KR100582129B1 - Plating device - Google Patents

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KR100582129B1
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가메야마고오지로오
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산요덴키가부시키가이샤
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Abstract

1개의 반송 레일에서 연속하여 복수 조합의 도금막을 형성하는 것이 요망되고 있다. 이 요망에 부응하기 위하여 간편한 땜납 도금 장치를 제공한다.It is desired to form a plurality of combination plating films in succession in one conveyance rail. In order to meet this demand, a simple solder plating apparatus is provided.

이 도금 장치는 반송 레일의 하부에 복수의 도금 욕조를 설치하고, 그 도금 욕조에 도금액 수납 욕조를 설치한다. 그리고, 도금 욕조와 도금액 수납 욕조에서 도금액을 이동시킴으로써, 도전 부재(21)에 형성하는 도금막을 선택할 수 있다. 그에 의해 1개의 반송 레일에서 연속하여 도전 부재(21)에 복수 조합의 도금막을 형성할 수 있다.This plating apparatus installs several plating bath in the lower part of a conveyance rail, and installs a plating liquid storage bath in this plating bath. The plating film formed on the conductive member 21 can be selected by moving the plating solution in the plating bath and the plating liquid storage bath. As a result, a plurality of combination plating films can be formed on the conductive member 21 continuously in one conveyance rail.

횡이송식 푸셔, 반송 레일, 프리딥 욕조, 도금 욕조, 물 세척용 욕조, 도금액 통로 파이프, 도금액 수납 욕조Transverse Pusher, Transfer Rail, Pre-Dip Bath, Plating Bath, Water Washing Bath, Plating Solution Aisle Pipe, Plating Bath

Description

도금 장치{PLATING DEVICE}Plating Equipment {PLATING DEVICE}

도1은 본 발명의 도금 장치에 이용하는 도금 라인을 설명하는 도면. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The figure explaining the plating line used for the plating apparatus of this invention.

도2는 본 발명의 도금 장치에 이용하는 도금 라인을 설명하는 도면.2 is a view for explaining a plating line used in the plating apparatus of the present invention.

도3은 본 발명 및 종래의 도금을 실시하는 반도체 칩을 설명하는 도면. 3 is a view for explaining a semiconductor chip which performs the present invention and conventional plating.

도4는 본 발명 및 종래의 2층 도금막으로 이루어지는 도3에 도시한 반도체 리드 프레임의 A-A 방향으로부터 본 단면을 설명하는 도면. Fig. 4 is a view for explaining a cross section viewed from the A-A direction of the semiconductor lead frame shown in Fig. 3, which is made of the present invention and the conventional two-layer plating film.

도5는 본 발명 및 종래의 자동 도금 장치 전체의 레이아웃을 설명하는 도면. Fig. 5 is a view for explaining the layout of the present invention and the whole automatic plating apparatus.

도6은 본 발명 및 종래의 도5에 도시한 자동 도금 장치 전체의 화학 에칭 욕조의 B-B 방향으로부터 본 단면을 설명하는 도면.Fig. 6 is a view for explaining a cross section seen from the B-B direction of the chemical etching bath of the entirety of the present invention and the conventional automatic plating apparatus shown in Fig. 5;

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

21 : 도전 부재21: conductive member

22 : 제1 도금막22: first plating film

23 : 제2 도금막23: second plating film

31 : 알칼리 전해 세정 욕조31: alkali electrolytic cleaning bath

32, 34, 36, 38, 40, 277, 377 : 물 세척용 욕조32, 34, 36, 38, 40, 277, 377: tub for water washing

33 : 화학 에칭 욕조33: chemical etching bath

35 : 산활성화 욕조35: acid activated bath

37 : 땜납 도금 장치37: solder plating apparatus

39 : 중화 처리 욕조39: neutralization bath

41 : 뜨거운 물 세척용 욕조41: hot water wash tub

42 : 건조 장치42: drying device

271, 331, 371 : 횡이송식 푸셔271, 331, 371: Lateral feed pusher

272, 332, 372 : 반송 레일272, 332, 372: conveying rail

273, 373 : 프리딥 욕조273, 373: Free Deep Tub

274, 374 : 제1 도금 욕조274, 374: first plating bath

275, 375 : 제2 도금 욕조275, 375: second plating bath

276, 376 : 제3 도금 욕조276, 376: third plating bath

278, 378 : 도금액 통로 파이프278, 378: plating liquid passage pipe

279, 379 : 제1 도금액 수납 욕조279, 379: first plating liquid storage bath

280, 380 : 제2 도금액 수납 욕조280, 380: second plating liquid storage bath

381 : 제3 도금액 수납 욕조381: 3rd plating liquid storage bath

333 : 현수용 훅333: Suspension hook

334 : 도금 보조 래크334: plating auxiliary rack

본 발명은 도금 장치에 관한 것으로, 도금 욕조와 그들의 욕조에 대응하는 도금액 수납 욕조를 파이프로 연결하고, 도금액이 이동할 수 있도록 한 도금 장치에 관한 것이다. 그리고, 도금액이 양 욕조 사이를 이동함으로써, 1개의 반송 레일에서 복수 조합의 금속 재료의 도금막을 단층 또는 적어도 2층 이상 형성할 수 있는 도금 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plating apparatus, and relates to a plating apparatus in which a plating bath and a plating liquid storage tub corresponding to the bath are connected by a pipe, and the plating solution can be moved. And as a plating liquid moves between both bathtubs, it is related with the plating apparatus which can form the single layer or at least 2 layer or more of the plating film of the metal material of multiple combination in one conveyance rail.

Cu 단일 부재, Cu 합금 또는 Fe - Ni 합금과 같은 도전 부재의 표면을, Sn 단일 부재 또는 Sn 합금의 도금층으로 피복한 리드재는 Cu 단일 부재 또는 Cu 합금이 구비하고 있는 우수한 도전성과 기계적 강도를 갖는다. 게다가, 그 리드재는 Sn 단일 부재 또는 Sn 합금이 구비하고 있는 내식성과 양호한 납땜성을 병유하는 고성능 도체이다. 그로 인해, 그들은 각종 단자, 커넥터, 리드와 같은 전기ㆍ전자 기기 분야나 전력 케이블의 분야 등에서 많이 사용되고 있다. The lead material which coat | covered the surface of the electrically conductive member, such as a Cu single member, Cu alloy, or Fe-Ni alloy, with the plating layer of Sn single member or Sn alloy, has the outstanding electroconductivity and mechanical strength which the Cu single member or Cu alloy has. In addition, the lead material is a high-performance conductor that combines the corrosion resistance and good solderability of the Sn single member or the Sn alloy. Therefore, they are widely used in the field of electric and electronic devices such as various terminals, connectors, and leads, and the field of power cables.

또한, 반도체 칩을 회로 기판에 탑재하는 경우에는 반도체 칩의 외측 리드부에 Sn 합금을 이용한 용융 도금이나 전기 도금을 향함으로써, 외측 리드부의 납땜성을 향상시키는 것이 행해지고 있다. 이러한 Sn 합금의 대표예는 땜납(Sn-Pb 합금)이며 납땜성, 내식성 등이 양호하므로, 커넥터나 리드 프레임 등의 전기ㆍ전자 공업용 부품의 공업용 도금으로서 널리 이용되고 있다.In addition, when mounting a semiconductor chip on a circuit board, it is performed to improve the solderability of an outer lead part by carrying out the fusion plating or electroplating which used Sn alloy by the outer lead part of a semiconductor chip. Representative examples of such Sn alloys are solder (Sn-Pb alloys), and because they have good solderability, corrosion resistance, and the like, they are widely used for industrial plating of electrical and electronic industrial parts such as connectors and lead frames.

도4는 도3에 도시한 반도체 리드 프레임에 있어서의 A-A 단면 리드재의 기본 구성을 도시한 단면도이다. 예를 들어, 도전 부재(21)는 Cu, Cu를 주성분으로 한 Cu계 합금 또는 Fe-Ni을 주성분으로 한 Fe-Ni계 합금으로 구성되어 있다. 그리고, 그들 도전 부재(21)의 표면에는 다른 금속 재료인 2층의 도금막이 실시되어 있다. 예를 들어, Sn의 제1 도금막(22)과 Sn-Bi의 제2 도금막(23)이 이 순서로 형성되어 있다. 여기에서, 제1 도금막(22)의 두께를 t1, 제2 도금막(3)의 두께를 t2라 했을 때, t1은 약 3 내지 15㎛, t2는 약 1 내지 5㎛, t2/t1은 약 0.1 내지 0.5로 설정하면, 비용면에서도 납땜성, 내열성의 면에서도, 또한 땜납의 접합 강도나 알루미늄선 등과의 용접부의 용접 강도의 면에서도 양호한 특성이 있으며, 리드재로서의 성능 향상을 얻을 수 있으므로 적합하다는 것이 알려져 있다. FIG. 4 is a cross-sectional view showing the basic configuration of an AA cross-section lead material in the semiconductor lead frame shown in FIG. For example, the conductive member 21 is composed of a Cu-based alloy containing Cu and Cu as a main component or a Fe-Ni-based alloy containing Fe-Ni as a main component. And the plating film of 2 layers which is another metal material is given to the surface of these electrically conductive members 21. As shown in FIG. For example, the first plating film 22 of Sn and the second plating film 23 of Sn-Bi are formed in this order. Here, when the thickness of the first plating film 22 is t 1 and the thickness of the second plating film 3 is t 2 , t 1 is about 3 to 15 μm, t 2 is about 1 to 5 μm, When t 2 / t 1 is set at about 0.1 to 0.5, it has good properties in terms of cost, solderability and heat resistance, and also in terms of solder joint strength and welding strength of the welded portion with aluminum wires. It is known that it is suitable because a performance improvement can be obtained.

도5는 자동 도금 장치 전체의 레이아웃이다. 우선, 알칼리 전해 세정 욕조(31)에 있어서, 도전 부재(21)의 표면에 있어서의 땜납 도금 피막의 밀착성이나 납땜성을 저해하는 유지 등의 유기성 오염 물질을 제거한다. 다음에, 물 세척용 욕조(32)에 있어서 세정된 후, 화학 에칭 욕조(33)에 있어서, 화학 에칭 처리(기본적으로는 산화 일환원 반응을 이용한 처리)를 행하고, 입계나 개재물 등의 존재에 의해 불균일한 표면으로 되어 있는 도전 부재(21)의 표면을 균일화한다. 5 is a layout of the entire automatic plating apparatus. First, in the alkaline electrolytic cleaning bath 31, organic contaminants such as oils and fats that impair adhesion and solderability of the solder plating film on the surface of the conductive member 21 are removed. Next, after being washed in the water washing bath 32, the chemical etching bath 33 is subjected to a chemical etching process (basically, a process using an oxidation reduction reaction), and then to the presence of grain boundaries or inclusions. As a result, the surface of the conductive member 21 which becomes a nonuniform surface is made uniform.

다음에, 물 세척용 욕조(34)에 있어서 세정된 후 산활성화 욕조(35)에 있어서, 물 세척용 욕조(34)에서 부착된 산화막을 제거한다. 다음에, 물 세척용 욕조(36)에 있어서 세정된 후, 땜납 도금 장치(37)에 있어서 도금이 실시된다. 땜납 도금액은 강산성이므로, 도금 후의 표면은 산성으로 되어 있다. 그러한 표면에서는 시간의 경과와 함께 피막이 변색하여 납땜성이 열화한다. 그로 인해, 물 세척용 욕조(38), 중화 처리 욕조(39)에 있어서, 도금 표면에 잔류하는 산을 중화하여 흡착되어 있는 유기물을 제거한다. 그 후, 물 세척용 욕조(40), 뜨거운 물 세척용 욕조(41)에서 세정되고, 건조 장치(42)에 있어서, 도금된 도전 부재(21)를 건 조시킨다. Next, the oxide film adhered to the water washing bath 34 is removed in the acid activating bath 35 after being washed in the water washing bath 34. Next, after wash | cleaning in the water washing tub 36, plating is performed in the solder plating apparatus 37. FIG. Since the solder plating solution is strongly acidic, the surface after plating is acidic. On such surfaces, the coating discolors with time, and the solderability deteriorates. Therefore, in the water washing bath 38 and the neutralization bath 39, the acid remaining on the plating surface is neutralized to remove the adsorbed organic matter. Thereafter, the water washing tub 40 and the hot water washing tub 41 are washed, and in the drying apparatus 42, the plated conductive member 21 is dried.

도6은 도5에 도시한 전체 도금 장치에 있어서의 화학 에칭 욕조(33)의 B-B 방향에 있어서의 단면도이다. FIG. 6 is a cross-sectional view in the B-B direction of the chemical etching bath 33 in the overall plating apparatus shown in FIG.

이 화학 에칭 욕조(33)에 있어서의 작용은 상기한 바와 같다. 여기서는 이 도금 장치에 있어서의 구조에 대해 설명한다. 이 도금 장치에서는 횡이송식 푸셔(331)와 반송 레일(332)은 모두 상하 방향으로 가동할 수 있도록 되어 있다. 그리고, 그들 가동 범위의 상한 위치 및 하한 위치가 결정되어 있으며, 그 사이를 반복 이동하고 있다. 현수용 훅(333)은 작업 목적에 따라서 적합한 간격으로 반송 레일(332)에 걸려진다. 통상은 인접한 욕조의 센터 사이의 거리이다. 그리고, 도금되는 도전 부재(21)를 현수하고 있는 도금 보조 래크(334)는 이 현수용 훅(333)에 걸려져 이 도금 장치에 장착된다. 다음에, 횡이송식 푸셔(331)에 대해 서 서술한다. 횡이송식 푸셔(331) 사이의 거리는 기본적으로는 인접한 욕조의 센터 사이의 거리와 대략 같다. 그리고, 이 횡이송식 푸셔(331)는 1개의 아암에 설치되어 있으며, 작업 방향으로 현수용 훅(333)을 1 스팬 이송하면, 그 만큼 복귀되도록 되어 있다. 그리고, 이 횡이송식 푸셔(331)는 상한 위치에서 1 스팬 이송되고, 하한 위치에서 그 만큼 복귀되도록 되어 있다. 또한, 반송 레일(332)은 상하 방향으로는 움직이지만 진행 방향으로는 움직이지 않는다. 이 작업의 반복에 의해, 이 도금 장치는 기능하고 있다. The operation in the chemical etching bath 33 is as described above. Here, the structure in this plating apparatus is demonstrated. In this plating apparatus, both the lateral transfer type pusher 331 and the conveyance rail 332 are movable in an up-down direction. And the upper limit position and the lower limit position of these movable ranges are determined, and it moves repeatedly between them. The hanging hook 333 is hooked to the conveyance rail 332 at suitable intervals according to the work purpose. It is usually the distance between the centers of adjacent baths. And the plating auxiliary rack 334 which suspends the electrically-conductive member 21 to be plated is caught by this suspension hook 333, and is attached to this plating apparatus. Next, the transverse pusher 331 will be described. The distance between the transverse pushers 331 is basically equal to the distance between the centers of adjacent baths. And this lateral feed pusher 331 is provided in one arm, and it returns to that much when the suspension hook 333 is conveyed by one span in a working direction. And this lateral feed pusher 331 is conveyed 1 span at the upper limit position, and it returns to that much from the lower limit position. In addition, although the conveyance rail 332 moves to an up-down direction, it does not move to an advancing direction. By the repetition of this work, this plating apparatus is functioning.

상기한 이 도금 장치에서는 도금전 처리 라인을 1개 및 땜납 도금 라인을 1개 가지고 있었다. 예를 들어, 도전 부재(21)에 제1 도금막(22)에 Sn의 도금막, 제2 도금막(23)에 Sn-Bi의 도금막을 형성하는 경우와 도전 부재(21)에 제1 도금막(22)에 Sn의 도금막, 제2 도금막(23)에 Sn-Ag의 도금막을 형성하는 경우가 있다. 이 경우, 제1 도금막은 양쪽 모두 동일한 Sn 도금액을 사용할 수 있으나, 제2 도금막은 사용하는 도금액이 다르다. 그로 인해, 도전 부재(21)에 전자의 도금막을 형성하는 것을 끝낸 후, 1도 도금 장치를 정지시켜 후자용 도금액으로 욕조 내의 도금액을 교체하고 나서 다음의 도전 부재(21)에 도금막을 형성하고 있었다. In the above plating apparatus, there was one preplating treatment line and one solder plating line. For example, when the plating film of Sn is formed in the 1st plating film 22 in the conductive member 21, and the Sn-Bi plating film is formed in the 2nd plating film 23, and the 1st plating in the conductive member 21 is carried out. The plating film of Sn may be formed in the film 22 and the plating film of Sn-Ag may be formed in the 2nd plating film 23 in some cases. In this case, the first plating film may use the same Sn plating solution, but the second plating film uses a different plating solution. Therefore, after finishing forming the former plating film in the electrically-conductive member 21, after stopping the 1-degree plating apparatus, replacing the plating liquid in the bathtub with the latter plating liquid, the plating film was formed in the next electrically-conductive member 21. .

상기한 바와 같이, 이 땜납 도금 장치에서는 도금전 처리 라인을 1개 및 땜납 도금 라인을 1개 가지고 있었다. 그로 인해, 도전 부재(21)에 복수 조합의 도금막을 형성하는 경우, 도금막의 조합이 교체될 때, 연속하여 작업을 행할 수 없다고 하는 과제가 발생했다. 다시 말해서, 이 도금 장치에서는 준비된 도금액에 도전 부재(21)를 차례로 침지하여 동일한 도금막 조합의 도금막을 연속하여 형성할 수 있었다. 그러나, 도금되는 도전 부재(21)의 사용 용도에 따라서, 도전 부재(21)에 복수 조합의 도금막을 연속하여 형성할 수 없었다. 즉, 땜납 도금 라인에 대해 도금액의 교체에 많은 시간과 수고를 들인다고 하는 문제가 있었다. As described above, in this solder plating apparatus, there was one preplating treatment line and one solder plating line. For this reason, when a plurality of combinations of plating films are formed on the conductive member 21, there is a problem that the operation cannot be performed continuously when the combination of plating films is replaced. In other words, in this plating apparatus, the conductive member 21 was immersed in the prepared plating solution in order to form a plating film of the same plating film combination continuously. However, according to the use of the electrically conductive member 21 to be plated, plural combination plating films could not be continuously formed in the electrically conductive member 21. That is, there was a problem that a large amount of time and effort was spent on replacing the plating liquid with respect to the solder plating line.

또한 상기에다가, 땜납 도금 라인을 관리하는 것에 관해서도 많은 노력을 들이고 있었다. 예를 들어, 하나의 도금 욕조인 도금액을 사용한 후에 도금액 구성이 다른 다른 도금액을 사용하는 경우가 있다. 이 때, 확실하게 전자의 도금액을 제거하지 않으면 후자의 도금액의 액 구성이 교체되어 버린다. 또한, 사용하는 도금액 구성이 다르면, 그 도금 욕조에서 사용되는 애노드도 달라 교환해야만 한다. 즉, 도금액 관리 또는 도금 욕조 관리 등 보수면에 대해서도 많은 노력을 들인다고 하는 문제가 있었다. In addition, in addition to the above, much effort has been put into managing the solder plating line. For example, after using the plating liquid which is one plating bath, another plating liquid with a different plating liquid structure may be used. At this time, if the former plating liquid is not removed reliably, the liquid composition of the latter plating liquid is replaced. In addition, if the plating liquid composition to be used differs, the anode used in the plating bath will also need to be replaced differently. That is, there has been a problem that a lot of effort is put into the maintenance surface such as plating solution management or plating bath management.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에서는 도금 라인에 있어서 반송 레일의 하부에 복수의 도금 욕조를 갖는다. 그리고, 그 도금 욕조에 대응하여 도금액 수납 욕조를 설치하여 도금액을 양 욕조 사이를 이동시키는 기능을 마련한다. 또는 반송 레일의 하부에 복수의 도금 욕조와 각각에 도금액 수납 욕조를 설치하여 도금액을 양 욕조 사이를 이동시키는 기능을 마련한다. 그에 의해, 1개의 반송 레일에서 도전 부재(21)에 연속하여 복수 조합의 단층 혹은 2층 이상의 도금막을 형성할 수 있는 것에 특징을 갖는다. In order to achieve the above object, in the present invention, the plating line has a plurality of plating baths in the lower portion of the conveying rail. In addition, a plating liquid storage bath is provided corresponding to the plating bath to provide a function of moving the plating liquid between both bathtubs. Alternatively, a plurality of plating baths and plating solution storage baths are provided at the bottom of the conveyance rail to provide a function of moving the plating solution between both baths. Thereby, it is characterized by being able to form a plural combination of single layer or two or more plating films continuously to the conductive member 21 in one conveyance rail.

도1은 본 발명인 도금 장치를 실시하기 위한 땜납 도금 라인의 기능을 간략하게 도시한 레이아웃이다. 이 땜납 도금 라인에서는 프리딥 욕조(273), 제1 도금 욕조(274), 제2 도금 욕조(275), 제3 도금 욕조(276), 물 세척용 욕조(277)가 반송 레일(272) 하부에 설치된다. 그리고, 횡이송식 퓨서(271)에 의해 1 피치씩 이송되고, 그들 욕조를 이용하여 도전 부재(21)(도4 참조)에 도금막을 형성하는 것은 종래와 마찬가지이다. 1 is a layout briefly showing the function of a solder plating line for carrying out the plating apparatus of the present invention. In this solder plating line, the pre-dip bath 273, the first plating bath 274, the second plating bath 275, the third plating bath 276, and the water washing bath 277 are lower than the conveying rail 272. Is installed on. Then, the plated film is formed on the conductive member 21 (refer to FIG. 4) by the lateral transfer type fuser 271 by one pitch, and the bath is used as in the prior art.

본 발명에서는 제1 형태로서는 도금 욕조에 대응하여 필요한 만큼 도금액 수납 욕조를 설치하는 형태이다. 예를 들어, 도1에 도시한 바와 같이 제1 도금 욕조(274)에는 도금액 수납 욕조를 설치하지 않고, 제2 도금 욕조(275)용의 제1 도금액 수납 욕조(279)를, 제3 도금 욕조(276)용의 제2 도금액 수납 욕조(280)를 각 각 설치한다. 이 경우, 작업 공간을 효율적으로 활용하기 위해서도, 또한 도금액 수납시, 도금액을 단시간에 수납할 수 있도록 도금 욕조 하부에 도금액 수납 욕조를 설치했다. 그에 의해, 이 땜납 도금 라인에 있어서 1개의 반송 레일에서 도전 부재(21)에 연속하여 복수 조합의 도금막을 사용 용도에 따라서 형성할 수 있는 것에 특징을 갖는다. According to the first aspect of the present invention, the plating liquid storage bath is provided as necessary in correspondence with the plating bath. For example, as shown in FIG. 1, the first plating bath 274 is not provided in the first plating bath 274, and the first plating solution storage bath 279 for the second plating bath 275 is used. Second plating liquid storage baths 280 for 276 are respectively provided. In this case, in order to utilize the work space efficiently, a plating liquid storage bath was provided in the lower part of the plating bath so that a plating liquid could be accommodated for a short time at the time of storing a plating liquid. As a result, in this solder plating line, a plurality of combination plating films can be formed in succession to the conductive member 21 in one conveyance rail depending on the intended use.

도2도 상기한 도1과 마찬가지로, 본 발명인 도금 장치를 실시하기 위한 땜납 도금 라인의 기능을 간략하게 도시한 레이아웃이다. 이 땜납 도금 라인에서는 프리딥 욕조(373), 제1 도금 욕조(374), 제2 도금 욕조(375), 제3 도금 욕조(376), 물 세척용 욕조(377)가 반송 라인(372)의 하부에 설치된다. 그리고, 횡이송식 푸셔(371)에 의해 1 피치씩 이송되고, 그들의 욕조를 이용하여 도전 부재(21)에 도금막을 형성한다. 2 is a layout briefly showing the function of the solder plating line for carrying out the plating apparatus of the present invention, similarly to FIG. In this solder plating line, the pre-dip bath 373, the first plating bath 374, the second plating bath 375, the third plating bath 376, and the water washing bath 377 are formed of the transfer line 372. It is installed at the bottom. Then, the pitches are transferred one by one by the lateral transfer pusher 371, and a plating film is formed on the conductive member 21 by using these bathtubs.

그리고, 제2 형태로서는 모든 도금 욕조에 대하여 도금액 수납 욕조를 설치하는 형태이다. 예를 들어, 도2에 도시한 바와 같이 제1 도금 욕조(374)용의 제1 도금액 수납 욕조(379)를, 제2 도금 욕조(375)용의 제2 도금액 수납 욕조(380)를, 제3 도금 욕조(376)용의 제3 도금액 수납 욕조(381)를 각각 설치한다. 이 경우도 상기한 제1 형태와 마찬가지로 도금 욕조의 하부에 도금액 수납 욕조를 설치했다. 그에 의해, 이 땜납 도금 라인에 있어서, 1개의 반송 레일에서 도금 가능한 도전 부재(21)에 연속하여 복수 조합의 도금막을 사용 용도에 따라서 형성할 수 있는 것에 특징을 갖는다. In the second embodiment, the plating liquid storage bath is provided for all the plating baths. For example, as shown in FIG. 2, the first plating liquid storage bath 379 for the first plating bath 374 is used, and the second plating liquid storage bath 380 for the second plating bath 375 is formed. 3rd plating liquid storage baths 381 for the 3 plating baths 376 are provided, respectively. Also in this case, the plating liquid storage bath was provided in the lower part of the plating bath similarly to the said 1st aspect. Thereby, in this solder plating line, it is characterized by being able to form a plurality of combination plating films in succession to the conductive member 21 which can be plated by one conveyance rail according to a use.

제1 형태에 대해 구체적으로 말하면, 이 땜납 도금 라인의 반송 구조는 상기 한 도6과 마찬가지이다. 예를 들어, 이 도1의 땜납 도금 라인에서는 제1 도금 욕조(274)에는 Sn의 도금액을 넣을 수 있고, 제2 도금 욕조(275)에는 Sn-Bi의 도금액을 넣을 수 있고, 제3 도금 욕조(276)에는 Sn-Ag의 도금액을 넣을 수 있다. 그리고, 이들의 도금 욕조는 도금된 도전 부재(21)의 사용 용도에 따라서 필요한 도금 욕조가 선택되고, 필요가 없는 도금 욕조의 도금액은 도금액 수납 욕조로 이동한다. 그러나, 이 형태에서는 Sn의 도금액이 들어간 제1 도금 욕조(274)에는 항상 도금액을 넣을 수 있어 도전 부재(21)는 이 Sn의 도금액에 침지한다. 이 결과, 도전 부재(21)에 Sn의 단층 도금막이 형성되거나, 1층째가 Sn에 의해 2층째가 Sn-Bi 또는 Sn-Ag의 도금막이 형성된다. 또 리드재의 구조는 도4와 동일하므로 부호를 공통으로 했다.Specifically, the conveyance structure of this solder plating line is the same as that of FIG. 6 mentioned above. For example, in the solder plating line of FIG. 1, a plating solution of Sn can be put in the first plating bath 274, a plating solution of Sn-Bi can be put in the second plating bath 275, and a third plating bath is placed. In 276, a plating solution of Sn-Ag can be put. Then, the plating bath required for this plating bath is selected according to the use purpose of the plated conductive member 21, and the plating liquid of the plating bath, which is not necessary, moves to the plating liquid storage bath. In this embodiment, however, the plating liquid can always be put in the first plating bath 274 containing the plating liquid of Sn, and the conductive member 21 is immersed in the plating liquid of Sn. As a result, a single layer plating film of Sn is formed on the conductive member 21, or a plating film of Sn-Bi or Sn-Ag is formed on the second layer by Sn. In addition, since the structure of a lead material is the same as that of FIG. 4, the code | symbol was common.

첫째, 도전 부재(21)에 Sn 단층의 제1 도금막(22)만을 형성하는 경우에 대해 서술한다. 여기에서는 Sn의 도금액을 넣을 수 있었던 제1 도금 욕조(274)에는 항상 Sn의 도금액이 들어가 있어, 도전 부재(21)에 Sn의 도금막이 형성된다. 우선, 상기한 도금전 처리 라인에서 처리된 도전 부재(21)는 프리딥 욕조(273)에서 표면의 수산막(水酸膜)의 제거를 행하고, 제1 도금 욕조(274)의 Sn의 도금액으로 침지한다. 그리고, 그 동안에 제2 도금 욕조(275) 및 제3 도금 욕조(276)에서는 도전 부재(21)에 도금막을 형성하지 않으므로, 욕조 내의 도금액은 제1 도금액 수납 욕조(279) 및 제2 도금액 수납 욕조(280)로 이동한다. 제1 도금 욕조(274)에서 Sn의 도금막을 형성한 도전 부재(21)는 제2 도금 욕조(275), 제3 도금 욕조(276)로 반송되지만, 그들의 도금 욕조에는 도금액이 들어가 있지 않으므로 도금막은 형성되지 않는다. 다음에, 물 세척용 욕조(277)에서 도금막을 형성한 도전 부재(21)의 표면을 세정한다. 이 결과, 도전 부재(21)에 Sn의 단층 도금막이 형성된다. First, the case where only the 1st plating film 22 of Sn single | mono layer is formed in the electrically-conductive member 21 is demonstrated. Here, the plating liquid of Sn always enters the 1st plating bath 274 into which the plating liquid of Sn was put, and the plating film of Sn is formed in the electrically-conductive member 21. FIG. First, the conductive member 21 processed in the pre-plating treatment line is removed from the surface of the hydroxyl film in the pre-dip bath 273, and the plating solution of Sn in the first plating bath 274 is removed. Immerse. In the meantime, since the plating film is not formed on the conductive member 21 in the second plating bath 275 and the third plating bath 276, the plating liquid in the bath is the first plating liquid storage bath 279 and the second plating liquid storage bath. Go to 280. Although the conductive member 21 in which the Sn plating film was formed in the 1st plating bath 274 is conveyed to the 2nd plating bath 275 and the 3rd plating bath 276, since the plating solution does not enter in these plating baths, Not formed. Next, the surface of the electrically conductive member 21 in which the plating film was formed in the water washing tub 277 is cleaned. As a result, a single layer plating film of Sn is formed on the conductive member 21.

둘째, 도전 부재(21)에 2층의 제1 도금막(22) 및 제2 도금막(23)을 형성하는 경우에 대해 서술한다. 도전 부재(21)에 도금막을 형성하는 공정은 상기한 내용과 마찬가지이다. 우선, 제1 도금 욕조(274)에는 항상 Sn의 도금액이 들어가 있으므로, 도전 부재(21)에는 Sn의 제1 도금막(22)이 형성된다. 그리고, 그 도전 부재(21)의 사용 용도에 따라서, 제2 도금막(23)을 형성하는 도금 욕조를 선택한다. 여기에서, 처음에 Sn-Bi의 제2 도금막(23)을 형성하는 경우는 제3 도금 욕조(276)의 Sn-Ag의 도금액을 제2 도금액 수납 욕조(280)로 이동시킨다. 그리고,다음에 Sn-Ag의 제2 도금막을 형성하는 경우는 제2 도금 욕조(275)의 Sn-Bi의 도금액을 제1 도금액 수납 욕조(279)로 이동시키고, 제3 도금 욕조(276)로 제2 도금액 수납 욕조(280)로부터 Sn-Ag의 도금액을 복귀시킨다. 이 결과, 도전 부재(21)에는 Sn과 Sn-Bi 또는 Sn과 Sn-Ag의 2층의 도금막이 형성된다.Second, the case where two layers of the first plating film 22 and the second plating film 23 are formed on the conductive member 21 is described. The process of forming a plating film in the conductive member 21 is the same as the above-mentioned content. First, since a plating solution of Sn is always contained in the first plating bath 274, the first plating film 22 of Sn is formed in the conductive member 21. And the plating bath which forms the 2nd plating film 23 is selected according to the use use of the electrically conductive member 21. FIG. Here, when forming the Sn-Bi 2nd plating film 23 initially, the Sn-Ag plating liquid of the 3rd plating bath 276 is moved to the 2nd plating liquid storage bath 280. FIG. Next, in the case where a second plating film of Sn-Ag is formed, the plating solution of Sn-Bi of the second plating bath 275 is moved to the first plating solution storage bath 279, and the third plating bath 276 is moved to the third plating bath 276. The plating liquid of Sn-Ag is returned from the second plating liquid storage bath 280. As a result, two layers of a plating film of Sn and Sn-Bi or Sn and Sn-Ag are formed in the conductive member 21.

여기에서, 도1의 도금 장치에서는 제1 도금 욕조(274)의 도금액의 금속 재료는 Sn이며, 제2 도금 욕조(275)의 도금액의 금속 재료는 Sn-Bi이며, 제3 도금 욕조(276)의 도금액의 금속 재료는 Sn-Ag이다. 그리고, 그들의 금속과 그것을 녹이는 용제를 제외한 용액이 동일한 액 구성이므로, 도전 부재(21)에 연속하여 도금막을 형성할 수 있다. 그러나, 액 구성이 다른 도금액에서 도전 부재(21)에 도금막을 형성하는 경우도 있다. 이 때, 도금액 구성이 다른 도금 욕조 사이에 순수(純水)를 넣은 도금 욕조를 준비하여 도금된 도전 부재(21)의 표면을 세정함으로써, 그들의 액 구성이 다른 도금액 끼리가 섞이는 것을 방지한다. 그리고, 이 순수가 필요 없을 때는 도금액 수납 욕조에 넣어 둔다. 이에 의해, 도금액의 액 구성에 관계없이 1개의 반송 레일에서 연속하여 복수 조합의 도금막을 도전 부재(21)에 형성할 수 있다. In the plating apparatus of FIG. 1, the metal material of the plating liquid of the first plating bath 274 is Sn, the metal material of the plating liquid of the second plating bath 275 is Sn-Bi, and the third plating bath 276. The metal material of the plating liquid is Sn-Ag. And since the solution except those metal and the solvent which melt | dissolves them is the same liquid structure, a plating film can be formed continuously in the electrically-conductive member 21. FIG. However, in some cases, a plating film is formed on the conductive member 21 with a plating liquid having a different liquid composition. At this time, a plating bath in which pure water is placed between plating baths with different plating solution configurations is prepared and the surface of the plated conductive member 21 is cleaned to prevent mixing of the plating solutions with different liquid compositions. And when this pure water is not needed, it puts in a plating liquid storage bath. Thereby, a plurality of combination plating films can be formed in the conductive member 21 continuously in one conveyance rail regardless of the liquid composition of a plating liquid.

제2 형태에 대해 구체적으로 말하면, 이 땜납 도금 라인의 도금 방법에 대해서는 상기한 제1 형태와 마찬가지이다. 예를 들어, 이 도2의 땜납 도금 라인에서는 제1 도금 욕조(374)에는 Sn의 도금액을 넣을 수 있고, 제2 도금 욕조(375)에는 Sn : Bi = 98(중량%) : 2(중량%)의 도금액을 넣을 수 있고, 제3 도금 욕조(376)에는 Sn : Bi = 43(중량%) : 57(중량%)의 도금액을 넣을 수 있다. 그리고, 이들의 도금 욕조는 도금된 도전 부재(21)의 사용 용도에 따라서 필요한 도금 욕조가 선택되고, 필요가 없는 도금 욕조의 도금액은 도금액 수납 욕조로 이동한다. 이 결과, 도전 부재(21)에 Sn 또는 Sn : Bi = 98(중량%) : 2(중량%) 단층의 도금막이 형성되거나, 1층째가 Sn에 의해 2층째가 Sn : Bi = 43(중량%) : 57(중량%)의 2층의 도금막이 형성되거나, 1층째가 Sn : Bi = 98(중량%) : 2(중량%)에 의해 2층째가 Sn : Bi = 43(중량%) : 57(중량%)의 2층의 도금막 등이 형성되거나 한다. Specifically speaking about the second aspect, the plating method of the solder plating line is the same as the first aspect described above. For example, in the solder plating line of Fig. 2, a plating solution of Sn can be put in the first plating bath 374, and Sn: Bi = 98 (weight%): 2 (weight%) in the second plating bath 375. ), And a plating solution of Sn: Bi = 43 (% by weight): 57 (% by weight) may be added to the third plating bath 376. Then, the plating bath required for this plating bath is selected according to the use purpose of the plated conductive member 21, and the plating liquid of the plating bath, which is not necessary, moves to the plating liquid storage bath. As a result, a plating film of Sn or Sn: Bi = 98 (wt%): 2 (wt%) single layer is formed on the conductive member 21, or the first layer is Sn: Bi = 43 (wt%) ): 57 (% by weight) of two layers of plating films are formed, or the first layer is Sn: Bi = 98 (% by weight): 2 (% by weight), and the second layer is Sn: Bi = 43 (% by weight): 57 Two layers (weight%) of a plating film or the like may be formed.

이 제2 형태에서는 도전 부재(21)에 제1 도금막(22)을 형성하기 위해 Sn : Bi = 98(중량%) : 2(중량%)의 도금액을 사용할 수 있다. 이 때, 도금액에 수% 정도의 Bi를 포함함으로써, 제1 도금막(22)에서는 위스커(바늘형 결정)가 현저하게 억제된다. In this second aspect, a plating solution of Sn: Bi = 98 (wt%): 2 (wt%) can be used to form the first plating film 22 on the conductive member 21. At this time, by including Bi in the plating solution about several percent, whiskers (needle crystals) are remarkably suppressed in the first plating film 22.

따라서, 본 발명에서는 도금액 구성이 다른 복수의 도금액을 넣을 수 있었던 도금 욕조와, 그 도금 욕조에 필요에 따라서 또는 전체적으로 도금액 수납 욕조를 설치한다. 그리고, 도전 부재(21)의 사용 용도에 따라서 도금액을 그들의 양 욕조를 이동시킬 수 있다. 그 결과, 1개의 반송 레일에서 연속하여 복수 조합의 도금막을 형성할 수 있다. Therefore, in the present invention, a plating bath in which a plurality of plating liquids with different plating liquid constitutions can be put, and a plating liquid storage bath are provided as necessary or as a whole in the plating bath. And both baths of a plating liquid can be moved according to the use use of the electrically-conductive member 21. FIG. As a result, multiple combination plating films can be formed continuously in one conveyance rail.

즉, 연속하여 1개의 반송 레일에서 복수 조합의 도금막을 도전 부재(21)에 형성할 수 있다. 이에 의해, 도금막의 조합에 따라서 도금 장치를 일시 정지시켜 욕조 내의 도금액을 교체할 필요가 없어진다. 이 결과, 작업 시간을 대폭 단축시킬 수 있고, 또한 도금액을 교체시키는 수고를 덜 수 있다. 또한, 동일한 욕조에서의 도금액의 교체시, 각각의 도금액 끼리가 혼입되는 일이 없어져 도금액의 관리 및 도금 욕조, 도금용 설비 등의 보수에 있어서의 노력도 대폭으로 줄일 수 있다. That is, a plurality of combination plating films can be formed on the conductive member 21 in one conveyance rail in succession. This eliminates the need to temporarily stop the plating apparatus in accordance with the combination of the plating films to replace the plating liquid in the bath. As a result, the work time can be significantly shortened and the effort of replacing the plating liquid can be saved. In addition, when the plating liquids are replaced in the same bath, the plating liquids are not mixed with each other, and the effort in the management of the plating liquids and the maintenance of the plating bath, the plating equipment, etc. can be greatly reduced.

그 밖에도, 1개의 반송 레일에서 연속하여 복수 조합의 도금막을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제1 도금 욕조에서는 도금액을 제1 도금액 수납 욕조로 이동시키고, 제2 및 제3 도금 욕조에서 도금막을 형성하는 방법이나 제1 및 제2 도금 욕조에서는 도금액을 제1 및 제2 도금액 수납 욕조로 이동시켜, 제3 도금 욕조에서만 단층의 도금막을 형성하는 방법 등이 있다. 또한, 인접한 도금 욕조에 동일 조성의 도금액을 넣음으로써 도전 부재(21)에 두꺼운 도금막을 형성할 수 있다. In addition, a plurality of combination plating films can be formed continuously in one conveyance rail. For example, in the first plating bath, the plating liquid is moved to the first plating liquid storage bath, and the plating film is formed in the second and third plating baths. In the first and second plating baths, the plating solution is used as the first and second plating solutions. There exists a method of moving to a storage bath, and forming a single layer plating film only in a 3rd plating bath. In addition, a thick plating film can be formed on the conductive member 21 by placing a plating solution of the same composition into an adjacent plating bath.

어떠한 경우로 해도, 상기한 바와 같이 본 발명인 도금액을 양 욕조 사이를 이동시킴으로써, 1개의 반송 레일에서 연속하여 복수 조합의 도금막을 형성하는 것이 가능하다. In any case, by moving the plating liquid of this invention between both bathtubs as mentioned above, it is possible to form the plating film of multiple combination continuously in one conveyance rail.

상기한 바와 같이, 땜납 도금의 경우를 예로 들어 설명해 왔지만, 이 도금 장치는 땜납 도금에 한정되지 않게 이용할 수 있다. 예를 들어, Sn 도금, Cu 도금, Ni도금 등이 있다. 이들의 경우에도, 이 도금 장치를 이용하여 1개의 반송 레일에서 연속하여 도전 부재(21)에 복수 조합의 도금막을 형성할 수 있다. As described above, the case of solder plating has been described as an example, but the plating apparatus can be used without being limited to solder plating. For example, Sn plating, Cu plating, Ni plating, etc. are mentioned. Also in these cases, the plating device of a plurality of combinations can be formed in the conductive member 21 continuously in one conveyance rail using this plating apparatus.

이상의 설명에서 명백한 바와 같이, 본 발명의 도금 장치에는 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다. As apparent from the above description, the following effects can be obtained in the plating apparatus of the present invention.

그것은 이 도금 장치는 땜납 도금 라인에서 도금액을 양 욕조 사이를 이동시키는 기능을 가짐으로써, 1개의 반송 레일에서 연속하여 단층 또는 복수 조합의 도금막을 형성할 수 있다. 그로 인해, 도전 부재에 형성하는 도금막이 교체될 때 마다 도금액을 교환하는 일이 없어져 도금 장치를 일시 정지하는 일이 없다. 이 에 의해, 1개의 반송 레일에서 연속하여 도전 부재에 복수 조합의 도금막을 형성할 수 있으므로 작업 시간을 대폭 단축시킬 수 있고, 또한 도금액을 교체시키는 수고를 덜 수 있다. 또한, 동일한 욕조에서의 도금액의 교체시, 각각의 도금액 끼리가 혼입하는 일이 없어져 도금액의 관리 및 도금 욕조, 도금용 설비 등의 보수에 있어서의 노력도 대폭 줄일 수 있다. This plating apparatus has a function of moving the plating liquid between both baths in a solder plating line, so that a single layer or a plurality of combination plating films can be continuously formed in one conveyance rail. Therefore, the plating liquid is not replaced every time the plating film formed on the conductive member is replaced, so that the plating apparatus is not temporarily suspended. As a result, since a plurality of combinations of plating films can be formed on the conductive member continuously in one conveyance rail, the working time can be greatly reduced, and the effort for replacing the plating liquid can be saved. In addition, when the plating liquids are replaced in the same bath, the plating liquids are not mixed with each other, and the effort in the management of the plating liquids and the maintenance of the plating bath and the plating equipment can be greatly reduced.

Claims (6)

도금전 처리 라인과 도금 라인을 갖는 도금 장치에 있어서,In a plating apparatus having a pre-plating treatment line and a plating line, 상기 도금 라인은 복수의 도금 욕조를 갖고, 소망의 상기 도금 욕조에는 도금액 수납 욕조를 설치한 것을 특징으로 하는 도금 장치. The plating line has a plurality of plating baths, and a plating liquid storage bath is provided in the desired plating bath. 도금전 처리 라인과 도금 라인을 갖는 도금 장치에 있어서, In a plating apparatus having a pre-plating treatment line and a plating line, 상기 도금 라인은 복수의 도금 욕조를 갖고, 소망의 상기 도금 욕조에는 각각 도금액 수납 욕조를 설치한 것을 특징으로 하는 도금 장치. The plating line has a plurality of plating baths, and a plating liquid storage bath is provided in each of the desired plating baths. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도금 라인의 상기 도금 욕조에 의해 도전 부재에 도금막을 형성하는 것을 특징으로 하는 도금 장치. The plating apparatus according to claim 1 or 2, wherein a plating film is formed on a conductive member by the plating bath of the plating line. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도금액 수납 욕조를 상기 도금 욕조보다 낮은 위치에 설치하는 것을 특징으로 하는 도금 장치. The plating apparatus according to claim 1 or 2, wherein the plating liquid storage bath is provided at a position lower than the plating bath. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도금 욕조는 상기 도금액 수납 욕조와 파이프에 의해 연결되어, 파이프를 통해 도금액을 이동시키는 것을 특징으로 하는 도금 장치. The plating apparatus according to claim 1 or 2, wherein the plating bath is connected by the plating liquid storage bath and a pipe to move the plating solution through the pipe. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도금 라인에 있어서, 상기 도전 부재를 침지하지 않는 상기 도금 욕조에서는 그 도금액을 대응하는 상기 도금액 수납 욕조로 이동시켜 상기 도전 부재를 도금액에 침지하지 않도록 하여 상기 도전 부재에 복수 조합의 도금막을 형성하는 것을 특징으로 하는 도금 장치. The plating bath according to claim 1 or 2, wherein, in the plating bath in which the conductive member is not immersed, the plating liquid is moved to a corresponding plating liquid storage bath so that the conductive member is not immersed in the plating liquid. A plating apparatus comprising a plurality of plating films formed on the conductive member.
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