JP3591823B2 - 成膜方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、成膜方法に係わり、特に表面に段差形状を有する被成膜体上に第1の気体と第2の気体とを供給して所望の成膜を行う成膜方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造工程では、薄膜形成と(部分的な)エッチングを繰り返すことにより立体素子形状を形成している。近年の半導体デバイス高集積化の流れの中で、素子形状は微細化が進み、アスペクト比の大きな段差形状を所望の膜で埋め込む技術が重要になってきている。ウェハ上に薄膜を形成することによって段差を埋め込む工程には、一般に、複数の原料気体をウェハが載置される反応容器内に供給して成膜を行う、化学気相堆積法が使われている。
【0003】
例えば、ウェハ上に、化学気相堆積法を用いて、Asの添加されたシリコン薄膜を形成する場合には、一般的に二通りの方法がある。
【0004】
一つめは、添加ガスなるアルシンガス(AsH3)と原料ガスなるシランガス(SiH4)とを同時に、ウェハが内部に設けられる反応容器中に供給して、ウェハに所望の成膜を行う「in−situ(インサイチュ)ドーピング法」である。
【0005】
また、二つめは、シランガスだけを反応容器内に供給して、ウェハにシリコン薄膜を形成する工程と、アルシンガスだけを反応容器内に供給して、ウェハに砒素(As)の吸着層を形成する工程とを、交互に繰り返す「シーケンシャルドーピング法」である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のような従来の成膜方法では、それぞれ以下のような問題点があった。
(1)in−situドーピング法は、ひとつの工程でドーピングと成膜とが同時にできるため、工程数が少なくなり費用面で有利である。
【0007】
しかしながら、トレンチなどの段差形状を有するウェハに所望の薄膜を形成する場合には、ドーピングに最適な工程条件と、所望の膜形状あるいは均一性を得るための最適な工程条件とが異なっていた。
【0008】
例えば、半導体記憶デバイスのDRAMにおいて、キャパシタンスを形成する電極として、砒素をドーピングしたポリシリコン膜を形成する場合を想定する。
【0009】
この時、砒素のドーピング濃度はキャパシタンス用トレンチの内部においても均一であることが望ましい。均一なドーピング濃度を得るためには、ドーピングガスであるアルシンを多く流す必要があるが、アルシンを大量に流すことによって膜形状の均一性は悪化し、トレンチの空間をなくす様ポリシリコンを埋め込むことはできなかった。
【0010】
この膜が不均一になる理由は、大量のアルシンを流すことにより反応性の高い中間体(SiH2等)による相対的な成膜量が多くなるためである。
【0011】
原料ガスのSiH4は、気相中あるいは固体表面で分解反応を起こし、反応性の高い中間体ガスを生成する。原料ガスのSiH4は中間体ガスに比べてはるかに反応性が低いため、トレンチ開口部から底部までほぼ均一な成膜を成し得るが、反応性の高い中間体はトレンチ開口部周辺のみに成膜されるため、膜形状の均一性を悪化させる要因となる。アルシンを流さない場合、ほとんどの成膜はSiH4によってなされるが、大量のアルシンを流すと中間体はほとんど影響を受けずにSiH4による成膜だけが抑制されることから、中間体による成膜量が相対的に大きくなる。このためトレンチ開口部付近のSiH2の付着により、トレンチ内部に空間を残したまま開口部がふさがれるのである。
【0012】
また、成膜時にトレンチ内の空間を無くす様ポリシリコンを埋め込むには、少量のアルシンを添加することが望ましいが、少量のアルシンではトレンチの底部(ウェハの厚み方向下面)において砒素濃度が低下してしまう。砒素濃度が低下すれば、成膜工程によって形成されるポリシリコン膜の導電性が低くなるといった恐れがある。
【0013】
このように、ひとつの工程条件で、ドーピングと成膜とを行う「in−situドーピング法」では、ドーピングと膜形状との両方を満足する工程条件を与えることが困難であった。
(2)シーケンシャルドーピング法は、原料ガスであるSiH4よりポリシリコン膜を得る成膜工程と添加ガスであるアルシンガスよりポリシリコン膜上に吸着層を形成するドーピング工程と、を分けて別々に行う成膜方法である。
【0014】
この方法では、成膜工程ではシランだけをウェハに供給して成膜を行い、ドーピング工程ではアルシンを供給し吸着層を作ることが行われている。
【0015】
このため、互いの工程に対して悪影響を与えることなく、膜形状にほとんど影響を与えずに、ドーピング濃度を均一化することができる。
【0016】
しかしながら、アスペクト比の大きなトレンチ形状に薄膜を形成する場合、シランだけを流して得られる膜形状は、トレンチ開口部近傍に集中してポリシリコン膜が付着し、トレンチ底部に空間が残るというおそれがあり、トレンチ内全てがポリシリコンで埋まる最適な形状は得られなかった。
【0017】
これは、通常の薄膜形成温度では、シランの付着確率が10E−3程度の大きさであるため、アスペクト比5以上のトレンチでは、トレンチ下部においてシランの濃度の低下が生じることによるものである(詳細は後述)。
【0018】
ただし、シランの付着確率は温度を低下させることによって小さくすることが可能である。
【0019】
しかしながら、薄膜形成の温度を低下させるということは、薄膜の成長速度を極端に遅くするということであり、製作工程の費用が高くなり、処理時間がかかるという問題が生じる上、薄膜の結晶性も変化する恐れがあり実用には困難を伴うものである。
【0020】
したがって、従来の成膜方法では、砒素ドーピングされたシリコン膜のトレンチ等の段差形状を有するウェハに対し、均一なドーピング濃度と、トレンチ内に空間の残らない膜形状とを、同時に得ることはできなかった。
【0021】
そこで、本発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたもので、トレンチ等の段差形状を有するウェハにおいて、均一なドーピング濃度と、空間の残らない埋め込みができる成膜方法の提供を目的とする。
【0022】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の成膜方法は、内部に被成膜体が載置可能な反応容器に、前記被成膜体上に第1の反応生成物を形成する第1の気体と、前記第1の気体の付着確率に比べて付着確率が大きく、かつ前記第1の反応生成物の前記被成膜体への付着を抑制する第2の反応生成物を分解形成する第2の気体とを供給して、前記被成膜体上に所望の成膜を行う成膜方法において、前記第1の気体および前記第2の気体を前記反応容器に供給し、前記被成膜体上に所望の成膜を行う成膜工程中に少なくとも1回前記第2の気体のみ、または前記成膜工程のガスの比率より多くを前記反応容器に供給して前記第1の反応生成物の前記被成膜体への付着を抑制する工程を有すると共に、
前記被成膜体表面に存在する段差のアスペクト比ARと、前記第2の気体の付着確率η B とが、
η B >0.0406×AR −1.86
なる関係を有し、
かつ、前記第1の気体の付着確率η A が、前記第2の気体の付着確率η B より小さいことを特徴とする。
【0023】
すなわち、本発明の成膜方法は、原料ガスと添加ガス、あるいは原料ガスと添加ガスおよびキャリアガスを同時に供給する薄膜形成工程と、添加ガスのみ、あるいは添加ガスとキャリアガスを供給して添加ガスの吸着層を形成するドーピング工程とを、交互に繰り返して、所望のドーピング濃度と膜厚を得ることを特徴とする。
【0024】
また、原料ガスとしてシラン系化合物を、添加ガスとしてアルシンあるいはフォスフィンガス等の5族水素化物を使用した場合、本発明は効果的に作用する。ここで、本発明の作用について説明する。
【0025】
トレンチ等の段差形状に薄膜を形成する場合、原料ガスと同時に供給した添加ガスは、段差形状の壁に衝突を繰り返しながら拡散によって底部まで到達する。その間、衝突した壁に少しずつ付着していくため、段差の上部から底部にかけて添加ガスの濃度が低下する分布が発生する。
【0026】
この時、壁に付着した添加ガスは原料ガスの付着を阻害する働きがあるが、その効果は段差形状の底に行くほど小さくなると考える。そのため、原料ガスによる膜形成の速度は段差形状の上部で遅く、底部で早くなり、段差形状を底から埋め込む効果が期待できることから、本発明では従来法に比べ、飛躍的に高い埋め込み性能を得ることが可能となる。
【0027】
また、添加ガスに生じるトレンチ深さ方向の濃度低下は、原料ガスにも発生する。
【0028】
しかしながら、原料ガスの付着確率は添加ガスに比べて小さいため、衝突した壁での付着量も少なく、発生する濃度低下は添加ガスほど大きくない。
【0029】
また、段差形状を底から埋め込む効果は、添加ガスと原料ガスの供給流量を変えることで制御できるため、段差形状にあわせた埋め込みに最適なプロセス条件を設定することができる。
【0030】
さらに、原料ガスの供給を止めて添加ガスを供給し、添加ガスの吸着層を形成するドーピング工程を入れることで膜中のドーピング濃度も自由に制御することが可能となる。
【0031】
また、添加ガスによるドーピングの濃度もトレンチ構造内で均一に保つことができる。
【0032】
これらの効果は、薄膜形成温度を低温化することなく達成することができるため、プロセス時にかかる費用を上げることなく、半導体デバイスの作成時における不良の発生を確実に解消することができる。
【0033】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態の構成について図面を参照しながら説明する。
図1乃至図11は、本発明の成膜方法の第1実施形態を示すものである。
本工程は、トレンチなどの深い段差のある半導体ウェハの表面に、添加ガスによってドーピングされた薄膜を形成するものである。
【0034】
図1は、第1実施形態の成膜装置の構成図であり、反応容器1内部には、ウェハ2(被成膜体)と、ウェハ2をチャックするウェハチャック3と、ウェハチャック3に接続される回転軸4と、ウェハ2に所望のガスを均一に供給する整流板5と、が設けられる。整流板5には、複数の供給孔が穿設され、ウェハ2表面に対向して設けられる。回転軸4を回転させるための駆動力を与えるモータ(不図示)は、反応容器1外に設けられる。また、チャック3にはウェハ2を所定温度に保持するためのヒータ(不図示)が設けられる。
【0035】
反応容器1上方の壁には、原料ガスおよび添加ガスが内部へ導入される導入口7が設けられる。また、反応容器1下方の壁には、内部のガスをポンプ(不図示)などで排出するための排出口8が設けられ、排出口8は排出流路6に接続される。
このような構成からなる第1実施形態の動作について図2のフローチャートを参照して説明する。
【0036】
まず、反応容器1内部は、例えば50torr程度に減圧され、またウェハ2はヒータにより例えば700℃程度に保持されている。
(1)反応容器1外部に配置されるウェハ2を、ロボットアームなどにより反応容器1内のチャック3上に移動させ、チャック3によりウェハ2をチャックする。
(2)ウェハ2を所定温度の成膜温度に加熱し保持する。
(3)原料ガス(第1の気体)であるシラン化合物例えばSiH4を、または添加ガス(第2の気体)であるアルシンAsH3を、所定流量、所定時間で、反応容器1内へ供給する。反応容器1内へ導入された各種ガスは、整流板5に穿設される孔からウェハ2上に供給される。原料ガスの供給により、SiH4がウェハ2表面に解離吸着されウェハ2表面のシリコンと反応し、例えばSiH3、SiHなる膜を形成する。SiH3、SiHに含まれるH原子は、やがてH2となりガスとしてウェハ2より脱離していき、最終的にウェハ2上にポリシリコン膜(第1の反応生成物)を形成する。またSiH3は、ウェハ2表面のSiと反応して、SiH2とSiHに変化する場合もある。また添加ガスの供給によりウェハ2上にAs(第2の反応生成物)なるドーピングの吸着層を形成する。このAsは、添加ガスAsH3がウェハ2でSiとの反応により分解形成されて生成されるものである。添加ガスAsH3は、この形のままウェハ2表面に吸着する。物理吸着したAsH3は、解離吸着により、AsH3+2Si(ウェハ2表面)→AsH2+SiH+Si(吸着層にとりこまれたもの)なる反応を起こす。AsH2からH原子がはずれ、AsHとなり、その後、H2ガスとして放出され、吸着層としてAsのみが残る。
(4)所定時間経過後、原料ガス、または添加ガスの供給を停止する。
(5)さらに原料ガス、または添加ガスを反応容器1内へ供給する場合は、工程(3)に戻り、このウェハ2の処理が終了している場合は、工程(6)へ進む。
(6)処理済のウェハ2を、ロボットアーム(不図示)により反応容器1内から反応容器1外の所定の載置場所へ移動させる。新たなウェハ2を処理する場合は工程(1)に戻り、新たなウェハ2が無い場合には工程終了とする。
【0037】
尚、ドーピング工程は、成膜工程中に少なくとも一回実施されていれば良い。また、ドーピング工程では添加ガスと同時に原料ガスを流すことも可能であり、その場合にはガスの比率を原料ガスに比べて添加ガスを高くして実施する。
【0038】
上記工程終了後、別の反応容器へウェハは運ばれ、所定の温度に加熱されて、添加ガスによる吸着層をポリシリコン膜中へ拡散させる工程がとられ、ポリシリコン膜に均一な導電性が得られ、電極となる。
【0039】
ここで、工程(3)〜(5)について図3の各種ガスの導入パターンを参照して説明する。横軸は時間であり、縦軸は各種ガスの流量を示す。
【0040】
ここで、成膜(薄膜)形成工程はA1〜A3であり、ドーピング工程はB1、B2である。
(イ)A1では、所定量の原料ガスであるSiH4と、所定量の添加ガスであるアルシンとが、反応容器1に導入され、ウェハ2表面のトレンチを埋めるようにポリシリコンが成膜される。
(ロ)B1では、原料ガスの導入を停止し、工程(イ)と同量の添加ガスのみ反応容器1に導入している。そして工程(イ)で形成されたポリシリコン膜上に、ドーピングガスの吸着層を形成する。
(ハ)A2では、工程(イ)と同じ動作がなされ、工程(ロ)により形成されたドーピングガスの吸着層の上に、ポリシリコン膜が成膜される。
(ニ)B2では、工程(ロ)と同じ動作がなされ、工程(ハ)により形成されたポリシリコン膜の上に、ドーピングガスの吸着層が形成される。
(ホ)A3では、工程(イ)と同じ動作がなされ、工程(ニ)により形成されたドーピングガスの吸着層の上に、ポリシリコン膜が成膜される。A3工程が終了して成膜全工程が終了する。
【0041】
以上述べたような第1実施形態の作用について、図4の断面図を参照して説明する。
【0042】
成膜工程A1〜A3では、図4に示されるようなウェハ2表面にすり鉢状に存在する深いトレンチ構造による段差に対し、段差の底部の方でより速い成膜速度になるように薄膜を形成することによって、段差形状をポリシリコンで空間無く埋め込むことができる。(図4中左側のトレンチ点線斜線部参照)
このトレンチ内部を空間無くポリシリコンで埋め込む原理について説明する。気相から供給された添加ガス分子(例えばアルシン)は、トレンチの壁面で吸着、あるいは反射を繰り返しながらトレンチ上部から底部に向かって拡散していく。
【0043】
この時、添加ガスの拡散の速度に比べて添加ガス分子の吸着が素早く起こる系であれば、添加ガスの濃度はトレンチ上部から底部にかけて低下するような分布となる。この動作を、添加ガス分子としてアルシンを使った場合を想定してシミュレーションしたものが、図5のトレンチ深さとアルシンガス量との関係を表すグラフである。図5では、トレンチ開口部つまり、深さが0の地点では、アルシンは1.5×1020[atoms/cm3]程度の量が存在するが、その後徐々にアルシンの量が低下し、トレンチ底部では0.5×1020[atoms/cm3]程度の量しか存在していないことが分かる。
【0044】
添加ガス分子は、添加ガス分子がトレンチ表面に吸着すると、原料ガス分子の吸着を阻害する働きがあるものを使用する。このため、トレンチ上部では原料分子の吸着が阻害されるが、トレンチ底部ではその効果が小さくなり、トレンチ底部でより高速に薄膜が成長することになる。
【0045】
このような添加ガスを選択する際、特に、段差のアスペクト比ARと添加ガスの付着確率ηBとの関係が、式ηB>0.0406×AR−1.86で表される範囲にあれば、添加ガスがトレンチ開口部から底部にかけて濃度が減少するようになることが望ましい。尚、トレンチとは、被成膜体表面に存在する凹形状の溝をさし、アスペクト比の横寸法は、図4中にWで示した長さであり、縦寸法は底部からトレンチ開口部(被成膜体表面)までの長さ(図4中にLで示した長さ)をさす。
【0046】
また、トレンチ構造内での濃度低下量は、添加ガスの付着確率とトレンチのアスペクト比とで決まる。
【0047】
図6は添加ガスの付着確率とステップカバレッジとの関係を示すグラフであり、アスペクト比5(点線)、40(実線)、100(一点鎖線)の場合を計算した結果である。
【0048】
アスペクト比40の場合、ステップカバレッジ0.95である点の付着確率は、4×10−5であり、アスペクト比が小さくなるにつれて、ステップカバレッジ0.95が得られる付着確率が大きくなっていることが分かる。
【0049】
アスペクト比40では、この付着確率(ステップカバレッジが0.95である点)が変曲点になっており、添加ガスの付着確率が約4×10−5より小さい場合は、トレンチ内での濃度低下はほとんど起こらないが、この値より大きくなると大きな濃度低下がおこることを意味している。
【0050】
各アスペクト比における変曲点にあたる付着確率を、アスペクト比との関係で表したグラフが図7である。
【0051】
変曲点を結んだ曲線である添加ガスの付着確率ηBは、
ηB=0.0406×AR−1.86
なる式で表すことができる。
【0052】
アルシンガスの付着確率がこの式で与えられる付着確率より大きいときには、トレンチ底部での添加ガス濃度がトレンチ上部に比べて95%以下となり、トレンチの深さ方向の添加ガスに濃度分布が生じる。
【0053】
なお、添加ガスとしてアルシンガスを用い、原料ガスとしてシラン系ガスを用いた場合、この効果は非常に有効に発揮される。
【0054】
また、図8はアルシンガスとシラン化合物の付着率との関係を表すグラフであり、アルシンガスの分圧が増加するにつれ、つまりアルシンガス濃度が高くなれば、シラン化合物の付着確率は低下する。なお、アルシンガス以外では、同じ5族水素化物である、アンモニア(NH3)やフォスフィン(PH3)においてもアルシンガスと同様な傾向が見られる。
【0055】
また、図9はステップカバレッジとトレンチの深さ方向との関係を示すグラフであり、アルシンガスを添加しない場合(○印)と、添加した場合(□印)の関係を表している。
【0056】
アルシンガスを添加しない場合は、トレンチ底での膜厚はトレンチ開口部の膜厚に比べ低下するが、アルシンガスを例えば0.3ccm添加した場合には、形成されるポリシリコン膜の膜厚分布はトレンチの底の方に進むにしたがって大きくなっている。
【0057】
その結果、図10の各条件による断面図に示す通り、アルシンガスを添加しない図10(a)では、トレンチ底部に進むにつれてポリシリコンが埋め込まれていない空間が大きくなっていく。逆に、図10(b)のアルシンガスを0.3ccm添加した場合では、トレンチ底部にまでポリシリコンが埋め込まれている。よって、アルシンガスを所定量原料ガスに添加することにより、図9に示すように、より深く細いトレンチに空間をほぼ残すことなく埋め込むことができるようになる。
【0058】
また、ドーピング工程では、原料ガスを流さず、添加ガスのみを供給することにより、添加ガスの分子がトレンチ構造の表面(ポリシリコン膜上)に吸着し、吸着層が形成される。吸着層での添加ガス分子濃度の時間変化は図11に示すとおりであり、ドーピング工程の初期(数秒)で急激に吸着が起こり、時間経過と共に次第に飽和濃度(例えば約2.5×10−5[mol/m2])に達する。飽和濃度に達した時の添加ガスの付着確率は、ほぼゼロとなるため、この工程ではトレンチの上部・下部で濃度分布が発生せず、均一なドーピングとなる。
【0059】
吸着層が形成された添加ガス分子は、その後の成膜(薄膜)工程によって、アルシン吸着層の上にポリシリコン膜が覆われて、ポリシリコン膜中に取り込まれる。従って、均一なドーピングをするためには、ドーピング工程の時間を、図11に示される飽和時間より長く(例えば20秒程度)取ると有効である。
【0060】
以上述べたような第1実施形態では、成膜時には原料ガスと添加ガス、ドーピング時には添加ガスのみをウェハに供給する工程をとることで、トレンチに成膜時に形成される空間を無くし段差形状を埋め込むことができる。
なお、成膜工程の後に、ドーピング工程を行っているが、ドーピング工程が最初の工程となりその後成膜工程を行ってもよい。また成膜工程とドーピング工程とが交互に行われなくとも複数回の成膜工程の間に少なくとも1回のドーピング工程があるような動作を行うことも適宜可能である。
【0061】
次に、本発明の第2実施形態について図12を参照して説明する。
なお、以下の各実施形態における成膜装置は、第1実施形態と同一である。
【0062】
第2実施形態の特徴は、添加ガスを反応容器1に導入する工程B1、B2において、添加ガス流量を工程A1〜A3と比べ増加させたことである。
第2実施形態の動作について説明する。
(イ)A1では、所定量の原料ガスであるSiH4と、所定量の添加ガスであるアルシンとが、反応容器1に導入され、ウェハ2表面のトレンチを埋めるようにポリシリコン膜が成膜される。
(ロ)B1では、原料ガスの導入を停止し、工程(イ)の流量に比べて多い流量で添加ガスのみ反応容器1に導入する。そして工程(イ)で形成されたポリシリコン膜上に、ドーピングの吸着層が形成される。
(ハ)A2では、工程(イ)と同じ動作がなされ、工程(ロ)により形成されたドーピング吸着層の上に、ポリシリコン膜が成膜される。なお、添加ガスの流量は、工程(イ)の添加ガスの流量と同一にする。
(ニ)B2では、工程(ロ)と同じ動作がなされ、工程(ハ)により形成されたポリシリコン膜の上に、ドーピング吸着層が形成される。なお、添加ガスの流量は、工程(ロ)の添加ガスの流量と同一にする。
(ホ)A3では、工程(イ)と同じ動作がなされ、工程(ニ)により形成されたドーピング吸着層の上に、ポリシリコン膜が成膜される。なお、添加ガスの流量は、工程(イ)の添加ガスの流量と同一にする。
以上述べたような第2実施形態では、成膜時には原料ガスと添加ガス、ドーピング時には添加ガスのみをウェハに供給する工程をとることで、トレンチに成膜時に形成される空間を無くし段差形状を埋め込むことができる。
【0063】
また、工程(ロ)、(ハ)にて、添加ガスの流量を他の工程に比べて増加させることにより、アルシンガスのポリシリコン膜への吸着時間を短縮することができ、工程全体の時間が短くなり処理効率が向上する。
【0064】
次に、本発明の第3実施形態について図13を参照して説明する。
第3実施形態の特徴は、原料ガスの供給を停止させた後しばらくの間は、添加ガスの流量を前工程の流量のまま供給し、所定時間経過後、添加ガスの流量を増加させ反応容器1内へ供給させたことである。
【0065】
第3実施形態の動作について説明する。
(イ)A1では、所定量の原料ガスであるSiH4と、所定量の添加ガスであるアルシンとが、反応容器1に導入され、ウェハ2表面のトレンチを埋めるようにポリシリコン膜が成膜される。
(ロ)B1では、原料ガスの導入を停止する。原料ガス停止後所定時間は、工程(イ)の流量と同量の添加ガスを反応容器1内へ流す。この所定時間とは、原料ガスが貯蔵されるタンク(不図示)から反応容器1に接続される配管内や、反応容器1内であって整流板5から供給される前の空間に残存する原料ガスが反応容器1に流れでる時間である。
【0066】
この所定時間経過後、添加ガスの流量を工程(イ)に比べて多い流量で添加ガスのみ反応容器1に導入する。そして工程(イ)で形成されたポリシリコン膜上に、ドーピングの吸着膜を形成する。
【0067】
流量が増加され所定時間経過した後、次工程に入る前に、添加ガスの流量を工程(イ)と同量に低下させ所定時間流す。
(ハ)A2では、工程(イ)と同じ動作がなされ、工程(ロ)により形成されたドーピング吸着膜の上に、ポリシリコン膜が成膜される。なお、添加ガスの流量は、工程(イ)の添加ガスの流量と同一にする。
(ニ)B2では、工程(ロ)と同じ動作がなされ、工程(ハ)により形成されたポリシリコン膜の上に、ドーピング吸着膜が形成される。なお、添加ガスの流量は、工程(ロ)の添加ガスの流量と同一にする。
(ホ)A3では、工程(イ)と同じ動作がなされ、工程(ニ)により形成されたドーピング吸着膜の上に、ポリシリコン膜が成膜される。なお、添加ガスの流量は、工程(イ)の添加ガスの流量と同一にする。
【0068】
以上述べたような第3実施形態では、成膜時には原料ガスと添加ガス、ドーピング時には添加ガスのみをウェハに供給する工程をとることで、トレンチに成膜時に形成される空間を無くし段差形状を埋め込むことができる。
【0069】
また、工程(ロ)、(ハ)にて、添加ガスの流量を他の工程に比べて増加させることにより、アルシンガスのポリシリコン膜への吸着時間を短縮することができ、工程全体の時間が短くなり処理効率が向上する。
【0070】
また、配管や反応容器1内の整流板5を通過する前の空間にある原料ガスや添加ガスを、ほぼ完全に整流板5からウェハ2上方に供給することにより、余分な量の添加ガスが存在しないため、ポリシリコン膜の膜形状にむらがなくなり、均一な膜厚を有する成膜ができる。
【0071】
次に、本発明の第4実施形態について図14を参照して説明する。
第4実施形態の特徴は、原料ガスの供給停止と同時に、添加ガスの供給も停止し、所定時間供給を停止させた後に、添加ガスの流量を前工程の流量に対し増加させて供給し、所定時間供給後、添加ガスの供給を停止しさせる工程を、交互に繰り返すことである。
【0072】
第4実施形態の動作について説明する。
(イ)A1では、所定量の原料ガスであるSiH4と、所定量の添加ガスであるアルシンとが、反応容器1に導入され、ウェハ2表面のトレンチを埋めるようにポリシリコン膜が成膜される。
(ロ)B1では、原料ガスの導入と添加ガスの導入を停止する。添加ガスの導入を所定時間停止させた後、工程(イ)の流量に比べて多い流量の添加ガスを反応容器1内へ流す。この停止時間は、原料ガスが貯蔵されるタンク(不図示)から反応容器1に接続される配管内や、反応容器1内であって整流板5から供給される前の空間に残存する原料ガスが反応容器1に流れ排出される時間である。反応容器1内へ導入された残存ガスは、排気流路6より反応容器1外部へ排出される。
この所定時間経過後、添加ガスの流量を工程(イ)に比べて多い流量で添加ガスのみ反応容器1に導入する。そして工程(イ)で形成されたポリシリコン膜上に、ドーピングの吸着膜が形成される。
【0073】
流量が増加され所定時間経過した後、次工程に入る前に、添加ガスの供給を所定時間停止する。
(ハ)A2では、工程(イ)と同じ動作がなされ、工程(ロ)により形成されたドーピング吸着膜の上に、ポリシリコン膜が成膜される。なお、添加ガスの流量は、工程(イ)の添加ガスの流量と同一にする。
(ニ)B2では、工程(ロ)と同じ動作がなされ、工程(ハ)により形成されたポリシリコン膜の上に、ドーピング吸着膜が形成される。なお、添加ガスの流量は、工程(ロ)の添加ガスの流量と同一にする。
(ホ)A3では、工程(イ)と同じ動作がなされ、工程(ニ)により形成されたドーピング吸着膜の上に、ポリシリコン膜が成膜される。なお、添加ガスの流量は、工程(イ)の添加ガスの流量と同一にする。
【0074】
以上述べたような第4実施形態では、成膜時には原料ガスと添加ガス、ドーピング時には添加ガスのみをウェハに供給する工程をとることで、トレンチに成膜時に形成される空間を無くし段差形状を埋め込むことができる。
【0075】
また、工程(ロ)、(ハ)にて、添加ガスの流量を他の工程に比べて増加させることにより、アルシンガスのポリシリコン膜への吸着時間を短縮することができ、工程全体の時間が短くなり処理効率が向上する。
【0076】
また、配管や反応容器1内の整流板5を通過する前の空間にある原料ガスおよび添加ガスを、ほぼ完全に整流板5からウェハ2上方に導入し反応容器1内から排出するため、成膜時、ドーピング時において、余分な量、不要なガスを存在させないため、より膜形状の良い均一な成膜、ドーピングを行うことができる。
次に、本発明の第5実施形態について図15を参照して説明する。
【0077】
第5実施形態の特徴は、添加ガスの供給量を各工程において変化させたことである。
【0078】
第5実施形態の動作について説明する。
(イ)A1では、所定量の原料ガスであるSiH4と、所定量の添加ガスであるアルシンとが、反応容器1に導入され、ウェハ2表面のトレンチを埋めるようにポリシリコン膜が成膜される。このとき添加ガスの流量は、時間の経過と共に低下する。
(ロ)B1では、原料ガスの導入を停止し、所定量の添加ガスのみ反応容器1へ導入する。
(ハ)A2では、工程(イ)と同じ動作がなされ、工程(ロ)により形成されたドーピング吸着膜の上に、ポリシリコン膜が成膜される。なお、原料ガスの流量は、工程(イ)の原料ガスの流量と同一である。添加ガスの流量は、工程(イ)終了時の添加ガスの流量と同一量で導入を開始し、時間の経過と共に低下するように流す。
(ニ)B2では、工程(ロ)と同じ動作がなされ、工程(ハ)により形成されたポリシリコン膜の上に、ドーピング吸着膜が形成される。なお、添加ガスの流量は、工程(ロ)の添加ガスの流量よりも少ない流量とする。
(ホ)A3では、工程(イ)と同じ動作がなされ、工程(ニ)により形成されたドーピング吸着膜の上に、ポリシリコン膜が成膜される。なお、原料ガスの流量は、工程(イ)と同量であるが、添加ガスの流量は、工程(ハ)の終了時点の流量で添加ガスの供給をはじめ、時間の経過と共に流量を低下させている。
尚、工程(ロ)、(ニ)における各工程時間を、工程(イ)、(ハ)、(ホ)よりも短くしてもよい。
【0079】
以上述べたような第5実施形態では、成膜時には原料ガスと添加ガス、ドーピング時には添加ガスのみをウェハに供給する工程をとることで、トレンチに成膜時に形成される空間を無くし段差形状を埋め込むことができる。
また、工程(ロ)、(ハ)にて、添加ガスの流量を他の工程に比べて増加させることにより、アルシンガスのポリシリコン膜への吸着時間を短縮することができ、工程全体の時間が短くなり処理効率が向上する。
【0080】
また、工程経過後に変化するトレンチのアスペクト比に応じたガスの流量に調整して供給することにより最適な成膜を得ることができる。
【0081】
次に、本発明の第6実施形態について説明する。
第6実施形態の特徴は、成膜工程において、原料ガス、添加ガスとともにキャリアガスを同時に反応容器内へ導入させる、またドーピング工程において、添加ガスとともにキャリアガスを同時に反応容器内へ導入させたことである。
【0082】
成膜、もしくはドーピング工程は、上述した各実施形態と同一である。
キャリアガスは、アルゴンや窒素などの不活性ガスであり、成膜工程時に反応容器に導入している原料ガス、添加ガスの導入と同時に、キャリアガスを導入する。またドーピング工程時に反応容器に導入している添加ガスと同時にキャリアガスを導入する。キャリアガスの導入量は、反応容器の体積にもよるが、原料ガスまたは添加ガスの流量によって設定される。
【0083】
以上述べたような第6実施形態では、選択された上記各実施形態で得られる効果を得ることができ、同時にキャリアガスの導入によって各工程における反応容器内の圧力変動を少なくし、圧力制御を容易に行うことができる。また、各工程間の切り替え時に、前工程で使用したガスを反応容器外により速やかに排出するため、反応容器内のガスの切り替え時間を低減することができる。また、反応容器が導入される原料ガス、添加ガスの流量に比べて大きい場合には、反応容器内を流れるガスの流量を増加させることができる。
【0084】
尚、本発明は上記実施形態には限定されず、その主旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施できることは言うまでもない。例えば、成膜工程における原料ガスおよび添加ガスの流量、ドーピング工程における添加ガスの流量、また成膜工程とドーピング工程との繰り返しの数等は、所望の形状の膜が得られれば、どのようなものでも良い。また、添加ガスはアルシンでなくともフォスフィンでも良く、原料ガスはSiH4でなくとも他のシラン系ガスを用いても良い。
【0085】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、トレンチなどの段差部に空間を有することなく所望の膜を埋め込むことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の成膜方法の第1実施形態の成膜装置の構成図。
【図2】本発明の成膜方法の第1実施形態のフローチャート。
【図3】本発明の成膜方法の第1実施形態の原料ガスと添加ガスとの供給工程図。
【図4】本発明の成膜方法の第1実施形態のウェハ断面図。
【図5】トレンチ深さと砒素濃度との関係を示すグラフ。
【図6】付着確率とステップカバレッジとの関係を示すグラフ。
【図7】アスペクト比と付着確率との関係を示すグラフ。
【図8】アルシン分圧とシラン付着確率との関係を示すグラフ。
【図9】トレンチ深さ方向とステップカバレッジとの関係を示すグラフ。
【図10】本発明の成膜方法の第1実施形態の成膜後のウェハ断面図。
【図11】時間とアルシン表面濃度との関係を示すグラフ。
【図12】本発明の成膜方法の第2実施形態の原料ガスと添加ガスとの供給工程図。
【図13】本発明の成膜方法の第3実施形態の原料ガスと添加ガスとの供給工程図。
【図14】本発明の成膜方法の第4実施形態の原料ガスと添加ガスとの供給工程図。
【図15】本発明の成膜方法の第5実施形態の原料ガスと添加ガスとの供給工程図。
【符号の説明】
1 反応容器
2 ウェハ
3 チャック
4 回転軸
5 整流板
6 排出流路
7 導入口
8 排気口
Claims (1)
- 内部に被成膜体が載置可能な反応容器に、前記被成膜体上に第1の反応生成物を形成する第1の気体と、前記第1の気体の付着確率に比べて付着確率が大きく、かつ前記第1の反応生成物の前記被成膜体への付着を抑制する第2の反応生成物を分解形成する第2の気体とを供給して、前記被成膜体上に所望の成膜を行う成膜方法において、
前記第1の気体および前記第2の気体を前記反応容器に供給し、前記被成膜体上に所望の成膜を行う成膜工程中に少なくとも1回、前記第2の気体のみ、または前記第2の気体を前記成膜工程のガス比率より多く前記反応容器に供給して前記第1の反応生成物の前記被成膜体への付着を抑制する工程を有すると共に、
前記被成膜体表面に存在する段差のアスペクト比ARと、前記第2の気体の付着確率η B とが、
η B >0.0406×AR −1.86
なる関係を有し、
かつ、前記第1の気体の付着確率η A が、前記第2の気体の付着確率η B より小さいことを特徴とする成膜方法。
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