JP4296078B2 - 半導体製造装置、被覆管及び半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
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Description
の製造方法において、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウ
エハという。)に各種の熱処理(thermal treatment )を施す熱処理装置(furnace )に
関する。
x)およびポリシリコン等を堆積(デポジション)するのに、バッチ式縦形ホットウオー
ル形減圧CVD装置が、広く使用されている。バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD
装置(以下、CVD装置という。)は、処理室を形成するインナチューブおよびインナチ
ューブを取り囲むアウタチューブから構成されて縦形に設置されたプロセスチューブと、
処理室を排気する排気管系および処理室にガスを供給するガス導入管が接続されたマニホ
ールドと、プロセスチューブの外に敷設されて処理室を加熱するヒータユニットと、複数
枚のウエハを垂直方向に整列させて保持して処理室に搬入するボートとを備えており、複
数枚のウエハを保持したボートが処理室に下端の炉口から搬入(ボートローディング)さ
れ、処理室に成膜ガスがガス導入管から供給されるとともに、ヒータユニットによって処
理室が加熱されることにより、ウエハの上にCVD膜を堆積させるように構成されている
。
パーティクル)(以下、単に副生成物と呼ぶこともある)が排気管系の内壁やポンプに付
着・堆積し、排気管の閉塞や排気装置(真空ポンプ)の機能停止を引き起こすため、定期
的に排気管の内壁や真空ポンプの洗浄が行われている。
の長さが非常に長い場合があり、この場合、全ての排気管系を洗浄しようとすると、非常
に時間がかかり、装置の維持コストの上昇、スループットの低下という問題が生じている
。
供することにある。
に接続される排気管と、前記排気管の少なくとも一部分の内側にバッファを介して挿入さ
れ流出口を有する被覆管とを備えた半導体製造装置であって、前記バッファにガスを供給
し、前記流出口から前記ガスを前記排気管内を流れるガスと逆方向に導入することを特徴
とする。
流れるガスと逆方向に導入されるので、前記排気管内に乱流が発生し、前記被覆管の流出
口付近に副生成物が付着しやすくなる。前記被覆管を挿入した部分の排気管に副生成物を
積極的に付着させることにより、前記被覆管を設けていない他の排気管や真空ポンプへの
副生成物の付着を抑制することができる。したがって、排気管の長さが非常に長く、排気
管の全てを洗浄することが困難な場合であっても、本発明の構成を排気管の所望の箇所に
適用し、積極的に副生成物を付着させることで、排気管の全ての箇所をメンテナンスする
必要がなくなる。また、前記被覆管は簡単に排気管から脱着できるようになっているので
、副生成物が付着した被覆管を洗浄又は新しい被覆管に取り替えれば、排気管系のメンテ
ナンスが終了する。よって、排気管のメンテナンスを短時間で行うことができる。
ことができる。
ように縦に配されて固定的に支持された縦形のプロセスチューブ11を備えている。プロ
セスチューブ11は互いに同心円に配置されたアウタチューブ12とインナチューブ13
とを備えており、アウタチューブ12は石英ガラスや炭化シリコン(SiC)が使用され
て上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に一体成形されており、インナチューブ13は石
英ガラスや炭化シリコンが使用されて上下両端が開口された円筒形状に形成されている。
インナチューブ13の筒中空部はボートによって同心的に整列した状態に保持された複数
枚のウエハが搬入される処理室14を形成しており、インナチューブ13の下端部には被
処理基板としてのウエハの最大外径よりも大きな口径の炉口15が形成されている。
に配設されており、プロセスチューブ11は図示しない筐体に支持されることによって垂
直に支持された状態になっている。マニホールド16はステンレス鋼等の金属が使用され
て上下両端が開口した短尺の円筒形状に形成されており、マニホールド16の内周の中間
部にはマニホールド16の内側空間を上下に仕切った隔壁17が水平に突設されている。
シールキャップ23にはガス導入管18が、隔壁17が仕切ったマニホールド16の内側
空間のうち炉口15側である下側空間に連通するように接続されており、ガス導入管18
の他端は原料ガスや窒素ガス等のガスを供給するガス供給装置(図示せず)に接続されて
いる。マニホールド16の側壁の上部には後記する排気管系40を接続された排気口20
が、隔壁17が仕切ったマニホールド16の内側空間のうち上側空間に一杯に連通するよ
うに開設されており、排気口20はアウタチューブ12とインナチューブ13との隙間に
よって形成された排気路19を排気するようになっている。
離バルブとしての炉口開閉装置21を備えており、この炉口開閉装置21はマニホールド
16の中心線の延長線と同心円に配置されてボートエレベータ(図示せず)によって昇降
されるように構成されている。炉口開閉装置21はボートエレベータによって垂直に昇降
されるベース22と、マニホールド16の外径と略等しい円盤形状に形成されてマニホー
ルド16の下端面に密着して炉口15をシールするシールキャップ23とを備えており、
シールキャップ23はベース22の真上に若干の隙間をとって平行に配置されて水平に支
持されている。ベース22の中心線上には回転駆動装置(図示せず)によって回転される
回転軸24が垂直方向に挿通されて軸受装置によって回転自在に支承されており、回転軸
24の上端にはボート25が垂直に立脚されて固定されている。
6、27間に垂直に配設された複数本の保持部材28とを備えており、各保持部材28に
は複数条の保持溝が長手方向に等間隔に配されて互いに同一平面内において開口するよう
にそれぞれ刻設されている。そして、ウエハ1は複数条の保持溝間に外周辺部が挿入され
ることにより、水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列されてボート25に保持される
ようになっている。
部を加熱するためのヒータユニット30がアウタチューブ12の周囲を包囲するように同
心円に設備されており、ヒータユニット30はプロセスチューブ11内を均一または所定
の温度分布に加熱するように構成されている。ヒータユニット30は円筒形状に形成され
た断熱槽32の内周に抵抗ヒータ31が螺旋状に敷設されて構成されており、筐体の上に
垂直に据え付けられている。
気管系40は排気口20に管継手された第一排気管41を備えており、第一排気管41の
一端は大口径の排気口20に対応して大口径の円筒形状に形成されている。第一排気管4
1の多端は、第二排気管54に接続されており、第二排気管54の内周面における真空ポ
ンプ29側の端部(以下、下流側端部とする。)には、位置決め部43とが径方向内向き
に設けられている。第二排気管54の中間部には窒素(N2 )ガス等のガス44を第二排
気管54の内側空間に導入するためのガス導入管45が接続されており、ガス導入管45
には図示しないガス供給装置が接続されている。
)構造に形成された被覆管47がバッファ46を介して挿入されている。すなわち、被覆
管47は短尺であって第二排気管54の位置決め部43の内径に対応した円形リング形状
に形成されたセンタリング48を備えており、センタリング48は第二排気管54の位置
決め部43に嵌入されて同心円に位置決めされている。センタリング48の外周にはフラ
ンジ部49が突設されており、フランジ部49の外周にはシールリング50が嵌着されて
いる。センタリング48は第二排気管54と後記する第三排気管57との間にフランジ部
49およびシールリング50を挟み込まれた状態で管継手によって締結されることにより
固定されるようになっている。また、被覆管47は短尺であって第二排気管54の内径よ
りもバッファ46の分だけ小径の円筒形状に形成された複数個のセグメントリング51を
備えており、複数個のセグメントリング51が中心線を揃えて直列に配列されて隣合うも
の同士が突合端部において嵌合され、前記嵌合箇所の一部を溶接で接合すること(図3の
例では3箇所を点溶接している)により、一本の管構造に形成されている。隣合うセグメ
ントリング51、51の嵌合部には狭い隙間(例えば0.1〜0.5mm)、排気管内を
流れるガスと逆方向(処理室側)に形成されており、この隙間によってバッファ46内の
ガス44を被覆管47の内側空間に流出させる流出口52が構成されている。セグメント
リング51はその一端と他端とで口径が異なっている。排気ガス流れの上流側(処理室側
)で口径を小さく、下流側(真空ポンプ側)で口径を大きくし、隣接するセグメントリン
グ51が一部重なるようにしている。このようにすることで、バッファ46内のガスが被
覆管47内に入り易くなり、また、入った後に排気管内を流れるガスと逆方向に(処理室
側に向かって)流れることになる。これにより、被覆管47付近の排気管内に乱流を形成
し、その結果、前記被覆管47に副生成物61が付着しやすくなる。そして、被覆管47
の最下流側端に配置されたセグメントリング51の下流側端部がセンタリング48に溶接
接合されることにより、被覆管47は第二排気管54の内側に所定のバッファ46を置い
て同心円に固定されている。
7は第二排気管54の下流側端に管継手によって締結されている。そして、第三排気管5
7の下流側端には第四排気管60が管継手によって締結されている。第四排気管60の下
流側端は真空ポンプ等によって構成された排気装置29に接続されている。
る場合について説明する。
5に互いに平行で中心線が揃った状態にウエハ移載装置によって装填される。図1に示さ
れているように、複数枚のウエハ1が装填されたボート25はシールキャップ23の上に
ウエハ1群が並んだ方向が垂直になる状態で載置され、ボートエレベータによって上昇さ
れて炉口15から処理室14に搬入(ボートローディング)されて行き、シールキャップ
23に支持されたままの状態で処理室14に存置される。この状態で、シールキャップ2
3は炉口15を気密シールした状態になる。
接続された排気管系40によって排気される。この際、排気口20が大口径に設定されて
いることにより、排気口20による排気路19に対する排気速度を従来例に比べて大きく
設定することができるため、大きい排気速度によって排気路19やマニホールド16の表
面に成膜ガスの残りや副生成物等の粒子が付着して堆積するのを防止することができる。
また、プロセスチューブ11の内部がヒータユニット30によって所定の温度(600〜
700℃)に全体にわたって均一に加熱される。
の処理室14にガス導入管18によって導入される。本実施の形態においては、成膜ガス
としては、TEOSガス、アンモニア(NH3)ガス、ジクロルシラン(SiH2Cl2
)ガス、窒素(N2)ガス等が使用される。また、処理中には、ボート25が回転軸24
によって回転される。
ューブ13とアウタチューブ12との隙間によって形成された排気路19に流出して排気
口20から排気される。成膜ガスは処理室14を通過する際にウエハ1の表面に接触する
。このウエハ1との接触に伴う成膜ガスによる熱CVD反応により、ウエハ1の表面には
SiO2膜が堆積(デポジシ
ョン)する。
ップ23が下降されて炉口15が開口されるとともに、ボート25に保持された状態でウ
エハ1群が炉口15からプロセスチューブ11の真下の図示しないボート搬入搬出室に搬
出(ボートアンローディング)される。
副生成物および塵埃等の全ての粒子(以下、単に副生成物と呼ぶこともある)は、排気管
系40を流れて行く間に内壁面の極微細な凹凸表面や継手部の継ぎ目等に接触するため、
これらの表面や隙間等に付着したり吸着したりして異物として堆積する現象が発生する。
特に、TEOS等の常温・常圧で液体のものが原料ガスとして使用される場合には、その
発生が顕著になることが知られている。よって、排気管系40の内壁に付着したこれらの
副生成物を取り除くためには、全ての排気管系40の内壁を洗浄する必要がある。
排気されるに際してガス44をガス導入管45によって、排気管を流れるガスと逆方向に
流すことにより、排気管系40の一部分に副生成物を付着させるようにする。すなわち、
第二排気管54のガス導入管45から供給されたガス44は第二排気管54と被覆管47
との間のバッファ46に拡散し、バッファ46に排気管系40の排気力が作用しているた
め、被覆管47の複数の流出口52から被覆管47の内側空間に吸い出される。被覆管4
7の内側空間に吸い出された付着防止ガス44は被覆管47の内周から排気管を流れるガ
スと逆方向に流出することにより、被覆管47の流出口52付近に乱流が発生し、被覆管
47に副生成物が付きやすくなる。したがって、被覆管47すなわち第二排気管54の表
面に成膜ガスの残りや副生成物および塵埃等の粒子を積極的に付着させるので、被覆管4
7が設けられていない他の排気管の内面や真空ポンプ29に副生成物が付着するのを抑制
することができる。また、被覆管47は簡単に脱着できるので、装置メンテナンス時、前
記被覆管に付着した副生成物を簡単に除去することができる。
を挿入し、被覆管の内周面から、排気管を流れるガスと逆方向にガスを流すことによって
、被覆管の内周面に乱流を発生させ、前記被覆管の内周面に副生成物を付着させるように
する。これにより、装置メンテナンス時は、真空ポンプおよび排気管系全体の洗浄を行う
必要がなくなり、前記被覆管の内面を洗浄、又は被覆管の取り替えをすればよいので、装
置メンテナンスを行う箇所が減り、装置メンテナンスが容易になり、CVD装置の稼働休
止時間を短縮することができ、CVD装置ひいてはICの製造方法のスループットを向上
させることができる。
種々に変更が可能であることはいうまでもない。
スやクリーンルームのクリーンエア等を使用してもよい。
他の段の排気管に設置してもよい。即ち、例えば、マニホールド16への接続部分近傍の
排気管や、真空ポンプ29への接続部分近傍の排気管に本発明に係わる被覆管47を適用
しても良いし、更には、これらの組合せでも良い(即ち、マニホールド16への接続部分
近傍及び真空ポンプ29への接続部分近傍の排気管に被覆管47を適用しても良い)。
ウタチューブ、13…インナチューブ、14…処理室、15…炉口、16…マニホールド
、17…隔壁、18…ガス導入管、19…排気路、20…排気口、21…炉口開閉装置、
22…ベース、23…シールキャップ、24…回転軸、25…ボート、26、27…端板
、28…保持部材、29…排気装置(真空ポンプ)、30…ヒータユニット、31…抵抗
ヒータ、32…断熱槽、40…排気管系、41…第一排気管、43…位置決め部、44…
ガス、45…ガス導入管、46…バッファ、47…被覆管、48…センタリング、49…
フランジ部、50…シールリング、51…セグメントリング、52…流出口、54…第二
排気管、57…第三排気管、60…第四排気管、61…副生成物
Claims (3)
- 成膜ガスを導入し、基板を処理する処理室に一端が接続され他端が排気装置に接続され、前記処理室から排気された排気ガスを排気する排気管系を備えており、
該排気管系を構成する一つの排気管の内側には、被覆管が、バッファを介して挿入されており、
前記バッファには付着防止ガスが導入されるように構成されており、
前記被覆管は、 上流側の口径が小さく下流側の口径が大きい円筒形状に形成されたセグメントリングを複数個備えており、該複数個のセグメントリングは中心線を揃えて直列に配列されて、前記セグメントリングの上流側と隣接する前記セグメントリングの下流側とが一部重なって隙間を形成するように嵌合され、該隙間によって前記バッファの付着防止ガスを前記被覆管の内側空間に流出させる流出口が構成されていることを特徴とする半導体製造装置。 - 成膜ガスを導入し、基板を処理する処理室に一端が接続され他端が排気装置に接続され、前記処理室から排気された排気ガスを前記排気装置に至るまで排気する排気管系を備えている半導体製造装置に用いられる被覆管であって、
該排気管系を構成する一つの排気管の内側には、付着防止ガスが導入されるように構成されるバッファを介するように挿入され、
上流側の口径が小さく下流側の口径が大きい円筒形状に形成されたセグメントリングを複数個備えており、該複数個のセグメントリングは中心線を揃えて直列に配列されて、前記セグメントリングの上流側と隣接する前記セグメントリングの下流側とが一部重なって隙間を形成するように嵌合され、該隙間によって前記バッファの付着防止ガスを前記被覆管の内側空間に流出させる流出口が構成されていることを特徴とする被覆管。 - 一端が接続され他端が排気装置に接続された排気管系を備えた処理室に基板を搬入する工程と、
前記処理室を加熱する工程と、
前記処理室に成膜ガスを導入しつつ前記処理室から前記排気管系へ排気ガスを排気し、
前記排気管系を構成する一つの排気管の内側のバッファに供給された付着防止ガスが
前記バッファを介して挿入された、上流側の口径が小さく下流側の口径が大きい円筒形状に形成された複数個のセグメントリングが中心線を揃えて直列に配列されて、前記セグメントリングの上流側と隣接する前記セグメントリングの下流側とが一部重なって隙間を形成するように嵌合された被覆管の前記隙間によって構成された流出口から前記被覆管の内部空間に吸い出され、前記排気ガスと逆方向に流出させる工程と、を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
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