JP3587296B2 - 電子回路の動作調整制御装置及び半導体集積回路装置 - Google Patents
電子回路の動作調整制御装置及び半導体集積回路装置 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子回路の動作特性を所定の特性に調整する調整回路に駆動データを出力する動作調整制御装置及びこれらを集積化してなる半導体集積回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、増幅回路や定電圧回路などの電子回路は、当該電子回路を構成する各回路素子の特性が個別の製造ばらつきによって変動するため、入力信号の増幅率や出力電圧レベルなどのような電子回路としての特性にもばらつきが発生することになる。そのため、電子回路の製造後に検査工程において動作特性をチェックし、その特性が一定となるように可変抵抗器などにより回路定数を調整するようにしている。
【0003】
ところで、前記電子回路が電子回路の動作調整制御装置として構成されている場合には、上記のような調整作業は容易ではない。例えば、マイクロコンピュータ等に制御用電源を生成して供給するための電源回路を集積回路装置として構成した場合には、回路装置の完成後に電源回路を動作させて出力電圧を検出し、その検出電圧が所定範囲内となるように電源回路を構成する薄膜抵抗素子をレーザトリミング或いはヒューズトリミングすることで調整を行うようにしている。しかし、このような調整方式は作業が煩わしく面倒であると共に、調整用の抵抗素子や回路などの面積が大きくなってしまうため、それに伴って全体の回路面積も大きくなってしまうという問題があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
また、例えば、特開平9−330135号公報には、与えられる駆動データに応じて電子回路の特性調整を行う調整回路を備えて、検査工程において電子回路を動作させて得た駆動データをEEPROMに記憶させておき、電子回路がフィールドにおいて動作する場合には、CPUがEEPROMより前記駆動データを読み出して調整回路に出力することで補正を行うようにした技術が開示されている。
【0005】
しかしながら、上記従来技術では、EEPROMはCPUが搭載されている半導体集積回路に対して外付けになっているため、CPUは、上記一連の調整動作をプログラムによって実行しなければならなかった。そのため、当該プログラムモジュールをCPUの制御プログラム(ユーザプログラム)の一部として組み込む必要があり、その作成コストが必要になると共にプログラム記憶用のメモリも必要となることから、総じてコストがアップしてしまうという問題があった。更に、CPUにとっても調整動作を行う時間を要することになる。
【0006】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、調整回路に駆動用データを与える制御を行う動作調整制御装置及びをこれらを集積化してなる半導体集積回路装置より低コストで構成することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の電子回路の動作調整制御装置によれば、データ出力回路,不揮発性の記憶回路及び制御回路を同一の半導体基板上に形成し、記憶回路には、電子回路の動作特性を所定の特性に調整するための駆動データが、例えば電子回路の完成後に実際に動作させることで得た特性に基づいて予め記憶される。そして、制御回路は、電子回路の動作時に駆動データを記憶回路より読み出すと、データ出力回路を介して調整回路に出力する動作を実行する。
【0008】
即ち、電子回路の完成後の動作特性を、記憶回路に記憶させた駆動データに基づいて略一定とするように調整することができると共に、従来とは異なり、不揮発性の記憶回路を制御回路と同一の半導体基板上に形成したことで、記憶回路に対するアクセス等の処理をハードウエアで実行するように制御回路を構成することが可能となる。従って、上記各構成要素を集積回路装置として構成すれば、電子回路の動作を調整するためのプログラムを作成してプログラムメモリに記憶させる必要はなく、制御回路が自動的に動作して調整処理を実行するので、動作調整制御装置を低コストで構成することができる。
【0009】
請求項2記載の電子回路の動作調整制御装置によれば、制御回路は、駆動データを記憶回路より読み出して調整回路に出力する動作を一定周期毎に行う。即ち、駆動データを読み出してデータ出力回路にセットする動作を初期処理などにおいて一度だけしか行わない場合には、外部よりノイズなどが印加された時にデータ出力回路に保持されているデータ値が変化してしまい、補正された動作特性にずれを生じるおそれがある。
【0010】
そのため、駆動データをデータ出力回路にセットする動作は、電子回路の動作中に複数回行うことが好ましいが、その一方で、不揮発性の記憶回路に対する制御回路のアクセス頻度が高まると、記憶回路に電荷ストレスをより多く印加することになってしまう。従って、駆動データを読み出してセットする動作を一定周期毎に行うことで、ノイズが印加されるなどして駆動データの値が一時的に変化しても一定周期毎に修正されるようにして調整の信頼性を高めると共に、記憶回路に対するアクセス頻度をある程度制限して電荷ストレスを軽減することにより、記憶回路の寿命を長期化することができる。
【0011】
請求項3記載の電子回路の動作調整制御装置によれば、制御回路は、CR発振回路によって出力されるクロック信号に同期して制御動作を行うので、簡単な構成のCR発振回路からクロック信号を得ることにより、制御回路の構成をシンプルにすることができる。
【0012】
請求項4記載の電子回路の動作調整制御装置によれば、データ出力回路,記憶回路及び制御回路をMOSトランジスタプロセスで形成する。その場合、記憶回路に対するデータの書き込み及び読み出しを制御する部分もMOSトランジスタによって構成されることになる。そして、記憶回路のゲート絶縁膜をMOSトランジスタのゲート絶縁膜と共に形成することにより、記憶回路をより少ない工程数で形成することができる(尚、詳細については、特願平10−328560号を参照)。
【0013】
また、例えば請求項3のように、制御回路にCR発振回路を備える場合や、電子回路がキャパシタを含んで構成される場合には、記憶回路のコントロールゲート及びフローティングゲートを、キャパシタの下部電極及び上部電極と共に形成することにより、記憶回路を含む装置全体を一層少ない工程数で形成することができる。
【0014】
請求項5記載の電子回路の動作調整制御装置によれば、記憶回路に同一の駆動データを3以上の複数セット記憶して、制御回路は、複数セットの駆動データを記憶回路より読み出すとそれらをデータ値決定回路に出力する。すると、データ値決定回路は、それら複数セットのデータを各ビット毎に比較してより多数を占めた方のデータ値をデータ出力回路に出力する。
【0015】
即ち、記憶回路に記憶されている駆動データが制御回路により読み出された時に、外部よりノイズが印加されることなどによって読み出されたデータ値に一部誤りが生じた場合でも、データ値決定回路は、複数セットのデータの各ビットにおいてより多数を占めたデータ値を選択して出力するので、誤った値の駆動データを調整回路に出力することを極力防止して、信頼性を一層向上させることができる。
【0016】
請求項6記載の電子回路の動作調整制御装置によれば、記憶回路は、複数セットのデータを、各ビット毎に設けられた夫々共通のデータバスに対して各セット毎に異なるタイミングで出力するので、複数セットのデータを読み出すためにデータバス幅を複数倍必要とすることがなく、半導体基板上におけるスペースの増加を抑制することができる。
【0017】
請求項7記載の半導体集積回路装置によれば、電子回路の動作調整制御装置がコンピュータブロックの制御プログラムから独立して調整動作を行うことができるため、コンピュータブロックにおいては、自らのプログラムによって調整動作を実行する必要がなく、プログラムメモリの容量や、コンピュータブロック自身の動作に制約を課すことなく、好ましいものとなる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を自動車のエンジンを制御するECU(Electronic Contorol Unit )に適用した場合の一実施例について図面を参照して説明する。図1は、全体の電気的構成を示す機能ブロック図である。ECU(半導体集積回路装置)1は、MOSトランジスタプロセスによって形成されている。オペアンプ(電子回路)2は、例えば図示しないバッテリより与えられる14V程度の電源から、ECUを構成するマイクロコンピュータなどに供給する制御用電源を生成して出力端子2cより出力する定電圧回路を構成している。
【0019】
バッテリの電源は、入力端子3に供給されるようになっている。入力端子3とグランドとの間には、抵抗4,抵抗アレイ部5及び抵抗6の直列回路が接続されており、これらは調整回路7を構成している。抵抗アレイ部5は、抵抗4及び6に比較して抵抗値が小さい16個の抵抗5aが直列に接続されていると共に、各抵抗5aの共通接続点及び抵抗5aと抵抗6との共通接続点は、例えばアナログスイッチなどで構成されるスイッチ5bを介してオペアンプ2の非反転入力端子に共通に接続されている。
【0020】
オペアンプ2の反転入力端子はグランドに接続されている。オペアンプ2の入力部は、夫々しきい値電圧が異なる値に設定された2つのPチャネルMOSトランジスタ2a,2bによって構成されており、両者のしきい値電圧差を基準電圧として出力端子2cに定電圧を出力するようになっている。
【0021】
抵抗アレイ部5における16個のスイッチ5bは、動作調整制御装置(以下、単に制御装置と称す)8の16ビットのデータバスより与えられる各ビットのデータ値によって制御され、例えば、対応するビットのデータ値が“0”であればスイッチ5bはOFFとなり、前記データ値が“1”であればスイッチ5bはONとなるように構成されている。尚、そのデータ値は、後述するように、4ビットデータがエンコードされたものであり、データ値が“1”となるビットは何れか1つである。
【0022】
そして、抵抗アレイ部5において何れの位置に配置されているスイッチ5bがONとなるかによって、オペアンプ2の非反転入力端子に与えられる分圧電位は変化することになる。オペアンプ2は、前記分圧電位を所定の増幅率で増幅して制御用電源を出力するので、何れのスイッチ5bをONするかによって、制御用電源電圧を調整することが可能である。
【0023】
制御装置8は、制御回路9,記憶回路10,データ値決定回路11及びデータ出力回路12などで構成されている。また、制御装置8には、インターフェイス(I/F)部13を介して外部の検査装置14が接続されるようになっている。また、インターフェイス部13には、オペアンプ2からの出力電圧も与えられており、その出力電圧の検出レベルは検査装置14側に出力可能に構成されている。検査装置14は、ECU1の製造後に、例えばラインの検査工程においてオペアンプ2の動作特性を調整するために用いられる。
【0024】
また、ECU1には、コンピュータブロック及びその他の回路ブロックからなる処理回路ブロック40が配置されている。この処理回路ブロック40は、例えば特開平9−330135号公報の図1に示されている、コンピュータブロック4,パワーオンリセット回路6,温度センサ12,マルチプレクサ14,A/D変換器16等の回路ブロックを含む部分と言える。また、コンピュータブロックにおいては、CPU、プログラムメモリ、データメモリ、I/Oブロックを含む部分と言える。
【0025】
図2は、制御装置8の詳細な電気的構成を示すものである。制御回路9は、CR発振回路15及びタイミングジェネレータ16から構成されている。CR発振回路15は、コンデンサ(キャパシタ),抵抗及びオペアンプなどから構成されて、例えば周波数16kHz程度のクロック信号CLKを出力するようになっており、そのクロック信号はタイミングジェネレータ16に与えられている。
【0026】
図3は、タイミングジェネレータ16の動作を示すタイミングチャートである。タイミングジェネレータ16は、クロック信号CLKの入力パルス数を3ビットカウンタでカウントすることにより、そのカウント値に応じて一定周期毎にモノパルスのタイミング信号CNT_A〜CNT_Dを出力するものである。即ち、カウンタのカウント値は“1〜8(0〜7)”で循環するようになっており、そのカウント値に対して各タイミング信号の出力タイミングは以下のようになっている。
【0027】
タイミングジェネレータ16より出力されるタイミング信号CNT_A〜CNT_Cは、記憶回路10に与えられていると共にデータ値決定回路11の入力部に配置されているフリップフロップ(F/F)11a〜11cにラッチ信号として夫々出力されるようになっている。尚、フリップフロップ11a〜11cに実際に与えられるタイミング信号は、データの適切なラッチタイミングが考慮され、記憶回路10に与えられるタイミング信号CNT_A〜CNT_Cに対して若干のディレイが加えられている。
【0028】
また、タイミング信号CNT_Dは、データ値決定回路11の出力部に配置されているスイッチ11dに制御信号として与えられていると共に、データ出力回路12を構成する補正用レジスタ12aにラッチ信号として出力されるようになっている。尚、補正用レジスタ12aに実際に与えられるタイミング信号も、上記と同様の理由によりスイッチ11dに与えられるタイミング信号CNT_Dに対して若干のディレイが加えられている。
【0029】
尚、CR発振回路15は、処理回路ブロック40内のコンピュータブロックの動作タイミングを決定するクロックを生成するものでもある。こうすることで、調整動作を行う上で好ましい。
【0030】
記憶回路10は、MOSトランジスタプロセスにより2層ゲート方式のEPROMとして構成される12個のメモリセル17を備えている(但し、図2では3個のみ図示)。抵抗アレイ部5に出力する駆動データは前述のように4ビットであるが、記憶回路10には、信頼性向上のため、4ビットデータを同一データで3セット記憶させるようになっている。尚、記憶回路10には、そのデータ書き込みのための制御信号が別途与えられるようになっているが、その部分については図示を省略している。
【0031】
3セットのメモリセル17a〜17cは、データ読み出し用のスイッチ18a〜18cを介して共通のデータバス19に出力されるようになっている。尚、スイッチ18a〜18cは、実際には、PチャネルMOSトランジスタなどで構成されており、その開閉は、タイミング信号CNT_A〜CNT_Cによって夫々制御されるようになっている。
【0032】
データバス19は、フリップフロップ11a〜11cのデータ入力端子に接続されており、各フリップフロップ11a〜11cのデータ出力端子は、データ値決定回路11の入力端子に夫々接続されている。そして、データ値決定回路11の出力端子は、スイッチ18a〜18cと同様の構成であるスイッチ11dを介して補正用レジスタ12aの入力端子に接続されている。補正用レジスタ12aより出力される4ビットデータはデコード回路12bに与えられてデコードされ、16本の出力信号S0〜S15の内何れか1つがハイレベルとなって抵抗アレイ部5の各スイッチ5bに夫々出力されるようになっている。
【0033】
また、デコード回路12bには、インターフェイス部13を介して検査装置14からの制御信号が入力されるようになっている。デコード回路12bは、検査装置14からの4ビットの制御信号が与えられると、補正用レジスタ12aより与えられる駆動データに代えて、その制御信号をデコードして出力するようになっている。
【0034】
ここで、図4は、データ値決定回路11の真理値表であり、図5は、データ値決定回路11の詳細な構成を示すものである。図5に示すように、データ値決定回路11は、3つの2入力ANDゲート20a,20b,20cとそれらのANDゲート20a〜20cからの出力信号が与えられる3入力ORゲート20dによって構成されている。即ち、図4に示す真理値表から明らかなように、3セットのデータA,B,Cの内、何れか2ビットが“1”であれば出力データDを“1”とするものであり、より多数を占めたデータ値を正しい値として選択し、データ出力回路12に出力するようになっている。
【0035】
尚、図2においては、記憶回路10及びデータ値決定回路11の構成は、駆動データの1ビット分(3セット)についてのみ具体的に図示しているが、他の3ビットについても同様に構成されている。
【0036】
このように、制御装置8は、CR発振回路15及びタイミングジェネレータ16からの動作タイミングに基づき動作するものであり、処理回路ブロック40におけるコンピュータブロックの制御プログラムとは独立に動作するものである。よって、制御プログラムで制御装置8を制御する必要がないため、コンピュータブロックについては、制御装置8による調整動作を考慮せずに制御プログラムを設計することができ、好ましいものとなる。また、コンピュータブロックの動作も、調整動作を実行する必要がない分煩雑でなくなり、好ましい。
【0037】
また、図6及び図7は、ECU1を形成する場合のプロセスを、記憶回路10を構成するメモリセル17部分を中心として示す模式的な断面図である。その詳細については特願平10−328560号に記載されており、ここでは、形成工程を概略的に説明する。
【0038】
尚、ECU1は、MOSトランジスタプロセスで形成され、上述したように各部において用いられるスイッチ18a〜18cにもMOSトランジスタが用いられている。また、CR発振回路15や、具体的には図示しないが、オペアンプ2の出力端子以降に接続される電源回りの回路部分などにも多数のキャパシタが用いられているため、メモリセル17の形成は、それらのMOSトランジスタやキャパシタなどの形成と同時に行われる。
【0039】
先ず、Si基板(半導体基板)21にPウェル21a,Nウェル21bを形成した後LOCOS酸化法によりフィールド酸化膜22を形成して、EPROM,キャパシタ,MOSトランジスタなどの各素子領域の分離を行う(図6(a)参照)。次に、Si基板21上にダミー酸化膜23を形成した後、ウエハの全面に第1層目のポリシリコン膜24を成長させる(図6(b)参照)。
【0040】
続いて、ダミー酸化膜23を除去してからポリシリコン膜24上に所定領域が開口したフォトレジスト(図示せず)を配置し、そのフォトレジストをマスクとしてポリシリコン膜24をパターニングする。これにより、EPROM領域にコントロールゲート25を形成すると共に、キャパシタ領域に下部電極26を形成する。それから、コントロールゲート25及び下部電極26を酸化して、これらの表面にゲート絶縁膜(絶縁膜)27を形成する。
【0041】
また、熱酸化によりEPROM領域においてSi基板21上に第1ゲート膜(ゲート絶縁膜)28aを形成すると共に、MOSトランジスタ領域においてSi基板21上にゲート酸化膜28bを形成する(図6(c)参照)。ここで、第1ゲート膜28a及びゲート酸化膜28bを形成するための熱酸化工程は共通化することができる。
【0042】
次に、第1ゲート膜28a及びゲート酸化膜28bを含むウエハの全面に2層目のポリシリコン膜29を形成してから(図7(a)参照)、フォトエッチングによってポリシリコン膜29をパターニングし、EPROM領域にフローティングゲート30,キャパシタ領域に上部電極31,MOSトランジスタ領域にゲート32を形成すると共に、キャパシタ領域とEPROM領域との間にポリシリコン抵抗33を形成する。その後、熱酸化を施してフローティングゲート30,上部電極31,ゲート32及びポリシリコン抵抗33の表面に保護酸化膜34を形成する(図7(b)参照)。
【0043】
続いて、CVD法によりウエハ全面に層間絶縁膜35を形成した後、その層間絶縁膜35を平坦化する処理を施す。それから、フォトエッチングにより層間絶縁膜35にコンタクトホール35a,35b,35cを形成した後、電気配線36をパターニングする。これにより、コンタクトホール35a,35b,35cを介して、各電気配線36a,36b,36cがフローティングゲート30や上部電極31などと電気的に接続される。
【0044】
その後、ウエハ全面を保護膜37で覆うことにより、メモリセル17を含む記憶回路10及びその他の回路を含むECU1が形成される(図7(c)参照)。尚、本実施例では、メモリセル17の表面部分は保護膜37などで覆われることになるので、メモリセル17は、実質的にOTPROM(One Time Programable ROM)となっている。
【0045】
次に、本実施例の作用について説明する。
▲1▼<検査工程>
以上のようにしてECU1が形成されると、検査工程において、制御装置8には、インターフェイス部13を介して検査装置14が接続される。そして、入力端子3には、バッテリ電源と同一の14V程度の電圧が印加され、オペアンプ2は、制御用電源を生成して出力端子2cに出力する。
【0046】
そして、作業者は、検査装置14がインターフェイス部13を介して表示するオペアンプ2の出力電圧をモニタしながらデコード回路12bに制御信号を与えて、オペアンプ2から出力される制御用電源電圧が定められた所定値(例えば、5V)となるように、抵抗アレイ部5の各スイッチ5bを切替える。
【0047】
ここで、例えば、抵抗アレイ部5の第12番目のスイッチ5bをONした時に、オペアンプ2が出力する制御用電源電圧が所定値となったとする。第12番目のスイッチ5bをONさせるための駆動データは、2進数で“1011”である。次に、作業者は、検査装置14によりデータ“1011”を記憶回路10に書き込ませる。
【0048】
尚、駆動データは、1ビットにつき3セットの同じデータ値がメモリセル17a〜17cに書き込まれるが、検査装置14からは4ビットデータ“1011”が出力され、その各データ値が、記憶回路10の各ビット毎の書き込み用データバスに出力されると、記憶回路10の内部において各ビットのメモリセル17a〜17c毎に同じデータ値が書き込まれるようになっている。
【0049】
▲2▼<フィールド>
記憶回路10に調整用の駆動データが書き込まれると、ECU1はフィールドに出荷される。そして、ECU1に電源を投入して実際に動作させると、タイミングジェネレータ16は、図3に示すようにクロック信号CLKに同期してタイミング信号CNT_A〜CNT_Dを出力する。
【0050】
第4クロックにおいてタイミング信号CNT_Aが出力されると、スイッチ18aがONとなり、記憶回路10の各ビット3〜0のデータバス19には、メモリセル17aに記憶されているデータ値が出力される。そして、データ値決定回路11のフリップフロップ11aは、データバス19に出力されたデータをラッチする。
【0051】
そして、第5クロックにおいてタイミング信号CNT_Bが出力されると、スイッチ18bがONとなり、記憶回路10の各ビット3〜0のデータバス19には、メモリセル17bに記憶されているデータ値が出力され、フリップフロップ11bは、データバス19に出力されたデータをラッチする。また、第6クロックにおいてタイミング信号CNT_Cが出力されると、同様にして、メモリセル17cに記憶されているデータ値が出力されフリップフロップ11cによってラッチされる。
【0052】
以上のようにして、各フリップフロップ11a〜11cにメモリセル17a〜17cから読み出されたデータA〜Cがラッチされると、データ値決定回路11は、図4に示す真理値表に従ってデータDの値を出力する。そして、第7クロックにおいてタイミング信号CNT_Dが出力されると、スイッチ11dがONとなってデータDが補正用レジスタ12aに出力されてラッチされる。
【0053】
デコード回路12bにデータDとして“1011”が与えられると、デコード回路12bは、データ“1011”をデコードして出力端子S12をハイレベルにする。すると、抵抗アレイ部5における第12番目のスイッチ5bがONとなり、オペアンプ2の非反転入力端子には、バッテリの電源電圧が、抵抗4及び12個の抵抗5a,5個の抵抗5a及び抵抗6によって分圧された電位が印加されるので、制御用電源電圧は、検査工程において調整された場合と同様にオペアンプ2により所定値5Vとして出力される。
【0054】
そして、以上の動作は、クロック信号CLKの8周期を1単位として繰り返されるので、補正用レジスタ12aにセットされる駆動データは、62.5μS×8=500μS毎にセットし直されてリフレッシュされる。
【0055】
以上のように本実施例によれば、制御回路9,記憶回路10,データ値決定回路11,データ出力回路12を同一のSi基板21上に形成し、記憶回路10には、オペアンプ2によって生成出力される制御用電源の電圧を所定値に調整するための駆動データを予め記憶させる。そして、制御回路9を、CR発振回路15と該CR発振回路15が出力するクロック信号CLKに同期して動作するタイミングジェネレータ16とで構成し、オペアンプ2の動作時に駆動データを記憶回路10より読み出して、データ出力回路12を介して調整回路7に出力するようにした。
【0056】
従って、オペアンプ2が形成された後の動作特性を、記憶回路10に記憶させた駆動データに基づいて略一定とするように調整することができる。そして、オペアンプ2の動作を調整するためのプログラムを作成してプログラムメモリに記憶させる必要はなく、ハードウエアで構成されたタイミングジェネレータ16が自動的に動作することで調整処理が実行されるので、制御装置8を低コストで構成することができる。
【0057】
また、タイミングジェネレータ16は、駆動データを記憶回路10より読み出して調整回路7に出力する動作を、CR発振回路15によって出力されるクロック信号CLKの8周期毎に行う。即ち、駆動データをセットする動作を初期処理などにおいて一度だけしか行わない場合には、外部よりノイズなどが印加された時にデータ出力回路12に保持されているデータ値が変化してしまい、補正された動作特性にずれを生じるおそれがある。
【0058】
そのため、駆動データをセットする動作はオペアンプ2の動作中に複数回行うことが好ましいが、その一方で、記憶回路10に対する制御回路9のアクセス頻度が高まると、記憶回路10に電荷ストレスをより多く与えることになってしまう。従って、駆動データを読み出してセットする動作を一定周期毎に行うことで、ノイズが印加されるなどして駆動データの値が一時的に変化しても一定周期毎に修正して調整の信頼性を高めると共に、記憶回路10に対するアクセス頻度をある程度制限して電荷ストレスを軽減することにより、記憶回路10の寿命を長期化することができる。
【0059】
また、タイミングジェネレータ16は、CR発振回路15によって出力されるクロック信号CLKに同期して制御動作を行うので、簡単な構成のCR発振回路15からクロック信号を得ることにより、制御回路9の構成をシンプルにすることができる。
【0060】
更に、本実施例によれば、ECU1をMOSトランジスタプロセスで形成したので、記憶回路10の内部においてデータの書き込み及び読み出しを制御する部分もMOSトランジスタによって構成される。そして、記憶回路10の第1ゲート膜28aを、MOSトランジスタのゲート酸化膜28bと共に形成することにより、記憶回路10をより少ない工程数で形成することができる。
【0061】
また、CR発振回路15や、オペアンプ2の出力側などはキャパシタを含んで構成されるので、記憶回路10のコントロールゲート25及びフローティングゲート30を、キャパシタの下部電極26及び上部電極31などと共に形成することができる。更に、第1層目のポリシリコン膜24を形成した後にフローティングゲート30を分離するためのフォトエッチングを施す必要がなく、また、MOSトランジスタのしきい値Vt とメモリセル17のしきい値Vt とを調整するための不純物注入工程とを共通化することができる。
【0062】
加えて、EPROM領域とMOSトランジスタ領域とにおけるソース,ドレインの形成工程を共通化することができるので、EPROMとしてのメモリセル17を形成するためだけに実施される工程が減少して、ECU1全体を少ない工程数で形成することができる。
【0063】
また、本実施例によれば、記憶回路10に同一の駆動データを3セット記憶させて、タイミングジェネレータ16が、3セットの駆動データを記憶回路10より読み出してデータ値決定回路11に出力すると、データ値決定回路11は、3セットのデータを各ビット毎に比較して、より多数を占めた方のデータ値をデータ出力回路12に出力するようにした。
【0064】
即ち、記憶回路10に記憶されている駆動データが読み出された時に、外部よりノイズが印加されることなどによって読み出されたデータ値に一部誤りが生じた場合でも、データ値決定回路11は3セットのデータにおいてより多数を占めたデータ値を選択して出力するので、誤った値の駆動データを調整回路7に出力することを極力防止して、信頼性を一層向上させることができる。
【0065】
また、記憶回路10は、3セットのデータを、各ビット毎に設けられた夫々共通のデータバス19に対して各セット毎に異なるタイミングで出力するので、3セットのデータを読み出すためにデータバス幅を3倍必要とすることがなく、Si基板21上におけるスペースの増加を抑制することができる。
【0066】
本発明は上記し且つ図面に記載した実施例にのみ限定されるものではなく、次のような変形または拡張が可能である。
記憶回路には、4セット以上のデータを記憶させて、データ値決定回路において4セット以上のデータについて多数を占めたデータ値を出力するように構成しても良い。
また、データ値決定回路は、必要に応じて設ければ良い。
調整回路を、抵抗アレイ部5のみで構成しても良い。
記憶回路の出力データバスは、必ずしも共通のデータバスにする必要はなく、複数セットのデータ分のバスを設けて、それらのバス上にデータを同時に出力するように構成しても良い。
【0067】
CR発振回路15に代えて、水晶発振子を用いた発振回路を用いても良い。
記憶回路10に紫外線消去用の窓を設けて、一度書き込んだ駆動データを消去できるように構成しても良い。
記憶回路には、特願平10−328560号公報に記載されているEPROMに限ることなく、一般的な製造工程によって形成されるEPROMを用いても良い。また、EPROMに限ることなく、EEPROMやフラッシュROMなどを用いても良い。
電子回路は、オペアンプ2を用いた定電圧回路に限ることなく、アナログ的に調整を行う必要がある回路であれば良い。また、半導体集積回路装置も、ECU1に限る必要はない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明をECUに適用した場合の一実施例であり、全体の電気的構成を示す機能ブロック図
【図2】制御装置の詳細な電気的構成を示す図
【図3】制御回路の動作を示すタイミングチャート
【図4】データ値決定回路の真理値表を示す図
【図5】データ値決定回路の詳細な構成を示す図
【図6】ECUを形成する場合のプロセスを、記憶回路を構成するメモリセル部分を中心として示す模式的な断面図(その1)
【図7】図6相当図(その2)
【符号の説明】
1はECU(半導体集積回路装置)、2はオペアンプ(電子回路)、7は調整回路、8は動作調整制御装置、9は制御回路、10は記憶回路、11はデータ値決定回路、12はデータ出力回路、15はCR発振回路、16はタイミングジェネレータ、17はメモリセル、19はデータバス、21はSi基板(半導体基板)、22はフィールド酸化膜、25はコントロールゲート、26は下部電極、27はゲート絶縁膜(絶縁膜)、28aは第1ゲート膜(ゲート絶縁膜)、28bはゲート酸化膜、30はフローティングゲート、31は上部電極、34は層間絶縁膜、35a〜35cはコンタクトホール、36a〜36cは電気配線、40は処理回路ブロック(コンピュータブロック)を示す。
Claims (7)
- 電子回路の動作特性を調整する調整回路に駆動データを出力するための動作調整制御装置であって、
前記駆動データが与えられると、そのデータをラッチ及びデコードして出力するデータ出力回路と、
前記動作特性を所定の特性に調整するための駆動データが予め記憶される不揮発性の記憶回路と、
前記電子回路の動作時に、前記駆動データを前記記憶回路より読み出して前記データ出力回路を介して前記調整回路に出力する動作をハードウエアによって実行する制御回路とを備え、
前記データ出力回路,前記記憶回路及び前記制御回路を、同一の半導体基板上に形成したことを特徴とする電子回路の動作調整制御装置。 - 前記制御回路は、前記駆動データを前記記憶回路より読み出して前記調整回路に出力する動作を一定周期毎に行うことを特徴とする請求項1記載の電子回路の動作調整制御装置。
- 前記制御回路は、CR発振回路によって出力されるクロック信号に同期して制御動作を行うように構成されていることを特徴とする請求項1または2記載の電子回路の動作調整制御装置。
- 前記データ出力回路,前記記憶回路及び前記制御回路は、MOSトランジスタプロセスによって形成されるものであり、
前記記憶回路は、所定領域に開口部が設けられるフィールド酸化膜と、
このフィールド酸化膜の開口部から露出するゲート絶縁膜と、
前記フィールド酸化膜上に形成されるコントロールゲートと、
このコントロールゲート上に形成される絶縁膜と、
この絶縁膜を介して前記コントロールゲート上に配設され、そのコントロールゲートから前記ゲート絶縁膜へと至るように延設されるフローティングゲートと、
このフローティングゲート及び前記コントロールゲートを覆うように形成される層間絶縁膜と、
この層間絶縁膜に形成され、前記コントロールゲートに連通されるコンタクトホールと、
このコンタクトホールを介して前記コントロールゲートに電気的に接続される電気配線とを備え、
前記コントロールゲート及びフローティングゲートは、夫々キャパシタの下部電極及び上部電極と共に形成され、
前記ゲート絶縁膜は、MOSトランジスタのゲート絶縁膜と共に形成されることを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載の電子回路の動作調整制御装置。 - 前記記憶回路には、同一の駆動データが3以上の複数セット記憶されており、
前記半導体基板上に形成され、前記複数セットのデータが与えられると、それら複数セットのデータを各ビット毎に比較してより多数を占めた方のデータ値を前記データ出力回路に出力するデータ値決定回路を備え、
前記制御回路は、前記複数セットの駆動データを前記記憶回路より読み出すと、それら複数セットの駆動データをデータ値決定回路に出力することを特徴とする請求項1乃至4の何れかに記載の電子回路の動作調整制御装置。 - 前記記憶回路は、前記複数セットのデータを、各ビット毎に設けられた夫々共通のデータバスに対して、各セット毎に異なるタイミングで出力可能に構成されていることを特徴とする請求項5記載の電子回路の動作調整制御装置。
- 電子回路と、
この電子回路の動作特性を調整する調整回路と、
請求項1乃至6の何れかに記載の電子回路の動作調整制御装置と、
CPU,プログラムメモリ,データメモリ,I/Oブロックを備えてなるコンピュータブロックとを備え、これらを集積化してなる半導体集積回路装置であって、
前記動作調整制御装置は、発振回路より出力されるクロック信号により動作するタイミングジェネレータに同期し、且つ、前記コンピュータブロック内の制御プログラムから独立して動作することを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17681799A JP3587296B2 (ja) | 1999-06-23 | 1999-06-23 | 電子回路の動作調整制御装置及び半導体集積回路装置 |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001004715A JP2001004715A (ja) | 2001-01-12 |
JP3587296B2 true JP3587296B2 (ja) | 2004-11-10 |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3587296B2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
JP4543582B2 (ja) * | 2001-06-07 | 2010-09-15 | 株式会社デンソー | 回路装置及び回路装置の調整データ設定方法 |
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---|---|
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