JP3609588B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置におけるCVD工程の恒温油循環に関し、特に、循環油の昇降温時間を短縮した半導体製造装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
この種のCVD装置は、例えば、図2に概要構成図を示すようなものがある。CVD装置は、薄膜材料を構成する元素からなる反応ガスを基板上に供給し、化学反応により薄膜を形成する装置であり、図に示すように、反応管1をフランジ2A,2Bで支持し、ゲートバルブ23を開いて被処理基板4を反応管1に搬入し、反応ガス供給ポート5から反応ガスを反応管1内に供給して、排気配管6から排気し、ヒータ7により加熱された反応管1内の被処理基板4に窒化膜を形成するものである。窒化膜は、ナイトライド(Si3 N4 )であり、SiH2 Cl2 とNH3 とを反応させる。尚、フランジ2A,2Bは、SUS製である。また、反応管1は、石英管からなり、ヒータ27により外側から加熱されて、反応管1内のウェーハの加熱を行うものであり、反応管1の壁面も高温となる。
【0003】
このとき、反応ガスにより生成された副生成物(NH4 Cl等)が付着しないようにフランジ2A,2B内にオイル溜孔28を設け、そこに50〜250度のシリコンオイルやガルデン等の油を循環させてフランジ2A,2Bを高温に保つ必要がある。また、フランジ2A,2Bには、その外側に断熱材29が外側に配設されており、フランジ2A,2Bの恒温を保持するようにする。この副生成物の剥がれによるパーティクルが発生すると、ウェーハの品質が著しく低下する。このため、成膜時には、フランジ2A,2Bの温度を約180度とする必要がある。
【0004】
また、反応管1の壁管は、成膜時に、反応管1内に付着した膜を除去するために、セルフクリーニングが必要となる。セルフクリーニングでは、反応ガスがClF3 で、フランジ2A,2BがSUS製であり、100度以上では腐食してしまうので、温度を下げる必要がある。このため、油温を100度以下に降温する必要がある。
【0005】
このように、フランジ2A,2Bを、成膜時またはセルフクリーニング時に各々、油温を180度又は100度以下の恒温状態に保持する必要がある。
しかしながら、通常、フランジ2A,2Bは180度に保持され、セルフクリーニングの度に100度以下に降温し、その後の成膜時に、再度180度に昇温するが、油温の降温及び昇温に、約5時間がセルフクリーニング時間とは別に必要となる。このため、生産性を向上させるためには、油温の降温昇温時間を短縮することが望まれていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述の従来技術の装置の問題点を解決し、油循環式恒温装置において、油温の降温昇温時間を短縮するような半導体製造装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は、反応管(1)の両側をフランジ(2A,2B)で支持し、一方のフランジ(2A,2B)に設けられたゲートバルブを介して被処理基板を反応管(1)内に搬入し、一方のフランジ(2A)に接続された反応ガス供給ポート(5)から反応ガスを反応管(1)内に供給して、他方のフランジ(2B)に接続された排気配管(6)から排気し、ヒータ(27)により加熱された反応管(1)内の被処理基板に膜を形成する半導体製造装置において、高温油を貯油する高温油槽(12)及び低温油を貯油する低温油槽(13)の2つの油槽を設け、バルブ(10,11)の切り替えにより、高温油槽(12)及び低温油槽(13)のいずれか一方の油がフランジ(2A,2B)内を流れるようにして、フランジ(2A,2B)の温度を昇降するようにしたことを特徴とする。このような構成により、単に、バルブ(10,11)を切り替えるのみで、成膜時及びセルフクリーニング時にフランジ(2A,2B)の温度を短時間で降温及び昇温することができる。
【0008】
また、一方のフランジ(2A)側より、フランジ(2A,2B)内を流れる油を供給し、反応管(1)を通り、他方のフランジ(2B)より油を排出する油配管(7,8)を設け、油配管(7、8)に接続され、切り替え可能なバルブ(10,11)と、バルブ(10,11)の切り替えにより接続可能な高温油を貯油する高温油槽(12)と、バルブ(10,11)の切り替えにより接続可能な低温油を貯油する低温油槽(13)の2つの油槽とを設け、バルブ(10,11)の切り替えにより、高温油槽(12)及び低温油槽(13)のいずれか一方の油が油配管(9)を介してフランジ(2A,2B)内を流れるようにしたことを特徴とする。
【0009】
更に、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の半導体製造装置において、成膜時には、フランジ(2A,2B)の温度が約180度となるようにし、セルフクリーニング時には、フランジ(2A,2B)の温度が100度以下となるようにしたことを特徴とする。
なお、上記の符号は、本実施の形態において説明する図面の符号に対応するものである。
【0010】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。図1は、本発明の実施の形態を示す概要構成図である。
図1において、CVD装置は、従来の技術で説明したように、薄膜材料を構成する元素からなる反応ガスを基板上に供給し、化学反応により薄膜を形成するための装置である。石英からなる反応管1をフランジ2A,2Bで支持し、ゲートバルブを開いてウェーハ搬送室3より、被処理基板を反応管1に搬入し、反応ガス供給ポート5から反応ガスをガスノズル14を介して、反応管1内に供給して、排気配管6から排気し、加熱された反応管1内の被処理基板に窒化膜を形成するものである。窒化膜は、ナイトライド(Si3 N4 )であり、SiH2 Cl2 とNH3 を反応させる。尚、フランジ2A,2Bは、SUS製である。また、反応管1は石英からなり、図示しないヒータにより外側から加熱されて、反応管1内のウェーハの加熱を行うものであり、反応管1の壁面も高温となる。
【0011】
このとき、反応ガスにより生成された副生成物(NH4 Cl等)が付着しないようにフランジ2A,2Bにオイル溜孔を設け、そこに50〜250度のシリコンオイルやガルデン等の恒温油を循環させてフランジ2A,2Bを高温に保つ必要がある。恒温油は、反応管1に沿って配設される油配管9及びフランジ2A,2B内を流れるようになっており、この恒温油はINの油配管7よりフランジ2Aに供給され、更に油配管9を通ってフランジ2Bに供給されてOUTの油配管8より排出されるように循環する。
【0012】
本発明の実施の形態においては、フランジ2A,2B内を通るIN及びOUTの油配管7,8が、高温油槽12及び低温油槽13の2つの油槽にバルブ10,11の切り替えにより接続可能に構成されている点が従来の恒温油循環装置と異なる。
具体的には、高温油槽12は、約180〜200度の恒温油を貯油しており、INの油配管7とバルブ10の切り替えにより接続可能であり、OUTの油配管8とバルブ11の切り替えにより接続可能である。
【0013】
また、低温油槽13は、常温〜約70度の恒温油を貯油しており、INの油配管7とバルブ10の切り替えにより接続可能であり、OUTの油配管8とバルブ11の切り替えにより接続可能である。すなわち、バルブ10,11は、図示しない外部からの制御により切り替えられ、高温油槽12及び低温油槽13のいずれか一方を、INの油配管7及びOUTの油配管8に接続するものである。成膜時には、バルブ10,11を高温油槽12の高温油が、フランジ2A,2B及び油配管9に流れるように切り替え、高温油を流れるようにする。これにより、フランジ2A,2Bが約180度を維持することができ、反応ガスにより生成された副生成物(NH4 Cl等)がフランジ2A,2Bに付着しないようにすることができる。
【0014】
また、セルフクリーニング時には、バルブ10,11を低温油槽13の低温油が流れるように切り替え、フランジ2A,2Bが100度以下となるようにする。また、クリーニング終了後は、バルブ10,11を切り替えて、高温油槽12の高温油がフランジ2A,2B及び油配管9に流れるようにして、フランジ2A,2Bが180度に達するようにする。
【0015】
このように、高温油を貯油する高温油槽12及び低温油を貯油する低温油槽13の2つの油槽を設けることにより、単に、バルブ10,11を切り替えるのみで、成膜時及びセルフクリーニング時にフランジ2A,2Bの温度を短時間で、降温及び昇温することができる。
【0016】
【発明の効果】
本発明は、両側をフランジにより接続された反応管内で、一方のフランジより供給された反応ガスを上記反応管内の基板上に供給し、化学反応により薄膜を形成し、他のフランジより反応ガスを排気するような半導体製造装置において、高温油を貯油する高温油槽及び低温油を貯油する低温油槽を設けて、バルブの切り替えにより、上記フランジ及び反応管内に高温油または低温油を循環するようにしたので、単に、バルブを切り替えるのみで、成膜時及びセルフクリーニング時にフランジの温度を短時間で、降温及び昇温することができるという効果がある。このため、循環油の昇降温時間がほとんどかからないので、従来のように、5時間近くかかっていた昇降温時間を格段に短縮することができる。これにより、CVD工程のスループットを向上させることができ、生産性が格段に良くなるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態を示す半導体製造装置の概要構成図である。
【図2】従来例の半導体製造装置の概要構成図である。
【符号の説明】
1 反応管
2A,2B フランジ
3 ウェーハ搬送室
5 反応ガス供給ポート
6 排気配管
7 油配管(IN)
8 油配管(OUT)
9 油配管
10,11 バルブ
12 高温油槽
13 低温油槽
14 ガスノズル
27 ヒータ
Claims (1)
- 反応管に接続されたフランジより供給された反応ガスを上記反応管内の基板上に供給するようにした半導体製造装置において、上記フランジ内に高温油または低温油を切替えて供給することを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
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JP19405697A JP3609588B2 (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 半導体製造装置 |
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JP19405697A JP3609588B2 (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 半導体製造装置 |
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JPH1140551A JPH1140551A (ja) | 1999-02-12 |
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JP19405697A Expired - Fee Related JP3609588B2 (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 半導体製造装置 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP3609588B2 (ja) |
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1997
- 1997-07-18 JP JP19405697A patent/JP3609588B2/ja not_active Expired - Fee Related
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