JP3572312B2 - セラミックシース型熱電対 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、セラミックスから成る保護管を持つセラミックシース型熱電対に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、シース型熱電対は、金属製グロープラグや高温で使用されるSUSシース型部品の保護管として使用され、SUS等の金属で作製されたものがある。また、SUSシース型熱電対は、1000℃以上の雰囲気で使用されるものがあり、その場合には、インコネル等の特殊耐熱合金で作製されている。熱電対は、300℃〜1400℃の温度範囲の温度を計測するため、各種の測定材を適合させている。また、熱電対の素線は、酸化性又は還元性の雰囲気に対して弱い場合が多いので、一般的には保護パイプ内に入れて使用されている。また、従来のセラミックシース型熱電対として、通気用の孔を側面に形成した窒化珪素製保護管内に、W−Re素線を内包し、それらの空間をTiNが分散した反応焼結窒化珪素を充填した構造のものが知られている。
【0003】
また、特開平6−160200号公報には、気密端子付シース型熱電対が開示されている。該熱電対は、過渡的な温度変化等により、端子部に温度勾配が生じても測定誤差を生じさせないものであり、アルメル線とクロメル線の異種金属線からなる熱電対素線をステンレス製シース内に無機絶縁材と共に、相互に絶縁して収納し、シースの基端側を気密端子部により気密に封止する。気密端子部のセラミック端板に取り付けられた2本のコパール製の貫通パイプの内部に絶縁スリーブが挿入され、各熱電対素線はその内部を通って貫通パイプと直接接触せずに外部に引き出されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の保護管をSUSで作製した場合には、保護管は、その耐熱使用限界温度が900℃程度と低い耐熱温度である上、硫黄ガス中での使用では保護管の金属が硫黄ガスに侵されるので、硫黄ガス中での使用が困難である。また、保護管をインコネル等の特殊耐熱合金で作製した場合には、その保護管はSUSの保護管に比較して耐熱温度が高くなるが、コストが約2倍とアップすることになる。
【0005】
また、上記セラミックシース型熱電対は、高温大気中で使用した場合に、保護管に形成した通気孔から内部への酸素の侵入によってW−Re素線が劣化するという問題がある。更に、W−Re素線の熱膨張係数は4.8×10− 6 /℃であり、W線の熱膨張係数より更に大きく、繰り返しの使用によって周囲を形成する材料との熱膨張係数差に起因する応力により劣化する可能性がある。また、上記セラミックシース型熱電対は、保護管内にW−Re素線を内包し、保護管の空間をTiN分散反応焼結Si3 N4 を充填した構造では、測温の応答性が良好でなく、更に応答性を向上させる必要があった。
【0006】
また、前掲特開平6−160200号公報に開示された気密端子付シース型熱電対は、保護管としてステンレス製シースを用いているが、該ステンレス製シースは外部雰囲気中に直接晒された状態であり、例えば、雰囲気中に硫黄ガス等のガスが存在する場合には、シース自体に腐食が発生し、耐久性が低下するという問題を有している。
【0007】
【課題を解決するための手段】
この発明の目的は、上記の課題を解決することであり、セラミックスから成る保護管内に配置したW−Re素線と該W−Re素線を充填材中に内包し、測温点の先端部に充填された第1充填材の熱伝導率を大きく、先端部以外の後方部に充填された第2充填材の熱伝導率を小さく構成し、また、先端部の保護管の厚みを薄く構成し、測温の応答性を向上させたセラミックシース型熱電対を提供することである。
【0008】
この発明は、窒化珪素、サイアロン及び炭化珪素から選択されるセラミックスによって作製され且つ測温点となる先端部の端面が閉鎖されている保護管、前記保護管の内部に配置され且つ前記保護管の前記先端部の領域で互いに結合された異なる組成の一対のW−Re素線、前記W−Re素線を内包するように前記保護管の前記先端部内に充填された反応焼結Si3 N4 系セラミックスを主成分とする第1充填材、及び前記保護管の前記先端部以外の内部に充填され且つ前記第1充填材よりも熱伝導率が小さい材料から成る第2充填材、から成るセラミックシース型熱電対に関する。
【0009】
また、前記第1充填材はTiを含んでいる複合セラミックスである。
【0010】
また、前記第2充填材はセラミック繊維又は反応焼結セラミックスから成る材料である。
【0011】
また、前記保護管の前記内部にN2 やArの不活性ガスが導入されていると共に、前記保護管の前記内部に不活性ガスを封入するため、前記保護管の開口端部を密閉する封止部材が設けられている。
【0012】
また、前記第1充填材には50W/m・K以上の熱伝導率を有する粒子が含まれている。
【0013】
また、前記第1充填材に含まれている前記粒子はAlN、SiC又はSi3 N4 である。
【0014】
また、前記保護管の前記先端部の外径が前記先端部以外の部分の前記保護管の外径よりも小さく、前記先端部が薄く形成されている。
【0015】
このセラミックシース型熱電対は、上記のように、保護管の先端部内には焼結体時に膨張する特性を持つ反応焼結材が充填されるので、反応焼結材と保護管とが密着し、熱の通過面積を大きくすることができ、前記測温点の近傍が測温雰囲気に対して熱伝導性が良好になって応答性を向上できる。特に、保護管内の後方部に充填された第2充填材は、先端部の第1充填材よりも熱伝導率が小さいので、先端部の熱が後方部へ伝達され難くなって後方部への熱の逃げをできるだけ小さくすることができ、先端部に熱量を集中させ、先端部(測温点)の温度が測温物体の温度にまで短時間に直ちに上昇させることができ、測温物体の温度を直ちに正確に測定でき、測温応答性を向上させることができる。
【0016】
更に、このセラミックシース型熱電対は、保護管の先端部の厚みを薄く形成して先端部の熱容量を小さくし、先端部の温度を測温物体の温度まで直ちに変動させることができる。また、前記保護管内には不活性ガスが封入されているので、W−Re素線の劣化を防止できる。また、保護管内に充填される複合セラミックスにAlNやSi3 N4 を添加して分散させることによって、熱伝導率を大きくできる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、図1を参照して、この発明によるセラミックシース型熱電対の実施例を説明する。図1はこのセラミックシース型熱電対の第1実施例を示す断面図、図2はこのセラミックシース型熱電対の第2実施例を示す断面図、図3はこのセラミックシース型熱電対の第3実施例を示す断面図、図4はこのセラミックシース型熱電対の第4実施例を示す断面図、及び図5はセラミックシース型熱電対の端部を示す部分拡大断面図である。
【0018】
図1〜図4に示すように、このセラミックシース型熱電対は、保護管1の内部に充填する材料及び保護管1の形状に特徴を有するものである。保護管1の測温領域の先端部4の内部には熱伝導率の大きい材料を充填し、後方部16の内部には熱伝導率の小さい材料を充填している。また、図3及び図4に示すように、保護管1の先端部4の径を小さくして熱容量を小さくし、測温の対象物の温度に直ちに上昇できる構造に構成されている。更に、保護管1の内部に内包されるW−Re素線6,7の酸化腐食による断線を阻止するためArやN2 の不活性ガスを保護管1の内部に封入し、封止部材8で保護管1内を密封している。
【0019】
このセラミックシース型熱電対は、窒化珪素(Si3 N4 )、サイアロン(sialon)及び炭化珪素(SiC)から選択されるセラミックスによって作製された保護管1、保護管1の内部に配置された測温点5となる先端部4の領域で結合部を有するW−Re素線6,7、及びW−Re素線6,7を内包するように保護管1の測温点を構成する先端部4に充填された反応焼結Si3 N4 系セラミックスを主成分とする複合セラミックスの充填材2、及び保護管1の先端部4以外の後方部16の内部に充填され且つ充填材2よりも熱伝導率が小さいセラミックス等の材料から成る充填材3から構成されている。
【0020】
このセラミックシース型熱電対において、充填材2は、Tiを含んでいる複合セラミックスで構成されており、Tiを含有させたスラリーを保護管1に充填して反応焼結した場合に、Tiを含有することで焼結膨張し、充填材2が保護管1の内壁面に密着し、保護管1から充填材2への熱伝達が良好になる。また、充填材2には、熱伝導率が50W/m・K以上のAlN、SiC、Si3 N4 等の粒子が含まれており、充填材2の熱伝導率を上昇させることができる。
【0021】
また、充填材3は、SiCウィスカー等のセラミック繊維(図1、図3)、或いはSi3 N4 系反応焼結セラミックス(図2、図4)から成る材料で構成されている。保護管1の内部には、N2 やArの不活性ガスが封入されていると共に、保護管1の内部に前記不活性ガスを封入するため、保護管1の開口端部17にはポリイミド樹脂や鉛ガラス等の封止部材8が嵌合して密閉されている。充填材3をセラミック繊維で構成した場合には、不活性ガスを保護管1の後方部16に導入する。また、充填材3を反応焼結セラミックスから構成した場合には、保護管1に充填されたスラリーをN2 雰囲気で反応焼結することによって、必然的にN2 が封入されることになる。
【0022】
また、保護管1の先端部4は、図3及び図4に示すように、先端部4の外径が先端部4より後方の後方部16の保護管1の外径よりも小さいサイズに形成され、両者の内径を同一に形成することにより、先端部4がそれ以外の部分より薄く形成される。保護管1の先端部4の厚さが薄く形成されることにより、先端部4の熱容量が小さくなり、先端部4の測温点5の領域の熱容量が小さくなり、先端部4が測温領域の温度に直ちに昇温することができ、測温応答性を一層向上させることができる。
【0023】
〔実施例1〕
第1実施例のセラミックシース型熱電対は、図1に示すように作製されているものである。まず、保護管1を、内径φ5mm、外径φ8mm及び長さ300mmのサイズにサイアロン材によって作製し、保護管1の形状として、先端部4の一端部11を密閉し、後方部16の他端17を開口する。W−Re素線6,7として、一方の線材がW−5%Re(+)から構成されたφ0.5mmのW−Re素線6と、他方の線材がW−26%Re(−)から構成されたφ0.5mmのW−Re素線7との二種類の素線を一端で互いに直列に結線する。結線した結合部を保護管1の測温点5の領域に位置するように、保護管1内に非接触状態に配設した。次いで、保護管1の端部11から15mmの部分までの先端部4に、Si粉末を40wt%、Si3 N4 を50wt%及びTiを10wt%の配合割合で混合した混合粉を含むスラリー(充填材2に転化する)を充填すると共に、保護管1の後方部16に、SiCウィスカー(充填材3になる)を充填し、W−Re素線6,7を充填材2,3で内包するように保護管1内に固定した。そこで、これを0.93MPaの窒素雰囲気中で反応焼結した。保護管1の先端部4内に充填された充填材2は、スラリーがSi3 N4 系反応焼結セラミックスに転化し、その熱伝導率λは3.5W/m・Kの複合セラミックスとなった。これに対して、充填材3は、SiCウィスカーであり、その熱伝導率λは0.1W/m・Kである。次いで、W−Re素線6,7のそれぞれリード線12を接続した後、保護管1の内部にN2 ガス(不活性ガス)を導入し、保護管1の端部17をポリイミド樹脂から成る封止部材8で封止し、封止部材8に端子9を形成した。これを本発明品1とする。
【0024】
〔実施例2〕
第2実施例のセラミックシース型熱電対は、図2に示すように作製されているものである。第2実施例は、第1実施例と同様の保護管1及びW−Re素線6,7を使用し、保護管1の端部11から15mmの部分までの先端部4に、Si粉末を40wt%、AlNを50wt%及びTiを10wt%の配合割合で混合した混合粉を含むスラリー(充填材10に転化する)を充填すると共に、保護管1の後方部16に、Si粉末を40wt%、Si3 N4 を50wt%及びTiを10wt%の配合割合で混合した混合粉を含むスラリー(充填材2に転化する)を充填した。以下、第2実施例は、第1実施例と同様の工程によって作製した。保護管1の先端部4内に充填された充填材10は、スラリーがSi3 N4 系反応焼結セラミックスに転化し、その熱伝導率λは15W/m・Kの複合セラミックスとなり、140W/m・K以上の熱伝導率λを有する添加剤AlNによって熱伝導率が大きいものとなった。また、保護管1の後方部16内に充填された充填材2は、スラリーがSi3 N4 系反応焼結セラミックスに転化し、その熱伝導率λは3.5W/m・Kの複合セラミックスとなった。これを本発明品2とする。
【0025】
〔実施例3〕
第3実施例のセラミックシース型熱電対は、図3に示すように作製されているものである。第3実施例は、第1実施例と同様のW−Re素線6,7及び充填材2,3を使用し、保護管1として、先端部4から15mmまでの部分を外径φ6mmから成る薄い管厚部分1Aに形成し、内径φ5mm及び長さ300mmを第1実施例の保護管1と同様のサイズにサイアロン材によって作製した。第3実施例は、以下、第1実施例と同様の工程によって作製した。第3実施例は、保護管1の先端部4の充填材2及び後方部16の充填材3は第1実施例と同一材料であるので、第1実施例と第3実施例とは保護管1の先端部4の厚さが異なるのみである。これを本発明品3とする。
【0026】
〔実施例4〕
第4実施例のセラミックシース型熱電対は、図4に示すように作製されているものである。第4実施例は、第3実施例と同様の保護管1を使用し、保護管1の先端部4の充填材10及び後方部16の充填材2は第2実施例と同様のものに構成した。第4実施例は、他の作製工程については第2実施例と同様に行った。第4実施例は、保護管1の先端部4の充填材10及び後方部16の充填材3は第2実施例と同一材料であるので、第2実施例と第4実施例とは保護管1の先端部4の厚さが異なるのみである。これを本発明品4とする。
【0027】
このセラミックシース型熱電対の応答性を調べるため、セラミックシース型熱電対の比較例として、比較例1と比較例2のものを作製した。
〔比較例1〕
比較例1では、第1実施例で使用した保護管1を使用し、保護管1内に二個の貫通孔15が形成されたSi3 N4 から成る絶縁管14を配置し、絶縁管14の貫通孔15に第1実施例で使用したW−Re素線6,7を挿通し、保護管1の先端部4に空気溜まり13を形成した。空気溜まり13中にW−Re素線6,7の端部を結線した結合部を位置させて測温点5を形成し、また、W−Re素線6,7の他端にリード線12を結線した。これを比較例1とする。
【0028】
〔比較例2〕
比較例2では、第1実施例で使用した保護管1を使用し、保護管1内に第1実施例で使用したW−Re素線6,7を挿通した。次いで、保護管1内に、Si粉末を40wt%、Si3 N4 を50wt%及びTiを10wt%の配合割合で混合した混合粉を含むスラリー(充填材2に転化する)を充填し、W−Re素線6,7を充填材2で内包するように保護管1内に固定した。以下、比較例2は、第1実施例と同様の工程によって作製した。これを比較例2とする。
【0029】
上記の各実施例及び各比較例で作製したセラミックシース型熱電対を、温度を730℃としたアルミ溶湯中に浸し、その時間経過に伴って各セラミックシース型熱電対の起電力変化から温度を測定した。それらの結果を、図6のグラフに示す。図6から分かるように、本発明品4が最も応答性が良く、本発明品3が2番目に応答性が良く、本発明品2が3番目に応答性が良く、また、本発明品1が4番目に応答性が良いことが分かる。これに対して、比較例2は本発明品1よりも応答性が悪く、比較例1は応答性が最低であることが分かる。このことから、セラミックシース型熱電対において、保護管1内の後方部16に充填した材料の熱伝導率が、保護管1の先端部4に充填した材料の熱伝導率より小さいことが応答性を向上させ、また、保護管1の先端部4に充填した材料の熱伝導率を高くすることが応答性を向上させ、更に、保護管1の先端部4の厚みを薄くして熱容量を小さくすることが応答性を一層向上させることが分かった。
【0030】
【発明の効果】
この発明によるセラミックシース型熱電対は、上記のように、保護管の先端部の充填材を保護管の後方部の充填材より熱伝導率を大きく形成し、保護管の後方部の充填材より熱伝導率をできるだけ小さく構成することによって、先端部では温度測定対象の温度にまで直ちに上昇させ、その温度が保護管を通じて後方へ熱が逃げ難くなり、応答性を向上させることができる。また、保護管の先端部を薄く形成することによって、一層応答性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】このセラミックシース型熱電対の第1実施例を示す断面図である。
【図2】このセラミックシース型熱電対の第2実施例を示す断面図である。
【図3】このセラミックシース型熱電対の第3実施例を示す断面図である。
【図4】このセラミックシース型熱電対の第4実施例を示す断面図である。
【図5】セラミックシース型熱電対の端部を示す部分拡大断面図である。
【図6】セラミックシース型熱電対の応答性を示すグラフである。
【図7】セラミックシース型熱電対の第1比較例を示す断面図である。
【図8】セラミックシース型熱電対の第2比較例を示す断面図である。
【符号の説明】
1 保護管
1A 薄い管部分
2,3,10 充填材
4 先端部
5 測温点
6,7 W−Re素線
8 封止部材
9 端子
11,17 端部
12 リード線
16 後方部
Claims (7)
- 窒化珪素、サイアロン及び炭化珪素から選択されるセラミックスによって作製され且つ測温点となる先端部の端面が閉鎖されている保護管、前記保護管の内部に配置され且つ前記保護管の前記先端部の領域で互いに結合された異なる組成の一対のW−Re素線、前記W−Re素線を内包するように前記保護管の前記先端部内に充填された反応焼結Si3 N4 系セラミックスを主成分とする第1充填材、及び前記保護管の前記先端部以外の内部に充填され且つ前記第1充填材よりも熱伝導率が小さい材料から成る第2充填材、から成るセラミックシース型熱電対。
- 前記第1充填材はTiを含んでいる複合セラミックスである請求項1に記載のセラミックシース型熱電対。
- 前記第2充填材はセラミック繊維又は反応焼結セラミックスから成る材料である請求項1又は2に記載のセラミックシース型熱電対。
- 前記保護管の前記内部にN2 やArの不活性ガスが導入されていると共に、前記保護管の前記内部に不活性ガスを封入するため、前記保護管の開口端部を密閉する封止部材が設けられている請求項1〜3のいずれか1項に記載のセラミックシース型熱電対。
- 前記第1充填材には50W/m・K以上の熱伝導率を有する粒子が含まれている請求項1〜4のいずれか1項に記載のセラミックシース型熱電対。
- 前記第1充填材に含まれている前記粒子はAlN、SiC又はSi3 N4 である請求項5に記載のセラミックシース型熱電対。
- 前記保護管の前記先端部の外径が前記先端部以外の部分の前記保護管の外径よりも小さく、前記先端部が薄く形成されている請求項1〜6のいずれか1項に記載のセラミックシース型熱電対。
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