JP3588431B2 - 電力変換装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、PWMを用いたNPC(Neutral Point Clamping)電力変換装置に係り、特に主回路を実装する半導体スタックの実装構成を改良した電力変換装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来から、PWMを用いたNPC電力変換装置としては、例えばスイッチング素子としてGTO素子を用いた3レベルNPC電力変換装置が多く用いられてきている。
【0003】
この3レベルNPC電力変換装置では、製造の容易性、軽量化、保守性の観点から、主回路を実装する半導体スタックを、正極側および負極側の二つ設ける必要がある。
【0004】
図11は、この種の従来の3レベルNPC電力変換装置の主回路構成例を示す回路図である。
【0005】
図11において、直流電源Bにより充電される平滑コンデンサ1と、第1,第2,第3,第4のスイッチング素子(GTO素子)2,3,4,5と、コンデンサと抵抗器で構成されスイッチング素子2,3,4,5のスイッチング時のサージを吸収するスナバー回路2a,3a,4a,5aと、第1,第2の結合ダイオード6,7とからなるグループで1相とし、U相,V相,W相の3レベルNPC主回路を構成している。
【0006】
図12は、上記主回路を実装するパワーモジュールユニットの実装構成例を示す概要図である。
【0007】
図12において、主回路半導体素子を縦列配置締結して構成する半導体スタック14を、正側の主回路を装備したパワーモジュールユニット16の最前列に搭載している。
【0008】
半導体スタック14は、図示左側から、第1の結合ダイオード6、第3のスイッチング素子3、フライホイールダイオード9、第2のスイッチング素子2、フライホイールダイオード9を順に配置している。
【0009】
第2,第3のスイッチング素子2,3およびフライホイールダイオード8,9の間には、その発熱を冷却するための水冷片12が配管12aを備え、共に所定の圧力で締め付けて、各スイッチング素子間を接続する主回路ブス13C,13A,13P,13a1,13a2で構成している。
【0010】
この半導体スタック14の配管12aを母管15に接続し、その後方に第2,第3のスイッチング素子2、3に並列接続しているスナバー回路2a,3aを配置して接続し、パワーモジュールユニット16を構成している。
【0011】
なお、負極側のパワーモジュールユニットについては、上述した図12のパワーモジュールユニット16の左端を起点とした鏡対象としている。すなわち、図12の左右方向の勝手違いになる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような構成の3レベルNPC電力変換装置では、3レベルの動作モードにおいて、配線インダクタンスが大きくなり、スナバー回路の容量を大きくせざるを得ないという問題点がある。
【0013】
一例として、3レベルNPC電力変換装置の通電モードについて、図11および図12を用いて説明する。
【0014】
正極側出力での通電モードは、図11の矢印Aで示すように、直流電源Bの正極母線13Pから第2のスイッチング素子2→第3のスイッチング素子3→AC出力ブスバー13Aの経路で流れる。
【0015】
半導体スタック14内を流れる電流は、図12の矢印Aで示すように、直流電源Bの正極母線13P→水冷片12→第2のスイッチング素子2→水冷片12→ブスバー13a2→冷却片12→第3のスイッチング素子3→冷却片12→AC出力ブスバー13Aの経路で流れる。
【0016】
零出力での通電モードは、図12の矢印Bで示すように、直流電源Bの中性点母線13Cから、第1の結合ダイオード6→第3のスイッチング素子3→出力ブスバー13A→負荷の順番で電流が流れる。
【0017】
第1,第2,第3,第4のスイッチング素子2,3,4,5と、第1,第2の結合ダイオード6,7、フライホイールダイオード8,9,10,11を実装した半導体スタック14にける電流の流れは、図12の矢印Bの方向に、中性点母線13C→冷却片12→第1の結合ダイオード6→冷却片12→第3のスイッチング素子3→冷却片12→出力ブスバ−13Aの経路で流れる。
【0018】
第1,第2,第3,第4のスイッチング素子2,3,4,5、第1,第2の結合ダイオード6,7、フライホイールダイオード8,9,10,11、冷却片12、出力ブスバー13Aに流れる電流は、正極側出力と同様に、半導体スタック14の軸方向にそれぞれ打ち消し合う方向に流れる。
【0019】
このため、第1,第2,第3,第4のスイッチング素子2,3,4,5、第1,第2の結合ダイオード6,7、フライホイールダイオード8,9,10,11、冷却片12、出力ブスバー13Aを含めた経路を最短にして、NPC動作時に各スイッチング素子2,3,4,5の高速スイッチング時のサージ電圧を抑制することが、重要なことである。
【0020】
この場合、サージ電圧を抑制する手段としては、前述の低インダクタンス化のための最短、最小ループ面積の配線、またはスナバー回路のスナバーコンデンサ容量を増やすことが考えられる。
【0021】
しかしながら、前者については、主回路から決定される半導体素子の数と半導体スタック14の構成上、限度がある。
【0022】
また、後者は、スナバーコンデンサ容量を増やすと、並列接続したスナバー抵抗器の定格はそのアップした容量比で大きくなり、両者とも外形・重量が増加して、装置全体の外形に大きく影響する。
【0023】
一方、主回路2アーム毎のパワーモジュールユニット16構成にしているため、ユニットおよび組立価格もアップする。
【0024】
また、ユーザの予備ユニットも全く同じ構成でないため、2台以上必要とする。
【0025】
以上のように、従来のNPC電力変換装置においては、信頼性、省スペース性、経済性、組立性の点で問題がある。
【0026】
本発明の目的は、信頼性の向上、省スペース化、経済性の向上、組立性の向上を図ることが可能な電力変換装置を提供することにある。
【0027】
【課題を解決するための手段】
本発明の観点に従った電力変換装置は、直流電源の正極電位と負極電位との間にスイッチング素子と該スイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとを有する第1,第2,第3,第4の半導体素子の直列回路を接続し、前記第2の半導体素子と第3の半導体素子との接続点から交流端子を導出し、かつ前記第1の半導体素子と第2の半導体素子との接続点と前記直流電源の中間電位点との間および前記第3の半導体素子と第4の半導体素子との接続点と前記直流電源の中間電位点との間に第1の結合ダイオードおよび第2の結合ダイオードを接続し、前記第1の結合ダイオードと第2の結合ダイオードの一端に接する導体を境にして、正極側には前記第1の結合ダイオード、前記第1,第2の半導体素子を冷却片及び絶縁物を介して配置し、負極側には前記第2の結合ダイオード、前記第3.第4の半導体素子を冷却片及び絶縁物を介して配置し、前記第1,第2,第3,第4の半導体素子、前記第1,第2の結合ダイオード、前記冷却片および前記絶縁物を一括で締結した構成である。
【0028】
従って、請求項1に対応する発明の電力変換装置においては、ブスバーに電流が互いに打ち消し合う方向に流れるため、回路の配線のインダクタンスを低くすることができ、各NPCの通電モードによるスイッチング素子に加わるサージ電圧を抑制することができ、スナバーレス化が可能となる。
【0046】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【0047】
(第1の実施の形態:請求項1、請求項2、請求項3、請求項4に対応)
図1は、本実施の形態によるIEGT(InjectionEnhancedTransistor)を用いた3レベルNPC電力変換装置の主回路構成例を示す回路図であり、図11と同一要素には同一符号を付して示している。
【0048】
図1において、直流電源Bにより充電される平滑コンデンサ1と、第1,第2,第3,第4のスイッチング素子17,18,19,20と、第1,第2の結合ダイオード6,7とからなるグループで1相とし、U相,V相,W相の3レベルNPC主回路を構成している。
【0049】
ここで、第1,第2,第3,第4のスイッチング素子17,18,19,20は、前記図11に示した従来の逆導通ダイオード(フリーホイルダイオード8,9,10,11)を内蔵したスイッチング素子で構成されている(以下、IEGTと称することとする)。
【0050】
次に、上記主回路を実装する半導体スタックの実装構成について説明するが、水冷配管の構成は、前記図12に示した従来のパワーモジュールユニットと大差はないので、ここではその説明を省略し、本発明に直接関係する半導体スタックの構成について、以下に述べる。
【0051】
図2は、上記主回路を実装する半導体スタックの実装構成例を示す概要図である。なお、ここでは、主回路半導体素子を縦列配置締結して構成する半導体スタックを例として示している。
【0052】
図2において、第1の結合ダイオード6と第2の結合ダイオード7を、冷却片12を介して直列に、半導体スタック22のほぼ中央部に位置するように配置している。(請求項1に対応)
第1の結合ダイオード6と第2の結合ダイオード7の中性点の電極となるブスバー13Cを境にして、正極側には、第1の結合ダイオード6、第2のIEGT18を冷却片12を介して隣接配置し、負極側には、第2の結合ダイオード7、第3のIEGT19を冷却片12を介して隣接配置している。
【0053】
第1のIEGT17と第2のIEGT18との間、および第3のIEGT19および第4のIEGT20との間には、冷却片12を介して絶縁物21を配置し、第1,第2,第3,第4のIEGT17,18,19,20、第1,第2の結合ダイオード6,7、冷却片12および絶縁物21を一括で所定の圧力で締結している。(請求項2に対応)
一方、図2に示すように、第1,第2,第3,第4のIEGT17,18,19,20、および第1,第2の結合ダイオード6,7を冷却する冷却片12の圧接する面と直角になる冷却片の面に面して、第1のIEGT17と第2のIEGT18との間、第3のIEGT19と第4のIEGT20との間、第1の結合ダイオード6と第2のIEGT18との間、第2の結合ダイオード7と第3のIEGT19との間をそれぞれ接続するブスバー13a1,13a2,13a3,13a4を平行並走するように配置している。(請求項3に対応)
図3は、図2のA−A断面図を示す。
【0054】
図3に示すように、ブスバー13a1,13a3は、第1のIEGT17と第2のIEGT18、第3のIEGT19と第4のIEGT19,20、第1の結合ダイオード6と第2のIEGT18、第2の結合ダイオード7と第3のIEGT19のそれぞれの通電モードでのスイッチングサージを抑制するように、幅広形状にし、かつ平行並走するように配置している。(請求項4に対応)
次に、以上のように構成した本実施の形態による半導体スタック22において、プラス、零、マイナスの3レベルを出力するNPC通電モードについて説明する。
【0055】
なお、マイナスレベルの出力モードについては、プラス出力モードの電流方向が反転しただけであり、半導体スタック内のスイッチング素子、冷却片およびブスバーに対する通電方向の関係は同じであるので、ここではその説明を省略する。
【0056】
図4は、プラス出力の回路図での通電モードを太線で示す図である。
【0057】
図4において、直流電源Bの正極側のブスバー13Pから、第1のIEGT17→第2のIEGT18→出力ブスバー13A→負荷の順番で電流が流れる。
【0058】
この第1,第2のIEGT17,18を実装した半導体スタック22における電流の流れは、図2に示す矢印Aの方向に、正極側のブスバー13P→冷却片12→第1のIEGT17→冷却片12→ブスバー13a1→冷却片12→第2のIEGT18→冷却片I2→出力ブスバー13Aの経路で流れる。
【0059】
すなわち、冷却片12、第1,第2のIEGT17,18、冷却片12とブスバー13a1に流れる電流は、半導体スタック22の軸方向にそれぞれ互いに打ち消し合う方向に流れる。
【0060】
また、絶縁物21に面する冷却片12同志も、互いに打ち消し合う方向の電流になる。
【0061】
図5は、零出力の回路図での通電モードを太線で示す図である。
【0062】
図5において、直流電源Bの中性点のブスバ−13Cから、第1の結合ダイオード6→第2のIEGT18→出力ブスバー13A→負荷の順番で電流が流れる。
【0063】
この結合ダイオード6とIEGT18を実装した半導体スタック21においての電流の流れは、図2の矢印Bの方向に、中性点のブスバー13C→結合ダイオード6→冷却片12→IEGT18→冷却片12→出力ブスバー13Aの経路で流れる。
【0064】
冷却片12、第1の結合ダイオード6、第2のIEGT18、冷却片12、ブスバー13a3に流れる電流は、前述したプラス出力と同様に、半導体スタック22の軸方向にそれぞれ互いに打ち消しあう方向に流れる。
【0065】
上述したように、本実施の形態の半導体スタック22を備えた3レベルNPC電力変換装置では、前述したように、ブスバーに電流が互いに打ち消し合う方向に流れるため、回路の配線のインダクタンスを低くすることができ、各NPCの通電モードによるスイッチング素子(IEGT)17,18,19,20に加わるサージ電圧を抑制することができ、スナバーレス化を図ることが可能となる。
【0066】
これにより、NPCの通電モードによるスイッチング素子に加わるサージ電圧を抑制することができ、スナバーレス化が可能となり、装置の低価格化、コンパクト化に大きく寄与し、部品点数も少なく、高信頼性の電力変換装置を提供することができる。
【0067】
(第2の実施の形態:請求項5に対応)
図6は、本実施の形態による3レベルNPC電力変換装置における半導体スタックの実装構成例を示す断面図(図2のA−A断面相当)であり、図1乃至図5と同一要素には同一符号を付してその説明を省略し、ここでは異なる部分についてのみ述べる。
【0068】
すなわち、本実施の形態の半導体スタック22は、図6に示すように、前述した第1の実施の形態における、第1,第2,第3,第4のIEGT17,18,19,20、および第1,第2の結合ダイオード6,7を冷却する冷却片12とブスバー13A,13a1〜13a3との間に、電気的に絶縁する絶縁板23を挿入した構成としている。
【0069】
次に、以上のように構成した本実施の形態による半導体スタック22においては、第1,第2,第3,第4のIEGT17,18,19,20、および第1,第2の結合ダイオード6,7を冷却する冷却片12とブスバー13A,13a1〜13a3との間に、電気的に絶縁する絶縁板23を挿入していることにより、冷却片12とブスバー13A,13a1〜13a3の間隔を最小にすることができ、前記図3に比較して、より一層の低インダクタンス化を図ることができ、NPC通電モードでのスイッチング素子(IEGT)17,18,19,20へのサージ電圧を最小に抑制することができる。
【0070】
上述したように、本実施の形態の半導体スタック22を備えた3レベルNPC電力変換装置では、前述した第1の実施の形態に比較して、より一層の低インダクタンス化を図ることができ、NPC通電モードでのスイッチング素子へのサージ電圧を最小に抑制することが可能となる。
【0071】
(第3の実施の形態:請求項6に対応)
図7は、本実施の形態による3レベルNPC電力変換装置における半導体スタックの実装構成例を示す断面図(図2のA−A断面相当)であり、図1乃至図5と同一要素には同一符号を付してその説明を省略し、ここでは異なる部分についてのみ述べる。
【0072】
すなわち、本実施の形態の半導体スタック22は、図7に示すように、前述した第1の実施の形態における、ブスバー13A,13a1〜13a3に、電気的に絶縁する絶縁被覆24を施した構成としている。
【0073】
ここで、絶縁被覆24としては、例えば流動浸漬によるエポキシ絶縁被覆、または熱収縮チューブ等を施している。
【0074】
次に、以上のように構成した本実施の形態による半導体スタック22においては、ブスバー13A,13a1〜13a3に、電気的に絶縁する絶縁被覆24を施していることにより、前述した図6に示す第2の実施の形態と同様の作用により、ブスバー絶縁部材を最小に抑えることができ、低インダクタンス化を図ることができる。
【0075】
なお、図6に示す第2の実施の形態における絶縁板23の挿入との使い分けは、周囲電気品との実装構造、そのスペースの制約等の半導体スタックの実装構造からの制約により使い分けることができる。
【0076】
上述したように、本実施の形態の半導体スタック22を備えた3レベルNPC電力変換装置では、前述した第2の実施の形態と同様に、ブスバー絶縁部材を最小に抑えることができ、低インダクタンス化を図ることが可能となる。
【0077】
(第4の実施の形態:請求項7に対応)
図8は、本実施の形態による3レベルNPC電力変換装置における半導体スタックの実装構成例を示す断面図(図2のA−A断面相当)であり、図1乃至図5と同一要素には同一符号を付してその説明を省略し、ここでは異なる部分についてのみ述べる。
【0078】
すなわち、本実施の形態の半導体スタック22は、図8に示すように、前述した第1の実施の形態における、第1,第2,第3,第4のIEGT17,18,19,20、および第1,第2の結合ダイオード6,7を冷却する冷却片12の圧接する面と直角となる冷却片12の2面に面して、L型形状に幅広にしたブスバー13A′13a1′〜13a3′を、第1,第2,第3,第4のIEGT17,18,19,20、および第1,第2の結合ダイオード6,7を冷却する冷却片11に平行並走するように配置した構成としている。
【0079】
ここで、図8に示すように、幅広にしたブスバー13A′13al′〜13a3′をL型形状にした理由は、冷却片12に、冷却媒体、例えば水を排水するための配管12aをパワーモジュール本体の母管(図12)に接続するため、および第1,第2,第3,第4のIEGT17,18,19,20のゲートリード線171、181を接続するためである。
【0080】
なお、本例では、前述の冷却片12の2面に対しての例であるが、冷却片12の配管部、および第1,第2,第3,第4のIEGT17,18,19,20のゲートリード線171、181の口出し、ブスバー接続位置を別の位置に変えれば、例えば冷却片12を90度位置をずらす等の工夫により3面でも可能となる。
【0081】
次に、以上のように構成した本実施の形態による半導体スタック22においては、ブスバーの表面積が広がるため、前述した図5に示す第1の実施の形態と比較して、より一層の低インダクタンス化を図ることができる。
【0082】
上述したように、本実施の形態の半導体スタック22を備えた3レベルNPC電力変換装置では、前述した第1の実施の形態と比較して、より一層の低インダクタンス化を図ることが可能となる。
【0083】
(第5の実施の形態:請求項8に対応)
図9は、本実施の形態による3レベルNPC電力変換装置における半導体スタックの実装構成例を示す断面図(図2のA−A断面相当)であり、図1乃至図8と同一要素には同一符号を付してその説明を省略し、ここでは異なる部分についてのみ述べる。
【0084】
すなわち、本実施の形態の半導体スタック22は、図9に示すように、前述した第1乃至第4の実施の形態における、第1,第2,第3,第4のIEGT17,18,19,20、および第1,第2の結合ダイオード6,7を冷却する冷却片12を冷却する冷却片12Aを円筒形状にし、その圧接する面と直角になる冷却片12Aの面に対して、第1のIEGT17と第2のIEGT18との間、第3のIEGT19と第4のIEGT20との間、第1の結合ダイオード6と第2のIEGT18との間、第2の結合ダイオード7と第3のIEGT20との間をそれぞれを接続するブスバー13a1〜13a3の形状を、冷却片12Aの円筒形状に沿った円筒形状のブスバー13a1″〜13a3″にして、それぞれ平行並走するように配置にした構成としている。
【0085】
ここで、図9に示す円筒形状のブスバー13a1″、13a3″の端は、冷却片12Aに冷却媒体、例えば水を排水するための配管12aをパワーモジュール本体の母管(図12)に接続するため、および第1,第2,第3,第4のIEGT17,18,19,20のゲートリード線171.181を接続するために、半円形状にしている。
【0086】
なお、前述では、冷却片12Aとブスバー13a1′、13a3″との間の電気的な絶縁としては、空気絶縁を行なっているが、前述した図6および図7に示す第2および第3の実施例の形態と同様に、冷却片12Aとブスバー13a1′、13a3″との間に絶縁板を挿入するか、ブスバー13a1′、13a3″に直接絶縁被覆を施すようにしてもよい。
【0087】
これは、装置の要求するインダクタンス、および耐絶縁電圧定格により使い分けることができる。
【0088】
次に、以上のように構成した本実施の形態による半導体スタック22においては、前述した素子のペレットおよび電極は円筒形状であり、流れる電流は円筒の周囲を流れるため、隣接する冷却片12Aおよびブスバーブスバー13a1′、13a3″の形状も円筒形状にすることにより、各NPC通電モードに対する低インダクタンス化に対して、より一層の効果を得ることができる。
【0089】
上述したように、本実施の形態の半導体スタック22を備えた3レベルNPC電力変換装置では、前述した第1乃至第5の実施の形態と比較して、より一層の低インダクタンス化を図ることが可能となる。
【0090】
(第6の実施の形態:請求項9に対応)
図10は、本実施の形態による3レベルNPC電力変換装置における半導体スタックの実装構成例を示す断面図(図2のA−A断面相当)であり、図1乃至図7と同一要素には同一符号を付してその説明を省略し、ここでは異なる部分についてのみ述べる。
【0091】
すなわち、本実施の形態の半導体スタック22は、図10に示すように、前述した第1乃至第3の実施の形態における、第1のIEGT17と第2のIEGT18との間、および第3のIEGT18と第4のIEGT19との間をそれぞれ電気的に絶縁する絶縁物21、および冷却片12の面とブスバー13A、13a1〜13a3との間を電気的に絶縁する絶縁板23とを兼用する絶縁板23aを挿入した構成としている。
【0092】
なお、第2のIEGT19と第3のIEGT20との間の絶縁板13aについても、同一形状、構成であるので、ここではその図示および説明を省略する。
【0093】
次に、以上のように構成した本実施の形態による半導体スタック22においては、第1のIEGT17と第2のIEGT18との間、および第3のIEGT18と第4のIEGT19との間をそれぞれ電気的に絶縁する絶縁物21、および冷却片12の面とブスバー13A、13a1〜13a3との間を電気的に絶縁する絶縁板23とを兼用する絶縁板23aを挿入していることにより、プラスおよびマイナス通電モードにおいて、IEGT間を接続するブスバーを最短にすることができるため、低インダクタンスのループ長および面積を実現することができ、前述した第1乃至第3の実施の形態と比較して、より一層の低インダクタンス化を図ることができる。また、絶縁部材の種類も削減することができる。
【0094】
上述したように、本実施の形態の半導体スタック22を備えた3レベルNPC電力変換装置では、前述した第1乃至第3の実施の形態と比較して、より一層の低インダクタンス化を図ることができ、さらに絶縁部材の種類も削減することが可能となる。
【0095】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の電力変換装置によれば、ブスバーに電流が打ち消し合う方向に流れ、かつその配線長および配線ループ面積を最小に実現することができるため、各NPC通電モードに対する低インダクタンス化に対して、より一層の効果を得ることが可能となる。
【0096】
これにより、NPCの通電モードによるスイッチング素子に加わるサージ電圧を抑制することができ、スナバーレス化が可能となり、装置の低価格化、コンパクト化に大きく寄与し、部品点数も少なく、高信頼性の電力変換装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による3レベルNPC電力変換装置の第1の実施の形態を示す回路図。
【図2】同第1の実施の形態の3レベルNPC電力変換装置における半導体スタックの実装構成例を示す概要図。
【図3】図2のA−A断面図。
【図4】同第1の実施の形態の3レベルNPC電力変換装置におけるプラス出力の動作モードを示す図。
【図5】同第1の実施の形態の3レベルNPC電力変換装置における零出力の動作モードを示す図。
【図6】本発明の第2の実施の形態の3レベルNPC電力変換装置における半導体スタックの実装構成例を示す概要図。
【図7】本発明の第3の実施の形態の3レベルNPC電力変換装置における半導体スタックの実装構成例を示す概要図。
【図8】本発明の第4の実施の形態の3レベルNPC電力変換装置における半導体スタックの実装構成例を示す概要図。
【図9】本発明の第5の実施の形態の3レベルNPC電力変換装置における半導体スタックの実装構成例を示す概要図。
【図10】本発明の第6の実施の形態の3レベルNPC電力変換装置における半導体スタックの実装構成例を示す概要図。
【図11】従来の3レベルNPC電力変換装置の主回路構成例を示す回路図。
【図12】従来の3レベルNPC電力変換装置の主回路を実装するパワーモジュールユニットの実装構成例を示す概要図である。
【符号の説明】
1…平滑コンデンサ
2,3,4,5…GTO素子
6,7…結合ダイオード
8,9,10,11…フライホイールダイオード
12,12A…冷却片
12a…配管
13A,13P,13N,13a1〜13a4,13a1′…ブスバー
13A′,13P′,13N′,13a1′〜13a4′,13A″,13P″,1一3N″,13a1″〜13a4″…幅広ブスバー
14,22…半導体スタック
15…母管
16…パワーモジュール
17〜20…IEGT
171〜201…IEGTのゲートリード線
21…絶縁物
23…絶縁板
24…絶縁被覆。
Claims (9)
- 直流電源の正極電位と負極電位との間にスイッチング素子と該スイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとを有する第1,第2,第3,第4の半導体素子の直列回路を接続し、前記第2の半導体素子と第3の半導体素子との接続点から交流端子を導出し、かつ前記第1の半導体素子と第2の半導体素子との接続点と前記直流電源の中間電位点との間および前記第3の半導体素子と第4の半導体素子との接続点と前記直流電源の中間電位点との間に第1の結合ダイオードおよび第2の結合ダイオードを接続し、
前記第1の結合ダイオードと第2の結合ダイオードの一端に接する導体を境にして、正極側には前記第1の結合ダイオード、前記第1,第2の半導体素子を冷却片及び絶縁物を介して配置し、負極側には前記第2の結合ダイオード、前記第3.第4の半導体素子を冷却片及び絶縁物を介して配置し、前記第1,第2,第3,第4の半導体素子、前記第1,第2の結合ダイオード、前記冷却片および前記絶縁物を一括で締結したことを特徴とする電力変換装置。 - 請求項1に記載の電力変換装置において、
スイッチング素子と該スイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとを有する第1,第2,第3,第4の半導体素子を使用し、前記第1の結合ダイオードと第2の結合ダイオードの一端に接する冷却片または導体を境にして、正極側には前記第1の結合ダイオード、前記第2の半導体素子を冷却片を介して隣接配置し、負極側には前記第2の結合ダイオード、前記第3の半導体素子を冷却片を介して隣接配置し、
前記第1の半導体素子と第2の半導体素子との間および前記第3の半導体素子と第4の半導体素子との間に、冷却片を介して絶縁物を配置し、前記第1,第2,第3,第4の半導体素子、前記第1,第2の結合ダイオード、前記冷却片および前記絶縁物を一括で締結したことを特徴とする電力変換装置。 - 請求項1または請求項2に記載の電力変換装置において、
スイッチング素子と該スイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとを有する第1,第2,第3,第4の半導体素子および前記第1,第2の結合ダイオードを冷却する冷却片の圧接する面と直角になる冷却片の面に面して、前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子との間、前記第3の半導体素子と前記第4の半導体素子との間、前記第1の結合ダイオードと第2の半導体素子との間、前記第2の結合ダイオードと前記第3の半導体素子との間をそれぞれ接続するブスバーを平行並走するように配置したことを特徴とする電力変換装置。 - 請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の電力変換装置において、
前記冷却片、スイッチング素子と該スイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとを有する第1,第2,第3,第4の半導体素子および前記第1,第2の結合ダイオードを接続するブスバーを幅広形状にし、かつ平行並走するように配置したことを特徴とする電力変換装置。 - 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の電力変換装置において、
スイッチング素子と該スイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとを有する第1,第2,第3,第4の半導体素子および前記第1,第2の結合ダイオードを冷却する冷却片とブスバーとの間に、電気的に絶縁する絶縁板を挿入したことを特徴とする電力変換装置。 - 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の電力変換装置において、
前記ブスバーに、電気的に絶縁する絶縁被覆を施したことを特徴とする電力変換装置。 - 請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の電力変換装置において、
スイッチング素子と該スイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとを有する第1,第2,第3,第4の半導体素子および前記第1,第2の結合ダイオードを冷却する冷却片の圧接する面と直角になる冷却片の複数面に面して、幅広にしたブスバーを、前記第1,第2,第3,第4の半導体素子および前記第1,第2の結合ダイオードを冷却する冷却片に平行並走するように配置したことを特徴とする電力変換装置。 - 請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の電力変換装置において、
スイッチング素子と該スイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとを有する第1,第2,第3,第4の半導体素子および前記第1,第2の結合ダイオードを冷却する冷却片を円筒形状にし、その圧接する面と直角になる冷却片の面に対して、前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子との間、前記第3の半導体素子と前記第4の半導体素子との間、前記第1の結合ダイオードと第2の半導体素子との間、前記第2の結合ダイオードと前記第3の半導体素子との間をそれぞれ接続するブスバーの形状を、前記冷却片の円筒形状に沿った円筒形状にしてそれぞれ平行並走するように配置したことを特徴とする電力変換装置。 - 請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の電力変換装置において、
スイッチング素子と該スイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとを有する第1,第2,第3,第4の半導体素子を使用し、前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子との間および前記第3の半導体素子と前記第4の半導体素子との間をそれぞれ電気的に絶縁する絶縁物、および前記冷却片の面とブスバーとの間に挿入する絶縁板を兼用するようにしたことを特徴とする電力変換装置。
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