JP3578243B2 - 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本願の発明は、3層の絶縁膜によって電荷を蓄積する不揮発性半導体記憶装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図8、9は、MONOSトランジスタでメモリセルが形成されている不揮発性半導体記憶装置の製造方法の一従来例を示している。この一従来例では、図8(a)に示す様に、Si基板11のメモリセルアレイ部12及び周辺回路部13等を含む全体に、LOCOS法等で素子分離用のSiO2膜14を選択的に形成する。
【0003】
次に、図8(b)に示す様に、メモリセルアレイ部12のSi基板11にイオン注入等で不純物を導入して、閾値電圧の調整等のための不純物領域15を形成する。そして、図8(c)に示す様に、素子活性領域の表面にSiO2膜16を形成し、図8(d)に示す様に、CVD法等でSiN膜17を堆積させる。
【0004】
次に、図8(e)に示す様に、SiN膜17の表面を熱酸化してSiO2膜18を形成して、SiO2膜16とSiN膜17とSiO2膜18とでONO膜19を形成する。そして、図9(a)に示す様に、多結晶Si膜21等を堆積させ、メモリセルアレイ部12の多結晶Si膜21及びONO膜19をパターニングしてゲート電極を形成した後、図9(b)に示す様に、メモリセルアレイ部12以外の周辺回路部13等からONO膜19を除去する。
【0005】
次に、図9(c)に示す様に、周辺回路部13等のSi基板11にイオン注入等で不純物を導入して、閾値電圧の調整等のための不純物領域22を形成し、周辺回路部13等の素子活性領域の表面にゲート酸化膜としてのSiO2膜23を形成する。そして、多結晶Si膜24等を堆積させ、周辺回路部13等の多結晶Si膜24をパターニングしてゲート電極を形成する。
【0006】
次に、図9(d)に示す様に、ソース/ドレイン(図示せず)、層間絶縁膜25、コンタクト孔26及び引出電極27を形成して、メモリセルアレイ部12におけるMONOSトランジスタ28と周辺回路部13等におけるMOSトランジスタ29とを形成する。そして、更に、図示されてはいないが、層間絶縁膜や表面保護膜等を形成して、この不揮発性半導体記憶装置を完成させる。
【0007】
MONOSトランジスタ28では、SiO2膜16とSiN膜17との界面に存在するトラップや、SiN膜17とSiO2膜18との界面に存在するトラップや、これらのSiO2膜16、SiN膜17及びSiO2膜18中に存在するトラップに、チャネル領域から導入された電荷が捕獲されて蓄積され、これによって閾値電圧がシフトすることによって、データが記憶される。
【0008】
図6は、Nチャネル型のMONOSトランジスタ28をNOR型の回路構成に集積化した不揮発性半導体記憶装置の等価回路を示している。このNOR型の不揮発性半導体記憶装置における例えばメモリセルM1の記憶データを読み出す場合は、ワード線WLAに正の電圧を印加し、メモリセルM1のMONOSトランジスタ28の閾値電圧に対応してビット線BL1aとビット線BL1bとの間に電流が流れるか否かを検知して、「1」または「0」の記憶データを判定する。
【0009】
図7は、Nチャネル型のMONOSトランジスタ28をNAND型の回路構成に集積化した不揮発性半導体記憶装置の等価回路を示している。このNAND型の不揮発性半導体記憶装置における記憶データの消去は、例えば図7の様に8個のメモリセルMN1〜MN8から成るブロック毎にまとめて行われる。
【0010】
即ち、記憶データを消去するためには、消去に十分な高電圧(Vpp)をブロック内の総てのワード線WN1〜WN8に印加すると共に、ビット線BN1bに正の電圧を印加する。この結果、総てのメモリセルMN1〜MN8のMONOSトランジスタ28においてチャネル領域からONO膜19へ電子が導入されて、これらのMONOSトランジスタ28がエンハンスメント型つまりノーマリー・オフ型になる。
【0011】
メモリセルMN1〜MN8のうちの所望のメモリセルにデータを書き込むためには、当該メモリセルのワード線を0Vに固定し、記憶データによらずに他の総てのメモリセルのMONOSトランジスタ28が導通する電圧(Vcc)を当該ワード線以外の総てのワード線に印加する。そして、書き込みたい「1」または「0」のデータに対応する電圧をビット線BN1aに印加する。
【0012】
例えば、書き込みたいデータが「1」の場合は、ビット線BN1aにVppを印加し、ONO膜19から電子を引き抜いて、つまりONO膜19に正孔を導入して、当該メモリセルのMONOSトランジスタ28をデプレション型つまりノーマリー・オン型にする。
【0013】
また、書き込みたいデータが「0」の場合は、ビット線BN1aに(1/2)Vppを印加する。(1/2)Vppでは、ONO膜19から電子を引き抜かず、つまりONO膜19に正孔を導入しなくて、当該メモリセルのMONOSトランジスタ28を消去状態のノーマリー・オフ型に維持する。
【0014】
メモリセルMN1〜MN8のうちの所望のメモリセルからデータを読み出すためには、当該メモリセルのワード線を0Vに固定し、それ以外の総てのワード線にVccを印加する。そして、ビット線BN1aに正の電圧を印加する。
【0015】
この結果、読み出すべきメモリセル以外の総てのメモリセルが導通するので、選択したメモリセルのMONOSトランジスタ28がノーマリー・オフ型かまたはノーマリー・オン型かによってビット線BN1bに電流が流れるか否かが決定され、この電流を検知して、「1」または「0」の記憶データを判定する。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、図8、9に示した一従来例では、不揮発性半導体記憶装置が微細化されてメモリセル面積が縮小されると、SiO2膜16とSiN膜17との界面及びSiN膜17とSiO2膜18との界面の面積が縮小され、これらのSiO2膜16、SiN膜17及びSiO2膜18の膜厚も薄膜化される。このため、ONO膜19による電荷蓄積量が減少してメモリセルの信号量が減少し、データ保持特性が劣化して信頼性が低下していた。
【0017】
特に、不揮発性半導体記憶装置の信号であるMONOSトランジスタ28の閾値電圧の変化に利用する電荷は、SiO2膜16とSiN膜17との界面及びSiN膜17とSiO2膜18との界面に捕獲された電荷が支配的であり、メモリセル面積が縮小されるとこれらの界面の面積も直ちに縮小されるので、微細化によるメモリセル面積の縮小によって信頼性の低下が顕著に現れていた。
【0018】
また、図6に示したNOR型の回路構成では、例えばメモリセルM1の記憶データを読み出すためにワード線WLAに正の電圧を印加すると、このワード線WLAはメモリセルM2のゲート電極にもなっているので、メモリセルM2のゲート電極と半導体基板との間にも電位差が生じて、このメモリセルM2が弱い書き込み状態になる。
【0019】
このため、ONO膜19による電荷蓄積量が少ないと、メモリセルM1の読出動作中に、選択されていないメモリセルM2の記憶データが破壊されるという読出ディスターブを生じる可能性がある。そして、微細化によってONO膜19が薄膜化されると、ゲート電極から半導体基板への電界の影響が大きくなって、読出ディスターブに対する余裕が少なくなる。従って、図8、9に示した一従来例では、微細化に伴って読出ディスターブについての信頼性も低下していた。
【0020】
【課題を解決するための手段】
請求項1の不揮発性半導体記憶装置の製造方法は、順次に積層されている第1、第2及び第3の絶縁膜が半導体層と電極との間に介装されており、前記第1、第2及び第3の絶縁膜によって電荷蓄積機能を有している不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、前記半導体層上に前記第1の絶縁膜を形成する工程と、孤立したパターンの前記第2の絶縁膜を前記第1の絶縁膜上に形成する工程と、前記第1の絶縁膜上よりも前記孤立したパターンの第2の絶縁膜上に厚く、これら第1及び第2の絶縁膜上に前記第2の絶縁膜を再度形成する工程と、前記第2の絶縁膜の前記再度の形成の後に、この第2の絶縁膜上に前記第3の絶縁膜を形成する工程とを具備することを特徴としている。
【0021】
請求項2の不揮発性半導体記憶装置の製造方法は、請求項1の不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、化学的気相成長法による潜伏時間内の堆積によって、前記孤立したパターンである島状の前記第2の絶縁膜を前記第1の絶縁膜上に形成することを特徴としている。
【0022】
請求項3の不揮発性半導体記憶装置の製造方法は、請求項1の不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、前記第1の絶縁膜に柱状部を形成し、前記孤立したパターンである筒状の前記第2の絶縁膜を前記柱状部の側面に形成することを特徴としている。
【0023】
請求項4の不揮発性半導体記憶装置の製造方法は、請求項1の不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、化学的気相成長法による潜伏時間よりも長い時間の堆積によって、前記第1及び第2の絶縁膜上に前記第2の絶縁膜を形成することを特徴としている。
【0024】
請求項5の不揮発性半導体記憶装置の製造方法は、請求項1の不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、前記第1、第2及び第3の絶縁膜として夫々半導体酸化膜、半導体窒化膜及び半導体酸化膜を用いることを特徴としている。
【0025】
本願の発明による不揮発性半導体記憶装置の製造方法では、孤立したパターンの第2の絶縁膜を第1の絶縁膜上に形成した後、第1の絶縁膜上よりも第2の絶縁膜上に厚く、これら第1及び第2の絶縁膜上に第2の絶縁膜を再度形成しているので、孤立したパターンを当初に形成した部分とその他の部分との段差が大きい第2の絶縁膜を形成することができる。
【0026】
このため、少なくとも第2の絶縁膜と第3の絶縁膜との界面の少なくとも一部を半導体層の主面に対して垂直にすることができ、この界面を平面にする場合に比べて、メモリセルの単位面積当たりの第1〜第3の絶縁膜による電荷蓄積量を多くして信号量を多くすることができる。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下、MONOSトランジスタでメモリセルが形成されている不揮発性半導体記憶装置の製造に適用した本願の発明の第1及び第2実施形態を、図1〜5を参照しながら説明する。
【0028】
図1が、第1実施形態で製造した不揮発性半導体記憶装置を示している。この不揮発性半導体記憶装置の製造に際しても、図2(a)(b)に示す様に、不純物領域15を形成するまでは、図8、9に示した一従来例の場合と実質的に同様の工程を実行する。この第1実施形態では、その後、図2(c)に示す様に、素子活性領域の表面にSiO2膜31を形成する。
【0029】
次に、図2(d)に示す様に、CVD法等でSiN膜32を堆積させる。但し、CVD法によるSiN膜32の堆積に際しては、原料ガスを供給し始めてから実際に膜が成長し始めるまでの時間である潜伏時間内で処理を中止する。この結果、島状のSiN膜32がSiO2膜14、31上に形成される。
【0030】
次に、図2(e)に示す様に、熱酸化を行って、SiN膜32に覆われていない部分のSiO2膜14、31の膜厚を厚くする。この時、SiN膜32の表面は殆ど酸化されず、SiO2膜14、31の厚くなった膜厚分の20分の1程度の膜厚のSiO2膜しかSiN膜32の表面には形成されない。その後、図2(f)に示す様に、SiN膜32の表面のSiO2膜のみが除去される時間のエッチングを行って、SiN膜32の表面を再び露出させる。
【0031】
次に、図2(g)に示す様に、今度は潜伏時間よりも長い時間のCVD法によって再びSiN膜32を堆積させる。但し、SiN膜上にSiN膜を堆積させる場合の潜伏時間よりもSiO2膜上にSiN膜を堆積させる場合の潜伏時間の方が長いので、SiO2膜14、31上よりもSiN膜32上に厚くSiN膜32が堆積して、SiN膜32に段差が形成される。
【0032】
次に、図3(a)に示す様に、SiN膜32の表面を熱酸化してSiO2膜33を形成し、種々の方法でこのSiO2膜33の表面を平坦化して、SiO2膜31とSiN膜32とSiO2膜33とでONO膜34を形成する。従って、このONO膜34では、SiO2膜31とSiN膜32との界面及びSiN膜32とSiO2膜33との界面の両方が非平面である。
【0033】
次に、図3(b)〜(e)に示す様に、再び、図8、9に示した一従来例の場合と実質的に同様の工程を実行して、メモリセルアレイ部12におけるMONOSトランジスタ35と周辺回路部13等におけるMOSトランジスタ29とを有するこの不揮発性半導体記憶装置を完成させる。
【0034】
図4、5が、第2実施形態の不揮発性半導体記憶装置の製造方法を示している。この不揮発性半導体記憶装置の製造に際しても、図4(a)(b)に示す様に、不純物領域15を形成するまでは、図8、9に示した一従来例の場合と実質的に同様の工程を実行する。この第2実施形態では、その後、図4(c)に示す様に、一従来例におけるSiO2膜16よりも厚いSiO2膜41を素子活性領域の表面に形成する。
【0035】
次に、図4(d)に示す様に、MONOSトランジスタのチャネル領域にすべき部分上のSiO2膜41上にフォトレジスト(図示せず)を残し、このフォトレジストをマスクにしてSiO2膜41を膜厚の途中までエッチングして、SiO2膜41に柱状部41aを形成する。
【0036】
次に、図4(e)に示す様に、CVD法等でSiN膜42を全面に堆積させ、SiN膜42の全面をエッチバックして、柱状部41aの側面に筒状のSiN膜42を残す。その後、図4(f)に示す様に、SiN膜42下以外の部分のSiO2膜41をウエットエッチングで除去する。そして、図4(g)に示す様に、熱酸化を行ってSiN膜42下以外の素子活性領域の表面に再びSiO2膜41を形成し、CVD法等で再びSiN膜42を全面に堆積させる。
【0037】
次に、図5(a)に示す様に、SiN膜42の表面を熱酸化してSiO2膜43を形成し、種々の方法でこのSiO2膜43の表面を平坦化して、SiO2膜41とSiN膜42とSiO2膜43とでONO膜44を形成する。従って、このONO膜44では、SiN膜42とSiO2膜43との界面が非平面である。
【0038】
次に、図5(b)〜(e)に示す様に、再び、図8、9に示した一従来例の場合と実質的に同様の工程を実行して、メモリセルアレイ部12におけるMONOSトランジスタ45と周辺回路部13等におけるMOSトランジスタ29とを有するこの不揮発性半導体記憶装置を完成させる。
【0039】
なお、以上の説明からも明らかな様に、上述の第1及び第2実施形態におけるMONOSトランジスタ35、45の集積化には特に制限がなく、図6に示したNOR型及び図7に示したNAND型の何れの回路構成をも実現することができる。
【0040】
また、上述の第1及び第2実施形態は、MONOSトランジスタでメモリセルが形成されている不揮発性半導体記憶装置の製造に本願の発明を適用したものあるが、本願の発明は、MONOSトランジスタ以外のトランジスタでメモリセルが形成されている不揮発性半導体記憶装置の製造にも適用することができる。
【0041】
【発明の効果】
本願の発明による不揮発性半導体記憶装置の製造方法では、メモリセルの単位面積当たりの第1〜第3の絶縁膜による電荷蓄積量を多くして信号量を多くすることができるので、データ保持特性や読出ディスターブ等についての信頼性を低下させることなく微細化が可能であり、多値動作の実現可能性も高い不揮発性半導体記憶装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願の発明の第1実施形態で製造した不揮発性半導体記憶装置を示しており、(a)は側断面図、(b)は(a)のB部の拡大側断面図である。
【図2】第1実施形態による不揮発性半導体記憶装置の製造方法の前半を工程順に示す側断面図である。
【図3】第1実施形態による不揮発性半導体記憶装置の製造方法の後半を工程順に示す側断面図である。
【図4】本願の発明の第2実施形態による不揮発性半導体記憶装置の製造方法の前半を工程順に示す側断面図である。
【図5】第2実施形態による不揮発性半導体記憶装置の製造方法の後半を工程順に示す側断面図である。
【図6】本願の発明を適用し得るNOR型不揮発性半導体記憶装置の等価回路図である。
【図7】本願の発明を適用し得るNAND型不揮発性半導体記憶装置の等価回路図である。
【図8】本願の発明の一従来例による不揮発性半導体記憶装置の製造方法の前半を工程順に示す側断面図である。
【図9】一従来例による不揮発性半導体記憶装置の製造方法の後半を工程順に示す側断面図である。
【符号の説明】
11 Si基板(半導体層)
21 多結晶Si膜(電極)
31 SiO2膜(第1の絶縁膜)
32 SiN膜(第2の絶縁膜)
33 SiO2膜(第3の絶縁膜)
41 SiO2膜(第1の絶縁膜)
41a 柱状部
42 SiN膜(第2の絶縁膜)
43 SiO2膜(第3の絶縁膜)
Claims (5)
- 順次に積層されている第1、第2及び第3の絶縁膜が半導体層と電極との間に介装されており、前記第1、第2及び第3の絶縁膜によって電荷蓄積機能を有している不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
前記半導体層上に前記第1の絶縁膜を形成する工程と、
孤立したパターンの前記第2の絶縁膜を前記第1の絶縁膜上に形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上よりも前記孤立したパターンの第2の絶縁膜上に厚く、これら第1及び第2の絶縁膜上に前記第2の絶縁膜を再度形成する工程と、
前記第2の絶縁膜の前記再度の形成の後に、この第2の絶縁膜上に前記第3の絶縁膜を形成する工程と
を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 化学的気相成長法による潜伏時間内の堆積によって、前記孤立したパターンである島状の前記第2の絶縁膜を前記第1の絶縁膜上に形成することを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
- 前記第1の絶縁膜に柱状部を形成し、前記孤立したパターンである筒状の前記第2の絶縁膜を前記柱状部の側面に形成することを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
- 化学的気相成長法による潜伏時間よりも長い時間の堆積によって、前記第1及び第2の絶縁膜上に前記第2の絶縁膜を形成することを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
- 前記第1、第2及び第3の絶縁膜として夫々半導体酸化膜、半導体窒化膜及び半導体酸化膜を用いることを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
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