor using spiral inductor and magnetorheological elastomer | |
JP3614588B2 (ja) | 高感度応力検出装置 | |
Shen et al. | Sensitive stress-impedance micro sensor using amorphous magnetostrictive wire | |
Vepa | Dynamics of smart structures | |
US6670809B1 (en) | Magnetic sensor with modulating flux concentrator having minimized air resistance for 1/f noise reduction | |
JP3091398B2 (ja) | 磁気−インピーダンス素子及びその製造方法 | |
US5998995A (en) | Microelectromechanical (MEMS)-based magnetostrictive magnetometer | |
JP2016151413A (ja) | 超高感度マイクロ磁気センサ | |
Reis et al. | Characterization of Metglas/poly (vinylidene fluoride)/Metglas magnetoelectric laminates for AC/DC magnetic sensor applications | |
JPS61260321A (ja) | 位置検出装置 | |
Yeh et al. | Inductive micro tri-axial tactile sensor using a CMOS chip with a coil array | |
Wang et al. | Passive MEMS DC electric current sensor: part II–experimental verifications | |
Wang et al. | A low-cost, high-performance, soft tri-axis tactile sensor based on eddy-current effect | |
CN108241130A (zh) | 一种基于磁电效应的磁通门磁场传感器 | |
JP3645116B2 (ja) | 磁気インピーダンス効果マイクロ磁気センサ | |
Chlaihawi et al. | Novel screen printed flexible magnetoelectric thin film sensor | |
Takahashi et al. | MEMS microphone with a micro Helmholtz resonator | |
CN113340479B (zh) | 基于电涡流与压电原理耦合的三维力柔性触觉传感器 | |
Dubey et al. | A dynamic tactile sensor on photoelastic effect | |
Abbaspour-Sani et al. | A linear electromagnetic accelerometer | |
Lee et al. | Monolithic/vertical integration of piezo-resistive tactile sensor and inductive proximity sensor using CMOS-MEMS technology | |
Wickenden et al. | Development of miniature magnetometers | |
JPS62184323A (ja) | 磁歪方式トルクセンサ | |
Wu et al. | Packaged angle-sensing device with magnetoelectric laminate composite and magnetic circuit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20031210 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040416 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040720 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040906 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041026 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041027 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081112 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091112 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101112 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111112 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121112 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131112 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |