JP3588304B2 - Plating equipment - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はメッキ装置に関し、メッキ浴槽を移動自在にして複数の組み合わせの金属材料のメッキ膜を単層または少なくとも２層以上形成するメッキ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
Ｃｕ単体、Ｃｕ合金またはＦｅ―Ｎｉ合金のような導電部材の表面を、Ｓｎ単体またはＳｎ合金のメッキ層で被覆したリード材は、Ｃｕ単体またはＣｕ合金が備えている優れた導電性と機械的強度を有する。なおかつ、そのリード材は、Ｓｎ単体またはＳｎ合金が備えている耐食性と良好な半田付け性をも併有する高性能導体である。そのため、それらは、各種の端子、コネクタ、リードのような電気・電子機器分野や電力ケーブルの分野などで多用されている。
【０００３】
また、半導体チップを回路基板に搭載する場合には、半導体チップのアウターリード部にＳｎ合金を用いた溶融メッキや電気メッキを行うことにより、当該アウターリード部の半田付け性を向上せしめることが行われている。このようなＳｎ合金の代表例は半田（Ｓｎ―Ｐｂ合金）であり半田付け性、耐食性などが良好なために、コネクタやリードフレームなどの電気・電子工業用部品の工業用メッキとして広く利用されている。
【０００４】
図３は、図２に示した半導体リードフレームのＡ−Ａ断面のリード材の基本構成を示す断面図である。例えば、導電部材２１はＣｕ、Ｃｕを主成分としたＣｕ系合金またはＦｅ―Ｎｉを主成分としたＦｅ―Ｎｉ系合金で構成されている。そして、それらの導電部材２１の表面には、異なる金属材料の２層のメッキ膜が施されている。例えば、Ｓｎの第１メッキ膜２２とＳｎ―Ｂｉの第２メッキ膜２３がこの順序で形成されている。ここで、第１メッキ膜２２の厚さをｔ１、第２メッキ膜２３の厚さをｔ２としたとき、ｔ１は約３〜１５μｍ、ｔ２は約１〜５μｍ、ｔ２／ｔ１は約０．１〜０．５に設定すると、コストの面でも、半田付け性、耐熱性の点でも、また半田の接合強度やアルミ線などとの溶接部の溶接強度の点でも良好な特性があり、リード材としての性能向上が得られるので好適であることが知られている。
【０００５】
図４は、自動メッキ装置全体のレイアウトである。まず、アルカリ電解洗浄浴槽３１において、導電部材２１の表面における半田メッキ皮膜の密着性や半田付け性を阻害する油脂等の有機性の汚染物質を除去する。次に、水洗用浴槽３２において洗浄された後、化学エッチング浴槽３３において、化学エッチング処理（基本的には酸化―還元反応を利用した処理）を行い、粒界や介在物などの存在により不均一な表面になっている導電部材２１の表面を均一化する。
【０００６】
次に、水洗用浴槽３４において洗浄された後、酸活性化浴槽３５において、水洗用浴槽３４で付着した酸化膜を除去する。次に、水洗用浴槽３６において洗浄された後、半田メッキ装置３７においてメッキが施される。半田メッキ液は強酸性のため、メッキ後の表面は酸性になっている。そのような表面では時間の経過とともに皮膜が変色し、半田付け性が劣化する。そのために、水洗用浴槽３８、中和処理浴槽３９において、メッキ表面に残留する酸を中和し、吸着している有機物を除去する。その後、水洗用浴槽４０、湯洗用浴槽４１で洗浄され、乾燥装置４２において、メッキされた導電部材２１を乾燥させる。
【０００７】
図５は、図４に示した全体のメッキ装置における化学エッチング浴槽３３のＢ―Ｂ方向における断面図である。
【０００８】
この化学エッチング浴槽３３における働きは上記した通りである。ここでは、このメッキ装置における仕組みについて説明する。このメッキ装置では、横送り式プッシャー３３１と搬送レール３３２は、共に上下方向に可動できるようになっている。そして、それらの可動範囲の上限位置および下限位置が決められており、その間を繰り返し動いている。吊り下げ用フック３３３は、作業目的に応じて適した間隔に搬送レール３３２に掛けられる。通常は、隣り合った浴槽のセンター間の距離である。そして、メッキされる導電部材２１を吊っているメッキ補助ラック３３４は、この吊り下げ用フック３３３に掛けられ、このメッキ装置にセットされる。次に、横送り式プッシャー３３１について述べる。横送り式プッシャー３３１間の距離は、基本的には、隣り合った浴槽のセンター間の距離とほぼ等しい。そして、この横送り式プッシャー３３１は、１本もののアームに設置されており、作業方向へ吊り下げ用フック３３３を１スパン送ると、その分戻るようになっている。そして、この横送り式プッシャー３３１は、上限位置で１スパン送り、下限位置でその分戻るようになっている。また、搬送レール３３２は、上下方向には動くが進行方向には動かない。この作業の繰り返しにより、このメッキ装置は機能している。
【０００９】
上記したこのメッキ装置では、メッキ前処理ラインを１本および半田メッキラインを１本有していた。例えば、導電部材２１に第１メッキ膜２２であるＳｎのメッキ膜、第２メッキ膜２３であるＳｎ―Ｂｉのメッキ膜を形成する場合と導電部材２１に第１メッキ膜２２であるＳｎのメッキ膜、第２メッキ膜２３であるＳｎ―Ａｇのメッキ膜を形成する場合とがある。この場合、第１メッキ膜２２は両方とも同じＳｎメッキ液を使用することができるが、第２メッキ膜２３は使用するメッキ液が異なる。そのため、導電部材２１に前者のメッキ膜を形成することを終えた後、１度メッキ装置を停止させ後者用のメッキ液へと浴槽内のメッキ液を入れ替えてから次の導電部材２１にメッキ膜を形成していた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように、この半田メッキ装置では、メッキ前処理ラインを１本および半田メッキラインを１本有していた。そのため、導電部材２１に複数の組み合わせのメッキ膜を形成する場合、メッキ膜の組み合わせが換わるときに連続して作業を行うことができないという課題が生じた。言い換えると、このメッキ装置では、準備されたメッキ液にメッキ可能な導電部材２１を順次浸漬して、同じメッキ膜の組み合わせのメッキ膜を連続して形成することはできた。しかし、メッキされる導電部材２１の使用用途に応じて、導電部材２１に複数の組み合わせのメッキ膜を連続して形成することができなかった。つまり、半田メッキラインについて、メッキ液の入れ替えに余分な時間と手間を費やすという問題があった。
【００１１】
更に上記したことに加えて、半田メッキラインを管理することに関しても、多大な労力を費やしていた。例えば、１つのメッキ浴槽内であるメッキ液を使用した後に、メッキ液構成の異なる他のメッキ液を使用する場合がある。このとき、確実に前者のメッキ液を除去しないと後者のメッキ液の液構成が変わってしまう。また、使用するメッキ液構成が異なれば、そのメッキ浴槽で使用されるアノードも異なり交換しなければならない。つまり、メッキ液管理またはメッキ浴槽管理などメンテナンス面に関しても多大な労力を費やすという問題があった。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記した目的を達成するために、本発明においては、メッキラインにスライド機構を設けて、そのことにより、１本の搬送レールで導電部材２１に連続して複数の組み合わせの単層あるいは２層以上のメッキ膜を形成することができることに特徴を有する。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明であるメッキ装置を実施するためのスライド機能を有し、第１列に２つの第１メッキ浴槽を、そして第２列には３つの第２メッキ浴槽を有する半田メッキラインのレイアウトである。また、図４に示した全体のメッキ装置の半田メッキ装置３７に該当する。
【００１４】
図１において、このメッキ装置はプレディップ浴槽３７１、第１メッキ浴槽３７２、３７３第２メッキ浴槽３７４、３７５、３７６、水洗用浴槽３７７がある。また、それぞれのメッキ浴槽には、オーバーフロー浴槽３７８、３７９、３８０、３８１、３８２が設置されている。これらの浴槽の機能は、不溶性不純物等をメッキ浴槽内の水流を用いて浴槽内へと取り込む。そして、これらの浴槽内へと取り込んだメッキ液をろ過し、そのろ過されたメッキ液をメッキ浴槽３７２、３７３、３７４、３７５、３７６内へと送り込むことである。
【００１５】
本発明では、半田メッキラインにおいて、１本の搬送レールでメッキ可能な導電部材２１に、連続して複数の組み合わせのメッキ膜を使用用途に応じて形成することができることに特徴を有する。
【００１６】
具体的に言うと、この半田メッキラインの仕組みも上記した図５と同様である。例えば、この図１の半田メッキラインでは、メッキ浴槽３７３にはＳｎのメッキ液が入れられ、メッキ浴槽３７５にはＳｎ―Ａｇのメッキ液が入れられ、メッキ浴槽３７６にはＳｎ―Ｂｉのメッキ液が入れられ、メッキ浴槽３７２、３７４は空である。そして、これらのメッキ浴槽は、メッキされた導電部材２１の使用用途に応じて必要なメッキ浴槽が選択され搬送レールの下へと移動し、導電部材２１にメッキ膜を形成する。この結果、導電部材２１にＳｎの単層のメッキ膜が形成されたり、１層目がＳｎで２層目がＳｎ―ＡｇまたはＳｎ―Ｂｉのメッキ膜などが形成される。なおリード材の構造は図３と同じであるので符号を共通とした。
【００１７】
第１に、導電部材２１にＳｎ単層の第１メッキ膜２２のみを形成するケースについて述べる。ここでは、上記したように、Ｓｎのメッキ液が入れられた第１メッキ浴槽３７３と空のメッキ浴槽３７４が選択される。上記したメッキ前処理ラインで処理された導電部材２１は、プレディップ浴槽３７１で表面の水酸膜の除去を行いながら、その間に第１メッキ浴槽３７３は搬送レールの下へ移動する。そして、ここでＳｎのメッキ膜が形成されている間に第２メッキ浴槽３７４は搬送レールの下へ移動する。Ｓｎのメッキ膜が形成された導電部材２１は第２メッキ浴槽３７４に移動するが、このメッキ浴槽にはメッキ液が入っていないためメッキ膜は形成されない。次に、水洗用浴槽３７７でメッキされた導電部材２１を洗浄する。この結果、導電部材２１にＳｎの単層メッキ膜のみが形成される。
【００１８】
ここで、図１のメッキ装置では、２列目のメッキ浴槽移動手段に空のメッキ浴槽を有していたため、上記したように、導電部材２１にＳｎ単層のメッキ膜が形成された。しかし、次のような場合もある。それは、２列目のメッキ浴槽移動手段が搬送レールの下にメッキ浴槽を配置しない場合であり、また、搬送レールの下に水洗用浴槽を選択する場合である。前者の場合は、搬送レールの下にメッキ液が存在せず導電部材２１にメッキ膜が形成されない。後者の場合は、メッキされた導電部材２１の表面を純水により洗浄するのみでメッキ膜は形成されない。
【００１９】
第２に、導電部材２１に２層の第１メッキ膜２２および第２メッキ膜２３を形成するケースについて述べる。導電部材２１にメッキ膜を形成する工程は上記した内容と同様である。しかし、今度は第２メッキ浴槽３７５または３７６が選択され、導電部材２１にＳｎ―ＡｇまたはＳｎ―Ｂｉの第２メッキ膜２３が形成される。この結果、導電部材２１は、ＳｎとＳｎ―ＡｇまたはＳｎとＳｎ―Ｂｉの２層のメッキ膜が形成される。
【００２０】
ここで、図１のメッキ装置では、第１メッキ浴槽のメッキ液の金属材料はＳｎであり、第２メッキ浴槽のメッキ液の金属材料はＳｎ―ＡｇまたはＳｎ―Ｂｉである。そして、それらの金属とそれを溶かす溶剤を除いた溶液が同一の液構成であるため、導電部材２１に連続してメッキ膜を形成することができる。しかし、液構成の異なるメッキ液で導電部材２１にメッキ膜を形成する場合もある。このとき、２列目のメッキ浴槽移動手段に洗浄用の水洗用浴槽を有することにより、その浴槽で導電部材２１の表面を洗浄できるため、メッキ液の液構成に関係なく１本の搬送レールで連続して複数の組み合わせのメッキ膜を形成することができる。
【００２１】
よって、本発明では、メッキ液構成の異なる複数のメッキ液が入れられたメッキ浴槽をあらかじめ用意する。そして、それらのメッキ浴槽を使用用途に応じて選択して用いることができる。その結果、１本の搬送レールで連続して、複数の組み合わせのメッキ膜を形成することができる。
【００２２】
つまり、上記したメッキ前処理ラインと同様に、連続して１本の搬送レールで複数の組み合わせのメッキ膜を導電部材２１に形成することができる。このことにより、メッキ膜の組み合わせに応じてメッキ装置を一時停止させ浴槽内のメッキ液を入れ換える必要がなくなる。この結果、作業時間を大幅に短縮させることができ、かつ、メッキ液を入れ換える手間を省くことができる。また、同一の浴槽でのメッキ液の入れ換えのとき、それぞれのメッキ液同志が混入することがなくなりメッキ液の管理およびメッキ浴槽、メッキ用設備などのメンテナンスにおける労力も大幅に減らすことができる。
【００２３】
他にも、１本の搬送レールで連続して複数の組み合わせのメッキ膜を形成できる。例えば、第１メッキ浴槽では空のメッキ浴槽を選択し、第２および第３メッキ浴槽でメッキ膜を形成する方法や第１および第２メッキ浴槽では空のメッキ浴槽を選択し第３メッキ浴槽のみで単層のメッキ膜を形成する方法などがある。また、隣り合ったメッキラインに同一組成のメッキ液が入れられたメッキ浴槽を有し、それらの浴槽を連続して選択することにより導電部材２１に厚いメッキ膜を形成することができる。
【００２４】
いずれの場合にしても、上記したように、本発明であるスライド機能を用いることにより、１本の搬送レールで連続して複数の組み合わせのメッキ膜を形成することが可能である。
【００２５】
上記したように、半田メッキの場合を例として説明してきたが、このメッキ装置は半田メッキに限らず利用することができる。例えば、Ｓｎメッキ、Ｃｕメッキ、Ｎｉメッキなどがある。これらの場合にも、このメッキ装置を用いて１本の搬送レールで連続して導電部材２１に複数の組み合わせのメッキ膜を形成することができる。
【００２６】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明のメッキ装置には次のような効果が得られる。
【００２７】
それは、このメッキ装置は半田メッキラインにてスライド機能を有することにより、１本の搬送レールで連続して単層のまたは複数の組み合わせのメッキ膜を形成することができる。そのため、導電部材に形成するメッキ膜が換わるごとにメッキ液を交換することがなくなり、メッキ装置を一時停止することがない。このことにより、１本の搬送レールで連続して導電部材に複数の組み合わせのメッキ膜を形成することができ、かつ、メッキ液を入れ換える手間を省くことができる。また、同一の浴槽でのメッキ液の入れ換えのとき、それぞれのメッキ液どうしが混入することがなくなりメッキ液の管理およびメッキ浴槽、メッキ用設備などのメンテナンスにおける労力も大幅に減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のメッキ装置に用いるメッキラインを説明する図である。
【図２】本発明および従来のメッキを施す半導体チップを説明する図である。
【図３】本発明および従来の２層メッキ膜から成る図２に示した半導体リードフレームのＡ−Ａ方向からみた断面を説明する図である。
【図４】本発明および従来の自動メッキ装置全体のレイアウトを説明する図である。
【図５】本発明および従来の化学エッチング浴槽のＢ−Ｂ方向からみた断面を説明する図である。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a plating apparatus, and more particularly, to a plating apparatus that forms a single layer or at least two or more layers of a plurality of combinations of metal materials by freely moving a plating bath.
[0002]
[Prior art]
The lead material in which the surface of a conductive member such as simple Cu, a Cu alloy or an Fe-Ni alloy is coated with a Sn simple material or a Sn alloy plating layer has excellent conductivity and mechanical properties provided by the simple Cu or Cu alloy. Has strength. Further, the lead material is a high-performance conductor having both corrosion resistance and good solderability provided by Sn alone or Sn alloy. Therefore, they are frequently used in the field of electric / electronic devices such as various terminals, connectors and leads, and in the field of power cables.
[0003]
When a semiconductor chip is mounted on a circuit board, the outer lead portion of the semiconductor chip may be subjected to hot-dip plating or electroplating using an Sn alloy to improve the solderability of the outer lead portion. Has been done. A typical example of such a Sn alloy is solder (Sn-Pb alloy), which has good solderability and corrosion resistance, and is widely used as industrial plating for electrical and electronic parts such as connectors and lead frames. ing.
[0004]
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a basic configuration of a lead material in an AA cross section of the semiconductor lead frame shown in FIG. For example, the conductive member 21 is made of Cu, a Cu-based alloy containing Cu as a main component, or an Fe—Ni alloy containing Fe—Ni as a main component. The surfaces of the conductive members 21 are plated with two layers of different metal materials. For example, a first plating film 22 of Sn and a second plating film 23 of Sn—Bi are formed in this order. Here, assuming that the thickness of the first plating film 22 is t 1 and the thickness of the second plating film 23 is t 2 , t 1 is approximately 3 to 15 μm, t 2 is approximately 1 to 5 μm, and t 2 / t. When 1 is set to about 0.1 to 0.5, the cost, the solderability, the heat resistance, the welding strength of the solder and the welding strength of the welding portion with the aluminum wire, etc. are good. It is known that it is suitable because it has characteristics and can improve the performance as a lead material.
[0005]
FIG. 4 is a layout of the entire automatic plating apparatus. First, in the alkaline electrolytic cleaning bath 31, organic contaminants such as oils and fats that inhibit the adhesion and solderability of the solder plating film on the surface of the conductive member 21 are removed. Next, after being washed in the rinsing bath 32, a chemical etching process (basically, a process utilizing an oxidation-reduction reaction) is performed in the chemical etching bath 33, and unevenness is caused by the presence of grain boundaries and inclusions. The surface of the conductive member 21 having an appropriate surface is made uniform.
[0006]
Next, after being washed in the rinsing bath 34, the oxide film adhered in the rinsing bath 34 is removed in the acid activation bath 35. Next, after being washed in a rinsing bath 36, plating is performed in a solder plating device 37. Since the solder plating solution is strongly acidic, the surface after plating is acidic. On such a surface, the film discolors over time, and the solderability deteriorates. For that purpose, in the washing bath 38 and the neutralization bath 39, the acid remaining on the plating surface is neutralized and the adsorbed organic substances are removed. Thereafter, the conductive member 21 which has been washed in the washing bath 40 and the hot bath 41 and dried in the drying device 42 is dried.
[0007]
FIG. 5 is a sectional view of the chemical etching bath 33 in the BB direction in the entire plating apparatus shown in FIG.
[0008]
The function of the chemical etching bath 33 is as described above. Here, the mechanism of the plating apparatus will be described. In this plating apparatus, both the lateral feed type pusher 331 and the transport rail 332 can move up and down. The upper limit position and the lower limit position of the movable range are determined, and the movable range is repeatedly moved. The hanging hooks 333 are hung on the transport rail 332 at an interval suitable for the work purpose. It is usually the distance between the centers of adjacent bathtubs. Then, the plating auxiliary rack 334 hanging the conductive member 21 to be plated is hung on the hanging hook 333 and set in the plating apparatus. Next, the lateral feed type pusher 331 will be described. The distance between the lateral feed type pushers 331 is basically equal to the distance between the centers of adjacent bathtubs. The lateral feed type pusher 331 is installed on one arm, and when the hanging hook 333 is sent one span in the working direction, the pusher 331 is returned by that amount. The lateral pusher 331 is adapted to feed one span at the upper limit position and to return by that amount at the lower limit position. The transport rail 332 moves in the up-down direction but does not move in the traveling direction. By repeating this operation, the plating apparatus functions.
[0009]
This plating apparatus described above had one plating pretreatment line and one solder plating line. For example, a case where a Sn plating film as the first plating film 22 and a plating film of Sn—Bi as the second plating film 23 are formed on the conductive member 21 and a case where the first plating film 22 is plated with Sn on the conductive member 21. In some cases, a Sn—Ag plating film, which is the second plating film 23, is formed. In this case, the same Sn plating solution can be used for both the first plating film 22, but the plating solution used for the second plating film 23 is different. Therefore, after the former plating film is formed on the conductive member 21, the plating apparatus is stopped once, the plating solution in the bath is replaced with a plating solution for the latter, and then the plating film is formed on the next conductive member 21. Had formed.
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, this solder plating apparatus has one pre-plating processing line and one solder plating line. Therefore, when a plurality of combinations of plating films are formed on the conductive member 21, there has been a problem that the work cannot be performed continuously when the combination of plating films is changed. In other words, in this plating apparatus, the conductive members 21 that can be plated are sequentially immersed in the prepared plating solution, so that the same combination of plating films can be formed continuously. However, a plurality of combinations of plating films could not be continuously formed on the conductive member 21 depending on the intended use of the conductive member 21 to be plated. In other words, there is a problem that extra time and labor are required for replacing the plating solution in the solder plating line.
[0011]
Further, in addition to the above, a great deal of labor has been spent on managing the solder plating line. For example, after using a plating solution in one plating bath, another plating solution having a different plating solution composition may be used. At this time, unless the former plating solution is reliably removed, the composition of the latter plating solution will change. Further, if the composition of the plating solution used is different, the anode used in the plating bath must be changed and replaced. In other words, there is a problem that a great deal of labor is required in terms of maintenance such as plating solution management or plating bathtub management.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above-mentioned object, in the present invention, a slide mechanism is provided on a plating line, so that a plurality of combinations of a single layer or two or more layers are continuously provided on the conductive member 21 by one transport rail. It is characterized in that a plating film can be formed.
[0013]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
FIG. 1 shows a solder plating line having a sliding function for implementing the plating apparatus of the present invention, having two first plating baths in a first row and three second plating baths in a second row. This is the layout. 4 corresponds to the solder plating apparatus 37 of the entire plating apparatus shown in FIG.
[0014]
In FIG. 1, this plating apparatus includes a pre-dip bath 371, a first plating bath 372, 373, a second plating bath 374, 375, 376, and a washing bath 377. Further, overflow baths 378, 379, 380, 381, and 382 are provided in each plating bath. The function of these bathtubs is to take insoluble impurities and the like into the bathtub using the water flow in the plating bathtub. Then, the plating solution taken into these bathtubs is filtered, and the filtered plating solution is sent into plating bathtubs 372, 373, 374, 375, and 376.
[0015]
The present invention is characterized in that a plurality of combinations of plating films can be continuously formed on a conductive member 21 which can be plated by one transfer rail in a solder plating line according to the intended use.
[0016]
Specifically, the structure of this solder plating line is the same as that of FIG. For example, in the solder plating line of FIG. 1, the plating bath 373 contains a Sn plating solution, the plating bath 375 contains a Sn—Ag plating solution, and the plating bath 376 contains a Sn—Bi plating solution. And the plating baths 372, 374 are empty. In these plating baths, a necessary plating bath is selected according to the use of the plated conductive member 21 and moves below the transport rail to form a plating film on the conductive member 21. As a result, a single-layer Sn plating film is formed on the conductive member 21, or a Sn-Ag or Sn-Bi plating film is formed on the first layer of Sn and the second layer. The structure of the lead material is the same as that of FIG.
[0017]
First, a case in which only the first plating film 22 of a single Sn layer is formed on the conductive member 21 will be described. Here, as described above, the first plating bath 373 containing the Sn plating solution and the empty plating bath 374 are selected. The first plating bath 373 moves below the transport rail while the conductive member 21 processed in the above-described plating pre-treatment line removes the surface hydroxyl film in the pre-dip bath 371. Then, while the Sn plating film is being formed, the second plating bath 374 moves below the transport rail. The conductive member 21 on which the Sn plating film is formed moves to the second plating bath 374. However, since the plating bath does not contain a plating solution, no plating film is formed. Next, the plated conductive member 21 is washed in the washing bath 377. As a result, only the Sn single-layer plating film is formed on the conductive member 21.
[0018]
Here, in the plating apparatus of FIG. 1, since the plating bath moving means in the second row had an empty plating bath, an Sn single-layer plating film was formed on the conductive member 21 as described above. However, there are some cases as follows. This is the case where the plating bath moving means in the second row does not arrange the plating bath below the transport rail, and the case where the washing bath is selected below the transport rail. In the former case, there is no plating solution below the transport rail, and no plating film is formed on the conductive member 21. In the latter case, only the surface of the plated conductive member 21 is washed with pure water, and no plating film is formed.
[0019]
Second, a case where two layers of the first plating film 22 and the second plating film 23 are formed on the conductive member 21 will be described. The step of forming a plating film on the conductive member 21 is the same as the above-described content. However, the second plating bath 375 or 376 is selected this time, and the second plating film 23 of Sn—Ag or Sn—Bi is formed on the conductive member 21. As a result, as the conductive member 21, a two-layer plating film of Sn and Sn—Ag or Sn and Sn—Bi is formed.
[0020]
Here, in the plating apparatus of FIG. 1, the metal material of the plating solution in the first plating bath is Sn, and the metal material of the plating solution in the second plating bath is Sn-Ag or Sn-Bi. Since the solution except for the metal and the solvent for dissolving the metal has the same composition, a plating film can be formed continuously on the conductive member 21. However, the plating film may be formed on the conductive member 21 using plating solutions having different liquid compositions. At this time, since the surface of the conductive member 21 can be washed in the bath by providing the washing bath for washing in the plating bath moving means in the second row, the single transfer rail can be used regardless of the composition of the plating solution. A plurality of combinations of plating films can be continuously formed.
[0021]
Therefore, in the present invention, a plating bath containing a plurality of plating solutions having different plating solution configurations is prepared in advance. These plating baths can be selected and used according to the intended use. As a result, a plurality of combinations of plating films can be continuously formed on one transfer rail.
[0022]
That is, similarly to the above-described plating pretreatment line, a plurality of combinations of plating films can be continuously formed on the conductive member 21 by one transport rail. This eliminates the need to temporarily stop the plating apparatus according to the combination of plating films and replace the plating solution in the bathtub. As a result, the working time can be greatly reduced, and the labor for replacing the plating solution can be omitted. Further, when the plating baths are exchanged in the same bath, the plating baths are not mixed with each other, and the labor for the management of the plating bath and maintenance of the plating bath, plating equipment, and the like can be greatly reduced.
[0023]
In addition, a plurality of combinations of plating films can be continuously formed on one transfer rail. For example, in the first plating bath, an empty plating bath is selected, and in the second and third plating baths, a plating film is formed. In the first and second plating baths, an empty plating bath is selected, and only the third plating bath is selected. To form a single-layer plating film. Further, adjacent plating lines have plating baths in which plating solutions of the same composition are put, and a thick plating film can be formed on the conductive member 21 by continuously selecting the baths.
[0024]
In any case, as described above, by using the slide function of the present invention, it is possible to continuously form a plurality of combinations of plating films on one transport rail.
[0025]
As described above, the case of solder plating has been described as an example, but this plating apparatus can be used not only for solder plating. For example, there are Sn plating, Cu plating, and Ni plating. Also in these cases, it is possible to form a plurality of combinations of plating films on the conductive member 21 continuously using one transport rail by using this plating apparatus.
[0026]
【The invention's effect】
As is clear from the above description, the plating apparatus of the present invention has the following effects.
[0027]
That is, since the plating apparatus has a sliding function in a solder plating line, a single-layer or a combination of a plurality of plating films can be continuously formed on one transfer rail. Therefore, the plating solution is not changed every time the plating film formed on the conductive member is changed, and the plating apparatus is not temporarily stopped. Thus, a plurality of combinations of plating films can be continuously formed on the conductive member by one transfer rail, and the trouble of replacing the plating solution can be omitted. Further, when the plating baths are exchanged in the same bath, the respective plating baths do not mix with each other, and the labor for managing the plating baths and maintaining the plating bath, plating equipment and the like can be greatly reduced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram illustrating a plating line used in a plating apparatus of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating a semiconductor chip to be plated according to the present invention and a conventional method.
FIG. 3 is a diagram illustrating a cross section of the semiconductor lead frame shown in FIG. 2 formed of the present invention and a conventional two-layer plating film as viewed from the AA direction.
FIG. 4 is a diagram illustrating the layout of the entirety of the present invention and a conventional automatic plating apparatus.
FIG. 5 is a diagram illustrating a cross section of the present invention and a conventional chemical etching bath viewed from the BB direction.

Claims (5)

少なくとも、Ｓｎ金属のメッキ膜を形成するメッキ液が収納されたメッキ浴槽を有する前段のメッキ液浴槽移動手段と、前記Ｓｎ金属を主金属としたＳｎ合金のメッキ膜を形成するメッキ液が収納されたメッキ浴槽を有する後段のメッキ液浴槽移動手段とから構成されるメッキラインと、At least a plating solution bath moving means in the preceding stage having a plating bath containing a plating solution for forming a Sn metal plating film and a plating solution for forming a Sn alloy plating film containing Sn metal as a main metal are contained. A plating line comprising a plating solution bath moving means at a subsequent stage having a plating bath,
前記メッキラインの上方に、導電部材の表面に前記Ｓｎ金属から成る１層のメッキ膜、前記Ｓｎ合金から成る１層のメッキ膜または前記Ｓｎ金属と前記Ｓｎ合金とから成る２層のメッキ膜を形成するために、前記導電部材を搬送する搬送手段とを有することを特徴とするメッキ装置。  Above the plating line, a one-layer plating film made of the Sn metal, a one-layer plating film made of the Sn alloy, or a two-layer plating film made of the Sn metal and the Sn alloy is formed on the surface of the conductive member. A plating unit for transporting the conductive member to be formed. 前記前段及び後段のメッキ浴槽移動手段はそれぞれスライド移動し、前記搬送手段の下方に前記Ｓｎ金属のメッキ膜を形成するメッキ液が収納されたメッキ浴槽と前記Ｓｎ合金のメッキ膜を形成するメッキ液が収納されたメッキ浴槽とが連続して配置されることを特徴とする請求項１に記載のメッキ装置。The first and second plating bath moving means slide and move, respectively, and a plating bath containing a plating solution for forming the Sn metal plating film and a plating solution for forming the Sn alloy plating film below the transporting means. The plating apparatus according to claim 1, wherein the plating bath and the plating bath are stored continuously. 前記前段または後段のメッキ浴槽移動手段には、空のメッキ浴槽または水洗用浴槽を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のメッキ装置。3. The plating apparatus according to claim 1, wherein the first or second plating bath moving means has an empty plating bath or a washing bath. 4. 前記前段または後段のメッキ浴槽移動手段は、前記搬送手段の下方にメッキ浴槽を配置しないことができることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のメッキ装置。 3. The plating apparatus according to claim 1 , wherein the plating bath moving means in the first or second stage does not need to arrange a plating bath below the transporting means . 4. 前記前段及び後段のメッキ浴槽移動手段はそれぞれ同一の液組成のメッキ液が収納されたメッキ浴槽を有し、前記搬送手段の下方に前記同一の液組成のメッキ液が収納されたメッキ浴槽が連続して配置されることを特徴とする請求項１に記載のメッキ装置。 The first and second plating bath moving means have plating baths each containing a plating solution of the same liquid composition, and a plating bath containing the plating liquid of the same liquid composition is continuously provided below the transporting means. The plating apparatus according to claim 1 , wherein the plating apparatus is arranged in a manner to be arranged .
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